Oxygen Interstitial(산소 삽입 광고)란 무엇입니까?
Oxygen Interstitial 산소 삽입 광고 - Systematic characterization of the crystal structure at high temperatures, oxygen content, as well as transport properties reveals that while the Nd-site deficiency has rather negligible influence on the structure, it causes a substantial decrease of the oxygen content, which at high temperatures leads to a change of the dominant type of defects from the oxygen interstitials to the vacancies for Nd1. [1] 3 μm thick sample with higher content of oxygen vacancies and oxygen interstitials showed the highest photocatalytic activity (and higher than P25 TiO2) in degradation of gaseous ethyl acetate. [2] The chemical composition study of undoped films exhibited the presence of oxygen interstitials within the films. [3] The XPS results demonstrate that the deteriorated PBS stability and enhanced NBIS stability of the IGTO TFTs prepared at higher oxygen percentages were mainly ascribed to the larger amount of oxygen interstitials resulting from the excess oxygen and the smaller number of oxygen vacancies within the IGTO, respectively. [4] It was attributed to defects of oxygen vacancies (VO), zinc vacancies (VZn), zinc interstitials (Zni), oxygen interstitials (Oi), and oxygen vacancies complex (VO complex) in the structure of the film. [5] Such constrained dimensionality on the diffusion paths arising from the confining effect for a large number of oxygen interstitials in the highly relaxed and ordered melilite superstructure accounts for the lower oxide ion conductivity in La2Ga3O7. [6] , the oxygen vacancy and oxygen interstitial, instead of holes. [7] The main factor determined the increase of concentration of protonic species is not the nature of appeared oxygen defects (oxygen vacancy or oxygen interstitial), but the increase in the unit cell volume during doping. [8] Oxygen interstitials (Oi) move far more rapidly, so post-synthesis introduction of Oi to control the VO concentration would be desirable. [9] The metal lamellae enriched with oxygen interstitials finally turn into nano-oxides by oxidation. [10] In the case of BO2 excess zirconates and stannates, the BA cation antisite defect with the A vacancy and/or the oxygen interstitial is energetically favorable, whereas the AB antisite defect together with the oxygen vacancy and/or the A interstitial is preferable under the A2O3 excess condition. [11] Further, in the presence of H 2 + O 2 gas mixture, oxygen interstitials occupy oxygen vacancies while hydrogen interstitials occupy vacant oxygen lattice sites and form bonds with lattice oxygens. [12] Hf-RE cation anti-site defects, accompanied by RE vacancies and/or oxygen interstitials, are stable in the non-stoichiometric case of HfO2 excess. [13] This is attributed to two kinds of migration mechanisms during the annealing in air, one of which is the dominant migration mechanism of oxygen interstitials in crystallized indium-tin oxide (ITO) films and the other dominated by oxygen vacancies in In2O3 and IGO films. [14] The green emission intensity starts to increase with Zn doping indicates the excess oxygen vacancies (Vo) and/or oxygen interstitials in the host structure. [15] We studied the behavior of oxygen interstitials in donor-doped ceria using equilibrium conductivity measurements, conductivity relaxation experiments, and (18O2/16O2) isotope exchange experiments. [16] The synthesized ZnO nanorods also contain high concentration of oxygen interstitial as a source of holes that react with the OH− ions that easily adsorbed on (002) facets. [17] The relative intensity ratios of excitonic to defect level emission bands (INBE/IDLE) decreased generally as the pH level increased, indicating the increased concentration of the defects of oxygen interstitials and vacancies in the produced nanostructures. [18] In this paper we study the effect on the electric fields on the formation of bulk Frenkal Pairs and on the migration of oxygen interstitials, IO, and oxygen vacancies, VO, within the framework of Density Functional Theory and Modern Theory of Polarization. [19] Detailed characterization indicated that concentration of the oxygen vacancy (VO) donor is reduced and the oxygen interstitial (Oi) acceptors are formed within the samples grown in the O2-mixed ambient. [20] We find that donor defects are in general more energetically favorable than acceptor defects, except near O-rich conditions, where oxygen interstitials and indium vacancies have low formation energy in $n$-type ${\mathrm{In}}_{2}{\mathrm{O}}_{3}$. [21] Well-defined low-speed atomistic-height wedge such as jogs were observed in cubic brittle silicon crystal doped with boron substitutional and oxygen interstitial, but not with phosphorus, and not in cubic germanium crystal doped with gallium. [22] We use the Second Moment Tight Binding with charge eQuilibration (SMTB-Q) advanced empirical potential to study clusters of oxygen interstitials in hyperstoichiometric UO2. [23] The PL spectra were deconvoluted into component Gaussian sub-peaks representing transitions from conduction-band minimum (CBM) to oxygen interstitials (Oi) and CBM to oxygen vacancies (VO) with corresponding photon energies of 2. [24] This irradiation-induced amorphization behaviour is discussed in relation to the arrangement of oxygen interstitials and the formation of stable superlattices. [25] The presence of excess oxygen in the film oxidized at the highest temperature (1000 °C) has translated into the formation of oxygen interstitials residing in the lattice, which have induced mid-gap states at the band gap of the film. [26] 45 eV) for an oxygen interstitial (Oi) with the kick-out mechanism than that (0. [27] The formation of excess point defects such as oxygen interstitials induced by the flash-sintering and Si4+-doping were likely to be attributed to the blue luminescence. [28] According to the analyses of the physical and chemical characteristics of La2O3, its hygroscopicity and defects (oxygen vacancies, oxygen interstitials, interface states, and grain boundary states) are the main problems for high-performance devices. [29] Green light corresponded to oxygen vacancies (Vo), the main defect of ZnO before heat treatment, whereas yellow light was associated with the transition from zinc interstitials (Zni) to oxygen interstitials (Oi) produced with the structure transformation during heat treatment. [30] From the data collected by UV–vis diffuse reflectance spectroscopy and the fluorescence spectra, it is found that Vӧ and oxygen interstitials can diminish band gaps of samples, promoting an increase in photoluminescence intensities of samples on the based of host-sensitized luminescence effect, in which the effect of oxygen vacancies is stronger than that of oxygen interstitials. [31] Donors (oxygen vacancies and gallium interstitials) and acceptors (gallium vacancies and oxygen interstitials) have deep-level transitions (more than 1eV), so they don't contribute to the unintentional n-type or p-type conductivity. [32] SA-ZNRs annealed in VA-OA processes reveal positive correlations between the oxygen flow rate and formation of oxygen interstitials (Oi) and zinc vacancies (VZn). [33] The migration energies and the diffusion coefficient calculated respectively for oxygen vacancy (VO) and oxygen interstitials (IO) in under and over stoichiometry compare well with ab initio calculations and experimental data. [34] The UV PL peak originated from the near band edge emission of crystalline ZnO, while the visible PL was associated with the radiative transition related to oxygen interstitial (Oi) defects in the ZnO structure. [35] ZnMgO thin film have inherent n-type conductivity due to oxygen vacancies, oxygen interstitials and zinc vacancies. [36] Photoluminescence (PL) spectra of the NRs grown on the Au/Ti/Si(100) substrates were dominated by an orange band (OB) emission associated with oxygen interstitials over the entire tg range. [37] Enhancement in yellow emission in higher doped sample indicates the increases in oxygen interstitials (Oi). [38] We found that highly-energetic O− ions bombardment induced a coexistence of various point defects such as oxygen vacancies (VO), oxygen interstitials (Oi), and zinc interstitials (Zni). [39] This emission may be attributed to the presence of oxygen interstitial/antisites. [40] The observed lower than expected contraction in the Nb5+ doped samples is attributed to lattice expansion due to the creation of oxygen interstitials (OIs). [41] Models based on self-trapped holes and oxygen interstitials are ruled out because they would have hyperfine interaction with more than two Ga nuclei and because they can not support a corresponding $S=1$ center. [42] We investigated morphologically distinct rod- (ZnO-R) and flower-like (ZnO-F) ZnO microstructures where the latter contains several native defects namely, oxygen vacancies, zinc interstitials and oxygen interstitials. [43] The spectra included transitions of the conduction band (CB) → zinc vacancies (VZn) (400 nm), zinc interstitials (Zni) → valence band (VB) (440 nm), CB → oxygen vacancies (VO) (560 nm), and CB → oxygen interstitials (Oi) (620 nm). [44] 75 can be tracked by the evolution of a peak near 630 cm−1, which is indicative of the formation of oxygen interstitials. [45] The hafnium interstitial competes with an oxygen interstitial and the Frenkel pair in the conducting filament formation in O-poor conditions. [46] Oxygen interstitials and vacancies play a key role in modulating the microstructure and properties of nonstoichiometric oxide systems, such as those used for superconductors and multiferroics. [47]고온에서 결정 구조의 체계적인 특성화, 산소 함량 및 수송 특성은 Nd-부위 결핍이 구조에 미치는 영향은 미미하지만, 이는 산소 함량의 실질적인 감소를 유발하여 고온에서 산소 틈새에서 Nd1에 대한 공석으로의 지배적 결함 유형의 변화. [1] 산소 결손과 산소 틈새가 더 많이 포함된 3 μm 두께의 샘플은 기체 에틸 아세테이트 분해에서 가장 높은 광촉매 활성(P25 TiO2보다 높음)을 나타냈습니다. [2] 도핑되지 않은 필름의 화학적 조성 연구는 필름 내에 산소 간극이 존재함을 보여주었습니다. [3] XPS 결과는 더 높은 산소 비율에서 제조된 IGTO TFT의 저하된 PBS 안정성과 향상된 NBIS 안정성이 주로 IGTO 내에서 과잉 산소로 인한 더 많은 양의 산소 간극과 더 적은 수의 산소 결손에 기인한다는 것을 보여줍니다. [4] 이는 필름 구조의 산소 결손(VO), 아연 결손(VZn), 아연 간극(Zni), 산소 간극(Oi) 및 산소 결손 복합체(VO 착물)의 결함에 기인합니다. [5] 고도로 이완되고 질서 정연한 멜릴라이트 상부 구조에서 많은 수의 산소 틈새에 대한 제한 효과에서 발생하는 확산 경로의 제한된 차원은 La2Ga3O7에서 더 낮은 산화물 이온 전도도를 설명합니다. [6] , 구멍 대신 산소 결손 및 산소 틈새. [7] 양성자 종의 농도 증가를 결정하는 주요 요인은 나타나는 산소 결함(산소 결손 또는 산소 틈새)의 특성이 아니라 도핑 중 단위 셀 부피의 증가입니다. [8] 산소 간극(Oi)은 훨씬 더 빠르게 이동하므로 VO 농도를 제어하기 위해 합성 후 Oi를 도입하는 것이 바람직할 것입니다. [9] 산소 간극이 풍부한 금속 라멜라는 마침내 산화에 의해 나노 산화물로 변합니다. [10] BO2 과잉 지르코네이트 및 스타네이트의 경우, A 공석 및/또는 산소 간극을 갖는 BA 양이온 안티사이트 결함이 에너지적으로 유리한 반면, 산소 공석 및/또는 A 틈새와 함께 AB 안티사이트 결함은 A2O3에서 바람직하다 초과 상태. [11] 또한, H 2 + O 2 기체 혼합물의 존재하에, 산소 격자간극은 산소 결손을 점유하는 반면, 수소 격자간극은 결손된 산소 격자 자리를 점유하고 격자 산소와 결합을 형성한다. [12] RE 공석 및/또는 산소 간극을 수반하는 Hf-RE 양이온 안티 사이트 결함은 HfO2 과잉의 비화학량론적 경우에 안정적입니다. [13] 이는 공기 중에서 어닐링하는 동안 두 가지 종류의 이동 메커니즘에 기인하며, 그 중 하나는 결정화된 ITO(인듐-주석 산화물) 필름에서 산소 간극의 지배적인 이동 메커니즘이고 다른 하나는 In2O3 및 IGO 필름에서 산소 결손에 의해 지배적입니다. [14] 녹색 방출 강도는 Zn 도핑과 함께 증가하기 시작하여 호스트 구조의 과잉 산소 결손(Vo) 및/또는 산소 틈새를 나타냅니다. [15] 우리는 평형 전도도 측정, 전도도 완화 실험 및 (18O2/16O2) 동위원소 교환 실험을 사용하여 공여체가 도핑된 세리아에서 산소 간극의 거동을 연구했습니다. [16] 합성된 ZnO 나노로드는 또한 (002)면에 쉽게 흡착되는 OH- 이온과 반응하는 정공의 소스로 높은 농도의 산소 틈새를 포함합니다. [17] 엑시톤 대 결함 레벨 방출 대역(INBE/IDLE)의 상대 강도 비율은 일반적으로 pH 레벨이 증가함에 따라 감소하여 생성된 나노구조에서 산소 틈새 및 공극의 결함 농도가 증가함을 나타냅니다. [18] 이 논문에서 우리는 밀도 기능 이론과 현대 분극 이론의 틀 내에서 벌크 프렌칼 쌍의 형성과 산소 간극(IO) 및 산소 결손(VO)의 이동에 대한 전기장의 영향을 연구합니다. [19] 상세한 특성은 산소 결손(VO) 공여체의 농도가 감소하고 산소 간극(Oi) 수용체가 O2 혼합 환경에서 성장한 샘플 내에서 형성됨을 나타냅니다. [20] 우리는 산소 틈새와 인듐 공석이 $n$-type ${\mathrm{In}}_{2}에서 낮은 형성 에너지를 갖는 O-풍부 조건 근처를 제외하고 도너 결함이 일반적으로 억셉터 결함보다 에너지적으로 더 유리하다는 것을 발견했습니다. {\mathrm{O}}_{3}$. [21] 조그와 같이 잘 정의된 저속 원자 높이 쐐기는 붕소 치환 및 산소 침입으로 도핑된 입방체 취성 실리콘 결정에서 관찰되었지만 인으로 도핑되지 않았으며 갈륨으로 도핑된 입방체 게르마늄 결정에서는 관찰되지 않았습니다. [22] 우리는 초화학량론적 UO2에서 산소 간극 클러스터를 연구하기 위해 전하 평형화(SMTB-Q) 고급 경험적 잠재력과 함께 Second Moment Tight Binding을 사용합니다. [23] PL 스펙트럼은 전도대 최소값(CBM)에서 산소 간극(Oi)으로, CBM에서 해당 광자 에너지가 2인 산소 결손(VO)으로의 전이를 나타내는 구성 요소 가우스 하위 피크로 디컨볼루션되었습니다. [24] 이 조사에 의한 비정질화 거동은 산소 간극의 배열과 안정된 초격자의 형성과 관련하여 논의됩니다. [25] 최고 온도(1000°C)에서 산화된 필름에 과도한 산소가 존재하면 격자에 존재하는 산소 틈새가 형성되어 필름의 밴드 갭에서 중간 갭 상태를 유도합니다. [26] 45 eV)보다 킥아웃 메커니즘이 있는 산소 간극(Oi)의 경우(0. [27] 플래시 소결 및 Si4+-도핑에 의해 유도된 산소 간극과 같은 과잉 점결함의 형성은 청색 발광에 기인한 것으로 보인다. [28] La2O3의 물리적, 화학적 특성 분석에 따르면 흡습성과 결함(산소 결손, 산소 틈새, 계면 상태 및 입자 경계 상태)이 고성능 장치의 주요 문제입니다. [29] 녹색광은 열처리 전 ZnO의 주요 결함인 산소 결손(Vo)에 해당하는 반면, 황색광은 열처리 중 구조 변형으로 생성된 아연 간극(Zni)에서 산소 간극(Oi)으로의 전이와 관련이 있습니다. [30] UV-vis 확산 반사 분광법 및 형광 스펙트럼에 의해 수집된 데이터로부터, Vӧ 및 산소 간극이 샘플의 밴드 갭을 감소시킬 수 있고, 호스트-감응 발광 효과에 기초하여 샘플의 광발광 강도의 증가를 촉진할 수 있음을 발견하였다. 산소 결손의 효과는 산소 틈새의 효과보다 더 강력합니다. [31] 도너(산소 결손 및 갈륨 간극) 및 수용체(갈륨 결손 및 산소 간극)는 심층 전이(1eV 이상)를 가지므로 의도하지 않은 n형 또는 p형 전도도에 기여하지 않습니다. [32] VA-OA 공정에서 어닐링된 SA-ZNR은 산소 유속과 산소 간극(Oi) 및 아연 결손(VZn) 형성 사이의 양의 상관 관계를 나타냅니다. [33] 산소 결손(VO) 및 산소 간극(IO)에 대해 각각 계산된 이동 에너지 및 확산 계수는 화학량론 이하 및 초과의 초기 계산 및 실험 데이터와 잘 비교됩니다. [34] UV PL 피크는 결정질 ZnO의 니어 밴드 에지 방출에서 유래한 반면, 가시적인 PL은 ZnO 구조의 산소 간극(Oi) 결함과 관련된 복사 전이와 관련되었습니다. [35] ZnMgO 박막은 산소 결손, 산소 틈새 및 아연 결손으로 인해 고유한 n형 전도성을 갖는다. [36] Au/Ti/Si(100) 기판에서 성장된 NR의 광발광(PL) 스펙트럼은 전체 tg 범위에 걸쳐 산소 틈새와 관련된 주황색 밴드(OB) 방출에 의해 지배되었습니다. [37] 더 높은 도핑된 샘플에서 노란색 방출의 향상은 산소 간극(Oi)의 증가를 나타냅니다. [38] 우리는 고에너지 O- 이온 충격이 산소 결손(VO), 산소 간극(Oi) 및 아연 간극(Zni)과 같은 다양한 점 결함의 공존을 유도한다는 것을 발견했습니다. [39] 이 방출은 산소 간극/항사이트의 존재에 기인할 수 있습니다. [40] Nb5+ 도핑된 샘플에서 관찰된 예상보다 낮은 수축은 산소 간극(OI)의 생성으로 인한 격자 확장에 기인합니다. [41] 자체 트랩된 구멍 및 산소 틈새를 기반으로 하는 모델은 2개 이상의 Ga 핵과 초미세 상호 작용을 하고 해당 $S=1$ 중심을 지원할 수 없기 때문에 제외됩니다. [42] 우리는 형태학적으로 뚜렷한 막대(ZnO-R) 및 꽃과 같은(ZnO-F) ZnO 미세구조를 조사했는데, 여기서 후자는 몇 가지 기본 결함, 즉 산소 결손, 아연 간극 및 산소 간극을 포함합니다. [43] 스펙트럼에는 전도대(CB) → 아연 공석(VZn)(400 nm), 아연 간극(Zni) → 가전자대(VB)(440 nm), CB → 산소 공석(VO)(560)의 전이가 포함되었습니다. 및 CB → 산소 간극(Oi)(620 nm). [44] 75는 산소 간극의 형성을 나타내는 630cm-1 근처에서 피크의 진화로 추적할 수 있습니다. [45] 하프늄 간극은 O-빈약한 조건에서 전도성 필라멘트 형성에서 산소 간극 및 Frenkel 쌍과 경쟁합니다. [46] 산소 간극 및 공석은 초전도체 및 다강체에 사용되는 것과 같은 비화학량론적 산화물 시스템의 미세 구조 및 특성을 조절하는 데 중요한 역할을 합니다. [47]
Compensating Oxygen Interstitial
Low-temperature-processed ITO thin films offer the potential of overcoming the doping limit by suppressing the equilibrium of compensating oxygen interstitial defects. [1] The diffusivity of compensating oxygen interstitial (Oi) defects at 200 °C is sufficiently screen the high Fermi level induced by Al2O3, which disable the use of defect modulation doping at this temperature. [2]저온 처리된 ITO 박막은 보상 산소 간극 결함의 평형을 억제하여 도핑 한계를 극복할 수 있는 잠재력을 제공합니다. [1] 200°C에서 보상하는 산소 간극(Oi) 결함의 확산성은 이 온도에서 결함 변조 도핑의 사용을 불가능하게 하는 Al2O3에 의해 유도된 높은 페르미 준위를 충분히 차단합니다. [2]
Exces Oxygen Interstitial
Herein, for the first time, we describe a facile one-step and scalable synthesis of La2CoO4+δ nanoparticles containing excess oxygen interstitials (+δ) using spray-flame synthesis, and use them as a stable and efficient catalyst for activating peroxymonosulfate (PMS) towards the degradation of bisphenol A. [1] The photoluminescence (PL) measurements revealed the near-band emission (NBE), the Zni related emission, and the excess oxygen interstitials and their complexes with zinc vacancies. [2]여기에서 처음으로 스프레이-플레임 합성을 사용하여 과잉 산소 간극(+δ)을 포함하는 La2CoO4+δ 나노입자의 손쉬운 1단계 및 확장 가능한 합성을 설명하고, 이를 퍼옥시모노설페이트(PMS) 활성화를 위한 안정적이고 효율적인 촉매로 사용합니다. ) 비스페놀 A의 분해 쪽으로. [1] 광발광(PL) 측정은 NBE(near-band emission), Zni 관련 방출, 과잉 산소 간극 및 아연 결손이 있는 이들의 복합체를 밝혀냈습니다. [2]
Charged Oxygen Interstitial 하전된 산소 틈새
The negatively charged oxygen interstitial (O2-i) is found to accommodate hyper-stoichiometry (PuO2+x), but reluctance to form hyper-stoichiometric PuO2+x is observed, with oxygen interstitials present only in very low concentrations irrespective of conditions. [1] In (Pu,Am)O2±x, hypo- and (negligible) hyperstoichiometry is found to be provided by the doubly charged oxygen vacancy (VO2+) and singly charged oxygen interstitial (Oi1–), respectively. [2]음으로 하전된 산소 간극(O2-i)은 과화학량론(PuO2+x)을 수용하는 것으로 밝혀졌지만, 조건에 관계없이 매우 낮은 농도로만 존재하는 산소 간극과 함께 과화학량론적 PuO2+x를 형성하는 것을 꺼려합니다. [1] (Pu,Am)O2±x에서 저화학량론과 (무시할 수 있는) 초화학양론은 각각 이중 하전된 산소 결손(VO2+) 및 단일 하전된 산소 간극(Oi1-)에 의해 제공되는 것으로 밝혀졌습니다. [2]