Rhenium Disulfide(이황화레늄)란 무엇입니까?
Rhenium Disulfide 이황화레늄 - Rhenium disulfide (ReS2) has emerged as a promissing host material toward energy storage for its distinctive electronic, optical, and mechanical features. [1] Herein, rhenium disulfide (ReS2)/ZnIn2S4 heterojunctions for water splitting were synthesized by a hydrothermal method. [2] As a specific member of the TMDC family, rhenium disulfide (ReS2) has stimulated intensive interest due to its anisotropic crystal structure, weak inter-layer coupling, and anisotropic electrical and optical properties. [3] Two-dimensional (2D) rhenium disulfide (ReS2) has been attracting immense interest as a highly promising hydrogen evolution reaction (HER) electrocatalyst recently. [4] In this study, three 2D materials include molybdenum disulfide (MoS2), rhenium disulfide (ReS2), and reduced graphene oxide (rGO) are synthesized and then hybridized in the form of a ternary hybrid (MoS2-ReS2/rGO) for pseudocapacitor electrode materials. [5] The superior optical and electronic properties of the two-dimensional (2D) rhenium disulfide (ReS2) makes it suitable for nanoelectronic and optoelectronic applications. [6] Unlike most TMDs with layer-dependent photoresponsivity, rhenium disulfide (ReS2) shows excellent thickness-independent photoresponsivity. [7] Using a single-device two-dimensional (2D) rhenium disulfide (ReS2) field-effect transistor (FET) with enhanced gas species selectivity by light illumination, we reported a selective and sensitive detection of volatile organic compound (VOC) gases. [8] Rhenium disulfide ($\mathrm{Re}{\mathrm{S}}_{2}$) is a 2D semiconductor that has recently attracted attention due to its excellent exciton properties, such as light-polarization selectivity and anisotropic coherent effects. [9] Rhenium disulfide (ReS2), known in nature as the mineral rheniite, is a very interesting compound owing to its remarkable fundamental properties and great potential to develop novel device applications. [10] Rhenium disulfide (ReS2) has emerged as a promising material for future optoelectric applications due to its extraordinary electrical, mechanical, and optoelectrical properties. [11] Here we report the HER performance of rhenium disulfide and diselenide in an acidic environment. [12] Separately, a dual-trap model governing the trade-off between responsivity and speed of 2D photodetectors has been validated in rhenium disulfide (ReS2) photodetectors through gate bias and device architecture variations. [13] Herein, we synthesized the rhenium disulfide (ReS2) and ReS2/reduced graphene oxide (rGO) two-dimensional hybrid materials by a modified hydrothermal method. [14] Rhenium disulfide (ReS2), one of the typical representatives of 2D layered transition metals dichalcogenide materials, has attracted widespread attention for its optical modulation properties in lasers. [15] Rhenium disulfide (ReS2) has recently amassed increasing interests as lithium-ion batteries (LIBs) anode material due to its extremely weak interlayer coupling and high Li storage capacity. [16] Rhenium disulfide (ReS2) has drawn much scientific interest as it possesses many distinctive features due to its unusual structure. [17] Here, by employing a black phosphorus (BP)/rhenium disulfide (ReS2 ) heterojunction, the tunability of the BP work function (Φ BP ) with variation in flake thickness is exploited in order to demonstrate that a BP-based broken-gap heterojunction can manifest diverse current-transport characteristics such as gate tunable rectifying p-n junction diodes, Esaki diodes, backward-rectifying diodes, and nonrectifying devices as a consequence of diverse band-bending at the heterojunction. [18] In this work, we systematically studied the piezoresistive effect of an anisotropic 2D material of rhenium disulfide (ReS2), which has large anisotropic ratio. [19] Rhenium disulfide (ReS 2 ) is regarded as a promising candidate for optoelectronic applications ( e. [20] Here, we report gate-tunable current rectifying characteristics in a black phosphorus (BP)/rhenium disulfide (ReS2) type-III p-n heterojunction diode. [21]이황화레늄(ReS2)은 독특한 전자적, 광학적, 기계적 특성으로 인해 에너지 저장을 위한 유망한 호스트 재료로 부상했습니다. [1] 여기서, 물 분해를 위한 이황화레늄(ReS2)/ZnIn2S4 이종접합을 열수법으로 합성하였다. [2] TMDC 계열의 특정 구성원인 이황화 레늄(ReS2)은 이방성 결정 구조, 약한 층간 결합, 이방성 전기 및 광학 특성으로 인해 집중적인 관심을 불러일으켰습니다. [3] 2차원(2D) 이황화 레늄(ReS2)은 최근 매우 유망한 수소 발생 반응(HER) 전기 촉매로서 엄청난 관심을 끌고 있습니다. [4] 본 연구에서는 이황화몰리브덴(MoS2), 이황화레늄(ReS2), 환원그래핀옥사이드(rGO)의 3가지 2D 물질을 합성한 후 유사 커패시터 전극 물질을 위한 삼원 하이브리드(MoS2-ReS2/rGO) 형태로 혼성화한다. . [5] 2차원(2D) 이황화 레늄(ReS2)의 우수한 광학 및 전자 특성으로 인해 나노전자 및 광전자 응용 분야에 적합합니다. [6] 층 의존적 감광성을 갖는 대부분의 TMD와 달리, 이황화 레늄(ReS2)은 우수한 두께 비의존적 감광성을 나타낸다. [7] 단일 장치 2차원(2D) 레늄 디설파이드(ReS2) 전계 효과 트랜지스터(FET)를 사용하여 광 조명에 의해 가스 종 선택성이 향상되어 휘발성 유기 화합물(VOC) 가스의 선택적이고 민감한 감지를 보고했습니다. [8] 이황화 레늄($\mathrm{Re}{\mathrm{S}}_{2}$)은 편광 선택성 및 이방성 간섭 효과와 같은 우수한 여기자 특성으로 인해 최근 주목받고 있는 2차원 반도체입니다. [9] 자연계에서 레니라이트 광물로 알려진 이황화 레늄(ReS2)은 놀라운 기본 특성과 새로운 장치 응용 분야를 개발할 수 있는 큰 잠재력으로 인해 매우 흥미로운 화합물입니다. [10] 이황화레늄(ReS2)은 탁월한 전기적, 기계적 및 광전기적 특성으로 인해 미래의 광전기 응용 분야를 위한 유망한 재료로 부상했습니다. [11] 여기에서 우리는 산성 환경에서 rhenium disulfide와 diselenide의 HER 성능을 보고합니다. [12] 이와 별도로, 2D 광검출기의 반응성과 속도 간의 균형을 제어하는 이중 트랩 모델은 게이트 바이어스 및 장치 아키텍처 변형을 통해 이황화 레늄(ReS2) 광검출기에서 검증되었습니다. [13] 여기에서 우리는 변형된 열수 방법에 의해 이황화 레늄(ReS2) 및 ReS2/환원된 산화 그래핀(rGO) 2차원 하이브리드 재료를 합성했습니다. [14] 2D 층상 전이 금속 디칼코게나이드 물질의 대표적인 대표자 중 하나인 이황화레늄(ReS<sub>2</sub>)은 레이저에서 광변조 특성으로 인해 널리 주목받고 있습니다. [15] 이황화레늄(ReS2)은 매우 약한 층간 결합과 높은 리튬 저장 용량으로 인해 최근 리튬 이온 배터리(LIB) 양극 재료로 증가하는 관심을 모으고 있습니다. [16] 이황화레늄(ReS2)은 특이한 구조로 인해 많은 독특한 특징을 가지고 있어 많은 과학적 관심을 불러일으켰습니다. [17] 여기에서 흑색 인(BP)/이황화레늄(ReS2) 이종 접합을 사용하여 플레이크 두께의 변화에 따른 BP 일함수(Φ BP )의 조정 가능성을 활용하여 BP 기반의 파손된 갭 이종 접합이 가능함을 입증합니다. 게이트 가변 정류 pn 접합 다이오드, Esaki 다이오드, 역방향 정류 다이오드 및 비정류 장치와 같은 다양한 전류 전송 특성을 이종 접합에서 다양한 대역 굽힘의 결과로 나타냅니다. [18] 본 연구에서는 이방성 비율이 큰 이황화레늄(ReS2)의 이방성 2차원 재료의 압저항 효과를 체계적으로 연구하였다. [19] 레늄 디설파이드(ReS 2 )는 광전자 응용 분야에 대한 유망한 후보로 간주됩니다(예: [20] 여기에서 우리는 흑색 인(BP)/이황화 레늄(ReS2) 유형 III p-n 이종 접합 다이오드의 게이트 조정 가능한 전류 정류 특성을 보고합니다. [21]
transition metal dichalcogenide 전이금속 디칼코게나이드
Rhenium Disulfide (ReS2) has evolved as a novel 2D transition-metal dichalcogenide (TMD) material which has promising applications in optoelectronics and photonics because of its distinctive anisotropic optical properties. [1] Rhenium Disulfide (ReS2) has evolved as a novel 2D transition-metal dichalcogenide (TMD) material which has promising applications in optoelectronics and photonics because of its distinctive anisotropic attributes. [2] Herein, the distinctive electron conduction features are reported in a multilayer rhenium disulfide (ReS2 ), which provides decoupled vdW interaction between adjacent layers and much high interlayer resistivity in comparison with other transition-metal dichalcogenides materials. [3] Various in-plane anisotropic properties are observed for the layered semiconducting transition metal dichalcogenide (TMD), rhenium disulfide (ReS2) due to its reduced symmetry. [4] Rhenium disulfide (ReS2) is a novel two-dimensional material member in the transition metal dichalcogenides family, which shows unusual saturable absorption properties. [5] Among large numbers of transition metal dichalcogenides (TMDCs), monolayer of Rhenium disulfide (ReS2) is of particular interest due to its unique structural anisotropy, which opens up unprecedented opportunities in dichroic atomical electronics. [6] As an emerging two-dimensional transition metal dichalcogenide, rhenium disulfide (ReS2) has been attracting more and more attention for its unique properties and great potential in the design of the electronic and optoelectronic devices. [7] Rhenium disulfide (ReS2) is a transition metal dichalcogenide with a layer-independent direct bandgap. [8] Herein, the synthesis of a layered transition metal dichalcogenide rhenium disulfide (ReS2) and its utilization as an effective novel precious metal free, methanol tolerant oxygen reduction catalyst is reported. [9] Rhenium disulfide (ReS2 ) is a new family of 2D transition metal dichalcogenides with unique distorted 1T crystal structure and thickness-independent direct bandgap. [10] Rhenium disulfide (ReS2) is an interesting kind of transition metal dichalcogenide (TMD) because of its thickness-independent and suitable direct-bandgap structure, which could enable highly efficient solar-energy conversion efficiency. [11] As a new member of two-dimensional transition metal dichalcogenides, rhenium disulfide (ReS2), with a large interlayer space and weak van der Waals interaction between layers, can enable a large number of intercalation ions to diffuse easily between the layers. [12]Rhenium Disulfide(ReS2)는 독특한 이방성 광학 특성으로 인해 광전자공학 및 포토닉스에서 유망한 응용 분야를 가진 새로운 2D 전이 금속 디칼코게나이드(TMD) 재료로 발전했습니다. [1] Rhenium Disulfide(ReS2)는 독특한 이방성 속성 때문에 광전자공학 및 포토닉스에서 유망한 응용 분야를 가진 새로운 2D 전이 금속 디칼코게나이드(TMD) 물질로 발전했습니다. [2] 여기에서 독특한 전자 전도 특성은 인접한 층 사이의 분리된 vdW 상호 작용과 다른 전이 금속 이칼코게나이드 물질과 비교하여 훨씬 높은 층간 저항을 제공하는 다층 이황화 레늄(ReS2)에서 보고됩니다. [3] 계층화된 반도체 전이 금속 디칼코게나이드(TMD), 이황화 레늄(ReS2)의 대칭 감소로 인해 다양한 평면 내 이방성이 관찰됩니다. [4] 이황화 레늄(ReS2)은 전이 금속 디칼코게나이드 계열의 새로운 2차원 물질로, 특이한 포화 흡수 특성을 나타냅니다. [5] 많은 수의 전이금속 디칼코게나이드(TMDC) 중에서 이황화레늄(ReS2)의 단층은 이색성 원자 전자공학에서 전례 없는 기회를 열어주는 독특한 구조적 이방성으로 인해 특히 관심이 있습니다. [6] 떠오르는 2차원 전이 금속 디칼코게나이드로서, 이황화 레늄(ReS2)은 전자 및 광전자 장치 설계에서 고유한 특성과 큰 잠재력으로 인해 점점 더 많은 관심을 끌고 있습니다. [7] 이황화 레늄(ReS2)은 층 독립적인 직접 밴드갭을 갖는 전이 금속 디칼코게나이드입니다. [8] 여기에서, 층상 전이 금속 디칼코게나이드 레늄 디설파이드(ReS2)의 합성 및 효과적인 신규 귀금속 프리, 메탄올 내성 산소 환원 촉매로서의 그의 활용이 보고된다. [9] 이황화 레늄(ReS2)은 독특한 왜곡된 1T 결정 구조와 두께 독립적인 직접 밴드갭을 가진 2D 전이 금속 이칼코게나이드의 새로운 제품군입니다. [10] 이황화레늄(ReS2)은 두께와 무관하고 적절한 직접 밴드갭 구조로 인해 매우 효율적인 태양 에너지 변환 효율을 가능하게 할 수 있는 흥미로운 종류의 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)입니다. [11] 2차원 전이 금속 디칼코게나이드의 새로운 구성원인 이황화 레늄(ReS2)은 층간 공간이 크고 층 사이의 약한 반 데르 발스 상호 작용을 통해 많은 수의 층간 이온이 층 사이에서 쉽게 확산되도록 할 수 있습니다. [12]
chemical vapor deposition 화학 기상 증착
monolayer of rhenium disulfide (ReS2) field effect transistor on a SiO2/Si substrate developed using the chemical vapor deposition technique. [1] Two samples with [001] orientated rhenium disulfide (ReS2) nanowalls (NWs) grown above and in front of precursor (NH4ReO4) by chemical vapor deposition were investigated. [2] In this study, the controlled-layer and large-area two-dimensional (2D) rhenium disulfide (ReS2) thin films were grown on mica substrates by chemical vapor deposition method using S powder and Re-Te powder as starting materials. [3]화학 기상 증착 기술을 사용하여 개발된 SiO2/Si 기판 상의 이황화 레늄(ReS2) 전계 효과 트랜지스터의 단층. [1] 화학 기상 증착에 의해 전구체(NH4ReO4) 위와 앞에서 성장한 [001] 배향된 이황화 레늄(ReS2) 나노벽(NW)을 가진 두 개의 샘플을 조사했습니다. [2] nan [3]
Layered Rhenium Disulfide
This synapse is fabricated on 2D vdW layered rhenium disulfide (ReS2 ) that features an inherent photosensitive memory nature derived from the persistent photoconductivity (PPC) effect, successfully mimicking the dynamics of biological synapses. [1] A novel two-dimensional saturable absorber, few-layered rhenium disulfide (ReS2), was prepared by liquid phase exfoliation method successfully. [2]이 시냅스는 2D vdW 적층 레늄 디설파이드(ReS2)로 제작되었으며, 이는 PPC(Persistent Photoconductivity) 효과에서 파생된 고유한 감광성 메모리 특성이 있어 생물학적 시냅스의 역학을 성공적으로 모방합니다. [1] 새로운 2차원 포화 흡수제인 소수층의 이황화 레늄(ReS2)이 액상 박리법에 의해 성공적으로 제조되었습니다. [2]