Mobility Enhancement(이동성 향상)란 무엇입니까?
Mobility Enhancement 이동성 향상 - We have recently explored this phenomenon with a systematic study which found that the observed ‘mobility enhancement' in metal oxides on high-κ dielectrics is due in large part to the increased gate capacitance, which increases carrier concentration in the channel [4]. [1] However, a high ice content resulted in mobility enhancement with increasing water content because more gravel was refrozen into the ice matrix, and thus, the basal friction was lowered by the occupation of ice cubes at the bottom. [2] Mobility enhancement of molten materials guarantees the removal of undesirable surface structures through surface tension and gravity. [3] The ozone exposure on PEDOT:PSS increases the short-circuit current density (JSC) and the fill factor (FF) of PSCs in all cases with perovskite grain enlargement and hole-mobility enhancement of the devices, respectively. [4] The highest thermo power ability was related to the formation of porous structures which is a major cause of mobility enhancement. [5] The strained SiN CESL could effectively decrease the specific ON-resistance (우리는 최근에 높은 κ 유전체의 금속 산화물에서 관찰된 '이동도 향상'이 채널의 캐리어 농도를 증가시키는 게이트 커패시턴스 증가로 인한 것임을 발견한 체계적인 연구를 통해 이 현상을 조사했습니다[4]. [1] 그러나 높은 얼음 함량은 더 많은 자갈이 얼음 매트릭스로 재동결되기 때문에 수분 함량이 증가함에 따라 이동성 향상을 가져왔고, 따라서 바닥의 각얼음 점유에 의해 기저 마찰이 낮아졌다. [2] 용융 재료의 이동성 향상은 표면 장력과 중력을 통해 바람직하지 않은 표면 구조의 제거를 보장합니다. [3] PEDOT:PSS의 오존 노출은 각각 장치의 페로브스카이트 입자 확대 및 정공 이동성 향상이 있는 모든 경우에 PSC의 단락 전류 밀도(JSC) 및 충전율(FF)을 증가시킵니다. [4] 가장 높은 열전력 능력은 이동성 향상의 주요 원인인 다공성 구조의 형성과 관련이 있습니다. [5] 변형된 SiN CESL은 특정 ON 저항을 효과적으로 감소시킬 수 있습니다(<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${R} _{\text {on}}$ </tex-math></inline -공식>) 이동성 향상으로 인해 nLDMOSFET의 BV를 개선합니다. [6] 이 논문은 사지마비 환자의 이동성 향상을 위해 뇌파(EEG) 신호의 동작 인공물을 사용하는 얼굴-기계 인터페이스 시스템을 보여줍니다. [7] 목적 커넥티드 및 자율주행차(CAV)의 예상되는 이점에는 안전 및 이동성 향상이 포함됩니다. [8] 다른 한편, 수화 상태에서의 이동성 향상은 변형되지 않은 MCM-41 매트릭스 대 실릴화 매트릭스에서 약물 전달을 제어합니다. [9] 이 논문은 하반신 마비 환자의 이동성 향상을 위해 뇌파(EEG) 인공물을 기반으로 하는 안면-기계 인터페이스 시스템을 제안합니다. [10] 다량의 Sn을 포함하는 Ge1-xSnx 나노와이어는 나노전자 장치의 이동성 향상, 광전자 장치에 적용하기 위한 직접적인 밴드갭으로의 결정적인 전환 및 GeSn 기반 광자 장치의 효율성을 높이는 데 유용합니다. [11] 이 연구는 웨이퍼 본딩으로 제작된 최신 GeOI(Ge-on-insulator) pMOSFET의 이동도 향상에 대한 이론적 평가를 제시합니다. [12] NMOSFET의 더 좁은 채널은 이동성 향상 및 임계 전압 이동과 같은 방사 응답을 향상시켰습니다. [13] 깊은 트래핑 상황에서 트랩 에너지 증가에 따른 이동성 향상은 고유 상태 간의 호핑 캐리어 전송에 대한 기여 증가로 설명할 수 있습니다. [14] 반대로 HSQ 캡슐화 후에 이동성 향상이 관찰되었습니다. [15] 우리는 두 가지 설계 전략을 결합하여 페로브스카이트 태양 전지용 도펀트가 없는 트리페닐아민 기반 정공 수송 재료를 탐색합니다. [16] 낮은 전압에서 높은 k-유전체 물질을 갖는 제안된 FinFET 소자에서 이동성 향상 및 높은 전류비(Ion/Ioff)가 관찰된다. [17] 우리는 페르미 준위에 근접한 디랙 라인 노드의 에너지가 격자 왜곡 또는 변형에 민감한 결함 특성에 따라 변하여 전하 캐리어의 부호 변화와 이동성 향상을 유발한다고 제안합니다. [18] 일관된 슈뢰딩거-푸아송 기반 시뮬레이션은 이동성 향상을 위한 물리적 메커니즘을 명확히 하고 나노와이어 트랜지스터 설계에 대한 지침을 제공하는 데 사용됩니다. [19] 일치하는 점근적 확장을 사용하여 우리는 큰 것을 분석합니다. $N$ 각각의 균일 실린더 이동성 값에서 이동성 향상을 추구합니다. [20] 일반적으로 모든 nMOS 매개변수는 이동성 향상으로 인해 pMOS에 비해 더 나은 결과를 나타냅니다. [21] 이러한 기술의 역할은 종종 만성 질환 관리, 낙상 및 이동성 향상, 사회적 연결성 향상을 목표로 하는 기존 의료 서비스를 보완합니다. [22] 밀도 포화 및 이동성 향상은 이중층 스크리닝 이론과 결합된 표면 터널링 모델에 의해 반정량적으로 설명될 수 있습니다. [23] 우리는 이 모델을 사용하여 증가하는 네마틱 정렬과 다양한 분자량으로 이동성 향상을 예측합니다. [24]
Carrier Mobility Enhancement 캐리어 이동성 향상
Finally, we discuss the discrepancy in the experimentally determined carrier mobility from the literature for halide perovskite single crystals, and provide a perspective on future developments for carrier mobility enhancement. [1] The single-Kane model reveals that the physical origin of performance improvement lies in the carrier mobility enhancement and self-optimization of carrier concentration. [2] The impact of process-induced strain on carrier mobility enhancement in 7nm technology node is another major focus of this study. [3] [15–20] Since their counterpart MNiSn (M = Zr, Hf) compounds commonly possess large power factor values (≈50 μW cm−1 K−2) resulting from higher carrier mobility (over 30 cm2 V−1 s−1),[21–23] it is reasonable that the power factor of TiNiSn-based compounds can be improved via carrier mobility enhancement. [4] The conventional first order piezoresistance model has commonly been used to describe carrier mobility enhancement for low levels of process induced stress in Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (CMOS) technology. [5]마지막으로 할로겐화물 페로브스카이트 단결정에 대한 문헌에서 실험적으로 결정된 캐리어 이동도의 불일치에 대해 논의하고 캐리어 이동도 향상을 위한 향후 개발에 대한 관점을 제공합니다. [1] 단일 케인 모델은 성능 향상의 물리적 기원이 캐리어 이동성 향상 및 캐리어 집중의 자체 최적화에 있음을 보여줍니다. [2] 7nm 기술 노드에서 캐리어 이동성 향상에 대한 프로세스 유도 변형의 영향은 이 연구의 또 다른 주요 초점입니다. [3] [15-20] 대응하는 MNiSn(M = Zr, Hf) 화합물은 일반적으로 더 높은 캐리어 이동도(30 cm2 V-1 s-1 이상)로 인해 큰 역률 값(≈50 μW cm-1 K-2)을 갖기 때문에 ,[21-23] TiNiSn 기반 화합물의 역률은 캐리어 이동도 향상을 통해 향상될 수 있다는 것이 합리적입니다. [4] 기존의 1차 압저항 모델은 일반적으로 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 기술에서 낮은 수준의 프로세스 유도 응력에 대한 캐리어 이동도 향상을 설명하는 데 사용되었습니다. [5]
Electron Mobility Enhancement
As the composition of O2 gas increases in the annealing atmosphere, a notable reduction of oxygen vacancies of ZnO NPs and electron mobility enhancement are observed, indicating that O2 gas contributes to a reduction of surface defects on ZnO NPs during the annealing process. [1] 5% tensile strain, resulting in the electron mobility enhancement of 2. [2] 27% uniaxial tensile strain for the electron mobility enhancement. [3]어닐링 분위기에서 O2 가스의 조성이 증가함에 따라 ZnO NP의 산소 결손의 현저한 감소와 전자 이동도 향상이 관찰되어 O2 가스가 어닐링 공정 중 ZnO NP의 표면 결함 감소에 기여함을 나타냅니다. [1] 5% 인장 변형률로 인해 전자 이동도가 2 향상됩니다. [2] 전자 이동도 향상을 위한 27% 단축 인장 변형. [3]
Field Mobility Enhancement
The carrier mobility takes into account the low field mobility enhancement under gradual channel approximation and high field degradation. [1] The mobility model takes into account the low-field mobility enhancement as well as high-field mobility degradation because of the presence of defect states. [2]캐리어 이동성은 점진적 채널 근사 및 높은 필드 열화에서 낮은 필드 이동성 향상을 고려합니다. [1] 이동성 모델은 낮은 필드 이동성 향상과 결함 상태의 존재로 인한 높은 필드 이동성 저하를 고려합니다. [2]
Hole Mobility Enhancement
In this work, complementary metal oxide semiconductor (CMOS)-compatible metals are selected to deposit on the surface of the important p-channel building block of GaSb nanowire field-effect-transistors (NWFETs), demonstrating the efficient strategy of hole mobility enhancement by metal-semiconductor junction. [1] Embedded SiGe as locally strained Si technology has been used to improve pMOSFET device performance through hole mobility enhancement. [2]이 작업에서 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 호환 금속을 선택하여 GaSb 나노와이어 전계 효과 트랜지스터(NWFET)의 중요한 p-채널 빌딩 블록 표면에 증착함으로써 정공 이동도 향상의 효율적인 전략을 보여줍니다. 금속 반도체 접합. [1] 국부적으로 변형된 Si 기술인 임베디드 SiG는 정공 이동성 향상을 통해 pMOSFET 장치 성능을 개선하는 데 사용되었습니다. [2]
Effective Mobility Enhancement
A maximum effective mobility enhancement of 20-fold was obtained for C10-DNTT OTFTs. [1] Results are also compared to unstrained p-type SOI nanowires and effective mobility enhancement for SGOI nanowires is still observed for devices with fin width scaled down to 20 nm. [2]C10-DNTT OTFT에 대해 20배의 최대 유효 이동성 향상이 얻어졌습니다. [1] 결과는 또한 변형되지 않은 p-형 SOI 나노와이어와 비교되며 SGOI 나노와이어에 대한 효과적인 이동성 향상은 핀 너비가 20nm로 축소된 장치에서 여전히 관찰됩니다. [2]
mobility enhancement robotic
The Mobility Enhancement roBotic (MEBot) wheelchair was developed to improve the safety and accessibility of wheelchair users when facing architectural barriers. [1] OBJECTIVE To compare the Mobility Enhancement roBotic (MEBot) wheelchair's capabilities with commercial electric-powered wheelchairs (EPWs) by performing a systematic usability evaluation. [2]이동성 강화 로봇(MEBot) 휠체어는 건축상의 장벽에 직면했을 때 휠체어 사용자의 안전과 접근성을 향상시키기 위해 개발되었습니다. [1] 목적 체계적인 사용성 평가를 수행하여 이동성 향상 로봇(MEBot) 휠체어의 기능을 상용 전동 휠체어(EPW)와 비교합니다. [2]