Tio X(삼촌 X)란 무엇입니까?
Tio X 삼촌 X - In this step, three parameters including time X1 (min), temperature X2 (°C) and sample-to-solvent ratio X3 (g/mL) were used to maximize three responses including total phenolic compounds (TPC) content and two different antioxidant capacity assays, DPPH and FRAP. [1] At the composition ratio x = 0. [2] An ultra-compact and high contrast ratio XOR gate working at 1550 nm is implemented using silicon rods on a hexagonal lattice with air substrate. [3] Y-doped HfO2 films with thicknesses of 150−1000 nm were prepared on Pt/TiO x /SiO2/Si substrates by the sputtering method and subsequent heat treatment at 800 °C. [4] During the first hazardous event, the physiological parameters showed that the level of arousal (Low Heart Rate/High Heart Rate ratio x10) increased up to the end of the drive. [5] Measurements of photocatalytic degradation under UV light irradiation proved that alloying of magnesium ferrite with Zn and Mn ions greatly enhanced the photocatalytic activities, and optimum performance achieved with allying ratio x=0. [6] The preliminary test of cyclic voltammetry (CV) proved that alloying of CuS nanoparticles with CuCo2O4 enhanced the electrochemical activities, and optimum performance achieved with allying ratio x = 0. [7] Low lying energy levels for even even positive parity states, reduced electric quadruple transitions probabilities B(E2), branching ratios, reduced magnetic dipole transitions probability B(M1), reduced electric monopole transitions probability B(E0), and mixing ratio X(E0/E2) have been studied. [8] The results show that the algorithm is able to segment small voids in low contrast-to-noise ratio XCT data and that the algorithm is robust to cupping artefacts. [9] We used TiO x with a high dielectric constant as an EBL and analyzed the orbital structure of TiO x to verify levels of charge transfer with different thicknesses of TiO x. [10] The relationship between resistance and compliance current is calculated which obeys the same reported trend in other switching oxides like TiO X , CuO, NiO. [11] CuCeTiO x (CCT) catalyst is considered as a promising prospect attributable to their high activity for low-temperature CO oxidation. [12] Adding a certain amount of Ti additive could improve the mechanical properties of U75V heavy rail steel due to the formation of TiO x –MnS or MnS–TiS complex inclusions. [13] However, if x1 is known and x2 unknown, there are infinitely more numbers in the space x2>x1 than x2 x1∣x1), so that x1 is the median of p(x2|x1), and x1 is statistically independent of ratio x2/x1. [14] By using five variables that represent the liquidity ratio X1, X2 and X3 profitability, X4 and X5 activities. [15] The effect of Sn molar ratio x (x: 0 to 0. [16] The synaptic linearity of resistive random-access memory (RRAM) based on TiO x /HfO2 improved by inserting an ultrathin Al2O3 layer is investigated. [17] When plotted on logarcxithmic scales, the mole ratio XAl2O3/(XTi2O3·XCr2O3)\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$$X_{{{\text{Al}}_{2} {\text{O}}_{3} }} /(X_{{{\text{Ti}}_2 {\text{O}}_{3} }} \cdot X_{{{\text{Cr}}_{2} {\text{O}}_{3} }} )$$\end{document} values of the inclusions were expressed as a linear function of the aAl2/(aTi2·aCr2·aO3)\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$$a_{\text{Al}}^{2} /(a_{Ti}^{2} \cdot a_{\text{Cr}}^{2} \cdot a_{\text{O}}^{3} )$$\end{document} values of the steel melts with a slope of unity, which was theoretically expected. [18] 2 K for the sample with maximum additive ratio x = 0. [19] 10), whereas the Ar+ ion etching preferred to reduce the x and an under-stoichiometric ratio x = 1. [20] The results showed that the as-cast FeCoCrMnWx (molar ratio x = 0. [21] 2; and PG-CuFe2O4 OC and lignite oxygen carbon ratio X = 0. [22] Variable-angle spectroscopic ellipsometry analysis is performed to study the impact of post-deposition annealing on the passivation performance of the heterocontacts consisting of titanium oxide and silicon oxide on crystalline silicon (c-Si) prepared by atomic layer deposition (ALD) for the development of high-performance ALD-TiO x /SiO y /c-Si heterocontacts. [23] The Delta-Eddington model (BL) and Two-strEam rAdiative transfer model (TEA) are employed to retrieving pond depth Hp and underlying ice thickness H i according to the ratio X of the melt-pond albedo in two bands. [24] 619 eV at ratio X=0. [25] Several phase diagrams are constructed for systems with different bulk phases or with different interfacial interaction strength ratios in the space of surface distance (D) and surface preference for different arms, or in the space of D and the arm-length ratio x. [26] The likelihood ratio x2, liner trend x2, C-index, and Akaike information criterion (AIC) values were used to measure the discriminatory ability between the two different staging systems. [27] Time-averaged and time-resolved ion fluxes during reactive HiPIMS deposition of Ti1-xAlxN thin films are thoroughly investigated for the usage of Ti1-xAlx composite targets – Al/(Ti + Al) ratio x = 0. [28] Furthermore, the areal biomass productivity of the system was found to scale with the ratio X0/a of the initial biomass concentration X0 and the specific illuminated area a, as previously established for different photobioreactor geometries, but even in the presence of droplets. [29] The effects of main operating conditions, such as the electrical current I and number n of TEC modules, inlet temperature Tp,i, humidity ratio RHp and velocity Vp of the primary air, and the mass flow rate ratio x of secondary to primary air, are investigated under non-condensation and condensation states. [30] For this purpose, we have investigated the bi-layer oxide system TiN/TiO x /HfO x /Au with respect to tailored I-V non-linearity, the number of resistance states, electroforming, and operating voltages. [31] 2)N films 9–130 nm thick prepared on (111)Pt/TiO x /SiO2/Si substrates. [32] In this chapter, the analytical distributions of the product XY and ratio X∕Y are derived when X and Y are Pareto and Maxwell random variables, respectively, distributed independently of each other. [33] The correction represents the suppression of dynamic correlation with nondynamic correlation, and it is a function of the ratio x(r) between the conditional and conventional densities obtained with the CAS on-top pair density Π(r). [34] The effect of Co on the phase stability of the CrMnFeCoxNi family of alloys, where the atomic ratio x = 0, 0. [35] Kinetic investigations discovered a nonlinear relationship between the activation energy (Ea) of dehydrogenation reactions associated with Al and the ratio x, indicating that the Ea was determined both by the concentration of Al produced by the decomposition of LiAlH4 and the amount of free surface of it. [36] Dielectric constant, dielectric loss, and AC conductivity decreased along with increasing stoichiometric ratio x = 0 to 0. [37] The maximum conversion yield was attained at the molar ratio xy=2, where the photocatalyst exhibited the lowest charge recombination, strong photon absorption, and the greatest surface area among the synthesized nanocomposite materials. [38] Powders with a composition of (BaCo2-xMexFe16O27 (Me=Zn, Ni)) were prepared by calcination at 1250 °C, where the substitution ratio x was varied from 0. [39] A low temperature (≤230 °C), TiO x /LiF x /Al electron heterocontact is presented here, which achieves mΩcm 2 scale contact resistivities ρ c on lowly doped n-type substrates. [40] Actual Yb filling ratio x of Yb x Rh4Sb12 increases up to 0. [41] CASΠDFT employs a correlation DFT functional corrected with a function P[x] of the ratio xr of the conditional and conventional electron densities obtained with the CAS on-top pair density Π(r). [42] Combustion and NOx emission characteristics of a bituminous coal (BC) blended with semi-coke (SC) are investigated using a Thermogravimetric Analyzer (TGA) and Drop Tube Furnace (DTF) at a different SC blending ratio Xsc. [43] AlCoCrFeNiNbx (x in molar ratio x = 0, 0. [44] We calculate upper limits on hard X-ray flux, in the same energy range and convert them to upper bounds for $\eta$: the ratio X-ray to radio fluence of FRBs. [45] A series of metal oxides (MnFeO x , MnCrO x , MnTiO x , and MnFeTiO x ) supported on attapulgite (ATP) were synthesized by coprecipitation for the low-temperature selective catalytic reduction (SCR) of NO x with NH 3. [46] Here we report on a non-destructive, spatially resolving and easy to implement quality and parameter control method for high aspect ratio X-ray absorption gratings. [47] We present here an investigation of ThO2 NPs performed with High-Energy Resolution Fluorescence Detected (HERFD) X-ray Absorption Near-Edge Structure (XANES) and with ab initio XANES simulations. [48] Then, the atomic ratio XAl = Al(III)/(Zn(II) + Al(III)) in the solution was ranged from 0 to 1. [49] A silver(I) coordination polymer with the sodium salt of 3,5-dimethyl-4-sulfonate pyrazole (HLNa) has been prepared and structurally characterized by ab initio X-ray powder diffraction. [50]이 단계에서 시간 X1(분), 온도 X2(°C) 및 시료 대 용매 비율 X3(g/mL)을 포함한 세 가지 매개변수를 사용하여 총 페놀 화합물(TPC) 함량과 두 가지 다른 항산화제를 포함한 세 가지 반응을 최대화했습니다. 용량 분석, DPPH 및 FRAP. [1] 구성비 x = 0에서. [2] 1550nm에서 작동하는 초소형 및 고대비 XOR 게이트는 공기 기판이 있는 육각형 격자의 실리콘 막대를 사용하여 구현됩니다. [3] 150-1000 nm 두께의 Y-도핑된 HfO2 필름은 스퍼터링 방법과 800 °C에서 후속 열처리에 의해 Pt/TiO x /SiO2/Si 기판에 준비되었습니다. [4] 첫 번째 위험 이벤트 동안 생리학적 매개변수는 각성 수준(낮은 심박수/높은 심박수 비율 x10)이 드라이브가 끝날 때까지 증가하는 것으로 나타났습니다. [5] UV 광 조사 하에서의 광촉매 열화 측정은 마그네슘 페라이트와 Zn 및 Mn 이온의 합금이 광촉매 활성을 크게 향상시켰고, 합금 비율 x=0에서 달성된 최적의 성능을 입증했습니다. [6] 순환 전압전류법(CV)의 예비 테스트는 CuS 나노입자와 CuCo2O4의 합금이 전기화학적 활성을 향상시키고 결합 비율 x==0에서 달성되는 최적의 성능을 입증했습니다. [7] 심지어 양의 패리티 상태에서도 낮은 거짓말 에너지 준위, 감소된 전기 4중 전이 확률 B(E2), 분기 비율, 감소된 자기 쌍극자 전이 확률 B(M1), 감소된 전기 모노폴 전이 확률 B(E0) 및 혼합 비율 X(E0) /E2)가 연구되었습니다. [8] 결과는 알고리즘이 낮은 명암비 대 잡음비 XCT 데이터에서 작은 보이드를 분할할 수 있고 알고리즘이 인공물을 부항하는 데 강력하다는 것을 보여줍니다. [9] 유전 상수가 높은 TiOx를 EBL로 사용하고 TiOx의 궤도 구조를 분석하여 TiOx의 두께에 따른 전하 이동 수준을 확인했습니다. [10] TiOx, CuO, NiO와 같은 다른 스위칭 산화물에서 보고된 동일한 경향을 따르는 저항과 컴플라이언스 전류 사이의 관계가 계산됩니다. [11] CuCeTiOx(CCT) 촉매는 저온 CO 산화에 대한 높은 활성으로 인해 유망한 전망으로 간주됩니다. [12] 일정량의 Ti 첨가제를 추가하면 TiOx –MnS 또는 MnS–TiS 복합 개재물의 형성으로 인해 U75V 중철도 강의 기계적 특성이 향상될 수 있습니다. [13] 그러나 x1이 알려져 있고 x2가 알려지지 않은 경우 x2 x1∣x1)보다 공간 x2>x1에 무한히 많은 숫자가 있으므로 x1은 p(x2|x1)의 중앙값이고 x1은 통계적으로 비율 x2와 무관합니다. /x1. [14] 유동성 비율 X1, X2 및 X3 수익성, X4 및 X5 활동을 나타내는 5개의 변수를 사용하여. [15] Sn 몰비 x의 효과(x: 0 ~ 0. [16] 초박형 Al2O3 층을 삽입하여 개선된 TiOx /HfO2 기반 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM)의 시냅스 선형성을 조사했습니다. [17] 대수 xAl2O3/(XTi2O3·XCr2O3)\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage} \{amsbsy usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$$X_{{{\text{Al}}_{2} {\text{O}}_{3 } }} /(X_{{{\text{Ti}}_2 {\text{O}}_{3} }} \cdot X_{{{\text{Cr}}_{2} {\text{O }}_{3} }} )$$\end{document} 내포물의 값은 aAl2/(aTi2·aCr2·aO3)\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath}의 선형 함수로 표현되었습니다. \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$$a_{\ text{Al}}^{2} /(a_{Ti}^{2} \cdot a_{\text{Cr}}^{2} \cdot a_{\text{O}}^{3} )$$ \end{document} 강철의 값은 이론적으로 예상된 단일 기울기로 녹습니다. [18] 최대 첨가 비율 x = 0인 샘플의 경우 2 K. [19] 10) 반면 Ar+ 이온 에칭은 x 및 under-stoichiometric ratio x = 1을 줄이는 것을 선호했습니다. [20] 결과는 주조된 FeCoCrMnWx(몰비 x = 0)인 것으로 나타났습니다. [21] 2; 및 PG-CuFe2O4 OC 및 갈탄 산소 탄소 비율 X = 0. [22] 개발을 위해 원자층 증착(ALD)에 의해 준비된 결정질 실리콘(c-Si)에 대한 산화티타늄 및 산화규소로 구성된 이종 접점의 패시베이션 성능에 대한 증착 후 어닐링의 영향을 연구하기 위해 가변각 분광 타원측정법 분석을 수행합니다. 고성능 ALD-TiOx /SiO y /c-Si 이종 접촉. [23] Delta-Eddington 모델(BL) 및 Two-strEam rAdiative transfer model(TEA)은 두 밴드에서 용융 연못 알베도의 비율 X에 따라 연못 깊이 Hp 및 기본 얼음 두께 Hi를 검색하는 데 사용됩니다. [24] 비율 X=0에서 619eV. [25] 표면 거리(D)의 공간과 다른 팔에 대한 표면 선호도, 또는 D 공간과 팔 길이 비율 x에서 벌크 위상이 다르거나 계면 상호 작용 강도 비율이 다른 시스템에 대해 여러 위상 다이어그램이 구성됩니다. [26] 우도비 x2, 라이너 추세 x2, C-인덱스 및 Akaike 정보 기준(AIC) 값을 사용하여 두 가지 다른 스테이징 시스템 간의 판별 능력을 측정했습니다. [27] Ti1-xAlxN 박막의 반응성 HiPIMS 증착 중 시간 평균 및 시간 분해 이온 플럭스는 Ti1-xAlx 복합 타겟 - Al/(Ti + Al) 비율 x = 0의 사용에 대해 철저히 조사되었습니다. [28] 또한, 시스템의 면적 바이오매스 생산성은 초기 바이오매스 농도 X0 및 특정 조명 영역 a의 비율 X0/a에 따라 확장되는 것으로 밝혀졌지만, 다른 광생물 반응기 형상에 대해 이전에 설정되었지만 액적이 존재하는 경우에도 마찬가지입니다. [29] 전류 I 및 TEC 모듈 수 n, 입구 온도 Tp,i, 1차 공기의 습도 비율 RHp 및 속도 Vp, 1차 공기에 대한 2차 공기의 질량 유량 비율 x와 같은 주요 작동 조건의 영향, 비응축 및 응결 상태에서 조사됩니다. [30] 이를 위해 맞춤형 I-V 비선형성, 저항 상태의 수, 전기 주조 및 작동 전압과 관련하여 이중층 산화물 시스템 TiN/TiO x /HfO x /Au를 조사했습니다. [31] 2) (111)Pt/TiOx/SiO2/Si 기판에 준비된 9-130nm 두께의 N 필름. [32] 이 장에서는 X와 Y가 각각 독립적으로 분포된 Pareto 및 Maxwell 확률변수일 때 곱 XY와 비율 X∕Y의 분석적 분포를 도출합니다. [33] 보정은 비동적 상관과 동적 상관의 억제를 나타내며 CAS 온탑 쌍 밀도 Π(r)로 얻은 조건부 밀도와 기존 밀도 사이의 비율 x(r)의 함수입니다. [34] 원자비 x=0, 0인 CrMnFeCoxNi 계열 합금의 위상 안정성에 대한 Co의 영향. [35] 동역학 조사는 Al과 관련된 탈수소화 반응의 활성화 에너지(Ea)와 비율 x 사이의 비선형 관계를 발견했으며, 이는 Ea가 LiAlH4의 분해에 의해 생성된 Al의 농도와 그 자유 표면의 양에 의해 결정됨을 나타냅니다. . [36] 유전 상수, 유전 손실 및 AC 전도도는 화학량론적 비율 x = 0에서 0으로 증가함에 따라 감소했습니다. [37] 합성된 나노복합재료 중 광촉매가 가장 낮은 전하재결합, 강한 광자 흡수, 가장 큰 표면적을 나타내는 몰비 xy=2에서 최대 전환 수율을 달성하였다. [38] (BaCo2-xMexFe16O27(Me=Zn, Ni)) 조성의 분말은 1250°C에서 하소하여 제조되었으며, 여기서 치환비 x는 0에서 다양합니다. [39] 낮은 온도(≤230°C), TiOx /LiF x /Al 전자 이종 접촉이 여기에 나와 있으며, 이는 저농도 도핑된 n형 기판에서 mΩcm 2 스케일 접촉 저항 ρ c를 달성합니다. [40] Yb x Rh4Sb12의 실제 Yb 충전율 x는 0까지 증가합니다. [41] CASΠDFT는 CAS 온톱 쌍 밀도 Π(r)로 얻은 조건부 전자 밀도와 기존 전자 밀도의 비율 xr의 함수 P[x]로 수정된 상관 DFT 기능을 사용합니다. [42] 반코크스(SC)와 혼합된 역청탄(BC)의 연소 및 NOx 배출 특성은 다른 SC 혼합 비율 Xsc에서 열중량 분석기(TGA) 및 Drop Tube Furnace(DTF)를 사용하여 조사됩니다. [43] AlCoCrFeNiNbx(몰비 x의 x = 0, 0. [44] 동일한 에너지 범위에서 하드 X선 플럭스의 상한선을 계산하고 이를 상한선으로 변환합니다. $\eta$: X선 대 FRB의 전파 플루언스 비율 [45] 아타풀자이트(ATP)에 지지된 일련의 금속 산화물(MnFeOx, MnCrOx, MnFeTiOx)은 NH3와 NOx의 저온 선택적 촉매 환원(SCR)을 위한 공침에 의해 합성되었습니다. [46] 여기에서 우리는 높은 종횡비의 X선 흡수 격자에 대한 비파괴적이고 공간적으로 분해되며 구현하기 쉬운 품질 및 매개변수 제어 방법에 대해 보고합니다. [47] 우리는 여기에서 HERFD(High-Energy Resolution Fluorescence Detected) X선 흡수 근거리 구조(XANES)와 초기 XANES 시뮬레이션으로 수행된 ThO2 NP에 대한 조사를 제시합니다. [48] 그 다음, 용액에서 원자비 XAl=Al(III)/(Zn(II)+Al(III))은 0 내지 1의 범위였다. [49] 3,5-디메틸-4-설포네이트 피라졸(HLNa)의 나트륨 염을 갖는 은(I) 배위 중합체가 제조되었으며 구조적으로 초기 X선 분말 회절을 특징으로 한다. [50]
tio x n
In this letter, we demonstrate a titanium oxynitride (TiO x N y ) write-once-read-many-times memory with a high ON/OFF current ratio of 109. [1] Platinum nanoparticles are uniformly deposited by vertical forced-flow atomic layer deposition on conductive cubic titanium oxynitride (TiO x N 1-x ) nanoparticles with good conformity. [2]이 편지에서 우리는 ON/OFF 전류 비율이 109인 티타늄 산질화물(TiO x N y ) 한 번 읽고 여러 번 쓰는 메모리를 보여줍니다. [1] 백금 나노입자는 정합성이 좋은 전도성 입방정 산화질화티타늄(TiO x N 1-x ) 나노입자 위에 수직 강제 흐름 원자층 증착에 의해 균일하게 증착됩니다. [2]