Integer Quantum(정수 양자)란 무엇입니까?
Integer Quantum 정수 양자 - For class AIII, multifractal eigenstate and conductance analysis reveals identical statistics for states throughout the stack, consistent with the class A integer quantum-Hall plateau transition (QHPT). [1] According to Jain’s composite, fermion theory—a quantumentangled fractional quantum Hall state of electrons—can be viewed as an integer quantumHall effect of composite fermions without long-range entanglement. [2]클래스 AIII의 경우 다중 프랙탈 고유 상태 및 컨덕턴스 분석은 스택 전체의 상태에 대해 동일한 통계를 나타내며 클래스 A 정수 QHPT(양자 홀 고원 전이)와 일치합니다. [1] Jain의 합성물에 따르면, 페르미온 이론(전자의 양자 얽힌 분수 양자 홀 상태)은 장거리 얽힘이 없는 합성 페르미온의 정수 양자 홀 효과로 볼 수 있습니다. [2]
Reentrant Integer Quantum
This Wigner solid, that we call the reentrant integer quantum Hall Wigner solid, develops in a range of Landau level filling factors that is related by particle-hole symmetry to the so called reentrant Wigner solid. [1] In chapter 4, I discuss a newly seen electron crystal which manifests itself in transport measurements as a reentrant integer quantum Hall state. [2] We report experimental observation of the reentrant integer quantum Hall effect in graphene, appearing in the N=2 Landau level. [3]우리가 재진입 정수 양자 홀 위그너 고체라고 부르는 이 위그너 고체는 입자-구멍 대칭에 의해 소위 재진입 위그너 고체와 관련된 란다우 준위 충전 계수 범위에서 발생합니다. [1] 4장에서 나는 새로 나타난 전자 결정에 대해 논의합니다. 재진입 정수 양자 홀 상태로서의 전송 측정. [2] 우리는 N=2 Landau 수준에서 나타나는 그래핀의 재진입 정수 양자 홀 효과의 실험적 관찰을 보고합니다. [3]
Bosonic Integer Quantum
We find that, in general, a symmetry-enrichment pattern is specified by 4 pieces of data: $\rho$, a map from $G$ to the duality symmetry group of this $\mathrm{U}(1)$ gauge theory which physically encodes how the symmetry permutes the fractional excitations, $\nu\in\mathcal{H}^2_{\rho}[G, \mathrm{U}_\mathsf{T}(1)]$, the symmetry actions on the electric charge, $p\in\mathcal{H}^1[G, \mathbb{Z}_\mathsf{T}]$, indication of certain domain wall decoration with bosonic integer quantum Hall (BIQH) states, and a torsor $n$ over $\mathcal{H}^3_{\rho}[G, \mathbb{Z}]$, the symmetry actions on the magnetic monopole. [1] We study an interacting two-component hard-core bosons on square lattice for which, in the presence of staggered magnetic flux, the ground state is a bosonic integer quantum Hall (BIQH) state. [2]일반적으로 대칭 강화 패턴은 4가지 데이터로 지정됩니다. $\rho$, $G$에서 이 $\mathrm{U}(1)$ 게이지 이론의 이중성 대칭 그룹으로의 맵 대칭이 분수 여기를 순열하는 방법을 물리적으로 인코딩합니다. $\nu\in\mathcal{H}^2_{\rho}[G, \mathrm{U}_\mathsf{T}(1)]$, 대칭 동작 전하, $p\in\mathcal{H}^1[G, \mathbb{Z}_\mathsf{T}]$, 보소닉 정수 양자 홀(BIQH) 상태를 갖는 특정 도메인 벽 장식의 표시, 및 $\mathcal{H}^3_{\rho}[G, \mathbb{Z}]$에 대한 몸통 $n$, 자기 모노폴에 대한 대칭 작용. [1] 우리는 엇갈린 자속이 있을 때 기저 상태가 보소닉 정수 양자 홀(BIQH) 상태인 정사각형 격자에서 상호 작용하는 2성분 하드 코어 보존을 연구합니다. [2]
Dimensional Integer Quantum 차원 정수 양자
Despite the presence of long-range dipole-dipole interactions that leads to an asymmetric band structure, it is demonstrated that this system inherits the topological properties of two-dimensional integer quantum Hall systems. [1] The topological properties of the two dimensional integer quantum Hall effect are also captured by 1+1 dimensional pumping models. [2]비대칭 밴드 구조로 이어지는 장거리 쌍극자-쌍극자 상호작용의 존재에도 불구하고, 이 시스템은 2차원 정수 양자 홀 시스템의 위상 특성을 상속한다는 것이 입증되었습니다. [1] 2차원 정수 양자 홀 효과의 위상 특성은 1+1 차원 펌핑 모델로도 캡처됩니다. [2]
integer quantum hall 정수 양자 홀
This Wigner solid, that we call the reentrant integer quantum Hall Wigner solid, develops in a range of Landau level filling factors that is related by particle-hole symmetry to the so called reentrant Wigner solid. [1] The integer quantum Hall Effect (QHE) and magnetoresistance measurements are carried out at temperature range 1. [2] 7526] to conjecture that the transition in 2D disordered Dirac fermions (DDF) and the integer quantum Hall transition (IQHT) are controlled by the same fixed point and possess the same universal critical properties. [3] Odd-integer quantum Hall physics is not anticipated in the regime of suppressed tunneling for balanced layer densities, yet it is observed. [4] A narrow junction between fractional and integer quantum Hall states shows a two-terminal conductance exceeding that of the constituent fractional state. [5] An adiabatic approach put forward by Greiter and Wilczek interpolates between the integer quantum Hall effects of electrons and composite fermions by varying the statistical flux bound to electrons continuously from zero to an even integer number of flux quanta, such that the intermediate states represent anyons in an external magnetic field with the same “effective” integer filling factor. [6] We apply this framework to investigate the critical behavior of the integer quantum Hall transition of a tight-binding Hamiltonian defined on a simple square lattice. [7] During electrical characterization, the device showed the standard integer quantum Hall effect of monolayer graphene except for a broader range of several quantum Hall plateaus corresponding to small filling factors in the electron region. [8] According to recent arguments by the author, the conformal field theory (CFT) describing the scaling limit of the integer quantum Hall plateau transition is a deformed level-4 Wess-Zumino-Novikov-Witten model with Riemannian target space inside a complex Lie supergroup GL. [9] The integer quantum Hall transition (IQHT) is one of the most mysterious members of the family of Anderson transitions. [10] Integer Quantum Hall Effect, discovered in 1980 was the first property with topological association in topological insulators. [11] Despite the presence of long-range dipole-dipole interactions that leads to an asymmetric band structure, it is demonstrated that this system inherits the topological properties of two-dimensional integer quantum Hall systems. [12] Integer quantum Hall plateau transitions are usually modeled by a system of noninteracting electrons moving in a random potential. [13] For example, the typically incompatible integer quantum Hall effect and superconductivity was recently found to exist concurrently in this material family. [14] Relations and differences with the conventional integer quantum Hall (IQH) transition are also studied. [15] We also explain the composite fermion picture which describes the fractional quantum Hall effect as the integer quantum Hall effect of composite fermions. [16] Here we use recently proposed non-Abelian dualities to construct a Fibonacci state of bosons at filling ν = 2 starting from a trilayer of integer quantum Hall states. [17] We consider the properties of an integer quantum Hall effect state at filling factor one of the lowest Landau level in presence of an anisotropic Coulomb interaction potential. [18] The electron spin resonance (ESR) of two-dimensional electrons with large effective mass was studied experimentally near even filling factors of the integer quantum Hall effect. [19] Computer modelling of the integer quantum Hall effect based on self-consistent Hartee-Fock (HF) calculations has now reached an astonishing level of maturity. [20] We report complex magnetotransport patterns of the $\ensuremath{\nu}=1$ integer quantum Hall state in a GaAs/AlGaAs sample from the newest generation with a record high electron mobility. [21] We theoretically investigate the evolution of the peak height of energy-resolved electronic wave-packets ballistically propagating along integer quantum Hall edge channels at filling factor equal to two. [22] Combined advances in the epitaxial growth of a nitride superconductor with a high critical temperature and a subsequent nitride semiconductor heterostructure of metal polarity enable the observation of clean integer quantum Hall effect in the polarization-induced two-dimensional (2D) electron gas of the high-electron mobility transistor. [23] Using several measurement configurations, we study the dependence of this inductance on the length of the edge channel and on the integer quantum Hall filling fraction. [24] We study the critical properties of the noninteracting integer quantum Hall to insulator transition (IQHIT) in a "dual" composite-fermion (CF) representation. [25] Both the Shubnikov-de Haas oscillations and integer quantum Hall effect are observed, indicating high sample quality. [26] We study the integer quantum Hall plateau transition using composite fermion mean-field theory. [27] The topological properties of the two dimensional integer quantum Hall effect are also captured by 1+1 dimensional pumping models. [28] Its rich physical properties such as half-integer quantum Hall effect and device application potential have been continuously attracting great attention. [29] We construct a three-dimensional (3D), time-reversal symmetric generalization of the Chalker-Coddington network model for the integer quantum Hall transition. [30] We construct a generalization of this effective action that is invariant under Sl(2, ℤ) and can describe vortex conduction and integer quantum Hall effect. [31] In this paper, we examine the viscoelastic properties of integer quantum Hall (IQH) states in a tilted magnetic field. [32] The procedure serves to illustrate and clarify the dynamics of topological transport in general, but for the sake of concreteness, it is phrased here in terms of electron transport in a charge-ordered chain, which may be mapped exactly onto transport between edge channels in the Integer Quantum Hall Effect. [33] For previously known topological states, these two features can only be found simultaneously in the integer quantum Hall states of fermions and the $E_{8}$ state of bosons. [34] While such devices perform best in the integer quantum Hall regime at filling factor 2, the electronic interferences are restricted by the Coulomb interaction between copropagating edge channels. [35] We reproduce earlier results for the electron relaxation at the edge of an integer quantum Hall system and for the non-equilibrium Fermi edge singularity phenomenon. [36] Probing the local response of an integer quantum Hall system enables three different measures of its topology to be explored. [37] The longitudinal and Hall resistivities show Shubnikov–de Haas oscillations and integer quantum Hall plateaus, respectively. [38] The nearest-neighbor level spacing follows a new universal distribution $P_c(s)=C_1 s^2\exp[-C_2 s^{2-\gamma_0}]$ originally proposed for the level statistics of critical states in the integer quantum Hall systems or normal dirty metals (diffusive metals) at metal-to-insulator transitions, instead of the Wigner-Dyson distribution for diffusive metals. [39] The integer quantum Hall (QH) effects characterized by topologically quantized and nondissipative transport are caused by an electrically insulating incompressible phase that prevents backscattering between chiral metallic channels. [40] We revealed that 180° domain walls in a strained ferroelectric film can induce p-n junctions in a graphene channel and lead to the nontrivial temperature and gate voltage dependences of the perpendicular modes of the integer quantum Hall effect (IQHE). [41] Recent experiments on bilayer graphene twisted near the magic angle have observed spontaneous integer quantum Hall states in the presence of an aligned hexagonal boron nitride (hBN) substrate. [42] Charge equilibration between quantum-Hall edge states can be studied to reveal geometric structure of edge channels not only in the integer quantum Hall (IQH) regime but also in the fractional quantum Hall (FQH) regime particularly for hole-conjugate states. [43] Perhaps the most famous class of these ground states are the integer quantum Hall states (IQHSs) and fractional quantum Hall states (FQHSs). [44] We analyse the magnetic field and gate voltage dependence of the longitudinal resistance in an integer quantum Hall Fabry-Perot interferometer, taking into account the interactions between an outermost interfering edge mode, an inner non-interfering edge mode and the bulk. [45] The local electron temperature distribution is calculated considering a two dimensional electron system in the integer quantum Hall regime in presence of disorder and uniform perpendicular magnetic fields. [46] The results are for systems up to $N_{e}=10$ electrons calculated in the integer quantum Hall effect (IQHE) regime at the filling factor $\upsilon=1$. [47] Physically, our predicted electromagnetic phases are connected to a dynamical photonic mass in the integer quantum Hall fluid. [48] In chapter 4, I discuss a newly seen electron crystal which manifests itself in transport measurements as a reentrant integer quantum Hall state. [49] The integer quantum Hall to insulator transition (IQHIT) is a paradigmatic quantum critical point. [50]우리가 재진입 정수 양자 홀 위그너 고체라고 부르는 이 위그너 고체는 입자-구멍 대칭에 의해 소위 재진입 위그너 고체와 관련된 란다우 준위 충전 계수 범위에서 발생합니다. [1] 정수 양자 홀 효과(QHE) 및 자기 저항 측정은 온도 범위 1에서 수행됩니다. [2] 7526] 2D 무질서한 디랙 페르미온(DDF)의 전이와 정수 양자 홀 전이(IQHT)가 동일한 고정점에 의해 제어되고 동일한 보편적 임계 특성을 갖는다고 추측합니다. [3] 홀수 정수 양자 홀 물리학은 균형 잡힌 층 밀도를 위한 억제된 터널링 영역에서 예상되지 않지만 관찰됩니다. [4] 분수와 정수 양자 홀 상태 사이의 좁은 접합은 구성 분수 상태를 초과하는 2단자 컨덕턴스를 나타냅니다. [5] Greiter와 Wilczek이 제시한 단열 접근법은 전자에 결합된 통계적 플럭스를 0에서 짝수 정수 플럭스 양자까지 연속적으로 변화시켜 전자의 정수 양자 홀 효과와 복합 페르미온 사이를 보간합니다. 동일한 "유효" 정수 충전 계수를 갖는 외부 자기장. [6] 우리는 이 프레임워크를 적용하여 단순한 정사각형 격자에 정의된 긴밀한 결합 해밀턴의 정수 양자 홀 전이의 중요한 동작을 조사합니다. [7] 전기적 특성화 동안, 장치는 전자 영역의 작은 충전 계수에 해당하는 여러 양자 홀 고원의 더 넓은 범위를 제외하고 단층 그래핀의 표준 정수 양자 홀 효과를 보여주었습니다. [8] 저자의 최근 주장에 따르면 정수 양자 홀 고원 전이의 스케일링 한계를 설명하는 등각장 이론(conformal field theory, CFT)은 복잡한 Lie 슈퍼그룹 GL 내부에 리만 목표 공간이 있는 변형된 레벨 4 Wess-Zumino-Novikov-Witten 모델입니다. . [9] 정수 양자 홀 전이(IQHT)는 앤더슨 전이 계열에서 가장 신비한 구성원 중 하나입니다. [10] 1980년에 발견된 정수 양자 홀 효과는 위상 절연체에서 위상 관련이 있는 최초의 속성이었습니다. [11] 비대칭 밴드 구조로 이어지는 장거리 쌍극자-쌍극자 상호작용의 존재에도 불구하고, 이 시스템은 2차원 정수 양자 홀 시스템의 위상 특성을 상속한다는 것이 입증되었습니다. [12] 정수 양자 홀 고원 전이는 일반적으로 무작위 전위에서 움직이는 상호작용하지 않는 전자 시스템에 의해 모델링됩니다. [13] 예를 들어, 일반적으로 양립할 수 없는 정수 양자 홀 효과와 초전도성은 최근 이 물질군에 동시에 존재하는 것으로 밝혀졌습니다. [14] 기존의 정수 양자 홀(IQH) 전이와의 관계 및 차이점도 연구합니다. [15] 우리는 또한 분수 양자 홀 효과를 복합 페르미온의 정수 양자 홀 효과로 설명하는 복합 페르미온 그림을 설명합니다. [16] 여기서 우리는 정수 양자 홀 상태의 삼중층에서 시작하여 ν = 2를 채울 때 보손의 피보나치 상태를 구성하기 위해 최근에 제안된 비 Abelian 이중성을 사용합니다. [17] 우리는 등방성 쿨롱 상호작용 전위가 있는 상태에서 가장 낮은 Landau 준위의 채우기 계수 1에서 정수 양자 홀 효과 상태의 속성을 고려합니다. [18] 큰 유효 질량을 갖는 2차원 전자의 전자 스핀 공명(ESR)은 정수 양자 홀 효과의 짝수 채우기 인자 근처에서 실험적으로 연구되었습니다. [19] 일관된 Hartee-Fock(HF) 계산을 기반으로 한 정수 양자 홀 효과의 컴퓨터 모델링은 이제 놀라운 성숙도 수준에 도달했습니다. [20] 우리는 기록적으로 높은 전자 이동도를 가진 최신 세대의 GaAs/AlGaAs 샘플에서 $\ensuremath{\nu}=1$ 정수 양자 홀 상태의 복잡한 자기 수송 패턴을 보고합니다. [21] 우리는 충전 계수가 2인 정수 양자 홀 에지 채널을 따라 탄도적으로 전파하는 에너지 분해 전자파 패킷의 피크 높이의 진화를 이론적으로 조사합니다. [22] 높은 임계 온도를 갖는 질화물 초전도체의 에피택셜 성장과 금속 극성의 후속하는 질화물 반도체 헤테로구조의 결합된 발전은 높은 온도의 분극 유도된 2차원(2D) 전자 가스에서 깨끗한 정수 양자 홀 효과를 관찰할 수 있게 합니다. 전자 이동도 트랜지스터. [23] 여러 측정 구성을 사용하여 에지 채널의 길이와 정수 양자 홀 충전 비율에 대한 이 인덕턴스의 의존성을 연구합니다. [24] 우리는 "이중" 복합 페르미온(CF) 표현에서 비상호작용 정수 양자 홀에서 절연체로의 전이(IQHIT)의 중요한 특성을 연구합니다. [25] Shubnikov-de Haas 진동과 정수 양자 홀 효과가 모두 관찰되어 높은 샘플 품질을 나타냅니다. [26] 복합 페르미온 평균장 이론을 사용하여 정수 양자 홀 고원 전이를 연구합니다. [27] 2차원 정수 양자 홀 효과의 위상 특성은 1+1 차원 펌핑 모델로도 캡처됩니다. [28] 반정수 양자 홀 효과 및 소자 응용 가능성과 같은 풍부한 물리적 특성은 지속적으로 큰 주목을 받고 있습니다. [29] 정수 양자 홀 전이에 대한 Chalker-Coddington 네트워크 모델의 3차원(3D) 시간 역전 대칭 일반화를 구성합니다. [30] 우리는 Sl(2, ℤ)에서 불변인 이 효과적인 작용의 일반화를 구성하고 와류 전도와 정수 양자 홀 효과를 설명할 수 있습니다. [31] 이 논문에서는 기울어진 자기장에서 정수 양자 홀(IQH) 상태의 점탄성 특성을 조사합니다. [32] 이 절차는 일반적으로 토폴로지 전송의 역학을 설명하고 명확히 하는 역할을 하지만, 구체성을 위해 여기에서는 전하 순서 사슬의 전자 전송으로 표현되며, 이는 에지 채널 간의 전송에 정확하게 매핑될 수 있습니다. 정수 양자 홀 효과. [33] 이전에 알려진 위상 상태의 경우 이 두 가지 특징은 페르미온의 정수 양자 홀 상태와 보존의 $E_{8}$ 상태에서만 동시에 찾을 수 있습니다. [34] 이러한 장치는 충전 계수 2에서 정수 양자 홀 영역에서 가장 잘 수행되지만 전자 간섭은 동시 전파 에지 채널 간의 쿨롱 상호 작용에 의해 제한됩니다. [35] 정수 양자 홀 시스템의 가장자리에서 전자 이완과 비평형 페르미 가장자리 특이점 현상에 대한 이전 결과를 재현합니다. [36] 정수 양자 홀 시스템의 로컬 응답을 조사하면 토폴로지에 대한 세 가지 다른 측정값을 탐색할 수 있습니다. [37] 세로 및 홀 저항은 각각 Shubnikov-de Haas 진동과 정수 양자 홀 고원을 보여줍니다. [38] 가장 가까운 이웃 레벨 간격은 정수 양자 홀에서 임계 상태의 레벨 통계를 위해 원래 제안된 새로운 보편적 분포 $P_c(s)=C_1 s^2\exp[-C_2 s^{2-\gamma_0}]$를 따릅니다. 확산 금속에 대한 Wigner-Dyson 분포 대신 금속에서 절연체로의 전이에서 시스템 또는 일반 더러운 금속(확산 금속). [39] 위상 양자화 및 비소산 전송을 특징으로 하는 정수 양자 홀(QH) 효과는 키랄 금속 채널 사이의 후방 산란을 방지하는 전기 절연 비압축성 위상에 의해 발생합니다. [40] 우리는 변형된 강유전체 필름의 180° 도메인 벽이 그래핀 채널에서 pn 접합을 유도할 수 있고 정수 양자 홀 효과(IQHE)의 수직 모드의 중요한 온도 및 게이트 전압 의존성을 유발할 수 있음을 밝혔습니다. [41] 매직 앵글 근처에서 꼬인 이중층 그래핀에 대한 최근 실험은 정렬된 육각형 질화붕소(hBN) 기판이 있는 상태에서 자발적인 정수 양자 홀 상태를 관찰했습니다. [42] 양자 홀 에지 상태 간의 전하 평형은 정수 양자 홀(IQH) 영역뿐만 아니라 특히 정공 켤레 상태에 대한 분수 양자 홀(FQH) 영역에서 에지 채널의 기하학적 구조를 밝히기 위해 연구될 수 있습니다. [43] 아마도 이러한 기저 상태의 가장 유명한 부류는 정수 양자 홀 상태(IQHS)와 분수 양자 홀 상태(FQHS)일 것입니다. [44] 우리는 가장 바깥쪽 간섭 에지 모드, 내부 비간섭 에지 모드 및 벌크 간의 상호 작용을 고려하여 정수 양자 홀 Fabry-Perot 간섭계에서 세로 저항의 자기장 및 게이트 전압 의존성을 분석합니다. [45] 국부 전자 온도 분포는 무질서 및 균일한 수직 자기장이 존재하는 정수 양자 홀 영역에서 2차원 전자 시스템을 고려하여 계산됩니다. [46] 결과는 충전 계수 $\upsilon=1$에서 정수 양자 홀 효과(IQHE) 영역에서 계산된 최대 $N_{e}=10$ 전자 시스템에 대한 것입니다. [47] 물리적으로 예측된 전자기 위상은 정수 양자 홀 유체의 동적 광자 질량에 연결됩니다. [48] 4장에서 나는 새로 나타난 전자 결정에 대해 논의합니다. 재진입 정수 양자 홀 상태로서의 전송 측정. [49] 정수 양자 홀에서 절연체로의 전이(IQHIT)는 패러다임의 양자 임계점입니다. [50]
integer quantum anomalou
All other surfaces have gapped Dirac cones and exhibit half-integer quantum anomalous Hall conductivity. [1] The surface of this phase intrinsically breaks time-reversal symmetry, allowing the observation of the half-integer quantum anomalous Hall effect. [2]다른 모든 표면은 갭이 있는 Dirac 콘을 가지며 반정수 양자 비정상 홀 전도도를 나타냅니다. [1] 이 상의 표면은 본질적으로 시간 역전 대칭을 깨고 반정수 양자 비정상 홀 효과를 관찰할 수 있습니다. [2]