Memory Functional(메모리 기능)란 무엇입니까?
Memory Functional 메모리 기능 - Recently reconfigurable phase change chalcogenide based metamaterials/metasurfaces have shown great promise in the realization of high speed large contrast all-optical switching and beam-steering devices with built-in memory functionality at a fraction of a wavelength in size across the ultraviolet to infrared frequency range. [1] This unique property of FeFETs enables area efficient and low-power merged logic and memory functionality, desirable for many data analytic and machine learning applications. [2] We provide capabilities beyond existing disaggregation solutions by combining traditional I/O with distributed shared-memory functionality, allowing devices to become part of the same global address space as cluster applications. [3] FEFETs merge logic and memory functionality in a single device, allowing efficient data transfer and a high packing density, which could make them vital for use in future in-memory computing architectures. [4] Based on this, a stable photo-memory functionality was accomplished with the CsPbI3:Ag/SnO2/PEDOT:PSS composite sample using a method for in situ electrically-erasing information stored in both the spectrum and image. [5] The complementary resistive switch (CRS) offers a promising logic-in-memory functionality and is a potential solution to the “von Neumann bottleneck” problem, but the CRS structure composed of two anti-serially connected bipolar resistive switching cells limits device application. [6] In this paper, we present our overall vision towards light-based optical ALmemory functionalities that may facilitate faster router AL operations, as themeans to replace slow-performing electronic counterparts. [7] The combination of 3D bioprinting techniques and low-cost portable spectrophotometer allows the development of "bio-composite materials" that is shape-memory functionalized scaffolds with a uniform distribution of ultrafine material. [8] The impact of such mechanism has been heavily studied for memory cell array of SRAMS, but not enough for peripheral circuit and its overall impact on the memory functionality. [9] This finding indicates that the mechanical characteristics and shape-memory functionality of β-type Mg-Sc alloys can be controlled by ordering the β phase. [10] Furthermore, we present a Domain Specific Language (DSL) for describing the memory functionality and timing dependencies of a JEDEC standard in just a few lines of code. [11] This article reports on logic and memory functionality of vertically stacked bidirectional junctionless (BiJL) transistor, which can be operated as nMOS or pMOS depending on the biases applied. [12] We show that a set of materials exist that exploit synergies with respect to a number of constrains including electronic contacts, memory functionality, electrooptic modulation, optical nonlinearity, and device packaging. [13] A reconfigurable field-effect transistor (RFET) with memory functionality is proposed as a new high-density synaptic device capable of exclusive NOR (XNOR) operation for a binary neural network (BNN). [14]최근 재구성 가능한 위상 변화 칼코겐화물 기반 메타 물질/메타 표면은 자외선에서 적외선 주파수에 걸쳐 크기의 일부 파장에서 메모리 기능이 내장된 고속 고대비 전광 스위칭 및 빔 조정 장치의 실현에 큰 가능성을 보여주었습니다. 범위. [1] FeFET의 이러한 고유한 속성은 많은 데이터 분석 및 기계 학습 응용 프로그램에 바람직한 영역 효율적이고 저전력 병합 논리 및 메모리 기능을 가능하게 합니다. [2] 우리는 기존 I/O와 분산 공유 메모리 기능을 결합하여 기존 분해 솔루션 이상의 기능을 제공하여 장치가 클러스터 애플리케이션과 동일한 전역 주소 공간의 일부가 되도록 합니다. [3] FEFET는 단일 장치에서 논리 및 메모리 기능을 병합하여 효율적인 데이터 전송과 높은 패킹 밀도를 허용하므로 향후 인메모리 컴퓨팅 아키텍처에서 사용하는 데 필수적입니다. [4] 이를 기반으로 CsPbI3:Ag/SnO2/PEDOT:PSS 복합 샘플을 사용하여 스펙트럼과 이미지에 저장된 정보를 제자리에서 전기적으로 삭제하는 방법을 사용하여 안정적인 사진 메모리 기능을 달성했습니다. [5] CRS(Complementary Resistive Switch)는 유망한 로직 인 메모리 기능을 제공하고 "von Neumann 병목 현상" 문제에 대한 잠재적인 솔루션이지만 두 개의 역직렬 연결된 양극성 저항성 스위칭 셀로 구성된 CRS 구조는 장치 적용을 제한합니다. [6] 이 백서에서는 느린 성능의 전자 장치를 대체하기 위한 수단으로 더 빠른 라우터 AL 작업을 촉진할 수 있는 광 기반 광학 ALmemory 기능에 대한 전반적인 비전을 제시합니다. [7] 3D 바이오프린팅 기술과 저가형 휴대용 분광광도계의 결합으로 초미세 물질이 균일하게 분포된 형상기억 기능화 지지체인 "생체 복합 물질"의 개발이 가능합니다. [8] 이러한 메커니즘의 영향은 SRAMS의 메모리 셀 어레이에 대해 많이 연구되었지만 주변 회로 및 메모리 기능에 대한 전반적인 영향에 대해서는 충분하지 않습니다. [9] 이 발견은 β형 Mg-Sc 합금의 기계적 특성과 형상 기억 기능이 β상을 정렬함으로써 제어할 수 있음을 나타냅니다. [10] 또한 몇 줄의 코드로 JEDEC 표준의 메모리 기능과 타이밍 종속성을 설명하기 위한 DSL(Domain Specific Language)을 제시합니다. [11] 이 기사에서는 적용된 바이어스에 따라 nMOS 또는 pMOS로 작동할 수 있는 수직 적층 BiJL(양방향 접합 없음) 트랜지스터의 논리 및 메모리 기능에 대해 보고합니다. [12] 우리는 전자 접점, 메모리 기능, 전기광학 변조, 광학적 비선형성 및 장치 패키징을 비롯한 여러 제약 조건과 관련하여 시너지 효과를 활용하는 일련의 재료가 존재함을 보여줍니다. [13] BNN(binary neural network)을 위한 XNOR(exclusive NOR) 연산이 가능한 새로운 고밀도 시냅스 소자로 메모리 기능을 갖춘 재구성 가능한 전계 효과 트랜지스터(RFET)가 제안됐다. [14]
Shape Memory Functional 형상 기억 기능
Accordingly, the proposed sensitizers leading to irradiated PVDF films with outstanding thermomechanical performance and shape memory functionality. [1] This review covers the general mechanisms of martensite ageing and its effects on the transformation behaviour, mechanical properties, shape memory functionality, and considers the implications on commercial utilization of the Cu-based SMAs. [2] Low twinning stress (TS) is a prerequisite for magnetic shape memory functionality in ferromagnetic martensites. [3] This potential application was also supported by the printing and damaging of an opposing thumb: shape memory functionalities were still preserved after healing, making these printed actuators suitable for the production of components for human-machine interactions. [4] It was found that the B2=>B19´=>B2T martensitic transformation destroys the shape memory functionality of NiTi but renders it excellent ductility in thermomechanical loads, introduces nanoscale heterogeneity into its austenitic microstructure and allows for its low temperature processing and shape setting. [5]따라서 제안된 증감제는 열역학적 성능과 형상 기억 기능이 뛰어난 조사된 PVDF 필름으로 이어집니다. [1] 이 검토는 마르텐사이트 노화의 일반적인 메커니즘과 변형 거동, 기계적 특성, 형상 기억 기능에 미치는 영향을 다루고 Cu 기반 SMA의 상업적 활용에 대한 영향을 고려합니다. [2] 낮은 쌍정 응력(TS)은 강자성 마르텐사이트에서 자기 형상 기억 기능을 위한 전제 조건입니다. [3] 이 잠재적인 응용 프로그램은 반대쪽 엄지손가락의 인쇄 및 손상에 의해 지원되었습니다. 형상 기억 기능은 치유 후에도 여전히 보존되어 이러한 인쇄된 액추에이터를 인간-기계 상호 작용을 위한 구성 요소 생산에 적합하게 만듭니다. [4] B2=>B19´=>B2T 마르텐사이트 변형은 NiTi의 형상 기억 기능을 파괴하지만 열역학적 하중에서 우수한 연성을 부여하고 오스테나이트 미세 구조에 나노 규모의 불균일성을 도입하고 저온 처리 및 형상 설정을 허용한다는 것이 밝혀졌습니다. [5]
memory functional magnetic
Thirteen treatment-naive patients with MDD and 13 control participants completed a hippocampus-dependent memory functional magnetic resonance imaging process-dissociation task. [1] There has been increasing interest in the clinical and experimental use of memory functional Magnetic Resonance Imaging (fMRI). [2]MDD를 가진 13명의 치료 경험이 없는 환자와 13명의 대조군 참가자가 해마 의존적 기억 기능적 자기 공명 영상 과정-해리 작업을 완료했습니다. [1] 기억 기능적 자기 공명 영상(fMRI)의 임상 및 실험 사용에 대한 관심이 증가하고 있습니다. [2]