Nanotube Fets
나노튜브 펫

Nanotube Fets(나노튜브 펫)란 무엇입니까?

Nanotube Fets 나노튜브 펫 - Performance analysis of junctionless nanowire and nanotube FETs will also be compared and presented. ^[1] For experiencing phenomenon at nanoscale regimes, Nanotube FETs have been explored quite attentively due to their ever-increasing application in low power electronics. ^[2]
무접합 나노와이어 및 나노튜브 FET의 성능 분석도 비교 및 ​​제시됩니다. ^[1] 나노 규모 영역에서 현상을 경험하기 위해 Nanotube FET는 저전력 전자 장치에서 계속 증가하는 적용으로 인해 매우 주의 깊게 탐구되었습니다. ^[2]

Carbon Nanotube Fets 탄소나노튜브 펫

Furthermore, the PU dielectrics are implemented in carbon nanotube FETs, demonstrating low-voltage operations (< 1. ^[1] A carry-truncated ternary multiplier, error compensation circuits, and $2 \times 2$ ternary multipliers with various accuracies are proposed using the low-power design methodology with carbon nanotube FETs. ^[2] This paper presents a novel ultra-low power yet high-performance device and circuit design paradigm for implementing ternary logic based circuits using Gate-Overlap Tunnel FETs (GOTFETs) and Carbon Nanotube FETs (CNFETs). ^[3] While Carbon Nanotube FETs (CNFETs) is preferred by many researchers around the world for low-power VLSI applications, CMOS technology is still widely used in the industry because of the availability of advanced CMOS manufacturing units. ^[4] The proposed circuit uses carbon nanotube FETs and consists of four types of logic gate: ternary clock driver, standard ternary inverter, binary inverter, and transmission gate. ^[5] Results show that the proposed design is very high-speed in comparison with carbon nanotube FETs(CNTFETs). ^[6] By coating carbon nanotube FETs with natural red blood cell membranes, the resulting biomimetic nanosensor can selectively interact with and absorb broad-spectrum hemolytic toxins regardless of their molecular structures. ^[7] In this paper, we try to reduce the power consumption and enhance the security by using SPGAL, a DPA-resistant Logic, and Carbon Nanotube FETs (CNTFETs) instead of conventional CMOS and MOSFET technology, for IoT devices. ^[8] Carbon nanotube FETs (CNFETs) promise significant energy efficiency benefits versus silicon for digital systems. ^[9] In recent years, carbon nanotube FETs with their astounding electrical properties have been in the spotlight of nanoelectronics designers. ^[10] To realize our imager, we fabricate 3 vertical circuit layers directly on top of each other: a bottom layer of silicon pixels followed by two layers of CMOS carbon nanotube FETs (CNFETs) (comprising 2,784 CNFETs) that perform in-situ edge detection in real-time, before storing data in memory. ^[11]
또한 PU 유전체는 탄소 나노튜브 FET에 구현되어 저전압 작동(< 1. ^[1] 캐리 잘린 삼항 승수, 오류 보상 회로 및 다양한 정확도의 <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$2 \times 2$ </tex-math></inline-formula> 삼항 승수는 다음과 같습니다. 탄소 나노튜브 FET와 함께 저전력 설계 방법론을 사용하여 제안되었습니다. ^[2] 이 논문에서는 GOTFET(Gate-Overlap Tunnel FET) 및 CNFET(Carbon Nanotube FET)를 사용하여 삼항 논리 기반 회로를 구현하기 위한 새로운 초저전력 고성능 장치 및 회로 설계 패러다임을 제시합니다. ^[3] 탄소 나노튜브 FET(CNFET)는 저전력 VLSI 응용 분야에 대해 전 세계의 많은 연구자들에 의해 선호되지만 CMOS 기술은 고급 CMOS 제조 장치의 가용성으로 인해 여전히 업계에서 널리 사용됩니다. ^[4] 제안된 회로는 탄소나노튜브 FET를 사용하며 3가지 클럭 드라이버, 표준 3원 인버터, 2진 인버터 및 전송 게이트의 4가지 유형의 논리 게이트로 구성됩니다. ^[5] 결과는 제안된 설계가 탄소나노튜브 FET(CNTFET)에 비해 매우 고속임을 보여줍니다. ^[6] 탄소 나노튜브 FET를 천연 적혈구막으로 코팅함으로써 생성된 생체모방 나노센서는 분자 구조에 관계없이 광범위한 스펙트럼의 용혈성 독소와 선택적으로 상호 작용하고 흡수할 수 있습니다. ^[7] 본 논문에서는 기존의 CMOS 및 MOSFET 기술 대신 DPA 내성 로직인 SPGAL과 탄소나노튜브 FET(CNTFET)를 IoT 기기에 적용하여 전력소모를 줄이고 보안을 강화하고자 한다. ^[8] 탄소 나노튜브 FET(CNFET)는 디지털 시스템에서 실리콘에 비해 상당한 에너지 효율성 이점을 약속합니다. ^[9] 최근 몇 년 동안 놀라운 전기적 특성을 가진 탄소 나노튜브 FET가 나노전자공학 설계자들의 주목을 받고 있습니다. ^[10] 이미저를 구현하기 위해 3개의 수직 회로 레이어를 서로 직접 위에 제작합니다. 실리콘 픽셀의 맨 아래 레이어와 실제 현장에서 에지 감지를 수행하는 CMOS 탄소 나노튜브 FET(CNFET)의 두 레이어(2,784 CNFET 포함) -시간, 메모리에 데이터를 저장하기 전에. ^[11]