Multilayer Hexagonal(다층 육각형)란 무엇입니까?
Multilayer Hexagonal 다층 육각형 - By using a multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) stack sandwiched by multilayer graphene (G) electrodes, we fabricate 5 µm × 5 µm cross-point Au/Ti/G/h-BN/G/Au memristors can switch between each two or three resistive states depending on the current limitation (CL) and reset voltage used. [1] In this letter, we report an oxygen-assisted chemical vapor deposition method to synthesize uniform large-area high-quality multilayer hexagonal boron nitride (hBN) films (denoted by O-hBN). [2] Here we present a facile method to allow the direct growth of multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) on Ni-coated Si wafers, which consists on placing a protective cover 30 μm above the Ni surface. [3] Here we show the fabrication of small-size cross point memristors using multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) as switching layer. [4] Crack-free crystalline AlN film was synthesized on two-dimensional multilayer hexagonal BN (h-BN) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). [5]다층 그래핀(G) 전극으로 샌드위치된 다층 육방정계 질화붕소(h-BN) 스택을 사용하여 5 µm × 5 µm 교차점 Au/Ti/G/h-BN/G/Au 멤리스터를 제작합니다. 전류 제한(CL) 및 사용된 리셋 전압에 따라 2개 또는 3개의 저항 상태. [1] 이 편지에서 우리는 균일한 대면적 고품질 다층 육각형 질화붕소(hBN) 필름(O-hBN으로 표시)을 합성하는 산소 보조 화학 기상 증착 방법을 보고합니다. [2] 여기에서 우리는 Ni 코팅된 Si 웨이퍼에서 다층 육방정계 질화붕소(h-BN)의 직접 성장을 허용하는 손쉬운 방법을 제시합니다. 이 방법은 Ni 표면 위에 보호 커버를 30μm 배치하는 것으로 구성됩니다. [3] 여기에서 우리는 다층 육방정계 질화붕소(h-BN)를 스위칭 층으로 사용하여 소형 크로스 포인트 멤리스터의 제조를 보여줍니다. [4] 균열이 없는 결정질 AlN 필름은 금속 유기 기상 에피택시(MOVPE)에 의해 2차원 다층 육각형 BN(h-BN) 위에 합성되었습니다. [5]
boron nitride h 질화붕소 h
By using a multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) stack sandwiched by multilayer graphene (G) electrodes, we fabricate 5 µm × 5 µm cross-point Au/Ti/G/h-BN/G/Au memristors can switch between each two or three resistive states depending on the current limitation (CL) and reset voltage used. [1] Here we present a facile method to allow the direct growth of multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) on Ni-coated Si wafers, which consists on placing a protective cover 30 μm above the Ni surface. [2] Here we show the fabrication of small-size cross point memristors using multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) as switching layer. [3]다층 그래핀(G) 전극으로 샌드위치된 다층 육방정계 질화붕소(h-BN) 스택을 사용하여 5 µm × 5 µm 교차점 Au/Ti/G/h-BN/G/Au 멤리스터를 제작합니다. 전류 제한(CL) 및 사용된 리셋 전압에 따라 2개 또는 3개의 저항 상태. [1] 여기에서 우리는 Ni 코팅된 Si 웨이퍼에서 다층 육방정계 질화붕소(h-BN)의 직접 성장을 허용하는 손쉬운 방법을 제시합니다. 이 방법은 Ni 표면 위에 보호 커버를 30μm 배치하는 것으로 구성됩니다. [2] 여기에서 우리는 다층 육방정계 질화붕소(h-BN)를 스위칭 층으로 사용하여 소형 크로스 포인트 멤리스터의 제조를 보여줍니다. [3]
multilayer hexagonal boron 다층 육각형 붕소
By using a multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) stack sandwiched by multilayer graphene (G) electrodes, we fabricate 5 µm × 5 µm cross-point Au/Ti/G/h-BN/G/Au memristors can switch between each two or three resistive states depending on the current limitation (CL) and reset voltage used. [1] In this letter, we report an oxygen-assisted chemical vapor deposition method to synthesize uniform large-area high-quality multilayer hexagonal boron nitride (hBN) films (denoted by O-hBN). [2] Here we present a facile method to allow the direct growth of multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) on Ni-coated Si wafers, which consists on placing a protective cover 30 μm above the Ni surface. [3] Here we show the fabrication of small-size cross point memristors using multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) as switching layer. [4]다층 그래핀(G) 전극으로 샌드위치된 다층 육방정계 질화붕소(h-BN) 스택을 사용하여 5 µm × 5 µm 교차점 Au/Ti/G/h-BN/G/Au 멤리스터를 제작합니다. 전류 제한(CL) 및 사용된 리셋 전압에 따라 2개 또는 3개의 저항 상태. [1] 이 편지에서 우리는 균일한 대면적 고품질 다층 육각형 질화붕소(hBN) 필름(O-hBN으로 표시)을 합성하는 산소 보조 화학 기상 증착 방법을 보고합니다. [2] 여기에서 우리는 Ni 코팅된 Si 웨이퍼에서 다층 육방정계 질화붕소(h-BN)의 직접 성장을 허용하는 손쉬운 방법을 제시합니다. 이 방법은 Ni 표면 위에 보호 커버를 30μm 배치하는 것으로 구성됩니다. [3] 여기에서 우리는 다층 육방정계 질화붕소(h-BN)를 스위칭 층으로 사용하여 소형 크로스 포인트 멤리스터의 제조를 보여줍니다. [4]