Tunnel Fets
터널 펫

Tunnel Fets(터널 펫)란 무엇입니까?

Tunnel Fets 터널 펫 - Several advanced MOSFETs like Multigate transistors (Double gate, triple gate, Gate all around), Junctionless transistors and Tunnel FETs are proposed recently. ^[1] The impact of short channel lengths is to worsen the perfect saturation phenomenon in Tunnel FETs. ^[2] The results yield minimization of hot carrier effects at the drain end, when compared to conventional Silicon (Si) based Tunnel FETs (TFETs). ^[3] Emerging steep-slope devices such as tunnel FETs (TFET) and negative capacitance (NC) FETs are promising candidates for such type of applications. ^[4] The results yield minimization of hot carrier effects at the drain end, when compared to conventional Silicon (Si) based Tunnel FETs (TFETs). ^[5] We have proposed silicon spin qubits based on tunnel FETs (TFETs) utilizing isoelectronic-trap technology, and experimentally demonstrated their record high-temperature operation up to 10 K in silicon spin qubits. ^[6] The impact of short channel lengths is to worsen the perfect saturation phenomenon in Tunnel FETs. ^[7] We address this gap in knowledge by simulating metal–oxide–semiconductor FETs (MOSFETs) and tunnel FETs (TFETs) while separately varying the in-plane and out-of-plane permittivities of their insulators. ^[8] This chapter reviews some promising beyond-CMOS emerging transistor technologies, including Tunnel FETs, Ferroelectric FETs, and Hyper-FETs. ^[9] In this letter, we use a ballistic 2D quantum-mechanical simulator, calibrated using the measured temperature-dependent ${I}$ – ${V}$ characteristics of Esaki diodes, to demonstrate that the temperature dependence of band-to-band tunneling (BTBT) current can vary significantly in both Esaki diodes and tunnel FETs. ^[10] The analytical models for the output characteristics of tunnel FETs (TFETs) based on Maxwell–Boltzmann (MB) statistics have some accuracy issues, especially in linear region of operation, when compared with more sophisticated numerical approaches. ^[11] Research is still being carried out on different geometries of Tunnel FETs for enhanced performance and exploiting different channel materials as well. ^[12] 2D materials are highly promising for tunnel FETs with low subthreshold swing and high drive current because the shorter tunnel distance and strong gate controllability can be expected from the van der Waals gap distance and the atomically sharp heterointerface formed independently of lattice matching. ^[13] The studies manifest that such an asymmetric dielectric spacer engineering could be employed in designing high performance nanoscale CMOS amplifiers without increasing hardly any process complexity and cost while providing augmented GBW compared with reported amplifiers based on molybdenum disulphide transistors and tunnel FETs. ^[14] Low InP/dielectric interface trap density $D_{\mathrm{it}}$ will enable low subthreshold swings $(SS)$ in mm-wave MOSFETs [1] using InGaAs/InP composite channels [2] for increased breakdown and in tunnel FETs (TFETs) [3] using InAs/InP heterojunctions [4] for increased tunneling probability. ^[15] $2\mathrm{D}$ materials based heterostructures are potential candidates for Tunnel FETs (TFET) due to their self- passivated Van der Waals surfaces, which are ideally free from traps at the heterojunction interface [1]. ^[16] Quantum mechanical effects have thus become prominent not only in terms of subband splitting [2], but also in terms of source-drain tunnnelling in CMOS FEFs [3], [4], [5], and band-to-band-tunnnelling (BTBT) in Tunnel FETs (TFETs) [6], [7]. ^[17]
Multigate 트랜지스터(Double gate, triple gate, Gate all around), Junctionless 트랜지스터 및 Tunnel FET와 같은 여러 고급 MOSFET이 최근에 제안되었습니다. ^[1] 짧은 채널 길이의 영향은 터널 FET에서 완벽한 포화 현상을 악화시키는 것입니다. ^[2] 결과는 기존의 실리콘(Si) 기반 터널 FET(TFET)와 비교할 때 드레인 끝에서 핫 캐리어 효과를 최소화합니다. ^[3] TFET(Tunnel FET) 및 NC(Negative Capacitance) FET와 같은 새로운 급경사 장치는 이러한 유형의 응용 분야에 대한 유망한 후보입니다. ^[4] 결과는 기존의 실리콘(Si) 기반 터널 FET(TFET)와 비교할 때 드레인 끝에서 핫 캐리어 효과를 최소화합니다. ^[5] 우리는 등전자 트랩 기술을 활용하는 터널 FET(TFET)를 기반으로 하는 실리콘 스핀 큐비트를 제안했으며 실리콘 스핀 큐비트에서 최대 10K의 기록적인 고온 작동을 실험적으로 시연했습니다. ^[6] 짧은 채널 길이의 영향은 터널 FET에서 완벽한 포화 현상을 악화시키는 것입니다. ^[7] 우리는 금속 산화물 반도체 FET(MOSFET) 및 터널 FET(TFET)를 시뮬레이션하는 동시에 절연체의 면내 및 면외 유전율을 별도로 변경하여 지식의 이러한 격차를 해결합니다. ^[8] 이 장에서는 터널 FET, 강유전체 FET 및 Hyper-FET를 포함하여 CMOS 이외의 유망한 트랜지스터 기술을 검토합니다. ^[9] 이 편지에서는 측정된 온도 종속 <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${I}$ </tex-math></inline을 사용하여 보정된 탄도 2D 양자 역학 시뮬레이터를 사용합니다. -formula>–<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${V}$ </tex-math></inline-formula> 밴드의 온도 의존성을 입증하기 위한 Esaki 다이오드의 특성 BTBT(대역 터널링) 전류는 Esaki 다이오드와 터널 FET에서 크게 다를 수 있습니다. ^[10] Maxwell-Boltzmann(MB) 통계를 기반으로 하는 터널 FET(TFET)의 출력 특성에 대한 분석 모델은 보다 정교한 수치 접근 방식과 비교할 때 특히 선형 작동 영역에서 정확도 문제가 있습니다. ^[11] 성능 향상과 다양한 채널 재료 활용을 위해 터널 FET의 다양한 기하학적 구조에 대한 연구가 계속 진행 중입니다. ^[12] 2D 재료는 반 데르 발스 갭 거리와 격자 매칭과 독립적으로 형성된 원자적으로 날카로운 이종계면에서 더 짧은 터널 거리와 강한 게이트 제어 가능성을 기대할 수 있기 때문에 낮은 하위 임계값 스윙과 높은 구동 전류를 갖는 터널 FET에 매우 유망합니다. ^[13] 연구는 이러한 비대칭 유전체 스페이서 엔지니어링이 이황화 몰리브덴 트랜지스터 및 터널 FET를 기반으로 하는 보고된 증폭기와 비교하여 증가된 GBW를 제공하면서 프로세스 복잡성과 비용을 거의 증가시키지 않으면서 고성능 나노스케일 CMOS 증폭기를 설계하는 데 사용될 수 있음을 보여줍니다. ^[14] 낮은 InP/유전체 인터페이스 트랩 밀도 <tex>$D_{\mathrm{it}}$</tex>는 다음을 사용하여 mm-wave MOSFET에서 낮은 하위 임계값 스윙 <tex>$(SS)$</tex>을 가능하게 합니다. 항복 증가를 위한 InGaAs/InP 복합 채널[2] 및 터널링 확률 증가를 위해 InAs/InP 이종 접합[4]을 사용하는 터널 FET(TFET)[3]. ^[15] $2\mathrm{D}$ 재료 기반 이종 구조는 이종 접합 인터페이스에서 트랩이 이상적으로 없는 자체 부동태화 반 데르 발스 표면으로 인해 터널 FET(TFET)의 잠재적 후보입니다[1]. ^[16] 따라서 양자 기계적 효과는 서브밴드 분할[2]뿐만 아니라 CMOS FEF[3], [4], [5]의 소스-드레인 터널링 및 대역 대 대역 터널링 측면에서도 두드러지게 되었습니다. (BTBT) 터널 FET(TFET) [6], [7]. ^[17]

Gate Tunnel Fets 게이트 터널 펫

In this current study, a modified pseudo two-dimensional (2-D) semi-analytical model for double gate tunnel FETs (DG-TFETs) is introduced. ^[1] This paper presents an explicit capacitance model with closed-form expressions for double gate tunnel FETs (DG-TFETs). ^[2]
이 현재 연구에서는 이중 게이트 터널 FET(DG-TFET)에 대한 수정된 의사 2차원(2-D) 반분석 모델이 도입되었습니다. ^[1] 이 논문은 이중 게이트 터널 FET(DG-TFET)에 대한 폐쇄형 표현을 사용하여 명시적인 정전 용량 모델을 제시합니다. ^[2]