Sige Heterojunction(이종접합을 말하다)란 무엇입니까?
Sige Heterojunction 이종접합을 말하다 - Calibrated simulations are used to study a dielectric modulated, electrically doped, dual metal gate, SiGe heterojunction, double gate TFET biosensor in this work. [1]보정된 시뮬레이션은 이 작업에서 유전체 변조, 전기 도핑, 이중 금속 게이트, SiGe 이종 접합, 이중 게이트 TFET 바이오센서를 연구하는 데 사용됩니다. [1]
Advanced Sige Heterojunction
) harmonic distortion (HD) of advanced SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) power-cells in common-emitter CE and commonbase CB configurations with optimized metallization interconnections between were systematically investigated. [1] ) noise and linearity of high-speed power cells consisting of advanced SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) in common-emitter (CE) and common-base (CB) configuration were investigated. [2] This chapter analyzes electrothermal effects in advanced SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs), which are affected by critical thermal issues that seriously impact and degrade their performances; in these devices, a deep insight into the mechanisms of heat generation and diffusion, as well as an accurate characterization and modeling of these phenomena are mandatory, in order to allow realistic circuit simulations during the design phase. [3]) 공통 이미 터 CE 및 공통 베이스 CB 구성에서 고급 SiGe 이종 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 전원 셀의 고조파 왜곡(HD)이 최적화된 금속 배선 연결을 통해 체계적으로 조사되었습니다. [1] ) 공통 이미 터(CE) 및 공통 베이스(CB) 구성의 고급 SiGe 이종 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)로 구성된 고속 전력 셀의 노이즈 및 선형성을 조사했습니다. [2] 이 장에서는 성능에 심각한 영향을 미치고 저하시키는 중요한 열 문제의 영향을 받는 고급 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 전열 효과를 분석합니다. 이러한 장치에서 열 발생 및 확산 메커니즘에 대한 깊은 통찰력과 이러한 현상의 정확한 특성화 및 모델링은 설계 단계에서 현실적인 회로 시뮬레이션을 허용하는 데 필수적입니다. [3]
Integrated Sige Heterojunction
In this work, the device performances of discrete and integrated SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) with different device structures from 300 to 4. [1] Electrostatic discharge behavior of integrated SiGe heterojunction bipolar transistors is investigated by transmission line pulse (TLP) and transient interferometric mapping techniques. [2]이 연구에서 300에서 4까지의 다양한 소자 구조를 갖는 이산 및 통합 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 소자 성능. [1] 통합 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 정전기 방전 거동은 전송 라인 펄스(TLP) 및 과도 간섭계 매핑 기술에 의해 조사됩니다. [2]
sige heterojunction bipolar Sige 이종 접합 바이폴라
The DC characteristics of the different Ge grading profiles of the SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) named as Linear increasing (LI), Symmetrically Triangular (ST), Hybrid Trapezoidal (HT), and Conventional Trapezoidal (CT) having 20% Ge contents is observed. [1] The approach is validated on a state-of-the-art SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) for high-frequency applications. [2] In this paper, the effects of interfacial traps on the AC and RF characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistor have been investigated. [3] We compare measured and simulated RF third-order distortion current, as well as the corresponding IP3, as a function of bias, for a SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT), using MEXTRAM. [4] ) harmonic distortion (HD) of advanced SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) power-cells in common-emitter CE and commonbase CB configurations with optimized metallization interconnections between were systematically investigated. [5] In this work, the device performances of discrete and integrated SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) with different device structures from 300 to 4. [6] Electrostatic discharge behavior of integrated SiGe heterojunction bipolar transistors is investigated by transmission line pulse (TLP) and transient interferometric mapping techniques. [7] A thermal impedance model of single-finger and multi-finger SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) is presented. [8] High RF capability of this electronic photonic integrated circuit (ePIC) technology is enabled by SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs). [9] 13 $\mu$m SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) technology is presented. [10] The SHA is designed in a mainstream 130-nm BiCMOS technology using SiGe heterojunction bipolar transistors to buffer and sample the wideband input. [11] In order to achieve the high time resolution, the SiGe heterojunction bipolar transistor technology (SG13S from IHP) was chosen for fast integration, low equivalent noise charge and low power consumption. [12] ) noise and linearity of high-speed power cells consisting of advanced SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) in common-emitter (CE) and common-base (CB) configuration were investigated. [13] This chapter analyzes electrothermal effects in advanced SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs), which are affected by critical thermal issues that seriously impact and degrade their performances; in these devices, a deep insight into the mechanisms of heat generation and diffusion, as well as an accurate characterization and modeling of these phenomena are mandatory, in order to allow realistic circuit simulations during the design phase. [14]선형 증가(LI), 대칭 삼각형(ST), 하이브리드 사다리꼴(HT) 및 20% Ge 함량을 갖는 기존 사다리꼴(CT)로 명명된 SiGe 이종접합 양극성 트랜지스터(HBT)의 다양한 Ge 등급 프로파일의 DC 특성은 다음과 같습니다. 관찰. [1] 이 접근 방식은 고주파 애플리케이션을 위한 최첨단 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)에서 검증되었습니다. [2] 본 논문에서는 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 AC 및 RF 특성에 대한 계면 트랩의 효과를 조사하였다. [3] MEXTRAM을 사용하여 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)에 대해 측정 및 시뮬레이션된 RF 3차 왜곡 전류와 해당 IP3를 바이어스의 함수로 비교합니다. [4] ) 공통 이미 터 CE 및 공통 베이스 CB 구성에서 고급 SiGe 이종 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 전원 셀의 고조파 왜곡(HD)이 최적화된 금속 배선 연결을 통해 체계적으로 조사되었습니다. [5] 이 연구에서 300에서 4까지의 다양한 소자 구조를 갖는 이산 및 통합 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 소자 성능. [6] 통합 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 정전기 방전 거동은 전송 라인 펄스(TLP) 및 과도 간섭계 매핑 기술에 의해 조사됩니다. [7] 단일 핑거 및 다중 핑거 SiGe 이종 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 열 임피던스 모델이 제공됩니다. [8] 이 전자 광자 집적 회로(ePIC) 기술의 높은 RF 기능은 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)에 의해 가능합니다. [9] 13 $\mu$m SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 기술이 발표되었습니다. [10] SHA는 광대역 입력을 버퍼링하고 샘플링하기 위해 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 사용하는 주류 130nm BiCMOS 기술로 설계되었습니다. [11] 높은 시간 분해능을 달성하기 위해 빠른 통합, 낮은 등가 잡음 전하 및 낮은 전력 소비를 위해 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터 기술(IHP의 SG13S)이 선택되었습니다. [12] ) 공통 이미 터(CE) 및 공통 베이스(CB) 구성의 고급 SiGe 이종 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)로 구성된 고속 전력 셀의 노이즈 및 선형성을 조사했습니다. [13] 이 장에서는 성능에 심각한 영향을 미치고 저하시키는 중요한 열 문제의 영향을 받는 고급 SiGe 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 전열 효과를 분석합니다. 이러한 장치에서 열 발생 및 확산 메커니즘에 대한 깊은 통찰력과 이러한 현상의 정확한 특성화 및 모델링은 설계 단계에서 현실적인 회로 시뮬레이션을 허용하는 데 필수적입니다. [14]