Radio Frequency Sputtering(무선 주파수 스퍼터링)란 무엇입니까?
Radio Frequency Sputtering 무선 주파수 스퍼터링 - This work reports the effect of thermal annealing ranging from 0 to 800 °C on the various properties of zinc oxide thin film grown using radio-frequency sputtering. [1] An aluminum nitride (AlN) thin film was deposited on a 4H-SiC substrate via radio-frequency sputtering followed by annealing in N2 or O2 gas. [2] Here, we report the fabrication of the p-n hetero-junction devices of p-Zn1-xSbxO/n-Si− grown by utilizing the radio-frequency sputtering technique. [3] Trilayer-photodetector devices with a film stack of 5 at % Co-doped-zinc-ferrite-thin-film/indium-tin-oxide on p+-Si substrates were fabricated by radio-frequency sputtering. [4] Gallium oxide films were obtained by radio-frequency sputtering of a Ga2O3 target onto sapphire substrates with the (0001) orientation. [5] Innovative new method for the pulsed laser assisted radio-frequency sputtering at low temperature process was successfully applied for the β phase Ga2O3 thin film as wide band gap materials. [6] The films were deposited on the substrate using radio-frequency sputtering with a target of a ceramic TiO2 disc with Ge chips at substrate temperatures ranging from 573 K to 873 K. [7] 72 N/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor (MOS-HEMT) with a 20-nm-thick Al2O3 layer by using radio-frequency sputtering as the gate dielectric layer are compared to the conventional metal-semiconductor HEMT (MS-HEMT) with Pd/GaN gate structure. [8] The TEM images confirmed the continuity and uniformity of the a-C films and the 5-nm-thick SiNx underlayer formed by silicon nitrogenation using radio-frequency sputtering. [9] ITO/NiO/ZnO npn heterojunction bipolar phototransistors (HBPTs) with various base widths are fabricated using a radio-frequency sputtering system. [10] 35 μm)/p-Si(111) heterojunction diodes by radio-frequency sputtering using BaSi2 and SiC targets, and demonstrate the solar cell operation for the first time under AM1. [11] The films were deposited by co-sputtering; radio-frequency sputtering was applied to tin oxide, and then variable-power direct-current sputtering was applied to tantalum to achieve films with tantalum concentrations in the range of 2. [12] The radio-frequency sputtering technique was adopted for the subsequent depositions of the transparent ITO and BaTiO3 layers, while a proton-exchange method was utilized to fabricate the bus waveguides immersed in LiNbO3. [13] SrVO3 layers were deposited at room temperature using radio-frequency sputtering in an amorphous form and subsequently crystallized by heating in controlled gas environment. [14] The target materials were fabricated by chemical vapor deposition of manganese oxide on Al2O3 substrates and subsequent functionalization with silver or gold via radio frequency sputtering. [15] A tungsten trioxide (WO3) thin-film-based ammonia sensor device prepared using radio frequency sputtering is reported and studied. [16] In this work, (Al, Co)-ZnO films were co-sputtered on glass substrate through radio frequency sputtering at 100 °C. [17] Polycrystalline NiO thin films were deposited on single crystalline HOPG substrates via radio frequency sputtering. [18] Phase-change Ge8Sb92 films were deposited on the varied thermal-conductivity substrates by radio frequency sputtering and their crystallization behavior was investigated. [19] The heterostructure n-ZnO/p-Si was fabricated by Radio Frequency Sputtering. [20] Inorganic ultraviolet-electroluminescent (UV-EL) devices with a Gd3+-doped YAlO3 thin film emitting layer were fabricated by radio frequency sputtering. [21] We fabricated the amorphous GeTe/cubic Sb2Te3 supperlattice-like structure films by the radio frequency sputtering, and demonstrated the stability of cubic Sb2Te3 could be strengthened. [22] The urea sensor was prepared by screen-printing technology and radio frequency sputtering. [23] Test devices were fabricated with single layer, double layer and five layers graphene, sandwiched between two almost symmetric Bragg mirrors deposited by radio frequency sputtering and consisting of alternate layers of Si and SiO2. [24] In this work, we investigated a heterojunction of double-side-W-decorated NiO nanoigloos fabricated through radio frequency sputtering and a soft-template method. [25] The decoration procedure was achieved using the radio frequency sputtering (R. [26] In this chapter, experimental data for MoS2 material towards developing the next generation of high-efficiency solar cells is presented, which includes fabrication of ~100 nm homogeneous thin film over silicon di-oxide (SiO2) by using radio frequency sputtering at 275 W at high vacuum~10 −9 from commercial MoS2 99. [27] Nonpolar ZnO films are deposited on (100) Si substrate using LaNiO3 conducting buffer layer by radio frequency sputtering. [28] Pure WS2 films were prepared by the radio frequency sputtering of a WS2 target with the initial substrate temperature controlled to −40, −25, 0 °C and room temperature by cooling the holder with liquid nitrogen, respectively. [29] In the first layer, a TiO2 compact layer was deposited by radio frequency sputtering. [30] 58) are prepared using radio frequency sputtering, and the electrochemical behaviors of these films as anode materials for lithium ion batteries are investigated. [31]이 연구는 고주파 스퍼터링을 사용하여 성장한 산화아연 박막의 다양한 특성에 대한 0~800°C 범위의 열처리 효과를 보고합니다. [1] 질화알루미늄(AlN) 박막은 고주파 스퍼터링을 통해 4H-SiC 기판에 증착된 후 N2 또는 O2 가스에서 어닐링되었습니다. [2] 여기, 우리는 무선 주파수 스퍼터링 기술을 활용하여 성장한 p-Zn1-xSbxO/n-Si-의 p-n 이종 접합 장치의 제조를 보고합니다. [3] p+-Si 기판에 5at% Co-도핑된 아연-페라이트-박막/인듐-주석-산화물의 필름 스택을 갖는 삼중층-광검출기 장치는 무선 주파수 스퍼터링에 의해 제작되었습니다. [4] (0001) 방향의 사파이어 기판에 Ga2O3 타겟을 무선 주파수 스퍼터링하여 산화 갈륨 필름을 얻었다. [5] 저온 공정에서 펄스 레이저 보조 무선 주파수 스퍼터링을 위한 혁신적인 새로운 방법이 넓은 밴드 갭 물질로서 β상 Ga2O3 박막에 성공적으로 적용되었습니다. [6] 필름은 573K에서 873K 범위의 기판 온도에서 Ge 칩이 있는 세라믹 TiO2 디스크의 타겟으로 무선 주파수 스퍼터링을 사용하여 기판에 증착되었습니다. [7] 72 N/AlN/GaN 금속 산화물 반도체 MOS-HEMT(20nm 두께의 Al2O3 층이 있는 게이트 유전층으로 무선 주파수 스퍼터링 사용) Pd/GaN 게이트 구조의 기존 금속 반도체 HEMT(MS-HEMT)와 비교됩니다. [8] TEM 이미지는 무선 주파수 스퍼터링을 사용하여 실리콘 질소화에 의해 형성된 a-C 필름과 5nm 두께의 SiNx 하층의 연속성과 균일성을 확인했습니다. [9] 다양한 베이스 폭을 갖는 ITO/NiO/ZnO npn 이종접합 바이폴라 포토트랜지스터(HBPT)는 무선 주파수 스퍼터링 시스템을 사용하여 제조됩니다. [10] 35μm)/p-Si(111) 이종접합 다이오드를 BaSi2 및 SiC 타겟을 사용한 무선 주파수 스퍼터링으로 구현하고 AM1에서 처음으로 태양 전지 작동을 시연합니다. [11] 필름은 공동 스퍼터링에 의해 증착되었습니다. 고주파 스퍼터링이 산화주석에 적용된 다음 가변 전력 직류 스퍼터링이 탄탈륨에 적용되어 2 범위의 탄탈륨 농도를 갖는 필름을 달성했습니다. [12] 무선 주파수 스퍼터링 기술은 투명 ITO 및 BaTiO3 층의 후속 증착에 채택되었으며 양성자 교환 방법은 LiNbO3에 침지된 버스 도파관을 제작하는 데 사용되었습니다. [13] SrVO3 층은 무정형 형태의 무선 주파수 스퍼터링을 사용하여 실온에서 증착되었고 이후 제어된 가스 환경에서 가열하여 결정화되었습니다. [14] 타겟 재료는 Al2O3 기판에 산화망간을 화학 기상 증착한 후 무선 주파수 스퍼터링을 통해 은 또는 금으로 기능화하여 제작되었습니다. [15] 무선 주파수 스퍼터링을 사용하여 제조된 삼산화 텅스텐(WO<sub>3</sub>) 박막 기반 암모니아 센서 장치가 보고되고 연구되었습니다. [16] 이 작업에서 (Al, Co)-ZnO 필름은 100°C에서 무선 주파수 스퍼터링을 통해 유리 기판에 공동 스퍼터링되었습니다. [17] 다결정 NiO 박막은 무선 주파수 스퍼터링을 통해 단결정 HOPG 기판에 증착되었습니다. [18] 상변화 Ge8Sb92 필름은 무선 주파수 스퍼터링에 의해 다양한 열전도성 기판에 증착되었고 결정화 거동이 조사되었습니다. [19] 이종 구조 n-ZnO/p-Si는 무선 주파수 스퍼터링에 의해 제작되었습니다. [20] Gd3+가 도핑된 YAlO3 박막 발광층을 가진 무기 자외선 전자발광(UV-EL) 장치는 무선 주파수 스퍼터링에 의해 제작되었습니다. [21] 우리는 무선 주파수 스퍼터링에 의해 비정질 GeTe/입방체 Sb2Te3 초격자 구조 필름을 제조하고 입방체 Sb2Te3의 안정성이 강화될 수 있음을 입증했습니다. [22] 요소 센서는 스크린 인쇄 기술과 무선 주파수 스퍼터링으로 준비되었습니다. [23] 테스트 장치는 단일층, 이중층 및 5층 그래핀으로 제작되었으며, 무선 주파수 스퍼터링에 의해 증착되고 Si 및 SiO2의 교대로 구성된 두 개의 거의 대칭인 Bragg 미러 사이에 끼워져 있습니다. [24] 이 연구에서 우리는 무선 주파수 스퍼터링과 소프트 템플릿 방법을 통해 제작된 양면 W 장식 NiO 나노이글루의 이종 접합을 조사했습니다. [25] 장식 절차는 무선 주파수 스퍼터링(R. [26] 이 장에서는 275W에서 무선 주파수 스퍼터링을 사용하여 이산화규소(SiO2) 위에 ~100nm 균일한 박막을 제조하는 것을 포함하는 차세대 고효율 태양 전지 개발을 위한 MoS2 재료에 대한 실험 데이터를 제공합니다. 상용 MoS2 99에서 고진공~10 -9. [27] 무극성 ZnO 필름은 무선 주파수 스퍼터링에 의해 LaNiO3 전도성 버퍼 층을 사용하여 (100) Si 기판에 증착됩니다. [28] 순수한 WS2 필름은 홀더를 액체 질소로 각각 냉각하여 초기 기판 온도를 -40, -25, 0°C 및 실온으로 제어한 WS2 타겟의 무선 주파수 스퍼터링에 의해 준비되었습니다. [29] 첫 번째 층에서 TiO2 콤팩트 층은 무선 주파수 스퍼터링에 의해 증착되었습니다. [30] 58)은 무선 주파수 스퍼터링을 사용하여 준비하고 리튬 이온 배터리의 양극 재료로 이러한 필름의 전기 화학적 거동을 조사합니다. [31]
radio frequency sputtering technique
ITO thin films with thickness of 400 nm were prepared using a radio frequency sputtering technique. [1] The piezoelectric zinc oxide (ZnO) layer is deposited using radio frequency sputtering technique. [2] We report on the effect of growth (TS) and annealing (Ta) temperatures on structural, morphological, work function mapping, and bandgap properties of nanocrystalline LiMn2O4 thin films grown by the radio frequency sputtering technique. [3] Deposition of Al-doped ZnO thin films on Si substrates by the radio frequency sputtering technique was carried out to study the influence of process parameters. [4] 1-D multilayer dielectric films consisting of seven pairs of SiO2 and TiO2 alternating layers are deposited on a SiO2 substrate using the radio frequency sputtering technique. [5] In this paper, silver (Ag) and copper (Cu) IDEs was fabricated on polyimide substrate via one step radio frequency sputtering technique by transferring the pattern of IDE from Perspex hard mask onto polyimide substrate. [6] In this study, non-stoichiometric NiO films were obtained by using radio frequency sputtering technique to fabricate a heterojunction p–n Schottky diode. [7]무선 주파수 스퍼터링 기술을 사용하여 400nm 두께의 ITO 박막을 제조했습니다. [1] 압전 산화아연(ZnO) 층은 무선 주파수 스퍼터링 기술을 사용하여 증착됩니다. [2] 우리는 무선 주파수 스퍼터링 기술에 의해 성장된 나노결정 LiMn2O4 박막의 구조, 형태, 일함수 매핑 및 밴드갭 특성에 대한 성장(TS) 및 어닐링(Ta) 온도의 영향에 대해 보고합니다. [3] 무선 주파수 스퍼터링 기술을 사용하여 Si 기판에 Al이 도핑된 ZnO 박막을 증착하여 공정 매개변수의 영향을 연구했습니다. [4] 무선 주파수 스퍼터링 기술을 사용하여 SiO2 기판에 7쌍의 SiO2 및 TiO2 교대 층으로 구성된 1D 다층 유전체 필름이 증착됩니다. [5] 이 논문에서 은(Ag) 및 구리(Cu) IDE는 Perspex 하드 마스크의 IDE 패턴을 폴리이미드 기판으로 전사하여 1단계 무선 주파수 스퍼터링 기술을 통해 폴리이미드 기판에 제작되었습니다. [6] 이 연구에서는 이종 접합 p-n 쇼트키 다이오드를 제작하기 위해 무선 주파수 스퍼터링 기술을 사용하여 비화학량론적 NiO 필름을 얻었다. [7]
radio frequency sputtering method
1O4 thin films were prepared on a Si/SiO2 substrate by the radio frequency sputtering method at various substrate temperatures. [1] Tin sulfide (SnS) thin films were deposited on the soda lime glass (SLG) and Mo-coated SLG by radio frequency sputtering method at room temperature (RT). [2] Herein, an Al:InSe thin film is designed and synthesized by the direct current-radio frequency sputtering method. [3] The YMOO thin films were deposited on the p-Si (100) substrate via a radio frequency sputtering method with a thickness of approximately 62 nm. [4]1O4 박막은 다양한 기판 온도에서 무선 주파수 스퍼터링 방법에 의해 Si/SiO2 기판에 준비되었습니다. [1] 주석 황화물(SnS) 박막은 실온(RT)에서 무선 주파수 스퍼터링 방법에 의해 소다 석회 유리(SLG) 및 Mo 코팅된 SLG 위에 증착되었습니다. [2] 여기서 Al:InSe 박막은 직류-무선 주파수 스퍼터링 방식으로 설계 및 합성된다. [3] YMOO 박막은 약 62 nm 두께의 무선 주파수 스퍼터링 방법을 통해 p-Si(100) 기판에 증착되었습니다. [4]