Nanotube Field Effect(나노튜브 전계 효과)란 무엇입니까?
Nanotube Field Effect 나노튜브 전계 효과 - In order to realize this circuit, carbon nanotube field-effect transistor (CNFET) devices are utilized. [1] A photoinduced electrostatic doping effect based on bottom-gate carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with poly (urea-urethane) as dielectric is reported for the first time. [2] A novel band-to-band tunneling junctionless carbon nanotube field-effect transistor, endowed with a lightly doped pocket underneath the coaxial gate, is computationally proposed herein. [3] Carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) is one of the promising technologies that able to improve size and speed issues. [4] We developed a fast (2-3 min), easy-to-use, low-cost, and quantitative electrochemical biosensor based on carbon nanotube field-effect transistor (CNT-FET) that allows digital detection of the SARS-CoV-2 S1 in fortifited saliva samples for quick and accurate detection of SARS-CoV-2 S1 antigens. [5] The performance and scalability of silicon nanowire field-effect transistor (SiNWFET) and carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) with surround gate geometry were studied using such tools as material exploration and design analysis (MedeA) and device modeling and simulation SilvacoTCAD. [6] In this paper, a quaternary non-volatile memory cell is designed and simulated using the threshold voltage tunability feature of gate-all-around carbon nanotube field-effect transistor transistors (GAA-CNTFET) and nonvolatile property of the magnetic tunnel junctions (MTJ). [7] In this paper, we propose Marvel, a monolithic 3D stacked resistive DNN accelerator, which consists of carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) based low-power ADC/DACs, CNFET logic, CNFET SRAM, and high-density global buffers implemented by cross-point Spin Transfer Torque Magnetic RAM (STT-MRAM). [8] In this brief, based on the negative capacitance (NC) feature of the ferroelectric materials and the well-proven electronic properties of the carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET), we have proposed ultra-compact ternary logic gates. [9] Carbon nanotube field-effect transistors are promising for such applications, but key performance metrics, including operating frequency, at present fall below theoretical predictions. [10] Suspended carbon nanotube field-effect transistors fabricated with a dry transfer technique demonstrate strong promise as ultra-low-power, hysteresis-free gas sensors. [11] In this paper, a dopingless nanotube field-effect transistor (DL-NT-FET) has been proposed and its performance analysis is carried out by eliminating doping, which is brought in by the application of the charge-plasma technique. [12] A carbon nanotube field-effect transistors (CNFET) device has been reported as a potential candidates for AI devices requiring ultra-low power and high-throughput due to their satisfactory carrier mobility and symmetrical, good subthreshold electrical performance. [13] A high-k gate stack LG nanotube field-effect transistor (LG-NT-FET) is investigated for improving the analog performance and reduced leakage current. [14] The CNTFETs used in the simulation have been obtained from the Verilog A version of the sub-10nm Stanford Virtual-Source Carbon Nanotube Field-Effect Transistors (VS-CNFET) Model. [15] This work proposes an ultra-efficient nonvolatile ternary flip-flop (FF) based on negative capacitance carbon nanotube field-effect transistors (NC-CNTFETs). [16] In this paper, the role of junctionless (JL) paradigm in boosting the gas sensing performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) is investigated. [17] This article presents two spintronic ternary retention FFs, and a nonvolatile universal ternary shift register (NUTSR) based on gate-all-around carbon nanotube field-effect transistors (GAA-CNTFETs) and nonvolatile magnetic tunnel junction (MTJ). [18] Carbon nanotube field-effect-transistors (CNTFETs) are expected to achieve significant energy efficiency benefits versus today’s silicon-based FETs. [19] Sensitivity to process variations and manufacturing defects are major showstoppers for the high-volume manufacturing of carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs). [20] We present quantum simulations of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) based on top-gated architectures and compare to electrical characterization on devices with 15 nm channel lengths. [21] This paper, numerically assesses the analog/RF performance of nanoscale negative capacitance junctionless carbon nanotube field-effect transistor (NCJL-CNTFET). [22] The target of this work is to decrease energy consumption by (1) using Multiple-valued logic (MVL) that shows notable enhancements regarding energy consumption over binary circuits and (2) using carbon nanotube field-effect transistors (CNFET) that show better performance than CMOS. [23] The peripheral circuitries are designed based on the gate-all-around carbon nanotube field-effect transistor (GAA-CNTFET). [24] A method for designing carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) with optimized oxide thickness is proposed herein. [25] In this article, we present a computational investigation on nanoscale coaxial-gate negative-capacitance carbon nanotube field-effect transistor (NC CNTFET). [26] In this paper, 4-Trit Ternary Adder-Subtractor (TAS) using Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) and Carbon Nanotube Field-Effect Transistor (CNFET) is proposed, which demonstrates the ternary addition and subtraction with a single circuit. [27] In this paper, a dopingless nanotube field-effect transistor (DL-NT-FET) has been proposed and its performance analysis is done using a technology computer-aided design (TCAD) tool, ATLAS provided by Silvaco. [28] These alternatives include nanowire transistors, carbon nanotube field-effect transistors, quantum-dot cellular automata, and graphene nanoribbon field-effect transistors (GNRFETs). [29] The unique characteristic of carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) to control the threshold voltage of the device by adjusting the CNT diameter favors their suitability for ternary design implementation. [30] 1-Trit and 2-Trit Ternary comparator circuits using Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) as well as Carbon Nanotube Field-Effect Transistor (CNTFET) is proposed and investigated for Low Power High-performance applications. [31] A new voltage mode, carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) based multiple input single output active only biquadratic filter (AOBF), is presented. [32] We have systematically investigated the effects of hydrogen annealing on Ni- and Al-contacted carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs), whose work functions have not been affected by hydrogen annealing. [33] In this paper, we have investigated the stability and power consumption of an 8 transistor (8 T) carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) based static random-access memory (SRAM) cell. [34] In this paper, we present two novel approximate Full Adder cells with capacitive threshold logic (CTL) using carbon nanotube field-effect transistor (CNFET) technology. [35] Carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) with optimized oxide thicknesses have been proposed. [36] This paper probes the significance of thermal management applications in carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). [37]이 회로를 구현하기 위해 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 장치가 사용됩니다. [1] 유전체로 폴리(우레아-우레탄)를 사용하는 하단 게이트 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNT-FET)를 기반으로 한 광유도 정전 도핑 효과가 처음으로 보고되었습니다. [2] 동축 게이트 아래에 약간 도핑된 포켓이 부여된 새로운 대역 대 대역 터널링 접합 없는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터가 여기에서 계산적으로 제안됩니다. [3] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 크기 및 속도 문제를 개선할 수 있는 유망한 기술 중 하나입니다. [4] 우리는 SARS-CoV-2 S1의 디지털 검출을 가능하게 하는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNT-FET)를 기반으로 하는 빠르고(2-3분), 사용하기 쉽고, 저렴하고, 정량적인 전기화학 바이오센서를 개발했습니다. SARS-CoV-2 S1 항원의 빠르고 정확한 검출을 위한 강화된 타액 샘플. [5] 실리콘 나노와이어 전계 효과 트랜지스터(SiNWFET)와 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 성능과 확장성은 재료 탐색 및 설계 분석(MedeA), 장치 모델링 및 시뮬레이션 SilvacoTCAD와 같은 도구를 사용하여 연구되었습니다. [6] 이 논문에서는 게이트 만능 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 트랜지스터(GAA-CNTFET)의 문턱 전압 조정 기능과 자기 터널 접합(MTJ)의 비휘발성 특성을 사용하여 4차 비휘발성 메모리 셀을 설계하고 시뮬레이션합니다. . [7] 이 논문에서 우리는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기반 저전력 ADC/DAC, CNFET 로직, CNFET SRAM 및 교차점 스핀 전달 토크 자기 RAM(STT-MRAM). [8] 이 요약에서 우리는 강유전체 재료의 음의 정전용량(NC) 특성과 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 잘 입증된 전자 특성을 기반으로 초소형 삼항 논리 게이트를 제안했습니다. [9] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터는 이러한 응용 분야에 유망하지만 작동 주파수를 포함한 주요 성능 지표는 현재 이론적인 예측보다 낮습니다. [10] 건식 전달 기술로 제작된 매달린 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터는 초저전력, 히스테리시스가 없는 가스 센서로서의 강력한 가능성을 보여줍니다. [11] 본 논문에서는 도핑이 없는 나노튜브 전계효과 트랜지스터(DL-NT-FET)를 제안하고 전하-플라즈마 기법을 적용하여 도핑을 제거하여 성능을 분석하였다. [12] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 장치는 만족스러운 캐리어 이동성과 대칭적이고 우수한 임계치 이하 전기 성능으로 인해 초저전력 및 높은 처리량을 요구하는 AI 장치의 잠재적 후보로 보고되었습니다. [13] 아날로그 성능을 개선하고 누설 전류를 줄이기 위해 고유전율 게이트 스택 LG 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(LG-NT-FET)가 조사되었습니다. [14] 시뮬레이션에 사용된 CNTFET는 10nm 이하 Stanford Virtual-Source Carbon Nanotube Field-Effect Transistors(VS-CNFET) 모델의 Verilog A 버전에서 얻었습니다. [15] 이 연구는 음의 정전용량 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(NC-CNTFET)를 기반으로 하는 매우 효율적인 비휘발성 삼원 플립플롭(FF)을 제안합니다. [16] 이 논문에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 가스 감지 성능을 향상시키는 무접합(JL) 패러다임의 역할을 조사했습니다. [17] 이 기사에서는 GAA-CNTFET(게이트 만능 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터) 및 비휘발성 MTJ(자기 터널 접합)를 기반으로 하는 2개의 스핀트로닉 삼원 유지 FF와 비휘발성 범용 삼항 시프트 레지스터(NUTSR)를 제공합니다. [18] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 오늘날의 실리콘 기반 FET에 비해 상당한 에너지 효율 이점을 얻을 것으로 예상됩니다. [19] 공정 변화 및 제조 결함에 대한 민감도는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)의 대량 제조를 위한 주요 쇼스토퍼입니다. [20] 우리는 탑 게이트 아키텍처를 기반으로 하는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNT-FET)의 양자 시뮬레이션을 제시하고 15nm 채널 길이를 가진 장치의 전기적 특성과 비교합니다. [21] 이 논문에서는 나노스케일 음의 정전용량 무접합 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(NCJL-CNTFET)의 아날로그/RF 성능을 수치적으로 평가합니다. [22] 이 연구의 목표는 (1) 이진 회로보다 에너지 소비와 관련하여 눈에 띄는 향상을 보여주는 다중값 논리(MVL)를 사용하고 (2) 더 나은 성능을 보여주는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)를 사용하여 에너지 소비를 줄이는 것입니다. CMOS보다 [23] 주변 회로는 게이트 만능 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(GAA-CNTFET)를 기반으로 설계되었습니다. [24] 최적화된 산화물 두께를 가진 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 설계하는 방법이 여기에서 제안됩니다. [25] 이 기사에서는 나노 규모의 동축 게이트 음의 정전용량 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(NC CNTFET)에 대한 계산 조사를 제시합니다. [26] 본 논문에서는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)와 CNFET(Carbon Nanotube Field-Effect Transistor)를 이용한 4-Trit Ternary Adder-Subtractor(TAS)를 제안하며, 이는 단일 회로에서 삼원 덧셈과 뺄셈을 시연한다. [27] 본 논문에서는 도핑이 없는 나노튜브 전계효과 트랜지스터(DL-NT-FET)가 제안되었으며 실바코에서 제공하는 TCAD(Computer-Aided Design) 도구인 ATLAS를 사용하여 성능 분석을 수행합니다. [28] 이러한 대안에는 나노와이어 트랜지스터, 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터, 양자점 셀룰러 오토마타 및 그래핀 나노리본 전계 효과 트랜지스터(GNRFET)가 포함됩니다. [29] CNT 직경을 조정하여 장치의 임계 전압을 제어하는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 고유한 특성은 삼원 설계 구현에 적합합니다. [30] CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)와 CNTFET(Carbon Nanotube Field-Effect Transistor)를 사용하는 1-Trit 및 2-Trit 삼원 비교기 회로가 저전력 고성능 애플리케이션을 위해 제안되고 조사되었습니다. [31] 새로운 전압 모드인 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET) 기반 다중 입력 단일 출력 능동형 AOBF(이중 필터)가 제공됩니다. [32] 우리는 수소 어닐링에 의해 일 함수가 영향을 받지 않는 Ni 및 Al 접촉 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)에 대한 수소 어닐링의 효과를 체계적으로 조사했습니다. [33] 본 논문에서는 8트랜지스터(8T) 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNTFET) 기반 SRAM(Static Random-Access Memory) 셀의 안정성과 전력 소모를 조사했다. [34] 이 논문에서 우리는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기술을 사용하여 용량성 임계 논리(CTL)를 가진 두 개의 새로운 근사 전가산기 셀을 제시합니다. [35] 최적화된 산화물 두께를 가진 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)가 제안되었습니다. [36] 이 논문은 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)에서 열 관리 응용의 중요성을 조사합니다. [37]
Carbon Nanotube Field Effect
In this paper, a Gm-C anti-aliasing filter based on carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) is proposed. [1] This paper investigates the carbon nanotube field effect transistors (CNFETs) using in the design of a ternary full adder cell. [2] The proposed structure uses carbon nanotube field effect transistor. [3] Next, in order to simulate the electron transport in a gate-all-around Carbon Nanotube Field Effect Transistor, we propose a spatial hybrid strategy coupling the QDD model in the Source/Drain regions and the Schrodinger equations in the channel. [4] This paper proposes a planar inkjet-printed carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) on paper and polyethylene terephthalate (PET) substrate to reduce the complexity of the system and lower the cost of conventional fabrication schemes. [5] In this paper, a multipurpose ternary arithmetic circuit is presented for ternary processors based on carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs). [6] Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) is one of the most promising candidates in the near future for digital design due to its better electrostatics and higher mobility characteristics. [7] CNFETs (Carbon Nanotube Field Effect Transistors) are among the most outstanding candidates to replace with current semiconductor technology. [8] Currently there exist many Multi Valued Logic (MVL) based design methodologies for implementing ternary and quaternary circuits using Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) optimized for low power and delay. [9] A carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) emerged as an alternative to the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for implementing low-power high-speed very-large-scale integration circuits. [10] This paper brings in a new design, namely, voltage mode differentiator with an active element, Carbon Nanotube Field Effect Transistors Voltage Difference Transconductance Amplifier (CNVDTA). [11] The Carbon Nanotube field effect transistor (CNTFET) is a promising new device that may supersede some of the fundamental limitations of a silicon based MOSFET. [12] Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) is one such emerging device which is suitable for MVL circuits as the threshold voltage of CNTFET can easily be controlled by changing the diameter of the carbon nanotubes (CNTs). [13] A SPICE model of metal oxide based resistive random access memory (RRAM) devices is demonstrated in this paper having bipolar switching characteristics and utilizing carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) in a 1T1R configuration. [14] ABSTRACT This study presents a high-speed and energy-efficient 5-to-2 compressor cell using Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs). [15] It is a reconfigurable ALU based on double-gate carbon nanotube field effect transistor (DG-CNTFETs). [16] Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET)s are applied instead of silicon transistors to conquer the constraint of MOSFETs in nano-scale, with improving the power consumption and performance. [17] 7 V, 16 nm carbon nanotube field effect transistor (CNFET) Technology. [18] Carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) are considered the most promising devices because of their most interesting properties such as high current carrying ability (∼ 1010 A/cm2), excellent carrier mobility, scalability, high reliability for elevated temperature operation, and negligible leakage current. [19] The performance of repeaters comprising of FinFET and carbon nanotube field effect transistor (CNFET) have been evaluated based on the equivalent single conductor (ESC) model. [20] In this article an analysis of carbon nanotube field effect transistor based ring oscillator is performed. [21] We propose a single-ended disturb-free carbon nanotube field effect transistor (CNFET) based stable nine transistors (9T) SRAM cell using multi-threshold (multi-Vt) technology. [22] One of the devices is the Carbon nanotube Field Effect Transistor (CNFET). [23] In this paper, the impacts of the simultaneous switching noise (SSN) in carbon nanotube field effect transistor-based ternary circuits are investigated. [24] Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET) stands out as a substitute for CMOS technology for designing circuits in the present-day technology. [25] Among the promising devices for this purpose, carbon nanotube field effect transistor (CNFET) is qualified with outstanding characteristics which make it suitable for implementing the ternary logic functions. [26] As-fabricated carbon nanotube field effect transistors (CNTFLTs) exhibit p-type nature. [27] Hence, researchers has implemented a novel device named, CNTFET (Carbon NanoTube Field Effect Transistor). [28] This paper reports the fabrication of flexible thin inkjet printed logic gates using single-walled carbon nanotube field effect transistors (SWCNT-FET). [29] A goal of multi-threshold circuit design could be easily achieved by incorporating the scalable threshold voltage values of carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs). [30] This paper presents the analysis of gate dielectric materials using different optimization techniques for Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs). [31] In this paper, two novel inexact 1-bit Full Adder cells are presented using carbon nanotube field effect transistors (CNFETs). [32] As researchers investigated for high-performance digital circuits for future generations, Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) is considered as the most promising technology due to their excellent current driving capability and proved to be an alternative to conventional CMOS technology. [33] Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) are being proposed as candidates for nextgeneration integrated circuit technology replacing conventional MOSFET devices. [34] This study focuses on the performance parameters of the carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) like on-state current, leakage current and the current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$) which strongly modulated by the temperature of the devices and dielectric constant of gate insulators. [35] This paper conducts a comprehensive analysis and comparison between two highorder (8:2) and (8:3) compressors based on Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET) technology. [36] This chapter contains various designs of ternary logic gates and adders using complementary metal oxide semiconductor transistors (CMOS) and carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs). [37]본 논문에서는 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNTFET) 기반의 Gm-C 안티앨리어싱 필터를 제안한다. [1] 이 논문은 삼원 전가산기 셀의 설계에 사용되는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)를 조사합니다. [2] 제안된 구조는 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터를 사용한다. [3] 다음으로, 게이트 만능 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터에서 전자 전달을 시뮬레이션하기 위해 소스/드레인 영역의 QDD 모델과 채널의 슈뢰딩거 방정식을 결합하는 공간 하이브리드 전략을 제안합니다. [4] 이 논문은 시스템의 복잡성을 줄이고 기존 제조 방식의 비용을 낮추기 위해 종이와 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판에 평면 잉크젯 인쇄 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 제안합니다. [5] 이 논문에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 기반으로 하는 삼항 프로세서를 위한 다목적 삼항 산술 회로를 제시합니다. [6] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 더 나은 정전기 및 더 높은 이동성 특성으로 인해 가까운 장래에 디지털 설계를 위한 가장 유망한 후보 중 하나입니다. [7] CNFET(탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터)는 현재 반도체 기술을 대체할 가장 뛰어난 후보 중 하나입니다. [8] 현재 저전력 및 지연에 최적화된 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 사용하여 삼원 및 사차 회로를 구현하기 위한 MVL(Multi Valued Logic) 기반 설계 방법론이 많이 있습니다. [9] 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNTFET)는 저전력 고속 초대형 집적회로 구현을 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)의 대안으로 떠올랐다. [10] 이 논문은 새로운 디자인, 즉 능동 소자가 있는 전압 모드 미분기, 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 전압차 트랜스컨덕턴스 증폭기(CNVDTA)를 도입합니다. [11] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 실리콘 기반 MOSFET의 근본적인 한계 중 일부를 대체할 수 있는 유망한 새로운 소자입니다. [12] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 탄소 나노튜브(CNT)의 직경을 변경함으로써 CNTFET의 임계 전압을 쉽게 제어할 수 있기 때문에 MVL 회로에 적합한 새로운 소자 중 하나입니다. [13] 금속 산화물 기반 RRAM(Resistive Random Access Memory) 장치의 SPICE 모델은 바이폴라 스위칭 특성을 갖고 1T1R 구성에서 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 활용하는 것으로 이 문서에서 설명됩니다. [14] 초록 이 연구는 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNFET)를 사용하는 고속의 에너지 효율적인 5-to-2 압축기 셀을 제시한다. [15] 이중 게이트 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(DG-CNTFET)를 기반으로 한 재구성 가능한 ALU입니다. [16] 실리콘 트랜지스터 대신 CNTFET(Carbon Nanotube Field Effect Transistor)를 적용하여 MOSFET의 나노스케일 제약을 극복하고 소비전력과 성능을 향상시켰습니다. [17] 7V, 16nm 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기술. [18] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 높은 전류 전달 능력(~ 1010A/cm2), 우수한 캐리어 이동성, 확장성, 고온 작동에 대한 높은 신뢰성 및 무시할 수 있는 누설과 같은 가장 흥미로운 특성 때문에 가장 유망한 장치로 간주됩니다. 현재의. [19] FinFET와 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNFET)로 구성된 중계기의 성능은 ESC(Equivalent Single Conductor) 모델을 기반으로 평가되었습니다. [20] 이 기사에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 기반 링 발진기의 분석이 수행됩니다. [21] 우리는 다중 임계값(multi-Vt) 기술을 사용하여 단일 종단 방해가 없는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기반의 안정적인 9T(9T) SRAM 셀을 제안합니다. [22] 장치 중 하나는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)입니다. [23] 이 논문에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 기반 삼원 회로에서 동시 스위칭 잡음(SSN)의 영향을 조사합니다. [24] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)는 현재 기술에서 회로 설계를 위한 CMOS 기술의 대안으로 두드러집니다. [25] 이러한 목적을 위한 유망한 장치 중 CNFET(탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터)는 삼항 논리 기능을 구현하는 데 적합하도록 하는 뛰어난 특성으로 검증되었습니다. [26] 제조된 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFLT)는 p형 특성을 나타냅니다. [27] 따라서 연구원들은 CNTFET(Carbon NanoTube Field Effect Transistor)라는 새로운 장치를 구현했습니다. [28] 이 논문은 단일벽 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(SWCNT-FET)를 사용하여 유연한 얇은 잉크젯 인쇄 논리 게이트의 제조를 보고합니다. [29] 다중 임계값 회로 설계의 목표는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 확장 가능한 임계값 전압 값을 통합하여 쉽게 달성할 수 있습니다. [30] 이 문서에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)에 대한 다양한 최적화 기술을 사용하여 게이트 유전체 재료를 분석합니다. [31] 이 논문에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)를 사용하여 두 개의 새로운 부정확한 1비트 전가산기 셀을 제시합니다. [32] 연구자들이 미래 세대를 위한 고성능 디지털 회로를 연구함에 따라 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 우수한 전류 구동 능력으로 인해 가장 유망한 기술로 간주되며 기존 CMOS 기술의 대안으로 입증되었습니다. [33] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 기존 MOSFET 장치를 대체하는 차세대 집적 회로 기술의 후보로 제안되고 있습니다. [34] 이 연구는 온-상태 전류, 누설 전류 및 온도에 의해 강하게 변조되는 전류비($I_{ON}/I_{OFF}$)와 같은 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 성능 파라미터에 초점을 맞춥니다. 게이트 절연체의 장치 및 유전 상수. [35] 이 문서에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기술을 기반으로 하는 두 개의 고차(8:2) 및 (8:3) 압축기 간의 포괄적인 분석 및 비교를 수행합니다. [36] 이 장에서는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Transistor) 및 CNTFET(탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터)를 사용하는 삼항 논리 게이트 및 가산기의 다양한 설계를 포함합니다. [37]
nanotube field effect transistor
In this paper, a Gm-C anti-aliasing filter based on carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) is proposed. [1] This paper investigates the carbon nanotube field effect transistors (CNFETs) using in the design of a ternary full adder cell. [2] The proposed structure uses carbon nanotube field effect transistor. [3] Next, in order to simulate the electron transport in a gate-all-around Carbon Nanotube Field Effect Transistor, we propose a spatial hybrid strategy coupling the QDD model in the Source/Drain regions and the Schrodinger equations in the channel. [4] This paper proposes a planar inkjet-printed carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) on paper and polyethylene terephthalate (PET) substrate to reduce the complexity of the system and lower the cost of conventional fabrication schemes. [5] In this paper, a multipurpose ternary arithmetic circuit is presented for ternary processors based on carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs). [6] Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) is one of the most promising candidates in the near future for digital design due to its better electrostatics and higher mobility characteristics. [7] CNFETs (Carbon Nanotube Field Effect Transistors) are among the most outstanding candidates to replace with current semiconductor technology. [8] Currently there exist many Multi Valued Logic (MVL) based design methodologies for implementing ternary and quaternary circuits using Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) optimized for low power and delay. [9] A carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) emerged as an alternative to the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for implementing low-power high-speed very-large-scale integration circuits. [10] This paper brings in a new design, namely, voltage mode differentiator with an active element, Carbon Nanotube Field Effect Transistors Voltage Difference Transconductance Amplifier (CNVDTA). [11] The Carbon Nanotube field effect transistor (CNTFET) is a promising new device that may supersede some of the fundamental limitations of a silicon based MOSFET. [12] Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) is one such emerging device which is suitable for MVL circuits as the threshold voltage of CNTFET can easily be controlled by changing the diameter of the carbon nanotubes (CNTs). [13] A SPICE model of metal oxide based resistive random access memory (RRAM) devices is demonstrated in this paper having bipolar switching characteristics and utilizing carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) in a 1T1R configuration. [14] ABSTRACT This study presents a high-speed and energy-efficient 5-to-2 compressor cell using Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs). [15] It is a reconfigurable ALU based on double-gate carbon nanotube field effect transistor (DG-CNTFETs). [16] Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET)s are applied instead of silicon transistors to conquer the constraint of MOSFETs in nano-scale, with improving the power consumption and performance. [17] 7 V, 16 nm carbon nanotube field effect transistor (CNFET) Technology. [18] Carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) are considered the most promising devices because of their most interesting properties such as high current carrying ability (∼ 1010 A/cm2), excellent carrier mobility, scalability, high reliability for elevated temperature operation, and negligible leakage current. [19] The performance of repeaters comprising of FinFET and carbon nanotube field effect transistor (CNFET) have been evaluated based on the equivalent single conductor (ESC) model. [20] In this article an analysis of carbon nanotube field effect transistor based ring oscillator is performed. [21] We propose a single-ended disturb-free carbon nanotube field effect transistor (CNFET) based stable nine transistors (9T) SRAM cell using multi-threshold (multi-Vt) technology. [22] One of the devices is the Carbon nanotube Field Effect Transistor (CNFET). [23] In this paper, the impacts of the simultaneous switching noise (SSN) in carbon nanotube field effect transistor-based ternary circuits are investigated. [24] Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET) stands out as a substitute for CMOS technology for designing circuits in the present-day technology. [25] Among the promising devices for this purpose, carbon nanotube field effect transistor (CNFET) is qualified with outstanding characteristics which make it suitable for implementing the ternary logic functions. [26] As-fabricated carbon nanotube field effect transistors (CNTFLTs) exhibit p-type nature. [27] Hence, researchers has implemented a novel device named, CNTFET (Carbon NanoTube Field Effect Transistor). [28] This paper reports the fabrication of flexible thin inkjet printed logic gates using single-walled carbon nanotube field effect transistors (SWCNT-FET). [29] A goal of multi-threshold circuit design could be easily achieved by incorporating the scalable threshold voltage values of carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs). [30] This paper presents the analysis of gate dielectric materials using different optimization techniques for Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs). [31] In this paper, two novel inexact 1-bit Full Adder cells are presented using carbon nanotube field effect transistors (CNFETs). [32] As researchers investigated for high-performance digital circuits for future generations, Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) is considered as the most promising technology due to their excellent current driving capability and proved to be an alternative to conventional CMOS technology. [33] Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) are being proposed as candidates for nextgeneration integrated circuit technology replacing conventional MOSFET devices. [34] This study focuses on the performance parameters of the carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) like on-state current, leakage current and the current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$) which strongly modulated by the temperature of the devices and dielectric constant of gate insulators. [35] This paper conducts a comprehensive analysis and comparison between two highorder (8:2) and (8:3) compressors based on Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNFET) technology. [36] This chapter contains various designs of ternary logic gates and adders using complementary metal oxide semiconductor transistors (CMOS) and carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs). [37]본 논문에서는 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNTFET) 기반의 Gm-C 안티앨리어싱 필터를 제안한다. [1] 이 논문은 삼원 전가산기 셀의 설계에 사용되는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)를 조사합니다. [2] 제안된 구조는 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터를 사용한다. [3] 다음으로, 게이트 만능 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터에서 전자 전달을 시뮬레이션하기 위해 소스/드레인 영역의 QDD 모델과 채널의 슈뢰딩거 방정식을 결합하는 공간 하이브리드 전략을 제안합니다. [4] 이 논문은 시스템의 복잡성을 줄이고 기존 제조 방식의 비용을 낮추기 위해 종이와 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판에 평면 잉크젯 인쇄 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 제안합니다. [5] 이 논문에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 기반으로 하는 삼항 프로세서를 위한 다목적 삼항 산술 회로를 제시합니다. [6] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 더 나은 정전기 및 더 높은 이동성 특성으로 인해 가까운 장래에 디지털 설계를 위한 가장 유망한 후보 중 하나입니다. [7] CNFET(탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터)는 현재 반도체 기술을 대체할 가장 뛰어난 후보 중 하나입니다. [8] 현재 저전력 및 지연에 최적화된 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 사용하여 삼원 및 사차 회로를 구현하기 위한 MVL(Multi Valued Logic) 기반 설계 방법론이 많이 있습니다. [9] 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNTFET)는 저전력 고속 초대형 집적회로 구현을 위한 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)의 대안으로 떠올랐다. [10] 이 논문은 새로운 디자인, 즉 능동 소자가 있는 전압 모드 미분기, 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 전압차 트랜스컨덕턴스 증폭기(CNVDTA)를 도입합니다. [11] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 실리콘 기반 MOSFET의 근본적인 한계 중 일부를 대체할 수 있는 유망한 새로운 소자입니다. [12] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 탄소 나노튜브(CNT)의 직경을 변경함으로써 CNTFET의 임계 전압을 쉽게 제어할 수 있기 때문에 MVL 회로에 적합한 새로운 소자 중 하나입니다. [13] 금속 산화물 기반 RRAM(Resistive Random Access Memory) 장치의 SPICE 모델은 바이폴라 스위칭 특성을 갖고 1T1R 구성에서 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)를 활용하는 것으로 이 문서에서 설명됩니다. [14] 초록 이 연구는 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNFET)를 사용하는 고속의 에너지 효율적인 5-to-2 압축기 셀을 제시한다. [15] 이중 게이트 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(DG-CNTFET)를 기반으로 한 재구성 가능한 ALU입니다. [16] 실리콘 트랜지스터 대신 CNTFET(Carbon Nanotube Field Effect Transistor)를 적용하여 MOSFET의 나노스케일 제약을 극복하고 소비전력과 성능을 향상시켰습니다. [17] 7V, 16nm 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기술. [18] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 높은 전류 전달 능력(~ 1010A/cm2), 우수한 캐리어 이동성, 확장성, 고온 작동에 대한 높은 신뢰성 및 무시할 수 있는 누설과 같은 가장 흥미로운 특성 때문에 가장 유망한 장치로 간주됩니다. 현재의. [19] FinFET와 탄소나노튜브 전계효과 트랜지스터(CNFET)로 구성된 중계기의 성능은 ESC(Equivalent Single Conductor) 모델을 기반으로 평가되었습니다. [20] 이 기사에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 기반 링 발진기의 분석이 수행됩니다. [21] 우리는 다중 임계값(multi-Vt) 기술을 사용하여 단일 종단 방해가 없는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기반의 안정적인 9T(9T) SRAM 셀을 제안합니다. [22] 장치 중 하나는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)입니다. [23] 이 논문에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터 기반 삼원 회로에서 동시 스위칭 잡음(SSN)의 영향을 조사합니다. [24] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)는 현재 기술에서 회로 설계를 위한 CMOS 기술의 대안으로 두드러집니다. [25] 이러한 목적을 위한 유망한 장치 중 CNFET(탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터)는 삼항 논리 기능을 구현하는 데 적합하도록 하는 뛰어난 특성으로 검증되었습니다. [26] 제조된 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFLT)는 p형 특성을 나타냅니다. [27] 따라서 연구원들은 CNTFET(Carbon NanoTube Field Effect Transistor)라는 새로운 장치를 구현했습니다. [28] 이 논문은 단일벽 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(SWCNT-FET)를 사용하여 유연한 얇은 잉크젯 인쇄 논리 게이트의 제조를 보고합니다. [29] 다중 임계값 회로 설계의 목표는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 확장 가능한 임계값 전압 값을 통합하여 쉽게 달성할 수 있습니다. [30] 이 문서에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)에 대한 다양한 최적화 기술을 사용하여 게이트 유전체 재료를 분석합니다. [31] 이 논문에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET)를 사용하여 두 개의 새로운 부정확한 1비트 전가산기 셀을 제시합니다. [32] 연구자들이 미래 세대를 위한 고성능 디지털 회로를 연구함에 따라 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 우수한 전류 구동 능력으로 인해 가장 유망한 기술로 간주되며 기존 CMOS 기술의 대안으로 입증되었습니다. [33] 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)는 기존 MOSFET 장치를 대체하는 차세대 집적 회로 기술의 후보로 제안되고 있습니다. [34] 이 연구는 온-상태 전류, 누설 전류 및 온도에 의해 강하게 변조되는 전류비($I_{ON}/I_{OFF}$)와 같은 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNTFET)의 성능 파라미터에 초점을 맞춥니다. 게이트 절연체의 장치 및 유전 상수. [35] 이 문서에서는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터(CNFET) 기술을 기반으로 하는 두 개의 고차(8:2) 및 (8:3) 압축기 간의 포괄적인 분석 및 비교를 수행합니다. [36] 이 장에서는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor Transistor) 및 CNTFET(탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터)를 사용하는 삼항 논리 게이트 및 가산기의 다양한 설계를 포함합니다. [37]