Nitride Films(질화물 필름)란 무엇입니까?
Nitride Films 질화물 필름 - With the development of new materials and technology, high entropy alloy (HEA) nitride films have attracted much attention of researchers due to their excellent optical properties and mechanical properties. [1] The nitride films' composition and optical properties were determined by X-Ray Diffraction, and optical transmission spectroscopy. [2] The SiN removal process flow provides opportunities to look at possibilities of optimizing oxide and nitride films at different layers to enable better channel hole etch, such as enlarging bottom hole CD, reducing bowing and twisting in the middle area, and etc. [3] Incorporating Si element into nitride films is known to enhance mechanical properties and oxidation resistance. [4] The nitrogen flow was fixed, and the nitrogen to oxygen flow ratio was set to 2, 5 and 10 to investigate the effect of oxygen concentration on biocompatibility and the antibacterial behavior of the oxynitride films. [5] We report a comprehensive study of the effect of the chemical structure of boron carbonitride films on the variability of their functional characteristics. [6] On the other hand, the binary (MN) and ternary (MXN) transition nitride coatings have shown promising results, especially the titanium (Ti), tantalum (Ta), and zirconium (Zr) nitride films, showing a high wear and corrosion resistance in mono- and multilayer arrangement. [7] We discuss and compare the in vitro biostability and corrosion behavior of bare stainless steel (316L) and titanium oxynitride films (TiOxNy) coated stents. [8] Ultra-thin amorphous boron oxynitride films were deposited at room temperature on silicon and polymer substrates using radio frequency magnetron sputtering of a hexagonal boron nitride target in varied argon-nitrogen background gas ratios. [9] The nitride films with high indium (In) composition play a crucial role in the fabrication of In-rich InGaN-based optoelectronic devices. [10] In this work, the growth conditions and material properties of III-nitride films have been explored using plasma-assisted molecular beam epitaxy and AlN as a buffer layer. [11] The purpose of this study is to investigate an appropriate range of oxygen flow rate during sputtering for depositing tantalum oxynitride films. [12] Research continues to be carried out using ALE, especially with nitride films. [13] Replacing conventional in situ GaN or AlN buffer layers with ex situ sputtered AlN buffers for MOCVD, HVPE, or MBE growth of III-nitride films on sapphire and silicon substrates results in the improved crystal quality through reduction in dislocation density and residual strain. [14] The origin of threading dislocations (TDs) in nitride films is not completely understood but it is well established that they degrade the film properties. [15] Two clearly separated emission bands are respectively attributed to a combination of defect and quantum confinement–related emission in the SRO, as well as to defects found in an oxynitride transition zone that forms between the oxide and the nitride films, while ruling out quantum-confinement phenomena in the silicon nitride. [16] The excitation of short electric monopulses of space charge waves with wide frequency spectrum of terahertz range in nitride films has been theoretically investigated. [17] As MOS MEMS require sintering above 600°C, a set of PECVD silicon oxide and nitride films was characterized before and after annealing up to 700°C, in order to identify the best candidate inter-metal dielectric materials. [18] In this research, silicon oxynitride films were prepared by high-power impulse magnetron sputtering. [19] Silicon oxynitride films are one kind of important gate dielectric materials for applications in the fabrication of silicon CMOS integrated circuits (ICs), which have been widely and deeply studied. [20] The composition of SiGe in the p-FET Fin Field Effect Transistor devices with the overlaying Si oxynitride films was measured as a demonstration of the method. [21] Degradation efficiencies as high as 82% have been obtained, suggesting that tantalum oxynitride films, obtained in certain configurations, are promising materials for the photodegradation of organic pollutants (dyes). [22] This analysis has confirmed that the nitride films, (TiN/Si) and TiAlVN in both cases, have been produced. [23] Here, we proposed a facile strategy to prepare a series of perovskite oxynitride films. [24] The microstructure and mechanical properties of the TiZrHfNiCuCo HEA metallic and nitride films were investigated using scanning-electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), transmission-electron microscopy (TEM), and nanoindentation. [25] The growth of single-crystal III-nitride films with a low stress and dislocation density is crucial for the semiconductor industry. [26] Growth of ultrathin, single-crystalline, molybdenum-nitride films on Ru(0001) has been investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), low energy electron diffraction, and helium ion scattering spectroscopy. [27] The latter methods enable the synthesis of not only high-quality ultrathin 2D transition metal carbide and nitride films, but also those that could not be synthesized by selective etching. [28] In this work, titanium oxynitride films were deposited on SS316L and Si-wafer substrates using reactive DC magnetron sputtering. [29] The refractive indices of the silicon oxynitride films were also measured using spectroscopic ellipsometry. [30] Therefore, we studied molybdenum oxynitride films due to their catalytic properties. [31] In this work commercially available self-supporting thin silicon-nitride films were applied to measure the differential cross sections for the reactions 28Si(p,p′γ)28Si (Eγ = 1779 keV) and 14N(p,p′γ)14N (Eγ = 2313 keV) in the proton energy range of 3–4 MeV. [32]새로운 재료와 기술의 발달로 고엔트로피 합금(HEA) 질화물막은 우수한 광학적 특성과 기계적 특성으로 인해 연구자들의 많은 관심을 받고 있습니다. [1] 질화물막의 조성과 광학적 특성은 X-Ray Diffraction과 광투과분광법으로 측정하였다. [2] SiN 제거 공정 흐름은 바닥 홀 CD 확대, 중간 영역의 휘어짐 및 비틀림 감소 등과 같은 더 나은 채널 홀 에칭을 가능하게 하기 위해 서로 다른 층에서 산화물 및 질화물 필름을 최적화할 수 있는 가능성을 살펴볼 기회를 제공합니다. [3] 질화막에 Si 원소를 결합하면 기계적 특성과 내산화성이 향상되는 것으로 알려져 있습니다. [4] 질소 흐름은 고정되었고 산소 대 산소 흐름 비율은 2, 5, 10으로 설정하여 산소 농도가 산질화물 필름의 생체 적합성과 항균 거동에 미치는 영향을 조사했습니다. [5] 우리는 기능적 특성의 가변성에 대한 탄질화붕소 필름의 화학 구조 효과에 대한 포괄적인 연구를 보고합니다. [6] 한편, 2원(MN) 및 3원(MXN) 전이 질화물 코팅, 특히 티타늄(Ti), 탄탈(Ta) 및 지르코늄(Zr) 질화물 피막은 높은 내마모성과 내식성을 나타내는 유망한 결과를 보여주었습니다. 단층 및 다층 배열. [7] 우리는 베어 스테인레스 스틸(316L)과 티타늄 산질화물 필름(TiOxNy) 코팅 스텐트의 시험관 내 생체 안정성과 부식 거동에 대해 논의하고 비교합니다. [8] 다양한 아르곤-질소 배경 가스 비율에서 육각형 질화붕소 타겟의 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 실리콘 및 폴리머 기판에 초박형 비정질 산질화붕소 필름을 실온에서 증착했습니다. [9] 높은 인듐(In) 조성을 갖는 질화물 필름은 In이 풍부한 InGaN 기반 광전자 장치의 제조에 중요한 역할을 합니다. [10] 이 연구에서 III-질화물 필름의 성장 조건과 재료 특성은 버퍼층으로 플라즈마 보조 분자빔 에피택시와 AlN을 사용하여 탐구되었습니다. [11] 이 연구의 목적은 탄탈륨 산질화물 필름을 증착하기 위한 스퍼터링 동안 산소 유량의 적절한 범위를 조사하는 것입니다. [12] ALE, 특히 질화물 필름을 사용하여 연구를 계속하고 있습니다. [13] MOCVD, HVPE 또는 MBE 성장을 위한 기존의 in situ GaN 또는 AlN 버퍼 층을 사파이어 및 실리콘 기판의 III-질화물 필름 성장을 위한 ex situ 스퍼터링된 AlN 버퍼로 교체하면 전위 밀도 및 잔류 변형 감소를 통해 결정 품질이 향상됩니다. [14] 질화물 필름에서 TD(threading dislocation)의 기원은 완전히 이해되지 않았지만 필름 특성을 저하시킨다는 것은 잘 알려져 있습니다. [15] 두 개의 명확하게 분리된 방출 밴드는 각각 SRO의 결함 및 양자 구속 관련 방출의 조합과 양자 구속을 배제하면서 산화물과 질화물 필름 사이에 형성되는 산질화물 전이 영역에서 발견되는 결함에 기인합니다. 질화규소의 현상. [16] 질화물 필름에서 테라헤르츠 범위의 넓은 주파수 스펙트럼을 갖는 공간 전하 파동의 짧은 전기 모노펄스의 여기가 이론적으로 조사되었습니다. [17] MOS MEMS는 600°C 이상의 소결이 필요하기 때문에 최상의 후보 금속간 유전체 재료를 식별하기 위해 최대 700°C의 열처리 전후에 PECVD 실리콘 산화물 및 질화막 세트를 특성화했습니다. [18] 본 연구에서는 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링에 의해 실리콘 산질화물 필름을 제조하였다. [19] 실리콘 산질화물 필름은 광범위하고 깊이 연구된 실리콘 CMOS 집적 회로(IC) 제조에 응용하기 위한 중요한 게이트 유전체 재료 중 하나입니다. [20] Si 옥시나이트라이드 필름이 오버레이된 p-FET Fin 전계 효과 트랜지스터 장치에서 SiGe의 조성은 방법의 시연으로 측정되었습니다. [21] 82%의 높은 분해 효율을 얻었으며, 이는 특정 구성에서 얻은 탄탈륨 산질화물 필름이 유기 오염 물질(염료)의 광분해를 위한 유망한 재료임을 시사합니다. [22] 이 분석을 통해 두 경우 모두 질화물막(TiN/Si)과 TiAlVN이 생성되었음을 확인했습니다. [23] 여기에서 우리는 일련의 페로브스카이트 산질화물 필름을 준비하기 위한 손쉬운 전략을 제안했습니다. [24] TiZrHfNiCuCo HEA 금속 및 질화물 필름의 미세 구조 및 기계적 특성은 주사 전자 현미경(SEM), X선 회절(XRD), 투과 전자 현미경(TEM) 및 나노 압입을 사용하여 조사되었습니다. [25] 낮은 응력과 전위 밀도를 갖는 단결정 III-질화물 필름의 성장은 반도체 산업에서 매우 중요합니다. [26] Ru(0001)에 대한 초박형 단결정 질화 몰리브덴 필름의 성장은 X선 광전자 분광법(XPS), 저에너지 전자 회절 및 헬륨 이온 산란 분광법을 사용하여 조사되었습니다. [27] 후자의 방법은 고품질의 초박형 2D 전이 금속 탄화물 및 질화물 필름뿐만 아니라 선택적 에칭으로 합성할 수 없는 것들도 합성할 수 있습니다. [28] 이 작업에서 티타늄 산질화물 필름은 반응성 DC 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 SS316L 및 Si 웨이퍼 기판에 증착되었습니다. [29] 실리콘 산질화물 필름의 굴절률은 또한 분광 타원 측정법을 사용하여 측정되었습니다. [30] 따라서 우리는 촉매 특성으로 인해 산화질화 몰리브덴 필름을 연구했습니다. [31] 이 작업에서 상업적으로 이용 가능한 자가 지지형 질화 규소 박막을 적용하여 반응 28Si(p,p'γ)28Si(Eγ=1779keV) 및 14N(p,p'γ)14N( Eγ=2313keV) 3–4MeV의 양성자 에너지 범위에서. [32]
plasma enhanced chemical 플라즈마 강화 화학물질
In this paper, silicon oxynitride films (SiO x N y ) grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition are investigated. [1] Hydrogenated silicon nitride films (SiNx:H) deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) have been studied to passivate defects with hydrogen in the bulk of multicrystalline silicon wafers. [2] We deposit the silicon nitride films using an electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition (ECR-PECVD) chamber with Ar-diluted SiH4, and N2 gas. [3] In this work, we present results on the deposition and chacacterization of silicion oxynitride films (SiOxNy) deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at low temperatures (320C). [4]본 논문에서는 플라즈마 화학기상증착법에 의해 성장된 실리콘 산질화물막(SiO x N y )을 조사하였다. [1] 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 증착된 수소화된 실리콘 질화물 필름(SiNx:H)은 대량의 다결정 실리콘 웨이퍼에서 수소로 결함을 보호하기 위해 연구되었습니다. [2] nan [3] nan [4]
magnetron co sputtering
In this work, TixZr1−xNy ternary nitride films were prepared by magnetron co-sputtering method, and the effects of metal content and nitrogen content on the structural and plasmonic properties of the films were investigated. [1] In this work, silicon nitride films containing terbium were deposited by reactive magnetron co-sputtering in a nitrogen enriched plasma and subjected to rapid thermal annealing treatments. [2] TixZr1−xNy ternary nitride films were prepared by magnetron co-sputtering method, and the effects of bias voltage and temperature on the structure and dielectric properties of the films were investigated. [3]이 연구에서 TixZr1-xNy 삼원 질화물 필름은 마그네트론 공동 스퍼터링 방법으로 제조되었으며 금속 함량과 질소 함량이 박막의 구조적 및 플라즈몬 특성에 미치는 영향을 조사했습니다. [1] 이 작업에서 테르븀을 포함하는 질화규소 필름은 질소가 풍부한 플라즈마에서 반응성 마그네트론 공동 스퍼터링에 의해 증착되고 급속 열처리 처리를 받았습니다. [2] nan [3]
reactive magnetron sputtering 반응성 마그네트론 스퍼터링
In this paper, we study the optical properties of aluminum- and silicon-nitride films and Al–Si–N coatings with variable atomic composition deposited by reactive magnetron sputtering on glass, silicon, and steel substrates. [1] Titanium nitride films were deposited by reactive magnetron sputtering on Si (100) wafers, glass and Ti6Al4V substrates. [2]이 논문에서 우리는 유리, 실리콘 및 강철 기판에 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착된 다양한 원자 조성을 갖는 알루미늄 및 실리콘 질화물 필름과 Al-Si-N 코팅의 광학 특성을 연구합니다. [1] 티타늄 질화물 필름은 Si(100) 웨이퍼, 유리 및 Ti6Al4V 기판에 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착되었습니다. [2]
low pressure chemical 저압 화학
However, silicon nitride films deposited directly on the wafer by low-pressure chemical vapor deposition exhibit large tensile stress, which may cause cracks. [1] By respectively using Boron trichloride and ammonia as the boron source and the nitrogen source, and nitrogen as the carrier gas, hexagonal boron nitride films were grown on (100) silicon substrates via a low-pressure chemical vapor deposition method in a deposition temperature range of 900–1300 °C with a total pressure of 100 Pa. [2]그러나 저압 화학기상증착법으로 웨이퍼에 직접 증착된 질화규소막은 인장응력이 커서 크랙이 발생할 수 있다. [1] 붕소원과 질소원으로 삼염화붕소와 암모니아를, 캐리어 가스로 질소를 각각 사용하여, (100) 실리콘 기판 상에 육방정계 질화붕소막을 증착 온도 범위에서 저압 화학 기상 증착법을 통해 성장시켰다. 900–1300 °C, 총 압력 100 Pa. [2]
Silicon Nitride Films 질화규소 필름
The mechanisms behind the gettering effect of silicon nitride films for removing iron impurities in silicon are investigated in this study. [1] Hydrogenated silicon nitride films (SiNx:H) deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) have been studied to passivate defects with hydrogen in the bulk of multicrystalline silicon wafers. [2] In particular, through chemical, vibrational, and structural analysis in tandem with thermal conductivity measurements on chemically variant silicon nitride films, we show that hydrogen incorporation into silicon nitride disrupts the bonding among silicon and nitrogen atoms, and directly impacts the thermal conductivity, leading to as much as a factor of 2. [3] We deposit the silicon nitride films using an electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapour deposition (ECR-PECVD) chamber with Ar-diluted SiH4, and N2 gas. [4] Low-temperature N2/NH3/SiH4 discharge is used to deposit hydrogenated silicon nitride films (SiN x H y ). [5] However, silicon nitride films deposited directly on the wafer by low-pressure chemical vapor deposition exhibit large tensile stress, which may cause cracks. [6] We consider the impact of precursor gas ratio on nominally stoichiometric silicon nitride films, and show how it has a significant impact on microresonator integrated dispersion and broadband comb generation in the near-visible. [7] Hydrogenated amorphous silicon nitride films (a-SiNx:H) have attracted attention as barrier layers to prevent the diffusion of water vapor and other gases into electronic devices. [8] Silicon heterojunction solar cell fabrication incorporates a significant amount of hydrogen into the silicon wafer bulk, and the amount of injected hydrogen is comparable to that introduced by silicon nitride films during a high-temperature firing step. [9] The study was devoted to optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films prepared by reactive magnetron sputtering in argon-nitrogen atmosphere onto cold (unheated) substrates. [10] We report and demonstrate high efficiency grating couplers on PECVD deposited Silicon Nitride films. [11] In this work, silicon nitride films containing terbium were deposited by reactive magnetron co-sputtering in a nitrogen enriched plasma and subjected to rapid thermal annealing treatments. [12] Silicon nitride films with three refractive indices were used to produce the SiN/SiO2 stack. [13] It was confirmed by the simulation results that the residual responsivity is further suppressed by employing an on-chip band-rejection optical layer consisting of several layers of silicon oxide and silicon nitride films. [14] Wafers taken from along the ingot are coated with silicon nitride films and annealed, causing mobile impurities to be gettered to the films. [15] Thus, modification using silver silicon nitride films onto Ti64 via magnetron sputtering technique was proposed. [16] Impact of thermal annealing of the silicon nitride films in different atmospheres at various temperatures on their PL spectra is studied. [17] For the sake of a proof of concept, ∼50 and ∼100 nm-thick silicon nitride films produced by low pressure chemical vapor deposition were tested, leading to a mean fracture toughness equal to ∼2 MPa m. [18] The experimental data obtained can be used to simulate the electron transport characteristics in nonstoichiometric silicon nitride films, which is important for creating memristors based on them. [19] Waveguide microstructures based on strained silicon with the use of silicon carbonitride and silicon nitride films as cladding layers are created. [20] Stoichiometric silicon nitride films were deposited by low-pressure chemical vapor deposition from the SiHCl3-NH3-H2-Ar system in a hot wall reactor at pressures ranging from 0. [21]이 연구에서는 실리콘에서 철 불순물을 제거하기 위한 실리콘 질화물 막의 게터링 효과 뒤에 있는 메커니즘을 조사했습니다. [1] 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 증착된 수소화된 실리콘 질화물 필름(SiNx:H)은 대량의 다결정 실리콘 웨이퍼에서 수소로 결함을 보호하기 위해 연구되었습니다. [2] nan [3] nan [4] nan [5] 그러나 저압 화학기상증착법으로 웨이퍼에 직접 증착된 질화규소막은 인장응력이 커서 크랙이 발생할 수 있다. [6] nan [7] nan [8] 실리콘 이종 접합 태양 전지 제조는 상당한 양의 수소를 실리콘 웨이퍼 벌크에 통합하고 주입된 수소의 양은 고온 소성 단계 동안 실리콘 질화물 필름에 의해 도입되는 양과 비슷합니다. [9] 이 연구는 차가운(가열되지 않은) 기판에 아르곤-질소 분위기에서 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 준비된 비화학량론적 질화규소 필름의 광학적 특성화에 전념했습니다. [10] nan [11] 이 작업에서 테르븀을 포함하는 질화규소 필름은 질소가 풍부한 플라즈마에서 반응성 마그네트론 공동 스퍼터링에 의해 증착되고 급속 열처리 처리를 받았습니다. [12] nan [13] nan [14] nan [15] nan [16] nan [17] nan [18] nan [19] nan [20] nan [21]
Aluminum Nitride Films 알루미늄 질화물 필름
Textured polycrystalline aluminum nitride films were grown by magnetron sputtering of an aluminum target in a mixture of argon and nitrogen, followed by the formation of a film on sitall substrates. [1] We demonstrate sputtering of high-quality aluminum nitride films onto prefabricated silicon nitride photonic circuits, simplifying their nanofabrication. [2] To ensure the optimal combination of the properties of the thin-film layers of piezoelectric structures and achieve the required characteristics of resonators and devices for selecting and generating of the signals based on them, the influence of technological modes of aluminum nitride films formation on the surface morphology, structure and elemental composition of films used in the construction of microelectronic bulk acoustic waves (BAW) resonator with Bragg reflector, the optimal modes are determined that satisfy the requirements for film layers for a piezoelectric transducer and Bragg reflector. [3] Scandium aluminum nitride films with 22% scandium atomic content (Sc0. [4] The high-temperature MOCVD growth of aluminum nitride films aggravate the gas phase parasitic reaction due to the pre-mixing of reactive gases. [5] The possibility of surface modification of thin polycrystalline aluminum nitride films by bombardment with argon cluster ion beam is investigated. [6] When producing aluminum nitride films used in radio electronic devices on bulk (BAW) and surface acoustic waves (SAW), such as resonators, filters, sensors, by magnetron sputtering, a problem arises due to the large surface roughness of the films, as a result of which acoustic waves scatter on irregularities and, as a result, deterioration of the resonance characteristics of the devices. [7] Various waveguide-based test vehicles, implemented in single-crystal silicon and transduced by thin aluminum nitride films, are demonstrated. [8] The BAW resonator consists of the piezoelectric transducer based on aluminum nitride films with thin-film electrodes of aluminum and the Bragg reflector based on four pairs layers of molybdenum and silicon dioxide between which adhesion layers are placed. [9] The BAW resonator consists of the piezoelectric transducer based on aluminum nitride films with thin-film electrodes of aluminum and the Bragg reflector based on four pairs layers of molybdenum and silicon dioxide between which adhesion layers are placed. [10]아르곤과 질소의 혼합물에서 알루미늄 타겟의 마그네트론 스퍼터링에 의해 조직화된 다결정질화알루미늄 필름을 성장시킨 다음, 기판 상에 필름을 형성하였다. [1] 우리는 고품질의 질화알루미늄 필름을 조립식 질화규소 광자 회로에 스퍼터링하여 나노 제조를 단순화하는 방법을 보여줍니다. [2] nan [3] nan [4] nan [5] nan [6] nan [7] 단결정 실리콘으로 구현되고 얇은 질화알루미늄 필름으로 변환된 다양한 도파관 기반 테스트 차량이 시연됩니다. [8] BAW 공진기는 알루미늄 박막 전극이 있는 질화알루미늄 필름을 기반으로 하는 압전 변환기와 접착층이 그 사이에 배치된 몰리브덴과 이산화규소의 4쌍 층을 기반으로 하는 Bragg 반사기로 구성됩니다. [9] nan [10]
Titanium Nitride Films 질화 티타늄 필름
To anchor our approach, we experimentally investigate the short pulse laser-induced damage of thin gold, indium tin oxide, and titanium nitride films. [1] Titanium nitride films were deposited by reactive magnetron sputtering on Si (100) wafers, glass and Ti6Al4V substrates. [2] The qubits used aluminum and titanium nitride films on silicon substrates without substantial silicon etching. [3] In this work, a negative substrate bias was introduced as an additional power for the reactive sputtering of titanium nitride films. [4] Here, we present frequency-tunable high-Q superconducting resonators fabricated from thin niobium nitride and niobium titanium nitride films. [5] Doping was straightforwardly obtained by oxidizing as-sputtered titanium nitride films containing N-metal bonds varying from 7. [6] This paper investigated the use of this method for the deposition of titanium nitride films on a glass substrate, demonstrating its promising application in nanostructured materials with good electrical and optical properties. [7] Titanium nitride films deposited by conventional magnetron sputtering are prone to contamination, especially residual gas species, and the composition and properties can be affected. [8] Patterned titanium nitride films grown via PE-ALD exhibit plasmonic colors along with being scratch resistant and durable making them an attractive choice for applications that require robust materials such as security holograms and labels. [9]우리의 접근 방식을 고정하기 위해 우리는 얇은 금, 인듐 주석 산화물 및 티타늄 질화물 필름의 단 펄스 레이저 유도 손상을 실험적으로 조사했습니다. [1] 티타늄 질화물 필름은 Si(100) 웨이퍼, 유리 및 Ti6Al4V 기판에 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 증착되었습니다. [2] 큐비트는 실질적인 실리콘 에칭 없이 실리콘 기판에 알루미늄 및 질화 티타늄 필름을 사용했습니다. [3] 이 연구에서, 질화 티타늄 필름의 반응성 스퍼터링을 위한 추가 전력으로 음의 기판 바이어스가 도입되었습니다. [4] nan [5] 도핑은 7에서 다양한 N-금속 결합을 포함하는 스퍼터링된 질화 티타늄 필름을 산화시켜 직접적으로 얻어졌습니다. [6] nan [7] nan [8] nan [9]
Carbon Nitride Films
The biocompatibility and hemolysis rate of graphitic carbon nitride films were studied via in vitro cellular experiments and in vivo animal experiments. [1] Herein we synthesized free-standing carbon nitride films by heating guanidine carbonate at different temperatures (550–610 °C) and obtained a carbon nitride actuator at the temperature of 570 °C. [2] The electron-hole recombination mechanism for the transition metal doped carbon nitride films was further elaborated. [3] The structural and optical properties of carbon nitride films doped with nickel or europium have been investigated. [4] Here, we employ the facile thermal condensation method to synthesize flexible carbon nitride films that can convert slight variations in surrounding humidity to multiple distinct deformations. [5] The authors synthesized carbon nitride films on chromium steel substrate under various conditions by unbalanced magnetron sputtering method. [6] Herein, freestanding carbon nitride films were prepared by the physical vapor deposition method using bulk g-C3N4 powder as a starting material. [7]흑연질화탄소막의 생체적합성과 용혈률은 생체 외 세포 실험과 생체 내 동물 실험을 통해 연구되었습니다. [1] 여기에서 우리는 다른 온도(550–610°C)에서 구아니딘 카보네이트를 가열하여 독립형 탄소 질화물 필름을 합성하고 570°C의 온도에서 탄소 질화물 액추에이터를 얻었다. [2] nan [3] 니켈 또는 유로퓸이 도핑된 질화탄소 필름의 구조적 및 광학적 특성이 조사되었습니다. [4] nan [5] nan [6] nan [7]
Boron Nitride Films 질화붕소 필름
By respectively using Boron trichloride and ammonia as the boron source and the nitrogen source, and nitrogen as the carrier gas, hexagonal boron nitride films were grown on (100) silicon substrates via a low-pressure chemical vapor deposition method in a deposition temperature range of 900–1300 °C with a total pressure of 100 Pa. [1] Using QAr / QN2-5/1 ratios, an increased consistency of the microstructure and further c-BN step formation suggest a fundamental technique for producing superior quality cubic boron nitride films. [2] The materials that are characterized include one-dimensional (1D) carbon nanotubes, and two-dimensional (2D) graphene and boron nitride films. [3] We show here that owing to an enhanced interaction cross section with electrons in a type I van der Waals heterostructure, made of single layer molybdenum disulphide and thin boron nitride films, electrons and holes created in boron nitride can be transferred to the dichalcogenide where they form electron-hole pairs yielding luminescence. [4] For example, the optimal phase of hexagonal boron nitride films is found to be −90°, which paves the way towar. [5]붕소원과 질소원으로 삼염화붕소와 암모니아를, 캐리어 가스로 질소를 각각 사용하여, (100) 실리콘 기판 상에 육방정계 질화붕소막을 증착 온도 범위에서 저압 화학 기상 증착법을 통해 성장시켰다. 900–1300 °C, 총 압력 100 Pa. [1] QAr / QN2-5/1 비율을 사용하여 미세 구조의 일관성 증가와 c-BN 단계 형성은 우수한 품질의 입방정 질화붕소 필름을 생산하기 위한 기본 기술을 제안합니다. [2] 1차원(1D) 탄소 나노튜브와 2차원(2D) 그래핀 및 질화붕소 필름이 특징입니다. [3] 우리는 여기에서 단일 층 이황화 몰리브덴과 얇은 질화 붕소 필름으로 구성된 I 형 반 데르 발스 헤테로 구조에서 전자와의 향상된 상호 작용 단면으로 인해 질화 붕소에서 생성 된 전자와 정공이 그들이 형성하는 디칼코게나이드로 전달 될 수 있음을 보여줍니다 발광을 생성하는 전자-정공 쌍. [4] nan [5]
Gallium Nitride Films
This paper presents a study on the incubation effect during fs-laser micromachining of gallium nitride films with three different wavelengths (1030, 515 and 343 nm) by varying the number of laser pulses applied per sample surface area and measuring the damage threshold fluence using the zero damage method. [1] In situ measurements based on coherent X-ray spectroscopy are performed during the epitaxial growth of gallium nitride films, revealing a memory effect in the arrangement of islands formed on successive crystal layers. [2] We studied the evolution of the incubation effect during fs-laser micromachining of gallium nitride films with the number of laser pulses applied per sample surface area. [3] The reflection and attenuated total reflection spectra of aluminum and gallium nitride films doped with silicon on sapphire substrates with a buffer layer of aluminum nitride have been measured. [4] Gallium nitride films were etched at 400 °C and 20 Pa with a radio-frequency-generated Cl2–BCl3 mixed plasma. [5]이 논문은 샘플 표면적당 인가된 레이저 펄스의 수를 변화시키고 손상 임계값 플루언스를 측정함으로써 세 가지 파장(1030, 515 및 343 nm)을 갖는 질화갈륨 필름의 fs-레이저 미세가공 중 인큐베이션 효과에 대한 연구를 제시합니다. 제로 데미지 방식. [1] 간섭성 X선 분광법을 기반으로 한 현장 측정은 질화갈륨 필름의 에피택셜 성장 동안 수행되어 연속적인 결정층에 형성된 섬 배열의 메모리 효과를 나타냅니다. [2] 우리는 샘플 표면적당 적용된 레이저 펄스의 수를 사용하여 질화갈륨 필름의 fs-레이저 미세가공 중 인큐베이션 효과의 진화를 연구했습니다. [3] 질화알루미늄 버퍼층이 있는 사파이어 기판에 실리콘으로 도핑된 알루미늄 및 질화갈륨 필름의 반사 및 감쇠 전반사 스펙트럼이 측정되었습니다. [4] nan [5]
Hafnium Nitride Films 하프늄 질화물 필름
By inducing the vertical growth of surface mounds, super-rough Ag-doped hafnium nitride films were prepared. [1] Hafnium nitride films with a single δ-HfN phase show the highest hardness values of 24. [2] The structural properties of hafnium nitride films are mainly influenced by the deposition conditions, which are affected by the sputtering technique. [3] Structural and optical properties of atomic layer deposited hafnium nitride films have been investigated in terms of hot carrier solar cell (HCSC) application. [4]표면 마운드의 수직 성장을 유도하여 매우 거친 Ag 도핑된 하프늄 질화물 필름을 제조했습니다. [1] 단일 δ-HfN 상을 갖는 질화 하프늄 필름은 24의 가장 높은 경도 값을 나타냅니다. [2] 질화 하프늄 필름의 구조적 특성은 주로 스퍼터링 기술의 영향을 받는 증착 조건에 의해 영향을 받습니다. [3] 원자층 증착된 하프늄 질화물 필름의 구조적 및 광학적 특성은 핫 캐리어 태양 전지(HCSC) 응용 측면에서 조사되었습니다. [4]
Ternary Nitride Films
In this work, TixZr1−xNy ternary nitride films were prepared by magnetron co-sputtering method, and the effects of metal content and nitrogen content on the structural and plasmonic properties of the films were investigated. [1] Ternary nitride films (MXN) of transition metals (X) have been extensively investigated due to their high hardness, corrosion and wear resistance. [2] TixZr1−xNy ternary nitride films were prepared by magnetron co-sputtering method, and the effects of bias voltage and temperature on the structure and dielectric properties of the films were investigated. [3]이 연구에서 TixZr1-xNy 삼원 질화물 필름은 마그네트론 공동 스퍼터링 방법으로 제조되었으며 금속 함량과 질소 함량이 박막의 구조적 및 플라즈몬 특성에 미치는 영향을 조사했습니다. [1] 전이 금속(X)의 삼원 질화물 필름(MXN)은 높은 경도, 부식 및 내마모성으로 인해 광범위하게 조사되었습니다. [2] nan [3]
Metal Nitride Films
Oxygen is often detected as impurity in metal and metal nitride films prepared by atomic layer deposition (ALD) and its presence has profound and adverse effects on the material properties. [1] The influences of polishing as well as plasma etching processes on the surface roughness and residual stresses of the TBCs were correlated with the adhesion of the metal nitride films. [2] In order to overcome the aforesaid issues, dry microneedles electrodes were micromachined of size with base diameter 120 µm, tip diameter ranging between 5-10 µm and height 180-200 µm using biocompatible polymer, polymethyl methacrylate (PMMA) pellet and coated with metallic and metal nitride films to a total deposited film thickness ranging between 800-850 nm, those were both biocompatible and conductive. [3]산소는 원자층 증착(ALD)에 의해 제조된 금속 및 금속 질화물 필름에서 불순물로 종종 검출되며 그 존재는 재료 특성에 심각하고 부정적인 영향을 미칩니다. [1] TBC의 표면 거칠기와 잔류 응력에 대한 연마 및 플라즈마 에칭 공정의 영향은 금속 질화막의 접착력과 상관관계가 있었습니다. [2] 이러한 문제를 극복하기 위해 생체적합성 고분자인 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 펠렛을 사용하여 베이스 직경 120μm, 팁 직경 5-10μm, 높이 180-200μm의 크기로 건식 미세바늘 전극을 미세 가공하고 금속 및 코팅 금속 질화물 필름을 800-850 nm 범위의 총 증착 필름 두께로 만들면 생체 적합성과 전도성이 있습니다. [3]
Aluminium Nitride Films
A pulsed atomic-layer epitaxy growth technique has been introduced to substantially diminish the induced strain and oxygen incorporation on aluminium nitride films grown at standard pressure by metal organic chemical vapour deposition. [1] Highly c -axis-oriented scandium-doped aluminium nitride films (ScAlN) were prepared on platinum substrates by DC magnetron sputtering. [2] The aluminium nitride films were deposited by metal organic chemical vapour deposition using the pulsed atomic-layer epitaxy technique at a relatively low growth temperature for ammonia flux densities between 2. [3]nan [1] 높은 c DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 백금 기판 상에 축 배향 스칸듐 도핑 알루미늄 질화막(ScAlN)을 제조하였다. [2] 질화알루미늄 필름은 2 사이의 암모니아 플럭스 밀도에 대해 상대적으로 낮은 성장 온도에서 펄스 원자층 에피택시 기술을 사용하여 금속 유기 화학 기상 증착에 의해 증착되었습니다. [3]
nitride films prepared 질화물 필름 준비
Molybdenum carbonitride films prepared by plasma enhanced atomic layer deposition were studied for use as Schottky contacts to n-type gallium nitride. [1] Oxygen is often detected as impurity in metal and metal nitride films prepared by atomic layer deposition (ALD) and its presence has profound and adverse effects on the material properties. [2] The study was devoted to optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films prepared by reactive magnetron sputtering in argon-nitrogen atmosphere onto cold (unheated) substrates. [3]플라즈마 강화 원자층 증착에 의해 제조된 몰리브덴 탄질화물 필름은 n형 질화갈륨에 대한 쇼트키 접촉으로 사용하기 위해 연구되었습니다. [1] 산소는 원자층 증착(ALD)에 의해 제조된 금속 및 금속 질화물 필름에서 불순물로 종종 검출되며 그 존재는 재료 특성에 심각하고 부정적인 영향을 미칩니다. [2] 이 연구는 차가운(가열되지 않은) 기판에 아르곤-질소 분위기에서 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 준비된 비화학량론적 질화규소 필름의 광학적 특성화에 전념했습니다. [3]
nitride films containing
In this work, silicon nitride films containing terbium were deposited by reactive magnetron co-sputtering in a nitrogen enriched plasma and subjected to rapid thermal annealing treatments. [1] Doping was straightforwardly obtained by oxidizing as-sputtered titanium nitride films containing N-metal bonds varying from 7. [2]이 작업에서 테르븀을 포함하는 질화규소 필름은 질소가 풍부한 플라즈마에서 반응성 마그네트론 공동 스퍼터링에 의해 증착되고 급속 열처리 처리를 받았습니다. [1] 도핑은 7에서 다양한 N-금속 결합을 포함하는 스퍼터링된 질화 티타늄 필름을 산화시켜 직접적으로 얻어졌습니다. [2]
nitride films onto
We demonstrate sputtering of high-quality aluminum nitride films onto prefabricated silicon nitride photonic circuits, simplifying their nanofabrication. [1] Thus, modification using silver silicon nitride films onto Ti64 via magnetron sputtering technique was proposed. [2]우리는 고품질의 질화알루미늄 필름을 조립식 질화규소 광자 회로에 스퍼터링하여 나노 제조를 단순화하는 방법을 보여줍니다. [1] nan [2]
nitride films doped
The structural and optical properties of carbon nitride films doped with nickel or europium have been investigated. [1] The reflection and attenuated total reflection spectra of aluminum and gallium nitride films doped with silicon on sapphire substrates with a buffer layer of aluminum nitride have been measured. [2]니켈 또는 유로퓸이 도핑된 질화탄소 필름의 구조적 및 광학적 특성이 조사되었습니다. [1] 질화알루미늄 버퍼층이 있는 사파이어 기판에 실리콘으로 도핑된 알루미늄 및 질화갈륨 필름의 반사 및 감쇠 전반사 스펙트럼이 측정되었습니다. [2]
nitride films deposited
However, silicon nitride films deposited directly on the wafer by low-pressure chemical vapor deposition exhibit large tensile stress, which may cause cracks. [1] Titanium nitride films deposited by conventional magnetron sputtering are prone to contamination, especially residual gas species, and the composition and properties can be affected. [2]그러나 저압 화학기상증착법으로 웨이퍼에 직접 증착된 질화규소막은 인장응력이 커서 크랙이 발생할 수 있다. [1] nan [2]