Photocurrent Measurements(광전류 측정)란 무엇입니까?
Photocurrent Measurements 광전류 측정 - Here, we report that a photoelectrochemical imaging system (PEIS) based on label-free ac-photocurrent measurements at indium tin oxide (ITO) coated glass substrates can be used to map the basal surface charge of single live cells under physiological conditions. [1] The performance of the PD has been established by photocurrent measurements under different power density. [2] This investigation on plasmon-induced charge separation was carried out with metal-nanoparticle-decorated p-type semiconductor nanowires by wavelength-tunable light-irradiated Kelvin probe force microscopy and photocurrent measurements. [3] Photocurrent measurements show more than five times enhancement by the indium nitride quantum dots compared to a bare In0. [4] The photocurrent measurements were carried out under room temperature conditions with UV light of 254 nm wavelength. [5] Physicochemical properties of the materials were characterized by XRD, DRS, SEM, EPR, porosimetry and photocurrent measurements. [6] The possible mechanism on enhanced photocatalytic activity of NiSe2/MIL-53(Fe) hybrids was proposed and verified by PL spectroscopy and photocurrent measurements. [7] Finally, the first proof of a photovoltaic effect from the NW homo-junctions is obtained by photocurrent measurements of a contacted NW array under white light irradiation. [8] Photocurrent measurements under UV light illumination manifest that the charge transfer across the interface is efficient. [9] Next, we will report on our initial results from $dc$ optical characterization, namely reflectivity and photocurrent measurements. [10] Through a comparison of results of both photocurrent measurements and chemically enhanced Raman scattering (CERS) experiments, we found that our G-R-G heterostructure exhibited ~7 and ~30 times better performance than R6G-attached single-graphene (R6G-graphene, R-G) and MoS2 devices, respectively; here, the CERS enhancement factor was highly correlated with the relative photoinduced Dirac voltage change. [11] Based on photoluminescence and photocurrent measurements, a photocatalytic mechanism for pure g-C3N4 and g-C3N4/Ni-P-3% has been suggested, that is, the loading of Ni-P NPs accelerates the separation of photogenerated e−-h+ pairs and relaying photogenrated e− via Ni-P particles to react with H2O, and thus improves photocatalytic performance of g-C3N4 for water splitting into H2 generation. [12] Photocurrent measurements (1C) are made applying bias between two electrodes toward the CdSe-rich end of a typical nanowire photodetector array, under the labelled irradiances by 490 nm light. [13] Photocurrent measurements and electrochemical impedance are used to explain the behavior of the different structures and to highlight their potential application in water remediation technologies. [14] The structure and morphology of the as-prepared nanocomposite have been assessed by XRD, FESEM, TEM, XPS and BET surface area measurements, and the optical properties were detected by the UV–Vis diffuse reflectance, photoluminescence (PL) and photocurrent measurements. [15] Photocurrent measurements under xenon lamp irradiation indicate obvious photoresponses, suggesting that these semiconducting materials have the potential for application in light harvesting. [16] The enhanced separation lifetime of the photogenerated electron-hole observed by surface photovoltage and photocurrent measurements of the ZnCTethanol hybrid was attributed to the efficient covalent linking of ZnOC and close contact configuration between the f-CNTs and ZnOethanol NRs. [17] The photoelectrochemical characterization was performed by linear sweep voltammetry with chopped light irradiation and photocurrent measurements. [18] The effect of injection barrier and charge transfer phenomena on the transport properties are discussed in details by photoluminescence and photocurrent measurements. [19] According to photocurrent measurements, the ZnO@SS NRs photoelectrodes prepared by the concentration of 0. [20] Under illumination, photogenerated carriers contribute to the current flow and linear photoconductivity behavior in photocurrent measurements with illumination shows the possible use of CuCo5S8 layer in Si-based photodiodes. [21] A method based on photocurrent measurements, named multiphoton electron extraction spectroscopy (MEES), was proposed to detect petroleum contaminants in a soil matrix in this study. [22] The prepared samples were investigated by various characterization techniques including XRD, FTIR spectra, SEM-EDS, XPS, DRS, PL spectra and photocurrent measurements. [23] The mechanism of the photocatalytic activity was also supported by PL, EIS and photocurrent measurements. [24] Photocurrent measurements (with light parallel to the epitaxial layers) allow determining energies in transverse electric (TE) and transverse magnetic (TM) polarizations, which we attribute to transitions from the heavy-hole (HH) and crystal-field split (CH) band to the conduction band. [25] Photocurrent measurements at different illumination wavelengths and cyclic voltammetry using SnS:rGO as working electrodes showed improvement in the properties of graphene oxide incorporated SnS. [26] The as-prepared pure BiOCl and SiO2/BiOCl composites were intensively characterized by various techniques such as XRD, FT-IR, SEM/TEM, BET, UV-vis, DRS, XPS, and photocurrent measurements. [27] In combination with photocurrent measurements, photoluminescence spectra and electron paramagnetic resonance, the improved hydrogen evolution activity is regarded as the consequence of the decreased onset potential and improved spatial segregation of charge carriers via a direct Z-scheme carrier migration, where photoinduced electrons in DC-g-C3N4 can quickly combine with photoinduced holes in the valence band of ZnIn2S4, leading to the spatial separation of photoinduced electrons and holes between the two semiconductors. [28] 5%)/g-CN composite originates from the effective separation of photogenerated charge carriers, which was confirmed by photoluminescence and photocurrent measurements, and from its high specific surface area (26. [29] The chips of switches with two planar electrodes separated by a gap of 2 mm were made and the connections enabling the dark current and photocurrent measurements as a function of the electric field strength to be carried out were assembled. [30] DRS and PL spectra and photocurrent measurements show that the Fe/Sn doped-ZnO samples exhibited higher visible absorption and lower recombination rates of photogenerated electron-hole (e-/h+) pairs. [31] Both the electric transport and photocurrent measurements show dramatic changes along with the phase transition around 10 GPa, and the high pressure phase of AgIn5S8 exhibits greatly improved conductivity but decreased responses to visible light illumination. [32] We introduce and compare two independent methods for direct monitoring of coherent phonon dynamics in diamond by using photoluminescence or photocurrent measurements on femtosecond time scale. [33] We then show that the equivalent of the Wannier-Stark ladders observed in semiconducting superlattices via photocurrent measurements, appears as specific peaks in the finite frequency current fluctuations of superconducting multiterminal quantum dots. [34] Moreover, the photoelectrochemical properties (PEC) were studied through photocurrent measurements. [35] The composite catalysts were characterized by XRD, SEM, FT-IR, XPS and photocurrent measurements. [36] For the first time, the pressure-treated optical and structural properties of synthetic Mn2+:CsPbCl3 NCs were further investigated, and their associated intriguing electrical and photoelectric properties were revealed from impedance spectra and photocurrent measurements under compression. [37] The transport properties of the samples were studied with Field dependent dark and photocurrent measurements which showed enhanced dark and photocurrent. [38]여기에서 우리는 인듐 주석 산화물(ITO) 코팅 유리 기판에서 라벨이 없는 ac-광전류 측정을 기반으로 하는 광전기화학 이미징 시스템(PEIS)을 사용하여 생리학적 조건에서 단일 살아있는 세포의 기저 표면 전하를 매핑할 수 있다고 보고합니다. [1] PD의 성능은 다양한 전력 밀도에서 광전류 측정에 의해 확립되었습니다. [2] 플라즈몬 유도 전하 분리에 대한 이 조사는 파장 가변 광 조사 켈빈 프로브 힘 현미경 및 광전류 측정에 의해 금속 나노 입자로 장식된 p형 반도체 나노와이어를 사용하여 수행되었습니다. [3] 광전류 측정은 순수한 In0에 비해 질화 인듐 양자점이 5배 이상 향상되었음을 보여줍니다. [4] 광전류 측정은 254 nm 파장의 UV 광을 사용하여 실온 조건에서 수행되었습니다. [5] 재료의 물리화학적 특성은 XRD, DRS, SEM, EPR, 다공성 측정 및 광전류 측정으로 특성화되었습니다. [6] NiSe2/MIL-53(Fe) 하이브리드의 향상된 광촉매 활성에 대한 가능한 메커니즘은 PL 분광법 및 광전류 측정에 의해 제안되고 검증되었습니다. [7] 마지막으로, NW 동종 접합으로부터의 광기전 효과의 첫 번째 증거는 백색광 조사 하에서 접촉된 NW 어레이의 광전류 측정에 의해 얻어진다. [8] UV 광 조명 하에서의 광전류 측정은 인터페이스를 통한 전하 전달이 효율적임을 나타냅니다. [9] 다음으로, 우리는 $dc$ 광학 특성화의 초기 결과, 즉 반사율 및 광전류 측정에 대해 보고할 것입니다. [10] 광전류 측정과 화학적으로 강화된 라만 산란(CERS) 실험의 결과를 비교하여 우리의 G-R-G 헤테로구조가 R6G 부착 단일 그래핀(R6G-그래핀, R-G) 및 MoS2보다 ~7배 및 ~30배 더 나은 성능을 나타냄을 발견했습니다. 각각의 장치; 여기에서 CERS 향상 인자는 상대적인 광유도 Dirac 전압 변화와 높은 상관관계를 보였습니다. [11] 광발광 및 광전류 측정을 기반으로 순수한 g-C3N4 및 g-C3N4/Ni-P-3%에 대한 광촉매 메커니즘이 제안되었습니다. 즉, Ni-P NP의 로딩이 광생성 e--h+ 쌍의 분리를 가속화 및 Ni-P 입자를 통해 광 생성된 e-를 전달하여 H2O와 반응하여 물을 H2 생성으로 분해하는 g-C3N4의 광촉매 성능을 향상시킵니다. [12] 광전류 측정(1C)은 490nm 빛에 의해 표시된 조도 아래에서 일반적인 나노와이어 광검출기 어레이의 CdSe가 풍부한 끝을 향해 두 전극 사이에 바이어스를 적용하여 이루어집니다. [13] 광전류 측정 및 전기화학적 임피던스는 다양한 구조의 거동을 설명하고 수질 정화 기술에서의 잠재적인 응용을 강조하는 데 사용됩니다. [14] 준비된 나노복합체의 구조와 형태는 XRD, FESEM, TEM, XPS 및 BET 표면적 측정에 의해 평가되었으며 광학 특성은 UV-Vis 확산 반사율, 광발광(PL) 및 광전류 측정에 의해 감지되었습니다. [15] 크세논 램프 조사 하에서의 광전류 측정은 명백한 광반응을 나타내며, 이러한 반도체 물질이 광 수확에 응용할 가능성이 있음을 시사합니다. [16] ZnCT에탄올 하이브리드의 표면 광전압 및 광전류 측정에 의해 관찰된 광생성 전자-정공의 향상된 분리 수명은 ZnOC의 효율적인 공유 연결 및 f-CNT와 ZnO에탄올 NR 사이의 긴밀한 접촉 구성에 기인합니다. [17] 광전기화학적 특성화는 쵸핑된 광 조사 및 광전류 측정을 사용한 선형 스위프 전압전류법에 의해 수행되었습니다. [18] 수송 특성에 대한 주입 장벽 및 전하 이동 현상의 효과는 광발광 및 광전류 측정에 의해 자세히 논의됩니다. [19] 광전류 측정에 따르면 ZnO@SS NRs 광전극은 농도가 0인 상태에서 제조되었습니다. [20] 조명 하에서 광생성 캐리어는 전류 흐름에 기여하고 조명을 사용한 광전류 측정에서 선형 광전도 동작은 Si 기반 포토다이오드에서 CuCo5S8 레이어의 가능한 사용을 보여줍니다. [21] 다광자 전자 추출 분광법(MEES)으로 명명된 광전류 측정을 기반으로 하는 방법이 이 연구에서 토양 매트릭스에서 석유 오염 물질을 감지하기 위해 제안되었습니다. [22] 준비된 샘플은 XRD, FTIR 스펙트럼, SEM-EDS, XPS, DRS, PL 스펙트럼 및 광전류 측정을 포함한 다양한 특성화 기술에 의해 조사되었습니다. [23] 광촉매 활성의 메커니즘은 PL, EIS 및 광전류 측정에 의해 뒷받침되었습니다. [24] 광전류 측정(에피택셜 층에 평행한 빛으로)을 통해 횡방향 전기(TE) 및 횡방향 자기(TM) 편광에서 에너지를 결정할 수 있으며, 이는 중공(HH) 및 수정장 분할(CH) 대역으로부터의 전이에 기인합니다. 전도대에. [25] 작업 전극으로 SnS:rGO를 사용하는 다양한 조명 파장 및 순환 전압전류법에서의 광전류 측정은 SnS가 포함된 산화그래핀의 특성이 개선되었음을 보여주었습니다. [26] 준비된 순수 BiOCl 및 SiO2/BiOCl 복합재는 XRD, FT-IR, SEM/TEM, BET, UV-vis, DRS, XPS 및 광전류 측정과 같은 다양한 기술에 의해 집중적으로 특성화되었습니다. [27] 광전류 측정, 광발광 스펙트럼 및 전자 상자성 공명과 결합하여 개선된 수소 발생 활성은 DC에서 광유도 전자가 발생하는 직접적인 Z-방식 캐리어 이동을 통한 전하 캐리어의 감소된 개시 전위 및 개선된 공간 분리의 결과로 간주됩니다. g-C3N4는 ZnIn2S4의 가전자대에서 광유도 정공과 빠르게 결합하여 두 반도체 사이의 광유도 전자와 정공을 공간적으로 분리할 수 있습니다. [28] 5%)/g-CN 합성물은 광발광 및 광전류 측정에 의해 확인된 광발생 전하 캐리어의 효과적인 분리와 높은 비표면적(26. [29] 2mm 간격으로 분리된 두 개의 평면 전극이 있는 스위치 칩을 만들고 전기장 강도의 함수로 암전류 및 광전류 측정을 수행할 수 있는 연결을 조립했습니다. [30] DRS 및 PL 스펙트럼 및 광전류 측정은 Fe/Sn 도핑된 ZnO 샘플이 광생성 전자-정공(e-/h+) 쌍의 더 높은 가시 흡수 및 더 낮은 재결합 속도를 나타냄을 보여줍니다. [31] 전기 전송 및 광전류 측정은 모두 10GPa 부근의 상전이와 함께 극적인 변화를 보여주며 AgIn5S8의 고압 단계는 전도도가 크게 향상되었지만 가시광 조명에 대한 응답이 감소했습니다. [32] 우리는 펨토초 시간 규모에서 광발광 또는 광전류 측정을 사용하여 다이아몬드의 일관된 포논 역학을 직접 모니터링하기 위한 두 가지 독립적인 방법을 소개하고 비교합니다. [33] 그런 다음 광전류 측정을 통해 반도체 초격자에서 관찰된 Wannier-Stark 사다리에 해당하는 것이 초전도 다중 터미널 양자점의 유한 주파수 전류 변동에서 특정 피크로 나타남을 보여줍니다. [34] 또한, 광전류 측정을 통해 광전기화학적 특성(PEC)을 연구하였다. [35] 복합 촉매는 XRD, SEM, FT-IR, XPS 및 광전류 측정으로 특성화되었습니다. [36] 처음으로 합성 Mn2+:CsPbCl3 NC의 압력 처리된 광학 및 구조적 특성이 추가로 조사되었으며, 압축 하에서 임피던스 스펙트럼 및 광전류 측정에서 관련된 흥미로운 전기 및 광전 특성이 밝혀졌습니다. [37] 샘플의 수송 특성은 필드 의존적 암흑 및 광전류 측정으로 연구되었으며, 이는 강화된 암흑 및 광전류를 나타냅니다. [38]
electrochemical impedance spectroscopy 전기화학 임피던스 분광법
Photocurrent measurements and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) proved the higher photo-induced charge carrier transfer and separation efficiency of the LaFeO3 sample calcined at 700 °C compared to that that calcined at 900 °C. [1] The efficient charge transfer and separation, as well as the suppressed recombination of photogenerated electron–hole pairs, were verified by photoluminescence (PL) emission spectroscopy, transient photocurrent measurements and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). [2] Here, we present a systematic study on hydrothermally grown α-Fe2O3 nanocrystals by using XRD, Raman, UV–vis spectroscopy, TEM, XPS, SQUID magnetometry, electrochemical impedance spectroscopy, and photocurrent measurements. [3] The effect of TiO2 nanotree morphology on optical and photoelectrochemical performance was systematically studied using UV–Vis absorption spectra, electrochemical impedance spectroscopy (EIS), Mott-Schottky, linear voltammetry and transient photocurrent measurements. [4]광전류 측정 및 전기화학적 임피던스 분광법(EIS)은 900°C에서 소성된 것과 비교하여 700°C에서 소성된 LaFeO3 샘플의 더 높은 광유도 전하 캐리어 이동 및 분리 효율을 입증했습니다. [1] 광발광(PL) 방출 분광법, 과도 광전류 측정 및 전기화학적 임피던스 분광법(EIS)에 의해 효율적인 전하 이동 및 분리, 그리고 광생성 전자-정공 쌍의 억제된 재조합이 확인되었습니다. [2] nan [3] nan [4]
scanning electron microscopy 주사 전자 현미경
CM-n-TiO2 photoelectrodes were characterized in terms of photocurrent measurements under white light and as well as under monochromatic light illuminations, scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS), X-ray diffraction (XRD), the valence band X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and the AC-impedance measurements. [1] The structures, morphology, optical properties of the BiVO 4 micron-crystals were characterized by X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, UV-vis diffuse reflectance spectra, Fourier transform infrared spectroscopy spectra, and photocurrent measurements. [2] The prepared nanocomposites analyzed by using various techniques such as powder-XRD, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, UV–Vis spectroscopy, photoluminescence spectroscopy, and photocurrent measurements. [3]CM-n-TiO2 광전극은 백색광 및 단색광 조명, 주사전자현미경(SEM), 에너지 분산 분광법(EDS), X선 회절(XRD), 원자가대에서의 광전류 측정 측면에서 특성화되었습니다. X선 광전자 분광법(XPS) 및 AC 임피던스 측정. [1] BiVO 4 미크론 결정의 구조, 형태, 광학적 특성은 X선 회절, 전계 방출 주사 전자 현미경, UV-vis 확산 반사 스펙트럼, 푸리에 변환 적외선 분광 스펙트럼 및 광전류 측정으로 특성화되었습니다. [2] nan [3]
high resolution transmission 고해상도 전송
The structures were investigated using X-ray diffraction, high-resolution transmission electron microscopy together with spectral photocurrent measurements, to explore structural changes and corresponding properties. [1] The structures were investigated using X-ray diffraction, high-resolution transmission electron microscopy together with spectral photocurrent measurements, to explore structural changes and corresponding properties. [2]스펙트럼 광전류 측정과 함께 X선 회절, 고해상도 투과 전자 현미경을 사용하여 구조를 조사하여 구조적 변화와 해당 특성을 조사했습니다. [1] 스펙트럼 광전류 측정과 함께 X선 회절, 고해상도 투과 전자 현미경을 사용하여 구조를 조사하여 구조적 변화와 해당 특성을 조사했습니다. [2]
ray photoelectron spectroscopy 광선 광전자 분광법
The C–ZnS/ZnMoO4@MoS2 and C–ZnS/MoS2 heterostructures were characterized by X-ray diffraction, UV-vis, X-ray photoelectron spectroscopy, electrochemical impedance spectroscopy, photocurrent measurements, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. [1] The as-prepared samples were characterized by SEM, HRTEM, X-ray photoelectron spectroscopy, UV–vis, photoluminescence, and photocurrent measurements. [2]C-ZnS/ZnMoO4@MoS2 및 C-ZnS/MoS2 이종 구조는 X-선 회절, UV-vis, X-선 광전자 분광법, 전기화학 임피던스 분광법, 광전류 측정, 주사 전자 현미경 및 투과 전자 현미경으로 특성화되었습니다. [1] 준비된 샘플은 SEM, HRTEM, X선 광전자 분광법, UV-vis, 광발광 및 광전류 측정으로 특성화되었습니다. [2]
transmission electron microscopy 투과 전자 현미경
The other characterization methods that were employed included powder X-ray diffraction (PXRD), transmission electron microscopy (TEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), elemental mapping, UV–vis diffuse reflectance spectroscopy (UV–vis DRS), N2 sorption experiments, photoluminescence spectroscopy (PL), electrochemical impedance spectroscopy (EIS), and photocurrent measurements. [1]사용된 다른 특성화 방법에는 분말 X선 회절(PXRD), 투과 전자 현미경(TEM), 고해상도 투과 전자 현미경(HRTEM), 원소 매핑, UV-vis 확산 반사 분광법(UV-vis DRS), N2 흡착 실험, 광발광 분광법(PL), 전기화학적 임피던스 분광법(EIS) 및 광전류 측정. [1]
Transient Photocurrent Measurements 과도 광전류 측정
Transient photocurrent measurements confirmed that the photocurrent is sensitive to light intensity. [1] The electrical and photoresponse properties of Al/p-Si/Y1-xSrxMnO3/Al diodes were investigated by using current-voltage and transient photocurrent measurements. [2] The separation efficiency of photocarriers of CdS/Ni2P/g-C3N4 is enhanced through greatly speeding up the transfer efficiency of electrons from the conduction band of g-C3N4 to that of CdS using Ni2P as electron-bridge, proved by the photoluminescence, transient photocurrent measurements and electrochemical impendence spectroscopy. [3] Photoluminescence and transient photocurrent measurements further prove the improved charge separation efficiency of MIP. [4] The efficient charge transfer and separation, as well as the suppressed recombination of photogenerated electron–hole pairs, were verified by photoluminescence (PL) emission spectroscopy, transient photocurrent measurements and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). [5] According to the results of BET testing, solid-state J-V measurements and transient photocurrent measurements, the enhanced electrocatalytic activity is attributed to two aspects: one is the larger surface active area, which provides more active sites for the electrolyte, and the other is the formation of a p-p heterojunction for more effective electron transfer in the counter electrode. [6] Surface photovoltage and transient photocurrent measurements suggest a charge-transfer model in which photocurrents are enhanced by improved surface passivation, although the barrier at the Co-Pi/electrolyte interface limits the charge transfer. [7] Electronic transport properties of methylammonium lead iodide perovskite single crystals prepared by inverse temperature crystallisation have been investigated using dark current, steady state and transient photocurrent measurements. [8] The effect of TiO2 nanotree morphology on optical and photoelectrochemical performance was systematically studied using UV–Vis absorption spectra, electrochemical impedance spectroscopy (EIS), Mott-Schottky, linear voltammetry and transient photocurrent measurements. [9] Transient photocurrent measurements revealed that the BN enhanced the transport of photogenerated holes from the bulk TiO2 nanofibers to its surface, resulting in more efficient separation and less recombination of the charge carriers. [10] Transient photocurrent measurements and photocatalytic tests indicated that our product had not only exceptionally larger photocurrent, but also significantly higher photocatalytic activity than hydrothermally synthesized SnS2 and thermally exfoliated g-C3N4 in the reduction of Cr(VI) under visible-light (λ > 420 nm) irradiation. [11] The electrical and photoresponse properties of Al/p-Si/Y1-xSrxCoO3/Al diodes were investigated by using current-voltage, capacitance-voltage, and transient photocurrent measurements. [12] Based on the transient photocurrent measurements and band structures, it can be concluded that the Z-scheme structure of Se/BiVO4 not only enhances the photogenerated electrons and holes migration rates but also to provide higher redox ability. [13] At the same time, transient photocurrent measurements were performed to determine the photoresponse behaviors. [14] The transient photocurrent measurements showed the fabricated electrode to be photostable under the operating conditions. [15] The macroscopic transport distance, combined with short carrier lifetime obtained from transient photocurrent measurements, indicates an exciton diffusion coefficient at least 36 m2 s−1, which corresponds to a mobility of 6 × 104 m2 V−1 s−1 at 7 K and is four order of magnitude higher than the value reported for free carriers in TIs. [16] Capacitance spectroscopy and transient photocurrent measurements indicate the main recombination mechanisms arise from deep traps and poor extraction from accumulated space charges. [17] The in‐situ PL and transient photocurrent measurements reveal that the spinel catalyst can hamper recombination and accelerate transfer of light‐excited charge carriers, and thus boosting the CO2 reduction reaction. [18]과도 광전류 측정은 광전류가 빛의 강도에 민감하다는 것을 확인했습니다. [1] 전류-전압 및 과도 광전류 측정을 사용하여 Al/p-Si/Y1-xSrxMnO3/Al 다이오드의 전기적 및 광응답 특성을 조사했습니다. [2] nan [3] nan [4] 광발광(PL) 방출 분광법, 과도 광전류 측정 및 전기화학적 임피던스 분광법(EIS)에 의해 효율적인 전하 이동 및 분리, 그리고 광생성 전자-정공 쌍의 억제된 재조합이 확인되었습니다. [5] nan [6] 표면 광전압 및 과도 광전류 측정은 Co-Pi/전해질 계면의 장벽이 전하 이동을 제한하지만 개선된 표면 패시베이션에 의해 광전류가 향상되는 전하 이동 모델을 제안합니다. [7] nan [8] nan [9] 일시적인 광전류 측정은 BN이 벌크 TiO2 나노섬유에서 표면으로 광생성된 정공의 수송을 향상시켜 전하 캐리어의 더 효율적인 분리와 더 적은 재결합을 초래한다는 것을 보여주었다. [10] nan [11] nan [12] nan [13] nan [14] nan [15] nan [16] 커패시턴스 분광법 및 과도 광전류 측정은 주요 재결합 메커니즘이 깊은 트랩에서 발생하고 축적된 공간 전하에서 열악한 추출이 발생함을 나타냅니다. [17] 현장 PL 및 과도 광전류 측정은 스피넬 촉매가 재결합을 방해하고 광 여기된 전하 운반체의 이동을 가속화하여 CO2 환원 반응을 촉진할 수 있음을 보여줍니다. [18]
Spectral Photocurrent Measurements 스펙트럼 광전류 측정
Raman studies and spectral photocurrent measurements were carried out. [1] The structures were investigated using X-ray diffraction, high-resolution transmission electron microscopy together with spectral photocurrent measurements, to explore structural changes and corresponding properties. [2] Spectral photocurrent measurements were carried out to investigate the spectral working range of the device structure. [3] The structures were investigated using X-ray diffraction, high-resolution transmission electron microscopy together with spectral photocurrent measurements, to explore structural changes and corresponding properties. [4]라만 연구 및 스펙트럼 광전류 측정이 수행되었습니다. [1] 스펙트럼 광전류 측정과 함께 X선 회절, 고해상도 투과 전자 현미경을 사용하여 구조를 조사하여 구조적 변화와 해당 특성을 조사했습니다. [2] nan [3] 스펙트럼 광전류 측정과 함께 X선 회절, 고해상도 투과 전자 현미경을 사용하여 구조를 조사하여 구조적 변화와 해당 특성을 조사했습니다. [4]
Resolved Photocurrent Measurements 해결된 광전류 측정
The junctions are characterized by means of spatially and spectrally resolved photocurrent measurements. [1] We investigate electronic and optoelectronic properties of few-layer palladium diselenide (PdSe2) phototransistors through spatially-resolved photocurrent measurements. [2] We show by time-resolved photocurrent measurements that this enables fast rise times during near-infrared optical gating of 74 ±11 ns. [3] Photoluminescence measurements, power-dependent photocurrent characteristics, and time-resolved photocurrent measurements revealed that the MoL was passivating the defect-related states on GaN. [4]접합은 공간 및 스펙트럼 분해 광전류 측정을 통해 특성화됩니다. [1] 우리는 공간 분해 광전류 측정을 통해 소수층 팔라듐 이셀레나이드(PdSe2) 광트랜지스터의 전자 및 광전자 특성을 조사합니다. [2] nan [3] 광발광 측정, 전력 종속 광전류 특성 및 시간 분해 광전류 측정은 MoL이 GaN에서 결함 관련 상태를 부동태화하고 있음을 보여주었습니다. [4]
Modulated Photocurrent Measurements 변조된 광전류 측정
Intensity-modulated photocurrent measurements show that the built-in potentials of the devices with the AuNP electrode are smaller than that of the control device by as much as 0. [1] A comparison of DC and frequency modulated photocurrent measurements in amorphous (a-) Se, a-As2Se3, and a-As2Te3 chalcogenide thin films are carried out at room temperature. [2]강도 변조 광전류 측정은 AuNP 전극이 있는 장치의 내장 전위가 제어 장치의 내장 전위보다 0만큼 작음을 보여줍니다. [1] 무정형(a-) Se, a-As2Se3 및 a-As2Te3 칼코게나이드 박막에서 DC 및 주파수 변조 광전류 측정 비교는 실온에서 수행됩니다. [2]
Situ Photocurrent Measurements 현장 광전류 측정
Electronic defects in crystalline silicon induced by hydrogen plasma treatments are studied, based on in-situ photocurrent measurements and real-time spectroscopic ellipsometry. [1] We have also conducted in situ photocurrent measurements on CsPbBr3 powders at pressures up to 2. [2]수소 플라즈마 처리에 의해 유도된 결정질 실리콘의 전자적 결함은 현장 광전류 측정 및 실시간 분광 타원 측정법을 기반으로 연구됩니다. [1] 우리는 또한 최대 2의 압력에서 CsPbBr3 분말에 대한 현장 광전류 측정을 수행했습니다. [2]
photocurrent measurements indicated 광전류 측정 표시
All Mott—Schottky, linear sweep voltammetry, and photocurrent measurements indicated that the conductivity of the Cu2O pyramids is of n-type. [1] Photocurrent measurements indicated a pronounced persistent photo-conductivity of β-Ga2O3. [2] Photocurrent measurements indicated the presence of significantly high surface charge trap states in bare BiVO4. [3]모든 Mott-Schottky, 선형 스위프 전압 전류 측정 및 광전류 측정은 Cu2O 피라미드의 전도도가 n형임을 나타냅니다. [1] 광전류 측정은 β-Ga2O3의 뚜렷한 지속적인 광전도성을 나타냅니다. [2] 광전류 측정은 베어 BiVO4에서 상당히 높은 표면 전하 트랩 상태의 존재를 나타냅니다. [3]
photocurrent measurements indicate 광전류 측정은 다음을 나타냅니다.
PL and photocurrent measurements indicates a higher charge separation of the photo-generated electron-hole pair for Fe2O3 NTs/RT g-C3N4 composite with higher concentration of α-Fe2O3 NTs. [1] Capacitance spectroscopy and transient photocurrent measurements indicate the main recombination mechanisms arise from deep traps and poor extraction from accumulated space charges. [2]PL 및 광전류 측정은 더 높은 농도의 α-Fe2O3 NT와 함께 Fe2O3 NTs/RT g-C3N4 합성물에 대한 광 생성 전자-정공 쌍의 더 높은 전하 분리를 나타냅니다. [1] 커패시턴스 분광법 및 과도 광전류 측정은 주요 재결합 메커니즘이 깊은 트랩에서 발생하고 축적된 공간 전하에서 열악한 추출이 발생함을 나타냅니다. [2]
photocurrent measurements reveal 광전류 측정 결과
Photocurrent measurements reveal a good photoconversion rate, suitable for UVA monitoring. [1] The in‐situ PL and transient photocurrent measurements reveal that the spinel catalyst can hamper recombination and accelerate transfer of light‐excited charge carriers, and thus boosting the CO2 reduction reaction. [2]광전류 측정은 UVA 모니터링에 적합한 우수한 광전환율을 나타냅니다. [1] 현장 PL 및 과도 광전류 측정은 스피넬 촉매가 재결합을 방해하고 광 여기된 전하 운반체의 이동을 가속화하여 CO2 환원 반응을 촉진할 수 있음을 보여줍니다. [2]
photocurrent measurements suggest 광전류 측정 제안
Surface photovoltage and transient photocurrent measurements suggest a charge-transfer model in which photocurrents are enhanced by improved surface passivation, although the barrier at the Co-Pi/electrolyte interface limits the charge transfer. [1] Field-effect transistor characterization and photocurrent measurements suggest that PtS2 is an ambipolar semiconductor with a narrow band gap. [2]표면 광전압 및 과도 광전류 측정은 Co-Pi/전해질 계면의 장벽이 전하 이동을 제한하지만 개선된 표면 패시베이션에 의해 광전류가 향상되는 전하 이동 모델을 제안합니다. [1] 전계 효과 트랜지스터 특성화 및 광전류 측정은 PtS2가 좁은 밴드 갭을 갖는 양극성 반도체임을 시사합니다. [2]
photocurrent measurements revealed 광전류 측정값 공개
Transient photocurrent measurements revealed that the BN enhanced the transport of photogenerated holes from the bulk TiO2 nanofibers to its surface, resulting in more efficient separation and less recombination of the charge carriers. [1] Photoluminescence measurements, power-dependent photocurrent characteristics, and time-resolved photocurrent measurements revealed that the MoL was passivating the defect-related states on GaN. [2]일시적인 광전류 측정은 BN이 벌크 TiO2 나노섬유에서 표면으로 광생성된 정공의 수송을 향상시켜 전하 캐리어의 더 효율적인 분리와 더 적은 재결합을 초래한다는 것을 보여주었다. [1] 광발광 측정, 전력 종속 광전류 특성 및 시간 분해 광전류 측정은 MoL이 GaN에서 결함 관련 상태를 부동태화하고 있음을 보여주었습니다. [2]