Plane Domains(平面域)研究综述
Plane Domains 平面域 - In this paper we prove an analogous result in the context of plane domains with their quasihyperbolic metrics. [1] In this paper, we study the expected density of zeros of derivatives of Gaussian random polynomials on plane domains of C. [2] We attempted to control the volume fraction of the in-plane domains of在本文中,我们在平面域及其准双曲线度量的背景下证明了一个类似的结果。 [1] 在本文中,我们研究了 C 平面域上高斯随机多项式导数的预期零点密度。 [2] 我们试图控制 <italic>RE</italic>Ba<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">$_{2}$</tex-math> 的平面域的体积分数</inline-formula>Cu<inline-formula><tex-math notation="LaTeX">$_{\bf 3}$</tex-math></inline-formula>O<inline-formula><tex -math notation="LaTeX">$_{\bf 7-\delta }$</tex-math></inline-formula>涂层导体(<italic>RE</italic>BCO-CCs)在高温下施加的弯曲应变。 [3] 随着温度的降低,纳米斯格明子晶格演变成封闭的平面域 (EIPD),类似于尺寸低于 120 nm 的迷你条形磁铁。 [4] 在这里,使用具有晶体 MoS2 和非晶 MoOx 的面内域的 II 型半导体异质结构的纳米棒演示了一种双电极光可充电锂离子电池。 [5] 发现两种LMNO薄膜均以单斜晶体对称性生长,并具有两个面外域(110)和(001)。 [6] 通过模拟从微磁模拟开始的散射数据来分析实验数据,我们发现 Co/Pd 多层的平面外域侵入 NiFe 层的程度比使用标准磁力进行的微磁模拟所预期的要大。 NiFe 层的各向同性输入参数。 [7] 发现存在多个与相邻域的极化切换相反的平面内域是观察到的小极化的原因。 [8] 在 180° 畴壁小于 20nm 宽度的情况下观察到平面外畴,这与微磁模拟非常吻合。 [9] 在可变运动学框架中,全厚度域和平面域中的 hp 和 p 细化水平是可以独立变化的自由参数。 [10]