Tin Disulfide(이황화주석)란 무엇입니까?
Tin Disulfide 이황화주석 - Tin disulfide (SnS2) is a layered two-dimensional (2D) semiconductor material that shows great potentials in applications such as photodetectors, sensors, field-effect transistors, thermoelectric power generators, etc. [1] Recently, the inherent piezoelectric properties of the 2D transition-metal dichalcogenides (TMDs) tin monosulfide (SnS) and tin disulfide (SnS2) have attracted much attention. [2] Tin disulfide (SnS2), one transition metal dichalcogenide (TMD) is a cost-effective and promising electrocatalyst for hydrogen evolution reactions (HER) in the alkaline electrolytes. [3] Tin disulfide (SnS2)as a two-dimensional metal chalcogenide in the middle gap has excellent gas sensitivity and recovery kinetics, but the resistance is too large when working at room temperature. [4] Two dimensional (2D) tin disulfide (SnS2) has attracted growing interest as a promising high performance photodetector with superior performance such as fast response time, high responsivity, and good stability. [5] Among TMDs, tin disulfide (SnS2) has become a promising sensing material in gas sensing applications, owing to its physical affinity, planar crystal structure, and high specific surface area. [6] Tin disulfide is considered as a promising electrode material for sodium-ion batteries because of its two-dimensional layered structural characteristics allowing the intercalation of Na ions. [7] In this paper, we synthesize the Tin disulfide (SnS2) QDs by a facile method of sonication. [8] Tin disulfide has substantial importance for two-dimensional material-based optoelectronics and sensors due to its unique optoelectrical properties. [9] Tin disulfide/carbon nanotubes (SnS/CNTs) composites have been prepared through a solvothermal method with the purpose of being used as active materials of electrodes for capacitive deionization (CDI). [10] In present work, a flexible pressure and strain sensor was fabricated using Tin disulfide (SnS2) deposited on paper substrate and enclosed in between Polydimethylsiloxane (PDMS). [11] Tin disulfide (SnS2) has gained a lot of interest in the field of converting solar energy into chemical fuels in light-assisted electrochemical water splitting due to its visible-light band gap and high electronic mobility. [12] In this work, tin disulfide (SnS2) embedded in nitrogen and sulfur dual-doped carbon (denoted as SnS2/NSDC) nanofibers are synthesized using a facile electrospinning technique for the first time. [13] Dissipative soliton generation is successfully demonstrated in an Erbium-doped mode-locked fibre laser using Tin Disulfide (SnS2) as a saturable absorber (SA) in the near-zero dispersion regime. [14] Tin disulfide (SnS2), a member of layered metal dichalcogenides (LMDs) family, is explored much for their commendable applications, however, its fluorescence property is still less explored. [15] Two-dimensional (2D) tin disulfide (SnS2) crystals have been arousing immense attention for flexible electronics and integrated circuits in next generation because of their earth-abundant and nonto. [16] Tin disulfide (SnS2) is one of the potential candidates for optoelectronics because of its chemical and environmental stability accompanied by favourable characteristics. [17] In this paper, we study the structural, electronic, vibrational, thermoelectric and elastic properties of tin disulfide (SnS2) using first principles density functional theory calculations in the pressure range 0 ≤ p ≤ 5 GPa. [18] Tin disulfide (SnS2) has a larger band gap (>2. [19] Tin disulfide (SnS2), as a wide bandgap layered semiconductor, is a promising material in many fields, especially in spintronic devices. [20] Tin disulfide (SnS2) is attracting significant interest because of the abundance of its elements and its excellent optoelectronic properties in part related to its layered structure. [21] The use of tin disulfide ( SnS 2) as a candidate material for saturable absorption in nonlinear optical devices is investigated in this article. [22] Doping of tin disulfide (SnS2) is an effective strategy to regulate its physical and chemical properties. [23] Tin disulfide (SnS2) thin films deposited on glass substrates at various substrate temperatures 300, 325, 350 and 375 °C by the spray pyrolysis technique. [24] Tin disulfide (SnS2) is a two-dimensional semiconducting van der Waals material with an indirect band gap. [25] Recently there has been immense interest in the exploration of richly available two-dimensional non-toxic layered material such as tin disulfide (SnS2) for potential employment in energy and environmental needs. [26] In this work, we combine the excellent sensing properties and gas adsorption capacity of two- dimensional (2D) tin disulfide (SnS2) hexagonal nanoflakes with the beneficial electrical properties of graphene to build high-performance NO2 sensors by a simple and low-cost method. [27] Tin disulfide/graphene composites were successfully synthesized by one-step hydrothermal method. [28] In this paper, a novel nanocomposite of tin disulfide/graphene oxide nanoflower (SnS2/GO) was first synthesized for constructing humidity sensors. [29] Tin disulfide@graphene oxide (GO) nanocomposite was successfully synthesized using a novel method at the first time. [30] Tin disulfide (SnS2) is one of the promising two-dimensional (2D) layered metal dichalcogenide with excellent optical and electrical properties. [31] Purpose The purpose of this study is to investigate the influence of solid lubricants (tungsten disulfide [WS2]/ Tin disulfide [SnS2]) on the tribological performance of brake pads. [32] This work reports the one-pot hydrothermal synthesis of mixture of tin disulfide (SnS2) quantum dots (QDs) and nanodiscs (NDs), supported on reduced graphene oxide (RGO) sheets based photocatalysts for degradation of toxic industrial dye, remazol brilliant red (RBR) and remazol brilliant blue (RBB) under visible light irradiation. [33]이황화주석(SnS2)은 층상 2차원(2D) 반도체 재료로 광검출기, 센서, 전계 효과 트랜지스터, 열전 발전기 등과 같은 응용 분야에서 큰 잠재력을 보여줍니다. [1] 최근 2차원 전이금속 디칼코게나이드(TMD) 주석 모노설파이드(SnS) 및 주석 디설파이드(SnS2) 고유의 압전 특성이 많은 주목을 받고 있습니다. [2] 전이 금속 디칼코게나이드(TMD) 중 하나인 이황화주석(SnS2)은 알칼리 전해질에서 수소 발생 반응(HER)을 위한 비용 효율적이고 유망한 전기 촉매입니다. [3] 이황화주석(SnS2)은 중간 간극의 2차원 금속 칼코겐화물로서 기체 민감도와 회수 동역학이 우수하지만 실온에서 작업할 때 저항이 너무 크다. [4] 2차원(2D) 이황화주석(SnS2)은 빠른 응답 시간, 높은 반응성 및 우수한 안정성과 같은 우수한 성능을 가진 유망한 고성능 광검출기로 점점 관심을 끌고 있습니다. [5] TMD 중에서 이황화주석(SnS2)은 물리적 친화성, 평면 결정 구조 및 높은 비표면적 때문에 가스 감지 응용 분야에서 유망한 감지 재료가 되었습니다. [6] 이황화주석은 Na 이온의 삽입을 허용하는 2차원 층상 구조적 특성으로 인해 나트륨 이온 배터리의 유망한 전극 재료로 간주됩니다. [7] 이 논문에서 우리는 손쉬운 초음파 처리 방법으로 이황화주석(SnS2) 양자점을 합성합니다. [8] 이황화주석은 고유한 광전기적 특성으로 인해 2차원 재료 기반 광전자공학 및 센서에 상당히 중요합니다. [9] 이황화주석/탄소나노튜브(SnS/CNTs) 복합재료는 용량성 탈이온화(CDI)용 전극의 활물질로 사용하기 위한 목적으로 용매열법을 통해 제조되었다. [10] 현재 작업에서 유연한 압력 및 변형률 센서는 종이 기판에 증착된 이황화주석(SnS2)을 사용하여 제작되었으며 PDMS(Polydimethylsiloxane) 사이에 둘러싸여 있습니다. [11] 이황화주석(SnS2)은 가시광선 밴드갭과 높은 전자 이동도로 인해 빛을 이용한 전기화학 물 분해에서 태양 에너지를 화학 연료로 변환하는 분야에서 많은 관심을 받았습니다. [12] 이 연구에서는 질소와 황 이중 도핑 탄소(SnS2/NSDC로 표시)에 포함된 이황화주석(SnS2) 나노섬유를 손쉬운 전기방사 기술을 사용하여 처음으로 합성했습니다. [13] 소산 솔리톤 생성은 거의 0에 가까운 분산 체제에서 이황화주석(SnS2)을 포화 흡수제(SA)로 사용하는 에르븀 도핑된 모드 고정 파이버 레이저에서 성공적으로 시연되었습니다. [14] 층상 금속 디칼코게나이드(LMD) 계열의 구성원인 이황화주석(SnS2)은 칭찬할 만한 응용 분야에 대해 많이 연구되고 있지만 형광 특성은 여전히 덜 연구되고 있습니다. [15] 2차원(2D) 이황화주석(SnS2) 결정은 지구가 풍부하고 그렇지 않기 때문에 차세대 플렉시블 전자 및 집적 회로에 대한 엄청난 관심을 불러일으키고 있습니다. [16] 이황화주석(SnS2)은 유리한 특성을 수반하는 화학적 및 환경적 안정성 때문에 광전자공학의 잠재적 후보 중 하나입니다. [17] 이 논문에서는 압력 범위 0≤p≤5GPa에서 제1 원리 밀도 함수 이론 계산을 사용하여 이황화주석(SnS2)의 구조적, 전자적, 진동, 열전 및 탄성 특성을 연구합니다. [18] 이황화주석(SnS2)은 더 큰 밴드 갭(>2. [19] 넓은 밴드갭 적층 반도체인 이황화주석(SnS2)은 특히 스핀트로닉 소자에서 많은 분야에서 유망한 물질이다. [20] 이황화주석(SnS2)은 풍부한 원소와 부분적으로 층상 구조와 관련된 우수한 광전자 특성 때문에 상당한 관심을 끌고 있습니다. [21] 이 기사에서는 비선형 광학 장치에서 가포화 흡수를 위한 후보 물질로 이황화주석(SnS 2)의 사용을 조사합니다. [22] 이황화주석(SnS2)의 도핑은 물리적 및 화학적 특성을 조절하는 효과적인 전략입니다. [23] 스프레이 열분해 기술에 의해 다양한 기판 온도 300, 325, 350 및 375°C에서 유리 기판에 증착된 이황화주석(SnS2) 박막. [24] 이황화주석(SnS2)은 간접 밴드 갭이 있는 2차원 반도체 반 데르 발스 물질입니다. [25] 최근에는 에너지 및 환경 요구 사항에 대한 잠재적 고용을 위해 이황화주석(SnS2)과 같은 풍부하게 이용 가능한 2차원 무독성 층상 물질의 탐사에 엄청난 관심이 있어 왔습니다. [26] 이 연구에서 우리는 2차원(2D) 이황화주석(SnS2) 육각형 나노플레이크의 우수한 감지 특성 및 가스 흡착 용량을 그래핀의 유익한 전기적 특성과 결합하여 간단하고 저렴한 방법으로 고성능 NO2 센서를 구축합니다. . [27] 이황화주석/그래핀 복합물은 1단계 열수 방법으로 성공적으로 합성되었습니다. [28] 이 논문에서는 습도 센서를 구성하기 위해 이황화주석/산화 그래핀 나노플라워(SnS2/GO)의 새로운 나노복합체를 먼저 합성했습니다. [29] Tin disulfide@graphene oxide(GO) 나노복합체는 처음으로 새로운 방법을 사용하여 성공적으로 합성되었습니다. [30] 이황화주석(SnS2)은 광학 및 전기적 특성이 우수한 유망한 2차원(2D) 층상 금속 이칼코게나이드 중 하나입니다. [31] 목적 이 연구의 목적은 브레이크 패드의 마찰 성능에 대한 고체 윤활제(이황화 텅스텐[WS2]/이황화 주석[SnS2])의 영향을 조사하는 것입니다. [32] 이 연구는 독성 산업 염료인 remazol bright red( 가시광선 조사에서 RBR) 및 remazol bright blue(RBB). [33]
atomic layer deposition
In this study, smooth 2D amorphous tin disulfide (SnS2) films were fabricated by atomic layer deposition (ALD), and applied for the first time to photoelectrochemical water splitting. [1] In this work, we report on the layered deposition of few-layer tin disulfide (SnS2) using atomic layer deposition (ALD). [2] In this report, two types of substrates were prepared for deposition of few-layer tin disulfide (SnS2) via atomic layer deposition (ALD). [3]이 연구에서는 원자층 증착(ALD)에 의해 매끄러운 2D 비정질 이황화주석(SnS2) 필름을 제작하고 광전기화학적 물 분해에 처음으로 적용했습니다. [1] 이 연구에서 우리는 원자층 증착(ALD)을 사용한 소수층 이황화주석(SnS2)의 적층 증착에 대해 보고합니다. [2] 이 보고서에서 원자층 증착(ALD)을 통한 소수층 이황화주석(SnS2) 증착을 위해 두 가지 유형의 기판이 준비되었습니다. [3]
Dimensional Tin Disulfide
In this study, multilayer films containing two-dimensional tin disulfide nanoflakes, cortisol antibody (C-Mab), and bovine serum albumin (BSA) were prepared on glassy carbon electrodes (GCE) as BSA/C-Mab/SnS2/GCE, and characterized using electrochemical impedance spectroscopy and cyclic voltammetry. [1] Subsequently, two-dimensional tin disulfide (SnS2) nanosheets were grown onto PB through a facile hydrothermal synthesis. [2]이 연구에서는 BSA/C-Mab/SnS2/GCE와 같은 유리 탄소 전극(GCE) 위에 2차원 이황화주석 나노플레이크, 코티솔 항체(C-Mab) 및 소 혈청 알부민(BSA)을 포함하는 다층 필름을 제조하고, 전기화학적 임피던스 분광법 및 순환 전압전류법을 사용하여 특성화됩니다. [1] 이어서, 손쉬운 열수 합성을 통해 2차원 이황화주석(SnS2) 나노시트를 PB 상에 성장시켰다. [2]
Hexagonal Tin Disulfide
Two-dimensional (2D) hexagonal tin disulfide (SnS2) nanostructures were prepared via a hydrothermal method using ethylenediamine as a capping agent. [1] In this work, we present a gas sensor based on hexagonal tin disulfide (SnS2) nanoplates for sensitive and reversible NO2sensing at room temperature. [2]에틸렌디아민을 캡핑제로 사용하여 열수법을 통해 2차원(2D) 육각형 이황화주석(SnS2) 나노구조체를 제조하였다. [1] 이 작업에서 우리는 상온에서 민감하고 가역적인 NO2 감지를 위한 육각형 이황화주석(SnS2) 나노플레이트를 기반으로 하는 가스 센서를 제시합니다. [2]
Oxidized Tin Disulfide
Herein, we fabricated surface oxidized tin disulfide nanosheets (O-SnS2) on tellurium nanowires (Te@O-SnS2) as highly efficient and stable photocatalysts for U(VI) removal from wastewater. [1] Partially oxidized tin disulfide (SnS2) nanosheets (POS NSs) were decorated with a tumor-targeting polymer (polyethylene glycol-cyclo(Asp-d-Phe-Lys-Arg-Gly), PEG-cRGD), followed by the loading of chemotherapeutic drug doxorubicin (DOX) to prepare polymer@POS@DOX, or PPOSD. [2]여기에서 우리는 폐수에서 U(VI) 제거를 위한 매우 효율적이고 안정적인 광촉매로서 텔루륨 나노와이어(Te@O-SnS2)에 표면 산화 주석 이황화 나노시트(O-SnS2)를 제작했습니다. [1] nan [2]
Layer Tin Disulfide
In this work, we report on the layered deposition of few-layer tin disulfide (SnS2) using atomic layer deposition (ALD). [1] In this report, two types of substrates were prepared for deposition of few-layer tin disulfide (SnS2) via atomic layer deposition (ALD). [2]이 연구에서 우리는 원자층 증착(ALD)을 사용한 소수층 이황화주석(SnS2)의 적층 증착에 대해 보고합니다. [1] 이 보고서에서 원자층 증착(ALD)을 통한 소수층 이황화주석(SnS2) 증착을 위해 두 가지 유형의 기판이 준비되었습니다. [2]
tin disulfide nanosheet
Herein, we fabricated surface oxidized tin disulfide nanosheets (O-SnS2) on tellurium nanowires (Te@O-SnS2) as highly efficient and stable photocatalysts for U(VI) removal from wastewater. [1] A novel signal on-off type photoelectrochemical (PEC) biosensing system was designed for sensitive detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on tin disulfide nanosheets loaded on reduced graphene cxide (SnS2-GR) as the photoactive material and gold nanoparticles coated on reduced graphene oxide-functionalized copper sulfide (Au@CuS-GR) for signal amplification. [2] In order to suppress availably the shuttle effect of LiPSs, herein a holistic design strategy for using tin disulfide nanosheet wrapped with interconnected carbon nanotube networks (SnS2@CNT) as the sulfur host and separator of LSBs is put forward. [3]여기에서 우리는 폐수에서 U(VI) 제거를 위한 매우 효율적이고 안정적인 광촉매로서 텔루륨 나노와이어(Te@O-SnS2)에 표면 산화 주석 이황화 나노시트(O-SnS2)를 제작했습니다. [1] 새로운 신호 온-오프형 광전기화학(PEC) 바이오센싱 시스템은 환원그래핀에 코팅된 금 나노입자와 광활성 물질로 환원그래핀크사이드(SnS2-GR)에 로딩된 이황화주석 나노시트를 기반으로 암배아 항원(CEA)의 민감한 검출을 위해 설계되었습니다. 신호 증폭을 위한 산화물 기능화 구리 황화물(Au@CuS-GR). [2] LiPS의 셔틀 효과를 이용 가능하게 억제하기 위해, 여기에서는 상호 연결된 탄소 나노튜브 네트워크(SnS2@CNT)로 포장된 이황화 주석 나노시트를 LSB의 황 호스트 및 분리기로 사용하기 위한 전체론적 설계 전략이 제시됩니다. [3]