Radio Frequency Magnetron(무선 주파수 마그네트론)란 무엇입니까?
Radio Frequency Magnetron 무선 주파수 마그네트론 - , pure O2 and mixed Ar/O2, on the crystalline phase and electrical properties of BFO thin films prepared by radio-frequency magnetron sputtering. [1] The impact of the time at high temperature annealing on the morphology, crystal structure and emission in visible spectral range has been studied in Si rich HfO2:Nd films produced by radio-frequency magnetron sputtering in pure argon plasma. [2] CrNbSiTiZr high-entropy alloy films with different substrate bias voltages (from 0 V to–200 V) were fabricated on 304 stainless steel and Si substrates by radio-frequency magnetron sputtering. [3] YVO4:Eu3+ thin films were grown on glass substrates using a radio-frequency magnetron sputtering technique at varying substrate temperatures of 25–400 °C. [4] PZT thin films, 250 nm thick, were grown on three different substrates (Si/SiO2/Ti/Pt, Si/SiO2, and glass/Al) using radio-frequency magnetron sputtering. [5] CrWN coatings were fabricated through a hybrid high-power impulse magnetron sputtering/radio-frequency magnetron sputtering technique. [6] GaN films doped with Mg or Zn were obtained via radio-frequency magnetron sputtering on silicon substrates at room temperature and used laboratory-prepared targets with Mg-doped or Zn-doped GaN powders. [7] The Al2O3/Y2O3 composite coating with a total thickness of 320 nm was prepared by radio-frequency magnetron sputtering. [8] ZION films were deposited on Zn-face and O-face ZnO substrates by radio-frequency magnetron sputtering. [9] Post-oxidation was employed to improve the performance of Schottky-gate MgZnO/ZnO heterojunction field-effect transistors (SG-HFETs), which were fabricated using radio-frequency magnetron sputtering system. [10] This work is dedicated to studying of the properties of the calcium phosphate (CaP) coatings deposited on Ti substrates by radio-frequency magnetron sputtering (RFMS) of three hydroxyapatite-based powder targets: pure hydroxyapatite (HA), Mg-substituted HA (Mg-HA, Mg = 0. [11] Here we investigate the structural, electronic, and magnetic properties of atomically-precise epitaxially-strained thin films of the double perovskite La2NiMnO6 (LNMO) grown by off-axis radio-frequency magnetron sputtering. [12] Lithium-doped nickel oxide (LNiO) films were prepared through radio-frequency magnetron sputtering. [13] The impact of annealing on luminescence properties of radio-frequency magnetron sputtering grown alumina films and their possible application in radiation measurement are presented. [14] WS, 순수 O2 및 혼합 Ar/O2, 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링으로 제조된 BFO 박막의 결정상 및 전기적 특성. [1] 가시 스펙트럼 범위의 형태, 결정 구조 및 방출에 대한 고온 어닐링 시간의 영향은 순수한 아르곤 플라즈마에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 생성된 Si가 풍부한 HfO2:Nd 필름에서 연구되었습니다. [2] 다양한 기판 바이어스 전압(0V ~ 200V)을 갖는 CrNbSiTiZr 고엔트로피 합금 필름이 고주파 마그네트론 스퍼터링에 의해 304 스테인리스강 및 Si 기판에 제조되었습니다. [3] YVO4:Eu3+ 박막은 25–400°C의 다양한 기판 온도에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술을 사용하여 유리 기판에서 성장되었습니다. [4] 250nm 두께의 PZT 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 3개의 다른 기판(Si/SiO2/Ti/Pt, Si/SiO2 및 유리/Al)에서 성장되었습니다. [5] CrWN 코팅은 하이브리드 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링/무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술을 통해 제작되었습니다. [6] Mg 또는 Zn으로 도핑된 GaN 필름은 실온에서 실리콘 기판에 대한 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 통해 얻었고 Mg 도핑 또는 Zn 도핑 GaN 분말과 함께 실험실에서 준비된 타겟을 사용했습니다. [7] 총 두께가 320 nm인 Al2O3/Y2O3 복합 코팅은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 준비되었습니다. [8] ZION 필름은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 Zn면 및 O면 ZnO 기판에 증착되었습니다. [9] 고주파 마그네트론 스퍼터링 시스템을 사용하여 제작된 쇼트키 게이트 MgZnO/ZnO 이종 접합 전계 효과 트랜지스터(SG-HFET)의 성능을 개선하기 위해 사후 산화가 사용되었습니다. [10] 이 연구는 순수한 수산화인회석(HA), Mg-치환된 HA(Mg -HA, Mg = 0. [11] 여기에서 우리는 축외 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 성장된 이중 페로브스카이트 La2NiMnO6(LNMO)의 원자적으로 정밀한 에피택셜 변형 박막의 구조적, 전자적 및 자기적 특성을 조사합니다. [12] 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 통해 리튬 도핑된 니켈 산화물(LNiO) 필름을 제조했습니다. [13] 고주파 마그네트론 스퍼터링 성장된 알루미나 필름의 발광 특성에 대한 어닐링의 영향과 방사선 측정에서의 적용 가능성이 제시됩니다. [14] WS<inf>2</inf>pMISFET는 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 및 TiN/HfO<inf>2</inf>-top-gate-stack, TiN 접촉 및 초박형 본체를 사용한 황 증기 어닐링으로 성공적으로 입증되었습니다. 및 상자(UTBB). [15] Al/Al2O3 복합 중수소 장벽은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 방법으로 316 L 스테인리스강의 연마된 면에 증착되었습니다. [16] 이 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터 시스템을 사용하여 상온에서 Al2O3 도핑된 ZnO(AZO) 박막을 증착하고 소다 석회 유리(SLG) 기판을 아래의 샘플 홀더 중심에 대해 다른 영역에 배치했습니다. 목표. [17] 무선 주파수 마그네트론 스퍼터 장치를 사용하여 바닥 직경이 10-20 μm인 원추형 돌출부를 형성하기 위해 4 ks. [18] 이 기사에서는 후면 금속 전극이 설계된 ZnO 박막을 기반으로 하는 새로운 샌드위치 구조의 표면 플라즈몬 자외선(UV) 광검출기를 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링으로 제작했습니다. [19] 층은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 및 증발 소스를 사용하여 증착됩니다. [20] 250nm 두께의 IGZO 필름을 고주파 마그네트론 스퍼터링을 통해 SiO2/Si 기판에 증착한 다음 45keV의 주입 에너지와 3×1015 ions/cm2의 도즈로 이온 주입 절차에 의해 F-도핑을 수행했습니다. [21] 고품질 단결정형 Ge(004) 박막은 Si(001) 기판에 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 에피택셜 성장되었습니다. [22] Zr 도핑된 MZO 필름은 4인치 ZnO/MgO/ZrO2(75/20/5wt%) 타겟을 사용하여 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 통해 증착되었습니다. [23] 전기방사된 폴리머 나노섬유는 반도체 물질의 얇은 층으로 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링으로 덮였으며(2단계), FESEM 관찰 결과 전체 표면에 걸쳐 균일한 증착물이 입증되었습니다. [24] 정밀 조사된 PVD 방법은 RF-MS(Radio-Frequency Magnetron Sputtering), 음극 아크 증발, 펄스 전자 증착 및 그 변형, 펄스 레이저 증착 및 MAPLE(Matrix Assisted Pulsed Laser Evaporation)으로, 특히 치과에서 큰 가능성을 보여줍니다. 그리고 정형외과. [25] OSL은 고주파 마그네트론 코스퍼터링에 의해 증착된 하프늄(Hf) 도핑된 a-IGZO 채널 층입니다. [26] GeTe 및 Sb2Te3 타겟을 사용한 무선 주파수 마그네트론 공동 스퍼터링 기술은 Ge-Sb-Te 비정질 박막 증착에 사용되었습니다. [27] Au/SiO2-SiO2 다층 주기 구조는 이온 주입 및 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 제작되었습니다. [28] 벌크 LiNbO3에 가까운 직접적인 광학 밴드갭을 갖는 비정질 리튬 니오베이트(LiNbO3) 필름은 Ar, Ar(90%) + O2(10%) 및 Ar(60%)에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링(RFMS) 기술에 의해 제조되었습니다. ) + O2(40%) 반응성 가스 환경. [29] 본 연구에서는 알루미늄(Al) 또는 코발트(Co)가 도핑된 산화구리(CuO) 박막을 고주파 마그네트론 스퍼터링 증착에 의해 소다석회 유리 기판 표면에 제조하였다. [30] 이 연구에서는 α-사파이어 기판에 고주파 마그네트론 스퍼터링 및 이온빔 스퍼터링 기술을 사용하여 Ta2O5/ZnO 이종 접합을 제조합니다. [31] CsPbBr 3 및 CsPbCl 3 박막의 성공적인 증착은 최근 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 얻어졌습니다. [32] 여기에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링(RF-MS) PBG는 장래의 생체 의학 임플란트 디자인을 위한 희생 재흡수 층으로 조사되었습니다. [33] X선 신틸레이터용으로 확립된 재료인 유로퓸 도핑된 산화 루테튬(Lu2O3:Eu)의 축광 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 증착 기술을 사용하여 유리 기판에서 성장되었습니다. [34] 2D-MoS2-MoO3CC 합성물은 액체상 박리(LPE)로 얻은 2D-MoS2 나노시트를 탄소 천 섬유 네트워크의 표면에 증착하여 준비했습니다. -주파수 마그네트론 반응성 스퍼터링 기술. [35] 스피넬 ZnGa2O4 필름은 고주파 마그네트론 스퍼터링에 의해 400 °C의 기판 온도에서 c면 사파이어 기판에서 성장되었습니다. [36]
doped zinc oxide
Copper (Cu) and dysprosium (Dy) co-doped zinc oxide (ZnO) thin films were fabricated by radio frequency magnetron sputtering (RF-magnetron sputtering) using a homemade target having the atomic percentage of Cu and Dy of 1%, onto optical glass substrates and quartz substrates. [1] In this work, the natively textured surface of gallium-doped zinc oxide (GZO) films were obtained onto quartz substrates by radio frequency magnetron sputtering. [2] Radio frequency magnetron sputtered Al-doped zinc oxide (AZO) thin films were formed on n-type gallium nitride (GaN). [3] The aluminum doped zinc oxide films deposited by radio frequency magnetron sputtering were used as transparent and conductive substrates. [4]구리(Cu)와 디스프로슘(Dy)이 함께 도핑된 산화아연(ZnO) 박막은 Cu와 Dy의 원자 비율이 1%인 수제 타겟을 사용하여 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링(RF-magnetron sputtering)에 의해 광학 표면에 제작되었습니다. 유리 기판 및 석영 기판. [1] 이 연구에서, 갈륨 도핑된 산화아연(GZO) 필름의 고유 질감 표면은 고주파 마그네트론 스퍼터링에 의해 석영 기판에서 얻어졌습니다. [2] 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 Al-도핑된 산화아연(AZO) 박막은 n형 질화갈륨(GaN) 위에 형성되었습니다. [3] nan [4]
Reactive Radio Frequency Magnetron
A duplex CeO₂/MAO coating was deposited on AZ31B magnesium alloy through microarc oxidation and reactive radio frequency magnetron sputtering. [1] The Al-rich Al-Cr-O films were directly deposited on Si(100) substrate by reactive radio frequency magnetron sputtering (RFMS) using Al-Cr alloy targets. [2] PVD thin film based on chromium nitride was deposited on XC100 steel substrate with reactive radio frequency magnetron sputtering. [3]이중 CeO₂/MAO 코팅은 마이크로아크 산화 및 반응성 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 통해 AZ31B 마그네슘 합금에 증착되었습니다. [1] Al이 풍부한 Al-Cr-O 필름은 Al-Cr 합금 타겟을 사용하여 RFMS(Reactive Radio Frequency Magnetron Sputtering)에 의해 Si(100) 기판에 직접 증착되었습니다. [2] nan [3]
radio frequency magnetron sputtering
In this paper, Ni/NiO/Ni multilayers are deposited on glass substrates using radio frequency magnetron sputtering, where the structural and morphological properties are analyzed using X-ray diffraction besides scanning electron microscopy techniques. [1] Thus, we covered the end face of a fiber with a uniform ITO film using the radio frequency magnetron sputtering technology to fabricate a novel ITO SA. [2] A duplex CeO₂/MAO coating was deposited on AZ31B magnesium alloy through microarc oxidation and reactive radio frequency magnetron sputtering. [3] 15O3 heterolayer thin films are deposited on Pt-Si substrates by radio frequency magnetron sputtering and pulsed laser deposition. [4] The ferroelectric layer were grown on (100)-oriented silicon substrate by radio frequency magnetron sputtering. [5] CdSe thin films were synthesized using radio frequency magnetron sputtering method on Corning glass substrates at room temperature. [6] Deposition power of radio frequency magnetron sputtering was varied (50W, 100 W, 150 W,200 W and 250 W) to study its impact on film characteristics for suitable application in solar cell. [7] Atomically smooth, uniform and highly luminescent scintillating membranes have been successfully fabricated by radio frequency magnetron sputtering for application as a nanoscale imaging probe. [8] We report for the first time the bias voltage (40 V and 120 V) dependent structural and morphological evolution of YSZ thin films grown via radio frequency magnetron sputtering (RFMS) technique. [9] High-quality epitaxial (111) BaTiO3 thin film was successfully fabricated on flexible fluorophlogopite mica substrate by radio frequency magnetron sputtering. [10] Nb-doped ZnO thin films were fabricated on glass substrates by using co-sputtering with direct-current and radio frequency magnetron sputtering. [11] In the present study, we report the high visible to near infrared (NIR) transparent Al2O3:CuO thin films prepared using homemade high purity sputtering target by radio frequency magnetron sputtering technique with sputtering powers of 100, 200 and 300 W at room temperature and the prepared films were annealed at 300, 600 and 1000 °C for 1 h. [12] In this work, (AlxGa1-x)2O3 thin films were grown on Al2O3 (0001) substrate by radio frequency magnetron sputtering using Al/Ga2O3 target. [13] Fe-Si-B-P-C thin films were fabricated using radio frequency magnetron sputtering. [14] Amorphous Li–Si–Ti–P–O (LSTP) thin film electrolyte was successfully prepared by radio frequency magnetron sputtering using Li 1. [15] Transparent conducting In and Mg codoped ZnO (IMZO) thin films were deposited on quartz substrates at room temperature by radio frequency magnetron sputtering. [16] Copper (Cu)-doped ZnO (CZO) films were grown by simultaneous direct current and radio frequency magnetron sputtering technique under the situation of different gas flow rates of Ar: O2 (1:1, 2:1 and 1:0). [17] The effect of argon ion bombardment on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. [18] The indium oxide-sensing membranes were deposited on quartz substrates by using a radio frequency magnetron sputtering system at various oxygen/(argon + oxygen) ratios to modify their In and O atomic percentage, surface morphology, and grain size in the membranes. [19] ZnO and Co-doped ZnO films were synthesized by the radio frequency magnetron sputtering in mixed atmosphere of Ar + 20% O2 and Ar + 20–50% H2. [20] Cu-doped SnO2 thin films were deposited on a glass substrate using radio frequency magnetron sputtering. [21] In this paper, GdFeO3 thin films with high orientation and heavily Ce3+ doping were deposited by radio frequency magnetron sputtering with a matching substrate. [22] A radio frequency magnetron sputtering technique was used to deposit thin films at a very low temperature of 100 C. [23] A 100 nm ZnO film was deposited on a glass substrate via radio frequency magnetron sputtering as a seed layer. [24] We then introduced a gas aggregation source of plasma polymer nanoparticles that utilized radio frequency magnetron sputtering of a polymeric target with an emphasis on the key features of this kind of source. [25] Copper (Cu) and dysprosium (Dy) co-doped zinc oxide (ZnO) thin films were fabricated by radio frequency magnetron sputtering (RF-magnetron sputtering) using a homemade target having the atomic percentage of Cu and Dy of 1%, onto optical glass substrates and quartz substrates. [26] In this study, polycrystalline Mg2Sn thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering using an elemental composite target comprising Sn chips on a Mg disk at substrate temperatures (Ts) ranging from room temperature to 573 K. [27] In this study, two all-solid-state electrochromic devices (ECDs), composed of amorphous WO3 (a-WO3) and crystalline WO3 (c-WO3) as the electrochromic layers, have been prepared using radio frequency magnetron sputtering. [28] In this work, we demonstrate the feasibility to obtain aluminium nitride (AlN) nanostructures by radio frequency magnetron sputtering technique. [29] AZO thin films were deposited by using radio frequency magnetron sputtering. [30] Carbon nanowalls were prepared on silicon substrates by radio frequency magnetron sputtering under an argon–hydrogen mixture, at different hydrogen fluxes and varying the substrate temperature and deposition times. [31] We report on the characteristics of ZnO-based thin film transistors (TFT) fabricated by radio frequency magnetron sputtering. [32] The DF-NiO x film was formed by a radio frequency magnetron sputtering method. [33] Monoclinic Ga2O3 (β-Ga2O3) thin films were deposited on c-plane sapphire substrates via radio frequency magnetron sputtering method followed by post-annealing process. [34] Efficient perovskite solar cell (PSC) with SnO2 electron selective layer (ESL) prepared by radio frequency magnetron sputtering method at room-temperature has been realized. [35] All results indicate that it is available and feasible of LIBS to fabricate high-performance CIGS thin film using the one-step radio frequency magnetron sputtering method. [36] Here, the alumina films were deposited on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering using various targets of Al, α-Al2O3, and Al + 15 wt% α-Al2O3 composite. [37] We have synthesized Yttrium (Y)-doped Cadmium Oxide (YCO) thin films by radio frequency magnetron sputtering with Y doping concentration up to 9%. [38] Amorphous carbon films were successfully prepared by radio frequency magnetron sputtering at different deposition temperatures. [39] Nano-diamond and C60 incorporated diamond-like carbon films (D-DLC, C60-DLC) were separately prepared using radio frequency magnetron sputtering on silicon <100> wafers. [40] The method of coating can be achieved by radio frequency Magnetron sputtering technique. [41] 48O4 (MCN) thin films were deposited on amorphous Al2O3 substrates by radio frequency magnetron sputtering at a relatively low temperature (450 °C). [42] The layered γ-In2Se3 nanofilm with a thickness of around 74 nm was deposited onto a n-Si wafer through radio frequency magnetron sputtering. [43] The PEDOT:PSS layer and the zinc oxide nanostructures have been deposited using the spin coating and the radio frequency magnetron sputtering techniques on glass substrates at room temperature, respectively. [44] A polycrystalline WS2 thin film is successfully deposited on a substrate using radio frequency magnetron sputtering at room temperature. [45] In this work, Cr-doped ZnO thin films with the hexagonal wurtzite structure and c-axis preferred orientation are prepared with the radio frequency magnetron sputtering technique. [46] Here in this study, pristine, indium-doped (IZO), gallium-doped (GZO) and co-doped (IGZO) ZnO thin films were deposited on a glass substrate using radio frequency magnetron sputtering. [47] In order to investigate a protective coating approach for nuclear applications, two different aluminum rich layers were deposited on T91 steel coupons: Ti-Al-N films were grown via High Power Impulse Magnetron Sputtering and Al O coatings were produced by Radio Frequency Magnetron Sputtering. [48] In this work, we present the materials properties of $\text{Cd}_{\mathrm{x}}\text{Zn}_{1-\mathrm{x}}\mathrm{O}$ alloys synthesized using radio frequency magnetron sputtering and investigated the effects of deposition conditions on the phase transition behaviors. [49] Here, we report a systematic study of the structural, optical, Raman and magnetic properties of undoped ZnO films grown on a-, c-, m- and r-plane sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. [50]이 논문에서, Ni/NiO/Ni 다층은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 유리 기판에 증착되며, 여기서 구조 및 형태학적 특성은 주사 전자 현미경 기술 외에 X선 회절을 사용하여 분석됩니다. [1] 따라서 우리는 새로운 ITO SA를 제작하기 위해 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술을 사용하여 균일한 ITO 필름으로 섬유의 끝면을 덮었습니다. [2] 이중 CeO₂/MAO 코팅은 마이크로아크 산화 및 반응성 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 통해 AZ31B 마그네슘 합금에 증착되었습니다. [3] 15O3 이종층 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 및 펄스 레이저 증착에 의해 Pt-Si 기판에 증착됩니다. [4] 강유전체 층은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 (100) 배향된 실리콘 기판 상에 성장되었다. [5] CdSe 박막은 상온에서 Corning 유리 기판에 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 합성되었습니다. [6] 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링의 증착 전력은 태양 전지에 적합한 적용을 위해 필름 특성에 미치는 영향을 연구하기 위해 다양했습니다(50W, 100W, 150W, 200W 및 250W). [7] 원자적으로 매끄럽고 균일하며 매우 발광하는 신틸레이팅 멤브레인은 나노 스케일 이미징 프로브로 응용하기 위해 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 성공적으로 제작되었습니다. [8] 우리는 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링(RFMS) 기술을 통해 성장한 YSZ 박막의 바이어스 전압(40V 및 120V) 종속 구조 및 형태학적 진화를 처음으로 보고합니다. [9] 고품질 에피택시 (111) BaTiO3 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 유연한 fluorophlogopite 운모 기판에 성공적으로 제조되었습니다. [10] Nb 도핑된 ZnO 박막은 직류 및 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링과 함께 공동 스퍼터링을 사용하여 유리 기판에 제작되었습니다. [11] 본 연구에서는 상온에서 100, 200, 300 W의 스퍼터링 전력을 갖는 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 집에서 만든 고순도 스퍼터링 타겟을 사용하여 제조된 고 가시광선에서 근적외선(NIR) 투명 Al2O3:CuO 박막을 보고합니다. 준비된 필름을 300, 600 및 1000°C에서 1시간 동안 어닐링했습니다. [12] 이 연구에서는 Al/Ga2O3 타겟을 이용한 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 Al2O3(0001) 기판 위에 (AlxGa1-x)2O3 박막을 성장시켰다. [13] Fe-Si-B-P-C 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 제작되었습니다. [14] 비정질 Li-Si-Ti-P-O(LSTP) 박막 전해질은 Li 1을 사용한 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 성공적으로 제조되었습니다. [15] 투명 전도성 In 및 Mg 도핑된 ZnO(IMZO) 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 실온에서 석영 기판에 증착되었습니다. [16] 구리(Cu)가 도핑된 ZnO(CZO) 필름은 Ar:O2(1:1, 2:1 및 1:0)의 다른 가스 유량 상황에서 동시 직류 및 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 성장되었습니다. [17] 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 Si(100) 기판에서 성장한 결정질 Ta2O5 필름의 화학적 특성에 대한 아르곤 이온 충격의 영향을 X선 광전자 분광법으로 조사했습니다. [18] 인듐 산화물 감지 멤브레인은 다양한 산소/(아르곤 + 산소) 비율에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 시스템을 사용하여 석영 기판에 증착되어 In 및 O 원자 비율, 표면 형태 및 멤브레인의 입자 크기를 수정했습니다. [19] ZnO 및 Co 도핑된 ZnO 필름은 Ar+20% O2 및 Ar+20-50% H2의 혼합 분위기에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 합성되었습니다. [20] Cu가 도핑된 SnO2 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 유리 기판에 증착되었습니다. [21] 이 논문에서, 고배향 및 다량의 Ce3+ 도핑을 갖는 GdFeO3 박막은 매칭 기판과의 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착되었다. [22] 고주파 마그네트론 스퍼터링 기술을 사용하여 100C의 매우 낮은 온도에서 박막을 증착했습니다. [23] 100 nm ZnO 필름은 시드층으로서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 통해 유리 기판에 증착되었습니다. [24] 그런 다음 이러한 종류의 소스의 주요 기능에 중점을 두고 고분자 타겟의 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하는 플라즈마 고분자 나노 입자의 가스 응집 소스를 도입했습니다. [25] 구리(Cu)와 디스프로슘(Dy)이 함께 도핑된 산화아연(ZnO) 박막은 Cu와 Dy의 원자 비율이 1%인 수제 타겟을 사용하여 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링(RF-magnetron sputtering)에 의해 광학 표면에 제작되었습니다. 유리 기판 및 석영 기판. [26] 이 연구에서 다결정 Mg2Sn 박막은 실온에서 573K 범위의 기판 온도(Ts)에서 Mg 디스크에 Sn 칩을 포함하는 원소 복합 타겟을 사용하여 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 유리 기판에 증착되었습니다. [27] 이 연구에서는 무정형 WO3(a-WO3)와 결정질 WO3(c-WO3)를 전기변색 층으로 구성한 두 개의 전고체 전기변색 소자(ECD)가 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 준비되었습니다. [28] 이 작업에서 우리는 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 질화 알루미늄(AlN) 나노 구조를 얻는 가능성을 보여줍니다. [29] AZO 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 증착되었습니다. [30] 탄소 나노벽은 다양한 수소 플럭스와 기판 온도 및 증착 시간을 변화시키는 아르곤-수소 혼합물 하에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 실리콘 기판에 준비되었습니다. [31] 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링으로 제작된 ZnO 기반 박막 트랜지스터(TFT)의 특성에 대해 보고합니다. [32] DF-NiOx막은 고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 형성하였다. [33] 단사정계 Ga2O3(β-Ga2O3) 박막은 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법을 통해 c면 사파이어 기판에 증착된 후 어닐링 후 처리되었습니다. [34] 상온에서 고주파 마그네트론 스퍼터링 방식으로 제조된 SnO2 전자 선택층(ESL)을 갖춘 효율적인 페로브스카이트 태양전지(PSC)가 구현됐다. [35] 모든 결과는 LIBS가 1단계 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 고성능 CIGS 박막을 제조하는 것이 가능하고 실현 가능함을 나타냅니다. [36] 여기에서 알루미나 필름은 Al, α-Al2O3 및 Al + 15wt% α-Al2O3 복합물의 다양한 타겟을 사용하여 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 Si(100) 기판에 증착되었습니다. [37] 우리는 최대 9%의 Y 도핑 농도로 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 이트륨(Y) 도핑된 산화 카드뮴(YCO) 박막을 합성했습니다. [38] 비정질 탄소 필름은 다양한 증착 온도에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 성공적으로 준비되었습니다. [39] 나노 다이아몬드 및 C60 혼입 다이아몬드 유사 탄소 필름(D-DLC, C60-DLC)은 실리콘 <100> 웨이퍼에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 별도로 준비되었습니다. [40] 코팅 방법은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 달성될 수 있습니다. [41] 48O4(MCN) 박막은 비교적 낮은 온도(450°C)에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 비정질 Al2O3 기판에 증착되었습니다. [42] 약 74 nm 두께의 층상 γ-In2Se3 나노필름을 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 통해 n-Si 웨이퍼에 증착했습니다. [43] PEDOT:PSS 층과 산화아연 나노구조는 스핀 코팅과 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술을 사용하여 실온에서 유리 기판에 각각 증착되었습니다. [44] 다결정 WS2 박막은 실온에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 기판에 성공적으로 증착되었습니다. [45] 이 연구에서, 육각형 wurtzite 구조와 c축 선호 배향을 갖는 Cr이 도핑된 ZnO 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 기술로 준비됩니다. [46] 여기 이 연구에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 깨끗한 인듐 도핑(IZO), 갈륨 도핑(GZO) 및 공동 도핑(IGZO) ZnO 박막을 유리 기판에 증착했습니다. [47] 원자력 응용 분야에 대한 보호 코팅 접근 방식을 조사하기 위해 T91 강철 쿠폰에 두 개의 서로 다른 알루미늄이 풍부한 층이 증착되었습니다. Ti-Al-N 필름은 고전력 임펄스 마그네트론 스퍼터링을 통해 성장되었고 Al2O 코팅은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링으로 생성되었습니다. [48] 이 연구에서는 무선 주파수를 사용하여 합성된 $\text{Cd}_{\mathrm{x}}\text{Zn}_{1-\mathrm{x}}\mathrm{O}$ 합금의 재료 특성을 제시합니다. 마그네트론 스퍼터링 및 상전이 거동에 대한 증착 조건의 영향을 조사했습니다. [49] 여기, 우리는 실온에서 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링에 의해 a-, c-, m- 및 r-평면 사파이어 기판에서 성장한 도핑되지 않은 ZnO 필름의 구조적, 광학적, 라만 및 자기적 특성에 대한 체계적인 연구를 보고합니다. [50]
radio frequency magnetron co
In this work, amorphous Ge1-xCx films were deposited on As40Se60 chalcogenide glass by radio frequency magnetron co-sputtering (rf MS) under low temperature. [1] In this paper, the films were prepared by radio frequency magnetron co-sputtering technique. [2]이 작업에서 비정질 Ge1-xCx 필름은 저온에서 무선 주파수 마그네트론 공동 스퍼터링(rf MS)에 의해 As40Se60 칼코겐화물 유리에 증착되었습니다. [1] 이 논문에서, 필름은 무선 주파수 마그네트론 공동 스퍼터링 기술에 의해 준비되었습니다. [2]
radio frequency magnetron sputtered
It is composed of alternating magnetooptical-active Bi3Fe5O12 and transparent Sm3Ga5O12 quarter-wavelength layers radio frequency magnetron sputtered onto single crystalline Ca, Mg, Zr:Gd3Ga5O12(111) substrate. [1] Radio frequency magnetron sputtered Al-doped zinc oxide (AZO) thin films were formed on n-type gallium nitride (GaN). [2]이것은 단결정 Ca, Mg, Zr:Gd3Ga5O12(111) 기판에 스퍼터링된 광자기 활성 Bi3Fe5O12 및 투명 Sm3Ga5O12 1/4 파장 층 무선 주파수 마그네트론을 교대로 구성합니다. [1] 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 Al-도핑된 산화아연(AZO) 박막은 n형 질화갈륨(GaN) 위에 형성되었습니다. [2]