Graphene Hexagonal Boron(그래핀 육각형 붕소)란 무엇입니까?
Graphene Hexagonal Boron 그래핀 육각형 붕소 - In this paper, using a high-quality graphene/hexagonal boron nitride $(\mathrm{hBN})/{\mathrm{WS}}_{2}/\mathrm{hBN}/\mathrm{Au}$ vertical heterojunction, we demonstrate an out-of-plane electric-field driven change in the sign of the Stark shift from blue to red for four different excitonic species, namely, the neutral exciton, the charged exciton (trion), the charged biexciton, and the defect-bound exciton. [1] We use this insight to manipulate exciton transport by engineering the dielectric environment using a graphene/hexagonal boron nitride (h-BN) moiré superlattice. [2] Herein, a new multibit tribotronic nonvolatile memory (T-NVM) based on a graphene/hexagonal boron nitride/molybdenum disulfide van der Waals heterostructure and triboelectric nanogenerator (TENG) is proposed. [3] Graphene/hexagonal boron nitride (h-BN) van der Waals (vdW) heterostructure has aroused great interest because of the unique Moiré pattern. [4] A dual-band perfect optical absorber based on the graphene/hexagonal boron nitride van der Waals hybrid structure is proposed in the mid-infrared band. [5] We use Kelvin probe force microscopy (KPFM) to probe the carrier-dependent potential of an electrostatically defined quantum dot (QD) in a graphene/hexagonal boron nitride (hBN) heterostructure. [6] In this paper, mechanical properties of graphene/hexagonal boron nitride (G/h-BN) van der Waals (vdW) heterostructure with various sizes and at different temperatures are investigated by performing molecular dynamics simulations. [7] Exploiting the unique Dirac cone band structure of graphene, we demonstrate twist-controlled resonant light emission from graphene/hexagonal boron nitride (h-BN)/graphene tunnel junctions. [8] We previously reported highly monochromatic electron emission from the planar-type electron emission devices based on a graphene/hexagonal boron nitride (h-BN) heterostructure. [9] Herein, the non-equilibrium molecular dynamics (NEMD) simulations were conducted to the graphene/hexagonal boron nitride (GR/h-BN) heterostructure to investigate the strain effects on the ITC. [10] In this work, we constructed a series of graphene/hexagonal boron nitride (G/h-BN) LHS of various misorientation angles, with thousands of atoms and uniform atomic proportion. [11] These features are robust against disorder and provide a plausible interpretation of controversial experiments in graphene/hexagonal boron nitride superlattices. [12] In-plane graphene/hexagonal boron nitride (h-BN) heterostructures show promising applications in novel two-dimensional electronic and optoelectronic devices. [13]본 논문에서는 고품질 그래핀/육방정계 질화붕소 $(\mathrm{hBN})/{\mathrm{WS}}_{2}/\mathrm{hBN}/\mathrm{Au}$ 수직 이종접합을 이용하여, 우리는 4가지 다른 엑시톤 종, 즉 중성 엑시톤, 하전 엑시톤(트리온), 하전 바이엑시톤 및 결함에 대한 Stark 이동의 부호에서 평면 외 전기장 구동 변화를 보여줍니다. -결합된 여기자. [1] 우리는 이 통찰력을 사용하여 그래핀/육방정계 질화붕소(h-BN) 모아레 초격자를 사용하여 유전 환경을 엔지니어링함으로써 여기자 전송을 조작합니다. [2] 여기에서는 그래핀/육방정계 질화붕소/몰리브덴 이황화물 반 데르 발스 이종 구조 및 마찰 전기 나노 발전기(TENG)를 기반으로 하는 새로운 다중 비트 마찰 전자식 비휘발성 메모리(T-NVM)가 제안됩니다. [3] 그래핀/육방정계 질화붕소(h-BN) van der Waals(vdW) 헤테로구조는 독특한 모아레 패턴으로 인해 큰 관심을 불러일으켰습니다. [4] 중적외선 대역에서 그래핀/육방정계 질화붕소 반 데르 발스 하이브리드 구조를 기반으로 하는 이중 대역 완전 광 흡수체가 제안되었습니다. [5] 우리는 그래핀/육방정계 질화붕소(hBN) 이종구조에서 정전기적으로 정의된 양자점(QD)의 캐리어 종속 전위를 조사하기 위해 켈빈 프로브 힘 현미경(KPFM)을 사용합니다. [6] 이 논문에서는 분자 역학 시뮬레이션을 수행하여 다양한 크기와 온도에서 그래핀/육방정계 질화붕소(G/h-BN) 반 데르 발스(vdW) 이종 구조의 기계적 특성을 조사합니다. [7] 그래핀의 독특한 Dirac 콘 밴드 구조를 이용하여 그래핀/육방정계 질화붕소(h-BN)/그래핀 터널 접합에서 비틀림 제어 공진 발광을 시연합니다. [8] 우리는 이전에 그래핀/육방정계 질화붕소(h-BN) 헤테로구조를 기반으로 하는 평면형 전자 방출 장치에서 매우 단색의 전자 방출을 보고했습니다. [9] 여기에서, 그래핀/육방정계 질화붕소(GR/h-BN) 헤테로구조에 대해 비평형 분자 역학(NEMD) 시뮬레이션을 수행하여 ITC에 대한 변형률 효과를 조사했습니다. [10] 이 작업에서 우리는 수천 개의 원자와 균일한 원자 비율을 가진 다양한 방향 불량 각도의 일련의 그래핀/육방정계 질화붕소(G/h-BN) LHS를 구성했습니다. [11] 이러한 기능은 무질서에 강하고 그래핀/육방정계 질화붕소 초격자에서 논란의 여지가 있는 실험에 대한 그럴듯한 해석을 제공합니다. [12] 평면 내 그래핀/육방정계 질화붕소(h-BN) 헤테로구조는 새로운 2차원 전자 및 광전자 장치에서 유망한 응용을 보여줍니다. [13]