Wave Plasma
웨이브 플라즈마

이 연구에서 마이크로파 플라즈마 화학 기상 증착은 실리콘 기판에서 BN을 합성하는 데 사용됩니다.

전도성 다이아몬드 필름은 마이크로파 플라즈마 화학 기상 증착에 의해 포일 위에 성장되었습니다.

5분), 마이크로파 플라즈마 강화 화학 기상 증착(MW-PECVD)을 사용하여 감소된 온도(760 °C)에서.

CNW 필름은 SWMWPECVD(Surface-wave Microwave Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 기술에 의해 실리콘 기판에서 성장되었습니다.

마이크로파 플라즈마 원자 방출 분광법을 사용하여 매트릭스 원소를 추가하지 않고 교정 방법으로 아연 금속의 36개 불순물 원소를 결정했습니다.

실리콘은 마이크로파 플라즈마 원자 방출 분광법으로 측정되었습니다.

화학 기상 증착(CVD) 다이아몬드 필름의 증착에 대한 연구는 화염 연소가 마이크로파 플라즈마 및 직류 아크를 포함하지 않고 가장 높은 증착 속도를 갖는 것으로 나타났습니다.

여기, 우리는 마이크로파 보조 표면파 플라즈마(MW-SWP) 화학 기상 증착(CVD)에 의해 전구체로 암모니아 보란을 사용하여 비교적 낮은 온도에서 hBN 층의 대면적 합성에 대해 보고합니다.

9%) 마이크로파 플라즈마 보조 화학 기상 증착 과정에서 H2-CH4 혼합물에 추가된 실란 SiH4 가스.

마이크로파 플라즈마 보조 화학 기상 증착을 통한 7 nm, 공기 중에서 열처리.

생물학적 샘플에서 중금속의 정량적 측정은 마이크로웨이브 플라즈마(Agilent Technologies, USA)가 있는 Agilent 4100 원자 방출 분광계에서 수행되었습니다.

중금속(Zn, Cd, Cu, Pb, Cr)의 농도는 마이크로웨이브 플라즈마 원자 방출 분광기를 이용하여 Reasi 지역의 히말라야 하부 마을에서 측정되었다.

본 연구에서 질소 도핑된 다층 호모에피택셜 단결정 다이아몬드는 고압고온(HPHT) Ib형 다이아몬드 기판에서 MPCVD(microwave plasma chemical vapor deposition) 방법을 사용하여 합성됩니다.

마이크로파 플라즈마 화학 기상 증착(MPCVD) 방법에 의해 단결정 다이아몬드 기판에 성장한 다이아몬드 모자이크가 연구되었습니다.

붕소 도핑된 다이아몬드 박막은 CVD 공정에서 중수소가 풍부한 마이크로파 플라즈마에서 성장했습니다.

여기에서 우리는 알코올과 삼산화붕소(B2O3)의 혼합물로부터 액체 마이크로파 플라즈마 CVD(IL-MPCVD) 공정에 의한 다결정 붕소 도핑 다이아몬드(BDD)의 첫 번째 합성을 보고합니다.

재료의 특성은 X-선 회절, 주사 전자 현미경, 적외선 분광법, X-선 광전자 분광법, 마이크로파 플라즈마 원자 방출 분광법 및 표면 영역으로 특성화되었습니다.

표면 기능화된 나노다이아몬드의 종합적인 특성화는 동적 광산란, 나노입자 추적 분석, 투과 전자 현미경, X선 광전자 분광법, 제타 전위 측정, 마이크로파 플라즈마 원자 방출 분광법 및 시간 분해 광물리학의 조합을 사용하여 달성되었습니다.

이 문서에서는 원격 플라즈마 처리를 위한 소형 표면파 플라즈마 소스의 설계 및 작동에 대해 설명합니다[i.

여기, 우리는 마이크로파 보조 표면파 플라즈마(MW-SWP) 화학 기상 증착(CVD)에 의해 전구체로 암모니아 보란을 사용하여 비교적 낮은 온도에서 hBN 층의 대면적 합성에 대해 보고합니다.

일련의 에너지 의존 강도 측정은 강도가 일반적으로 더 높은 레이저 에너지와 더 단단한 샘플에 따라 증가한다는 것을 보여줍니다. 이는 더 강한 충격파 플라즈마의 생성과 날카로운 방출을 담당하는 후속적으로 유도된 He 보조 여기(HAE) 메커니즘에 기인할 수 있습니다. 선과 매우 낮은 스펙트럼 배경.

이것은 제거된 주요 호스트 요소에 의한 충격파 플라즈마의 형성과 훨씬 더 가벼운 제거된 C 원자의 조기 빠른 통과 사이의 심각한 시간 불일치 효과에 그 기원이 있는 것으로 나타났습니다.

이 연구에서는 BEOL 에칭을 위한 ALE 공정 접근 방식의 이점을 결정하기 위해 ULK 재료에 대한 QALE(quasiatomic layer etch) 공정, 기존의 연속파 플라즈마 및 펄스 플라즈마 공정의 영향을 조사했습니다.

선택적 Si3N4 에칭 연속파 플라즈마 CH3F 기반 공정이 개발되었으며 SiO2 및 SiCO에 대해 9:1의 선택도가 달성되었습니다.

이 연구에서 마이크로파 플라즈마 화학 기상 증착은 실리콘 기판에서 BN을 합성하는 데 사용됩니다.

전도성 다이아몬드 필름은 마이크로파 플라즈마 화학 기상 증착에 의해 포일 위에 성장되었습니다.

나노결정질 다이아몬드(NCD) 필름은 메탄/수소/질소 플라즈마에서 마이크로파 플라즈마 강화 화학 기상 증착(MPCVD)에 의해 고압 고온(HPHT)(110) 단결정(SC) 다이아몬드 기판에서 성장되었습니다.

고성능 실온 기반 수소 가스 센서는 마이크로파 플라즈마 강화 CVD(MPE-CVD) 및 열수 기술을 통해 초나노결정질 다이아몬드/이황화몰리브덴/산화아연 나노로드(UNCD/MoS2/ZNR) 나노하이브리드를 사용하여 제작됩니다.

마이크로파 플라즈마 원자 방출 분광법을 사용하여 매트릭스 원소를 추가하지 않고 교정 방법으로 아연 금속의 36개 불순물 원소를 결정했습니다.

실리콘은 마이크로파 플라즈마 원자 방출 분광법으로 측정되었습니다.

이 작업에서 각각 대기압 인터페이스 선형 이온 트랩 비행 시간 분석(LIT-TOFMS) 기기와 결합된 마이크로파 플라즈마 토치(MPT) 및 저온 플라즈마(LTP) 이온 소스가 개발되었습니다.

이 연구는 마이크로파 플라즈마 토치를 기반으로 금속 인클로저로 둘러싸인 원통형 방전관에서 진행파의 전파 전자기 모드를 조사하는 것을 목표로 합니다.

마이크로파 플라즈마 반응기에서 CO로의 CO2 변환을 설명하는 데 적합한 1D 플러그 흐름 모델이 제안됩니다.

다이아몬드 증착을 위한 마이크로파 플라즈마 반응기의 수소-메탄 혼합물에는 마이크로파 방전의 수축이 일어나는 임계 압력이 있다는 것이 발견되었습니다.

이 논문은 산업용 응용 분야를 위한 새롭고 간단한 자체 점화 소형 마이크로파 플라즈마 제트의 설계, 개발 및 실험 결과를 제시합니다.

본 연구에서는 다이아몬드 막 성장을 위한 마이크로파 플라즈마 제트 화학 기상 증착에 대한 연구 및 개발이 수행되었습니다.

이 문서에서는 원격 플라즈마 처리를 위한 소형 표면파 플라즈마 소스의 설계 및 작동에 대해 설명합니다[i.

대기압에서 작동하는 마이크로파 플라즈마 소스(MPS)는 화염 또는 원통형 기둥 형태의 플라즈마를 제공합니다.

이 저렴한 실내 공기 마이크로파 플라즈마 발생기는 최소한의 예산 투입으로 PDMS(폴리디메틸실록산) 장치를 유리에 밀봉할 수 있는 가능성을 탐색하기 위해 R-4055, 400W, 2450MHz 하프 파인트 가정용 전자레인지(Sharp®)를 사용하여 설계되었습니다. .

이 연구에서, 마이크로파 표면파 플라즈마 발생기에 의해 생성된 암모니아 플라즈마는 빠르고 제어 가능한 표면 개질을 달성하기 위한 손쉬운 소스로 개발되었으며, 몇 분 안에 초고속 플라즈마 처리에 의해 g-CN의 구조 엔지니어링을 달성하여 g-CN의 광촉매 성능을 향상시켰습니다. 씨엔.

막의 전도도는 마이크로파 플라즈마 보조 화학 기상 증착 동안 CH4 가스 농도를 단순히 변화시켜 결정립계에서 sp2 탄소의 형성을 촉진함으로써 제어되었습니다.

이 기사에서는 -NH 2 함유 유기규소 전구체((3-아미노프로필)트리에톡시실란: APTES)를 사용한 펄스 원격 Ar-O 2 마이크로파 플라즈마 보조 화학 기상 증착의 사용을 보고합니다.

마이크로파 플라즈마 합성에 의해 제조된 uSPION은 세포독성을 나타내지 않았고 내피 특성을 손상시키지 않았다.

이 작업은 이전에 실험실 규모의 공정에서 조사된 기체 전구체 모노실란(SiH4)으로부터 실리콘 나노입자의 마이크로파 플라즈마 합성을 최대 200g/h의 생산 속도로 파일럿 플랜트 규모로 확장하는 데 전념합니다.

비교적 고압(6kPa) 영역에서 마이크로파 플라즈마 산화는 SiC 산화의 열역학적 분석을 기반으로 4H-SiC 위에 고품질 SiO2 층을 빠르게 성장시키기 위해 개발되었습니다.

고압(~6kPa) 마이크로파 플라즈마 산화 방법을 사용하여 3nm/min 이상의 성장률로 상온에서 SiC에서 원자 평면 계면을 갖는 고품질 SiO2가 빠르게 성장했습니다.

여기에서 우리는 알코올과 삼산화붕소(B2O3)의 혼합물로부터 액체 마이크로파 플라즈마 CVD(IL-MPCVD) 공정에 의한 다결정 붕소 도핑 다이아몬드(BDD)의 첫 번째 합성을 보고합니다.

이 작업에서 독립형 CVD PCD 필름은 마이크로파 플라즈마 CVD(MPCVD)에 의해 증착되었으며 라만 분광법으로 특성화되었습니다.

다음으로, 마이크로파 플라즈마 에칭 기술을 기반으로 하는 제조 공정이 실질적으로 개선되어 좁은 방출 선폭, 높은 단일 광자 순도 및 여기 상태 수명의 상당한 감소를 달성합니다.

나노다공성 탄소 전극은 탄소-미세 전자 기계 시스템(carbon-microelectromechanical-systems, 탄소-MEMS)과 마이크로파 플라즈마 에칭 공정으로 알려진 간단하고 비용 효율적이며 재현 가능한 미세 제작 기술을 결합하여 제작되었습니다.

마이크로웨이브 플라즈마 생성(MP-AES)을 사용한 원자 방출 분광법으로 유제품, 육류, 생선 식품 및 식품 원료의 거시 및 미량 원소를 결정하는 방법이 개발되어 영양가와 안전성을 평가하는 것으로 인증되었습니다.

이 논문에서, 마이크로파 플라즈마 생성의 전통적인 방법은 공진 챔버에서 진공 증착 챔버로의 고속 플라즈마 흐름의 형성과 함께 사용됩니다.

이 연구에서 대체 광원으로 작용하는 마이크로파 플라즈마 램프(MPL)의 빛이 바질 식물(Ocimum basilicum L.

인공 햇빛을 방출하는 새로운 마이크로파 플라즈마 램프(MPL), 상업용 고압 나트륨 램프(HPS), 세라믹 금속 할로겐 램프(CDM) 및 발광 다이오드(LED)의 네 가지 램프 시스템이 테스트되었습니다.

특히, 중성 가스 온도(아르곤 2p2-1s2 및 2p3-1s2 방출선의 확장에서 얻음), 아르곤 1s5 원자의 수 밀도(가변 레이저 다이오드를 사용하여 아르곤 2p9-1s5 전이의 흡수 분광법에서 얻음) , 전자 온도(측정 및 시뮬레이션된 아르곤 2p-to-1s 상대 라인 방출 강도의 비교에서 얻음) 및 전자 밀도(Hβ 라인의 Stark 확장 및 아르곤 상대 라인 방출 강도에서 얻음)는 다음과 같이 기록되었습니다. 마이크로파 플라즈마 컬럼을 따른 축방향 거리의 함수.

4 eV; 측정 및 시뮬레이션된 2p-to-1s 방출 라인 강도 간의 비교에서 얻은 값)은 마이크로파 플라즈마 컬럼을 따라 축방향 거리의 함수로 보고됩니다.

수치 결과는 수소 원자가 마이크로파 플라즈마 시스템에서 그래핀 성장에 중요한 역할을 한다는 것을 분명히 나타냅니다.

대기압에서 작동하는 마이크로파 플라즈마 시스템은 마이크로 크기의 Zn 분말에서 ZnO 나노구조체를 합성할 뿐만 아니라 O2와 N2 가스 혼합물의 비율을 변경하여 질소를 동시에 도핑하는 데 활용되었습니다.

페로브스카이트 LaFeO3 나노 입자는 700–1000°C에서 고온 소성과 결합된 마이크로파 플라즈마 방법에 의해 성공적으로 합성되었습니다.

이 목적을 달성하기 위해 마이크로파 플라즈마 방식이 채택되었습니다.