Molybdenum Disulfide
이황화 몰리브덴

이황화 몰리브덴은 전자의 고도로 조절 가능한 촉매 재료로서 전자 구조를 조정하는 것이 고유한 수소 발생 반응(HER) 활성을 향상시키는 데 중요합니다.

이황화몰리브덴(MoS2)의 수소 발생 반응(HER)은 활성 부위가 유한한 가장자리에 있고 확장된 기저면이 불활성으로 남아 있기 때문에 알칼리성 및 산성 용액에서 제한됩니다.

이황화 몰리브덴(MoS 2 )은 전계 효과 트랜지스터(FET)의 채널 재료로 높은 전위를 가진 널리 연구된 2차원(2D) 반도체입니다[1].

1 MeV 전자 조사 전후에 몇 층 바닥 이황화 몰리브덴(MoS2) 전계 효과 트랜지스터(FET) 장치의 재료, 전기 및 자외선 광전자 특성을 조사했습니다.

환원그래핀옥사이드와 이황화몰리브덴(rGO:MoS2)은 가장 대표적인 2차원 물질로 높은 표면적, 많은 활성점, 우수한 기계적 유연성으로 인해 습도 센서에 유망하다.

환원그래핀옥사이드 에어로겔/이산화티타늄/이황화몰리브덴으로 구성된 복합체(RGO 에어로겔/TiO2/MoS2로 약칭)는 흡착 및 광촉매 분해 메커니즘에 의해 협력적으로 용액에서 유기 염료를 제거하기 위해 개발되었습니다.

이황화 몰리브덴(MoS2)은 널리 사용되는 전이 금속 디칼코게나이드로서 수처리에서 큰 잠재력을 내포하고 있어 수생 환경에서 이의 운명과 위험에 대해 상당한 우려를 불러일으키고 있습니다.

이황화몰리브덴(MoS2)은 나노스케일 전자소자를 위한 가장 중요한 n형 2차원(2D) 전이금속 이칼코게나이드 반도체 중 하나로 간주되어 왔습니다.

여기에서는 육불화황(SF6)을 사용한 다층 2D 재료의 건식 이방성 에칭이 이러한 문제 중 일부를 극복할 수 있는 방법을 연구하여 육방정계 질화붕소(hBN), 이황화 텅스텐(WS2), 이셀렌화 텅스텐(WSe2), 이황화 몰리브덴( MoS2) 및 몰리브덴 디텔루라이드(MoTe2).

여기에서는 강유전체에 의해 게이트된 이황화몰리브덴(MoS 2 ) 포토트랜지스터에 초점을 맞추고 MoS 2와 강유전체 필름 사이에 육각형 질화붕소(h-BN) 층을 삽입하여 계면을 개선합니다.

따라서 몰리브덴 이황화물(MoS2)은 산업 표준 에피택셜 반응기에서 금속-유기 화학 기상 증착(MOCVD)에 의해 확연히 다른 테라스 및 계단 치수를 가진 두 가지 유형의 c-평면 사파이어에 증착됩니다.

이 연구에서 우리는 화학 기상 증착(CVD)에 의해 성장된 단층 이황화 몰리브덴(MoS₂)에 대한 옴 접촉 금속으로 주석(Sn)을 성공적으로 채택하여 우수한 단채널 n형 전계 효과를 입증했습니다. <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$480~\mu \text{A}/\mu \text{m}$ </tex-math>의 ON 전류에 도달하는 트랜지스터(nFET) 성능 </inline-formula> 및 OFF 전류를 0 미만으로 유지합니다.

이황화 몰리브덴(MoS2)은 반도체 거동을 보여주는 2차원 물질입니다[1].

그래핀 및 이황화 몰리브덴과 같은 2차원 재료는 종종 평면 외 변형을 받지만 전자 및 나노기계적 특성에 미치는 영향은 제대로 이해되지 않고 있습니다.

우리는 밀도 기능 이론(DFT)의 틀 내에서 평면파 자기 일관성 필드(PWscf) 방법을 사용하여 반도체 이황화 몰리브덴(MoS2) 단층(ML)의 자기 특성을 조사했습니다.

결과적으로, 금(Au) 및 은(Ag)이 도핑된 이황화몰리브덴(MoS2)(Au-Ag-MoS2)은 밀도 기능 이론(DFT) 계산을 기반으로 하는 NO 및 NO2 가스 센서로 제안됩니다.

니켈-코발트 층상 이중 수산화물(NiCo-LDH)/탄소 천에서 유래한 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트 어레이의 계층 구조는 탄소 천에 미리 증착된 NiCo-LDH 템플릿 위에 MoS2 나노시트 어레이를 성장시켜 준비했습니다. 기질.

일련의 변형된 2D 나노시트(그래핀 산화물 층상 이중 수산화물, GO-LDH, 질화붕소-LDH, BN-LDH, 이황화몰리브덴-LDH, MoS2-LDH)는 비용 효율적이고 친환경적이며, 정전기 상호 작용의 개념을 기반으로 한 손쉬운 방법.

이황화 몰리브덴(MoS2)은 전형적인 2차원(2D) 물질로서 풍부한 매장량과 독특한 전자 구조를 가지고 있습니다.

현재 대표적인 2차원 나노물질로서 이황화몰리브덴(MoS2)과 예상치 못한 효소 유사 활성을 갖는 이들의 하이브리드가 많은 주목을 받고 있다.

2차원 층상 이황화 몰리브덴과 삼산화 몰리브덴(α-MoO3)은 높은 표면적과 Mo의 다중 산화 상태로 인해 보완 에너지 저장 및 변환 응용 분야에 대한 매력적인 잠재력을 가지고 있습니다.

이황화몰리브덴(MoS2)은 독특한 2차원 층 구조와 상대적으로 높은 가역 용량으로 인해 전기화학 에너지 저장 분야에서 큰 주목을 받았습니다.

본 연구에서는 이황화몰리브덴 나노시트(CHN@MoS2) 나노물질로 장식된 탄소 속이 빈 나노구체를 간단한 방법으로 제작하고 FA의 고감도 전기화학 센서를 조립하기 위해 유리질 탄소 전극을 개질하기 위해 채택하였다.

이 작업에서 슈퍼커패시터 응용을 위한 유리 탄소 전극(GCE)에 폴리아닐린/이황화 몰리브덴-이산화망간(PANI/MoS2-MnO2) 합성물의 거동을 연구했습니다.

이 연구는 철 기반 금속 유기 골격을 사용한 6가 크롬의 광환원이 이황화 몰리브덴 도핑을 통해 향상될 수 있음을 보여줍니다.

특히 탄소 재료(예: 탄소 나노튜브), 금속 유기 골격(예: ZIF-8) 및 전이 금속 디칼코게나이드(예: 이황화 몰리브덴)는 전도성, 넓은 표면적 및 이온 확산성으로 인해 관심을 받았습니다. 특성 길이 중 하나 이상이 수 나노미터 정도일 때 나타납니다.

3차원 계층적 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노플라워는 손쉬운 원팟 열수법을 통해 합성된 다음, 설폰화된 폴리 에테르 에테르 케톤(SPEEK) 매트릭스에 포함되어 복합 PEM을 준비합니다.

PANI의 열악한 순환 안정성으로 인해 여기에서는 PANI를 하이브리드 전극 재료(MoS2@PANI)로 사용하는 성게와 같은 이황화 몰리브덴(MoS2)을 원 포트 열수 방법을 통해 시연합니다.

이황화 몰리브덴(MoS2)은 높은 이론적 용량과 신속한 이온 수송을 위한 층 구조로 인해 리튬 이온 배터리의 양극에 대한 유망한 대안입니다.

이황화몰리브덴(MoS2)은 층상구조와 높은 이론용량을 가지고 있어 나트륨이온전지의 음극재 후보물질이다.

여기에서는 그래핀/육방정계 질화붕소/몰리브덴 이황화물 반 데르 발스 이종 구조 및 마찰 전기 나노 발전기(TENG)를 기반으로 하는 새로운 다중 비트 마찰 전자식 비휘발성 메모리(T-NVM)가 제안됩니다.

포괄적인 수치적 통찰력을 제공하기 위해 균일하고 불균일한 원자 분포를 가진 4개의 서로 다른 2D 재료가 단일 평면 및 다중 평면 나노구조 구성(그래핀, 육각형 질화붕소, stanene 및 이황화몰리브덴)을 포함하는 것으로 간주됩니다.

여기에서는 위의 문제를 크게 해결할 수 있는 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT) 위에 질화규소(Si3N4)-이황화몰리브덴(MoS2) 헤테로 구조를 포함하는 음극 복합 구조를 개발합니다.

이러한 이유로 다중벽 탄소나노튜브(Si3N4/MoS2-MWCNTs)에 질화규소(Si3N4)-이황화몰리브덴(MoS2) 복합체를 기반으로 한 새로운 전기화학적 면역센서 및 코어쉘형 자기 메조포러스 실리카 이 연구에서 CYFRA21-1 검출을 위해 신호 증폭기로서 nanoparticles@gold nanoparticles(MMSNs@AuNPs)가 제시되었습니다.

우리의 연구에서 폴리에틸렌 글리콜 기능화된 이황화 몰리브덴 나노플라워(PEG-MoS2 NFs)는 1단계 열수 방법을 통해 합성되었습니다.

이 연구에서 이황화몰리브덴(MoS2) 기반 나노/미세 입자 및 코팅은 다른 첨가제 없이 간단한 1단계 열수 접근법을 통해 합성되었습니다.

이황화 몰리브덴(MoS2)은 열악한 전기 전도성과 제한된 수의 활성 부위로 인해 수소 발생에 대한 적당한 특성을 나타냅니다.

요약 2차원 이황화 몰리브덴(MoS2) 나노시트는 투명하고 유연한 마이크로 슈퍼커패시터를 위한 유망한 재료로 떠오르고 있지만 전극에서의 사용은 재적층으로 인한 열악한 전기 전도성 및 사이클 안정성으로 인해 방해를 받고 있습니다.

일반적으로 층상 전이 금속 칼코겐화물인 이황화 몰리브덴은 조정 가능한 물리적 및 화학적 특성, 저렴한 비용 및 높은 특수 용량으로 인해 차세대 고에너지 밀도 배터리의 유망한 전극 후보 중 하나로 간주됩니다.

2차원(2D) 반도체 층상 전이 금속 디칼코게나이드(LTMD) 이황화 몰리브덴(${\rm MoS})의 유효 5차 감수성 ${\chi}_{\rm eff}^{(5)}$ _2$)는 우리가 아는 한 여기에서 처음으로 보고됩니다.

중요성 우리는 최근 단일벽 탄소 나노튜브 템플릿에서 질화붕소 나노튜브 또는 이황화몰리브덴 나노튜브가 매끄럽게 성장한 동축으로 중첩된 1차원 반 데르 발스 이종 구조를 합성했습니다.

자연 도핑은 반도체 단일벽 탄소 나노튜브의 경우 p형 전기적 특성을 생성하고 기존의 귀금속 접점을 사용하는 이황화 몰리브덴의 경우 n형을 생성합니다.

여기에서 이 리뷰는 주로 그래핀, MXene, 흑연질화탄소, 이황화몰리브덴, 흑린, 그래핀을 포함한 주요 2D 전기화학-기계 액추에이터 전극의 최근 발전에 초점을 맞춥니다.

이 연구에서 이황화몰리브덴(MoS2)은 다양한 중량비(0.5%)로 흑연질화탄소(g-C3N4) 이종구조 촉매에 장식되었습니다.

여기에서는 액상 박리(LPE)를 통해 얻은 수성, 안정한 고농축 이황화몰리브덴(MoS2) 나노시트와 상용 PEDOT:PSS를 혼합하여 얻은 나노복합 수성 잉크로 용액 처리용 HTL로 적합합니다. NPL 기반 LED.

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이황화 몰리브덴(MoS2)과 같은 2차원 전이 금속 디칼코게나이드 물질(TMD)은 전기적, 기계적 및 광학적 특성으로 인해 미래 전자 응용 분야의 유망한 후보로 간주되었습니다.

이황화몰리브덴(MoS2)과 같은 2차원 전이금속 디칼코게나이드는 독특한 광학적, 전기적, 화학적 특성으로 인해 큰 주목을 받고 있습니다.

이황화몰리브덴(MoS2)은 나트륨 이온 배터리(SIB)의 잠재적인 음극 물질로 가역 용량이 높은 층 구조로 인해 큰 주목을 받았습니다.

유망한 광촉매 활성을 갖는 이황화 몰리브덴(MoS2)은 재활용 가능한 SERS 기판을 구성하는 데 큰 관심을 끌고 있습니다.

설계/방법론/접근 세 가지 윤활유를 사용하여 세 가지 브레이크 패드가 개발되었습니다. 즉, 황화 믹스가 포함된 비석면 브레이크 패드(NASM), 황화비스무트가 포함된 비석면 브레이크 패드(NABS) 및 이황화 몰리브덴이 포함된 비석면 브레이크 패드(NAMO)입니다.

여기에서, 2H 상 함량이 높은 단일 원자 루테늄 도핑된 이황화 몰리브덴(Ru@2H-MoS2) 촉매는 2단계 수열법에 의해 합성되며, 이를 Ru0로 명명한다.

2차원(2D) 이황화 몰리브덴(MoS2)은 높은 표면적과 풍부한 활성 부위로 인해 흡착제에 대한 가장 흥미로운 연구 분야 중 하나가 되었습니다.

여기에서 우리는 2차원 플라즈몬 결정과 통합된 단층 이황화 몰리브덴(MoS2) photoFET로 구성된 게이트 조정 가능한 플라즈몬 광 트랜지스터(photoFET)를 시연합니다.

04 GPa는 SERS 기질로 단층 이황화 몰리브덴(ML-MoS2)을 사용하고 프로브로 에너지 수준은 비슷하지만 대칭이 다른 3개의 유기 분자를 사용합니다.

2차원 이황화몰리브덴(MoS2)의 동적 거동을 철저히 이해하는 것은 MoS2 기반 나노전자기계 장치에 매우 중요합니다.

분말 기화는 넓은 면적의 단결정 2차원 이황화 몰리브덴을 생성하는 일반적인 방법입니다.

이 연구에서는 1T 및 2H 상을 갖는 단일층 이황화몰리브덴(MoS2)에 대한 나노입자 충격에 의한 나노포어 생성을 분석하기 위해 광범위한 반응성 분자 역학 시뮬레이션이 수행됩니다.