Photocurrent Versus(광전류 대)란 무엇입니까?
Photocurrent Versus 광전류 대 - Photoanode properties were determined by scanning electron microscopy, SEM, atomic force mocroscopy, AFM, Raman spectroscopy, transmittance and reflectance measurements over uv/vis/nir wavelength ranges, impedance spectroscopy, Mott–Schottky plots, and photocurrent versus voltage dependence in the dark and under white light illumination. [1] Photocurrent versus bias voltage curve is illustrated successfully with the ultra-violet (UV) LED illmination with ac signal modulaiton. [2] 3 × 103, an approximately linear relationship between the photocurrent versus dose rate and a sensitivity of 4. [3] A significant negative bias shift in the photocurrent versus gate bias characteristics can be observed in the fluorographene sensing membrane, which could be explained by the fact that the work function increases owing to the dipole effect of carbon–fluorine bonds. [4] Photocurrent versus light intensity follows the power law and predominance of bimolecular recombination is found. [5]광양극 특성은 주사 전자 현미경, SEM, 원자력 현미경, AFM, 라만 분광법, uv/vis/nir 파장 범위에 대한 투과율 및 반사율 측정, 임피던스 분광법, Mott-Schottky 플롯, 광전류 대 전압 의존성에 의해 결정되었습니다. 백색광 조명 아래서. [1] 광전류 대 바이어스 전압 곡선은 ac 신호 변조를 사용한 자외선(UV) LED 조명으로 성공적으로 설명됩니다. [2] 3×103, 광전류 대 선량률 및 감도 4 사이의 대략 선형 관계입니다. [3] 광전류 대 게이트 바이어스 특성에서 상당한 음의 바이어스 이동이 플루오로그래핀 감지막에서 관찰될 수 있으며, 이는 탄소-불소 결합의 쌍극자 효과로 인해 일 함수가 증가한다는 사실에 의해 설명될 수 있습니다. [4] 광전류 대 광 강도는 멱법칙을 따르며 이분자 재조합이 우세합니다. [5]