Molecular Semiconductor
분자반도체

Molecular Semiconductor(분자반도체)란 무엇입니까?

Molecular Semiconductor 분자반도체 - The reported results confirm that these new Pd(II) complexes form a novel class of organometallic photoconductors with intrinsic characteristics suitable for molecular semiconductors applications. ^[1] Molecular semiconductors, as the core component, determine the performance of different devices. ^[2] Despite the critical importance of the density of states (DOS) to the electrical properties of molecular semiconductors, there are few reliable measurement methods for the DOS, especially for the edge regions with low DOS that determine the charge conduction. ^[3] By showing that molecular acceptors can have duality to p-dope semiconductors and to coordinate donor gases, such behavior can be used to understand the role of frontier orbital overlapping in organic semiconductors, the formation of charge-transfer complexes via Lewis acid-base adducts in molecular semiconductors. ^[4] Covalent binding with molecular semiconductors or supramolecular organization based on selective interactions have been explored. ^[5] Chemical doping is a key process for controlling the electronic properties of molecular semiconductors, including their conductivity and work function. ^[6] Metal–organic complexes with a pair of orthogonal π-systems lead to a new stacking motif in solid state and open the way to a new branch in the family of molecular semiconductors. ^[7] Our systematic investigation on the injection barrier by the introduction of the nanostructure buffer layer will provide a useful guideline for the fabrication of high-performance FETs with molecular semiconductors. ^[8] As a nanocrystalline supramolecular semiconductor, SA-TCPP could sufficiently contact with the surface of O-CN nanosheets, resulting in a 0D/2D assembling heterostructure via π-π interaction. ^[9] In this paper we explore the design of molecular semiconductors starting from the saddle-shaped o-tetraphenylene (OTP) for the first time. ^[10] The exploration of the CISS effect in chiral supramolecular semiconductors could add greatly to the efforts made by the organic electronics community since charge recombination could be diminished and charge transport improved when the spins are preferentially guided in one specific direction. ^[11] Using our continuum time delayed model, we can categorize the typical disordered transport in the molecular semiconductors; whether is dynamic or static or intermediate disordered transport. ^[12] Clarifying the structural basis and microscopic mechanism lying behind electronic properties of molecular semiconductors is of paramount importance in further materials design to enhance the performance of perovskite solar cells. ^[13] The aims of this study were to enhance electronic, photophysical and optical properties of molecular semiconductors. ^[14] Our study suggests, at least for molecular semiconductors and dopants, that redox-potentials are better suited to identify matching material pairs and their ion pair formation yield than IE/EA values. ^[15] The understanding of magnetoresistance (MR) in organic spin valves (OSVs) based on molecular semiconductors is still incomplete after its demonstration more than a decade ago. ^[16] The quantification of the electronic transport energy gap of a molecular semiconductor is essential for pursuing any challenge in molecular optoelectronics. ^[17] In this account, we discuss the common molecular features and the related chemistry concepts across several different areas of organic electronics, including molecular semiconductors and single-molecule junctions. ^[18] We initially present a systematic study of the g-tensor shift in molecular semiconductors and establish it as a probe for the SOC strength in a series of high mobility molecular semiconductors. ^[19] This observation provides evidence for the long-standing fundamental issue of injecting spins from magnetic electrodes into the frontier levels of a molecular semiconductor. ^[20] Molecular semiconductors that possess electric field induced switching of resistivity have been of great interest as they are excellent candidates for bi-stable resistive memory devices. ^[21] Scanning tunneling microscopy reveals the C60 lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) band is strongly delocalized in two-dimensions, which is unprecedented for a molecular semiconductor. ^[22] This accounts for the role of tail states and, particularly, for thermal disorder of molecular semiconductors. ^[23] The packing mode of small‐molecular semiconductors in thin films is an important factor that controls the performance of their optoelectronic devices. ^[24] Molecular semiconductors are characterized by having very long spin relaxation times up to milliseconds, and are thus widely considered to hold immense potential for spintronic applications. ^[25]
보고된 결과는 이러한 새로운 Pd(II) 착물이 분자 반도체 응용에 적합한 고유 특성을 가진 새로운 종류의 유기금속 광전도체를 형성한다는 것을 확인시켜줍니다. ^[1] 핵심 구성 요소인 분자 반도체는 다양한 장치의 성능을 결정합니다. ^[2] 상태 밀도(DOS)가 분자 반도체의 전기적 특성에 매우 중요함에도 불구하고 DOS, 특히 전하 전도를 결정하는 DOS가 낮은 가장자리 영역에 대한 신뢰할 수 있는 측정 방법은 거의 없습니다. ^[3] 분자 수용체가 p-도프 반도체에 대해 이중성을 가질 수 있고 도너 가스를 조정할 수 있음을 보여줌으로써 이러한 행동은 유기 반도체에서 프론티어 궤도 중첩의 역할, 루이스 산-염기 부가물을 통한 전하 이동 착물의 형성을 이해하는 데 사용할 수 있습니다. 분자 반도체. ^[4] 선택적 상호 작용을 기반으로 한 분자 반도체 또는 초분자 조직과의 공유 결합이 탐구되었습니다. ^[5] 화학적 도핑은 전도성과 일함수를 포함한 분자 반도체의 전자적 특성을 제어하는 ​​핵심 공정입니다. ^[6] 한 쌍의 직교 π-시스템을 가진 금속-유기 착물은 고체 상태에서 새로운 적층 모티프를 유도하고 분자 반도체 제품군의 새로운 분기로 가는 길을 열어줍니다. ^[7] 나노구조 버퍼층의 도입으로 주입 장벽에 대한 우리의 체계적인 조사는 분자 반도체를 사용한 고성능 FET 제조에 유용한 지침을 제공할 것입니다. ^[8] 나노결정 초분자 반도체로서 SA-TCPP는 O-CN 나노시트의 표면과 충분히 접촉할 수 있어 π-π 상호작용을 통해 0D/2D 조립 이종구조를 생성할 수 있다. ^[9] 이 논문에서 우리는 처음으로 안장 모양의 o-테트라페닐렌(OTP)에서 시작하는 분자 반도체의 설계를 탐구합니다. ^[10] 키랄 초분자 반도체에서 CISS 효과에 대한 탐구는 스핀이 특정 방향으로 우선적으로 유도될 때 전하 재결합이 감소되고 전하 수송이 개선될 수 있기 때문에 유기 전자 커뮤니티의 노력에 크게 추가될 수 있습니다. ^[11] 연속체 시간 지연 모델을 사용하여 분자 반도체에서 일반적인 무질서한 수송을 분류할 수 있습니다. 동적 또는 정적 또는 중간 무질서 전송 여부. ^[12] 분자 반도체의 전자적 특성 뒤에 있는 구조적 기초와 미시적 메커니즘을 명확히 하는 것은 페로브스카이트 태양 전지의 성능을 향상시키기 위한 추가 재료 설계에서 가장 중요합니다. ^[13] 본 연구의 목적은 분자반도체의 전자적, 광물리적, 광학적 특성을 향상시키는 것이다. ^[14] 우리의 연구는 적어도 분자 반도체 및 도펀트의 경우 산화 환원 전위가 IE/EA 값보다 일치하는 물질 쌍 및 이온 쌍 형성 수율을 식별하는 데 더 적합하다고 제안합니다. ^[15] 분자 반도체를 기반으로 한 유기 스핀 밸브(OSV)의 자기 저항(MR)에 대한 이해는 10여 년 전에 입증된 후에도 여전히 불완전합니다. ^[16] 분자 반도체의 전자 수송 에너지 갭의 정량화는 분자 광전자공학의 모든 과제를 추구하는 데 필수적입니다. ^[17] 이 설명에서 우리는 분자 반도체 및 단일 분자 접합을 포함하여 유기 전자의 여러 다른 영역에서 일반적인 분자 기능과 관련 화학 개념에 대해 논의합니다. ^[18] 우리는 처음에 분자 반도체의 g-텐서 이동에 대한 체계적인 연구를 제시하고 일련의 고이동성 분자 반도체에서 SOC 강도에 대한 프로브로 이를 확립합니다. ^[19] 이 관찰은 자기 전극에서 분자 반도체의 최전선 수준으로 스핀을 주입하는 오랜 근본적인 문제에 대한 증거를 제공합니다. ^[20] 전기장 유도 저항 스위칭을 갖는 분자 반도체는 쌍안정 저항성 메모리 장치의 우수한 후보이기 때문에 큰 관심을 받았습니다. ^[21] 주사 터널링 현미경은 C60 최저 비점유 분자 궤도(LUMO) 밴드가 2차원에서 강하게 비편재화되어 있음을 보여주며, 이는 분자 반도체에 대해 전례가 없는 일입니다. ^[22] 이것은 꼬리 상태의 역할, 특히 분자 반도체의 열 장애를 설명합니다. ^[23] 박막에서 소분자 반도체의 패킹 모드는 광전자 소자의 성능을 제어하는 ​​중요한 요소입니다. ^[24] 분자 반도체는 최대 밀리초까지 매우 긴 스핀 완화 시간을 갖는 것이 특징이므로 스핀트로닉스 응용 분야에 대한 엄청난 잠재력을 보유하는 것으로 널리 간주됩니다. ^[25]

Small Molecular Semiconductor

This is the first time that the DTCDI building block has been used to develop ambipolar small molecular semiconductors, and achieved a device performance comparable to that of the DTCDI-based polymeric semiconductors. ^[1] This paper presents the fabrication and study of light dependent electrical properties of heterojunction device based on small molecular semiconductor 3, 4, 9, 10-perylene tetracarboxylic anhydride (PTCDA). ^[2] In this work, three diketopyrrolopyrrole-based conjugated small molecular semiconductors characterized by the combination of a diketopyrrolopyrrole (DPP) central core, thiazole π-conjugated moiety, and dicyanovinyl end group with different alkyl side chain substituents, 2TzDPPA1-2DCV, 2TzDPPA2-2DCV, and 2TzDPPA3-2DCV were synthesized. ^[3] Intrachain charge transport is unique to conjugated polymers distinct from inorganic and small molecular semiconductors and is key to achieving high-performance organic electronics. ^[4] This paper reports on the thin film characterization of a synthesized small molecular semiconductor N-butyl-N′-(6-hydroxyhexyl) perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimide (N-BuHHPDI) and its potential use in Ag/N-BuHHPDI/PEDOT:PSS/p-Si heterojunction device. ^[5]
DTCDI 빌딩 블록이 양극성 저분자 반도체 개발에 적용된 것은 이번이 처음으로, DTCDI 기반 고분자 반도체에 필적하는 소자 성능을 달성했다. ^[1] 이 논문은 저분자 반도체 3, 4, 9, 10-페릴렌 테트라카르복실산 무수물(PTCDA) 기반 이종접합 소자의 광 의존적 전기적 특성의 제작 및 연구를 제시한다. ^[2] 이 연구에서, 디케토피롤로피롤(DPP) 중심 코어, 티아졸 π-공액 부분 및 다른 알킬 측쇄 치환기를 갖는 디시아노비닐 말단기의 조합을 특징으로 하는 3개의 디케토피롤로피롤 기반 공액 저분자 반도체, 2TzDPPA1-2DCV, 2DCVDPPA2- 및 2TzDPPA3-2DCV를 합성하였다. ^[3] 사슬 내 전하 수송은 무기 및 저분자 반도체와 구별되는 공액 폴리머에 고유하며 고성능 유기 전자를 달성하는 데 핵심입니다. ^[4] 이 논문은 합성된 저분자 반도체 N-부틸-N'-(6-히드록시헥실) 페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실산 디이미드(N-BuHHPDI)의 박막 특성과 Ag에서의 잠재적 사용에 대해 보고합니다. /N-BuHHPDI/PEDOT:PSS/p-Si 이종접합 장치. ^[5]

Organic Molecular Semiconductor

The results are in excellent agreement with experiments, demonstrating that transport in some high-mobility organic semiconductors can still be explained within the band theory framework, and show that low-frequency rigid molecular motions control the electrical transport in organic molecular semiconductors in the bandlike regime. ^[1] In microcrystal samples of the prototypical organic molecular semiconductors rubrene and C10-DNTT (2,9-didecyl-dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene), we measured spectra of complex optical conductivity caused by photocarriers with optical-pump terahertz-probe spectroscopy. ^[2] Effect of dynamics of site energy disorder on charge transport in organic molecular semiconductors is not yet well-established. ^[3] We utilize a bottom gate OFET structure with cross-linkable polystyrene and plain polystyrene (XLPS/PS) bilayer dielectrics and dinaphthothienothiophene (DNTT) organic molecular semiconductor with tetrafluorotetracyanoquinodimethane (F4TCNQ) doping layer. ^[4]
결과는 실험과 매우 잘 일치하며, 일부 고이동성 유기 반도체의 수송은 여전히 ​​밴드 이론 프레임워크 내에서 설명될 수 있으며 저주파 강성 분자 운동이 밴드와 같은 영역에서 유기 분자 반도체의 전기적 수송을 제어함을 보여줍니다. . ^[1] 원형 유기 분자 반도체 루브렌 및 C10-DNTT(2,9-디데실-디나프토[2,3-b:2',3'-f]티에노[3,2-b]티오펜)의 미세결정 샘플에서 우리는 다음을 측정했습니다. 광 펌프 테라헤르츠 프로브 분광법을 사용한 광캐리어로 인한 복잡한 광 전도도 스펙트럼. ^[2] 위치 에너지 무질서의 역학이 유기 분자 반도체에서 전하 수송에 미치는 영향은 아직 잘 확립되어 있지 않습니다. ^[3] 우리는 가교 가능한 폴리스티렌과 일반 폴리스티렌(XLPS/PS) 이중층 유전체와 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄(F4TCNQ) 도핑층이 있는 디나프토티에노티오펜(DNTT) 유기 분자 반도체가 있는 하단 게이트 OFET 구조를 활용합니다. ^[4]

Conjugated Molecular Semiconductor

Semiconductor membranes consisting of Nylon-11 and particles of π-conjugated molecular semiconductors were manufactured by high-vacuum evaporation followed by thermal relaxation. ^[1] The controlled aggregation of organic π-conjugated molecular semiconductors within a host material (often a polymer) is important for obtaining appropriate organic film morphologies and mechanical properties for optoelectronic applications. ^[2]
나일론-11 및 π-공액 분자 반도체 입자로 구성된 반도체 멤브레인은 고진공 증발 후 열 이완을 통해 제조되었습니다. ^[1] 호스트 재료(종종 폴리머) 내의 유기 π-공액 분자 반도체의 제어된 응집은 광전자 응용 분야에 적합한 유기 필름 형태 및 기계적 특성을 얻는 데 중요합니다. ^[2]

molecular semiconductor film

Micro-structured molecular semiconductor film-based surface-enhanced Raman scattering (SERS) probes are an important analytical tool for both fundamental and technological research. ^[1] Nanostructured molecular semiconductor films are promising Surface-Enhanced Raman Spectroscopy (SERS) platforms for both fundamental and technological research. ^[2]
미세 구조 분자 반도체 필름 기반 표면 강화 라만 산란(SERS) 프로브는 기본 및 기술 연구 모두에 중요한 분석 도구입니다. ^[1] 나노구조 분자 반도체 필름은 기초 및 기술 연구 모두에 유망한 표면 강화 라만 분광법(SERS) 플랫폼입니다. ^[2]

molecular semiconductor whose

The 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene (TIPS-pentacene) is a promisor p-type solution-processable molecular semiconductor whose electrical properties are highly dependent on its morphology. ^[1] Iron phthalocyanine (FePc) is a molecular semiconductor whose building blocks are one-dimensional ferromagnetic chains. ^[2]
6,13-비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센(TIPS-펜타센)은 전기적 특성이 형태에 크게 의존하는 프로미저 p형 용액 처리 가능한 분자 반도체입니다. ^[1] 철 프탈로시아닌(FePc)은 1차원 강자성 사슬을 구성하는 분자 반도체입니다. ^[2]

molecular semiconductor material

In this paper, a molecular semiconductor material with a narrow bandgap of hexane-1,6-diammonium pentaiodobismuth (HDA-BiI5) was utilized to prepare photodetectors without electron transport layers. ^[1] 5) in air both on the solar cell performance and on the molecular semiconductor materials. ^[2]
이 논문에서는 헥산-1,6-디암모늄 펜타이오도비스무트(HDA-BiI5)의 좁은 밴드갭을 갖는 분자 반도체 재료를 사용하여 전자 수송층이 없는 광검출기를 제조했습니다. ^[1] 5) 공기 중에서 태양 전지 성능과 분자 반도체 재료 모두에서. ^[2]