Graphene Growth(그래핀 성장)란 무엇입니까?
Graphene Growth 그래핀 성장 - Here we report real-time monitoring of graphene growth on liquid copper (at 1370 K under atmospheric pressure CVD conditions) via four complementary in situ methods: synchrotron X-ray diffraction and reflectivity, Raman spectroscopy, and radiation-mode optical microscopy. [1] Graphene growth and doping are well studied on flat surfaces of various materials. [2] In this paper, the flow characteristics of two-component dilute gases containing methane and hydrogen are studied by numerical simulation, which also provides an explanation for the experimental phenomena of graphene growth in rarefied conditions. [3] Here, we provide a comprehensive GET fabrication protocol, starting from graphene growth and ending with integration onto human skin. [4] In addition, graphene growth and transfer processes can introduce defects into the graphene layer. [5] Moreover, the regressed model and experimental results for the graphene growth were determined to be 3. [6] Graphene growth on a Pt(111) substrate exposed to benzene was studied at substrate temperatures between 800 K and 1100 K. [7] First principles-based approaches, such as density functional theory (DFT) calculations, can provide valuable insight into the mechanism of graphene growth in the MSR reaction. [8] Atomic carbon concentrations are measured for all three phases for various stages of graphene growth and decomposition. [9] Graphene Growth Although graphene can be grown on solid copper surfaces, higher precursor pressures that lead to faster growth can be used on molten metals, and smoother graphene films can be made on liquid surfaces. [10] Consequently, graphene growth on Cu is limited to lower web speeds for which the foil temperature is higher and the residence time in the plasma is longer. [11] We found the temperature for the cold-wall CVD reactor needs to be 825 °C or higher for methane decomposition and graphene growth. [12] Graphene metrology needs to keep up with the fast pace of developments in graphene growth and transfer. [13] To fully understand the kinetics of graphene growth, large-scale atomic simulations of graphene islands evolution up to macro sizes (i. [14] This review is a comprehensive report of past attempts to employ LMCat for the production of 2DMs with emphasis on graphene growth. [15] Certain experimentation has been conducted for graphene growth on CVD set up. [16] We investigated the origin of this discrepancy by analyzing the effects of the structural characteristics of the Cu grain boundaries on graphene growth in polycrystalline Cu micropatterns defined by a lithographically patterned SiO2 mask layer. [17] Meanwhile, we demonstrate that Cu-vapor will degrade the restoration efficiency when introduced remotely, which is quite different from previous studies on graphene growth. [18] This study clarifies the differences between earlier studies of graphene growth on Ni(110) and suggests using impurity surface segregation as means for decoupling of graphene from the substrate. [19] The surface coverage of graphene was greater than 98% even at 6 min, and the MLG ratio was ∼97%, indicating that our growth method selectively promoted MLG growth from the beginning of graphene growth. [20] At high temperatures, Cu vapor acts as a gaseous catalyst, which can reduce the energy barrier of graphene growth and promote the decomposition of carbon sources. [21] Here, the direct observation of the graphene growth and motion behavior on liquid Cu via in situ imaging is reported. [22] Graphene growth was shown to proceed from pre-equilibrated adsorbed carbon (Cad) within a wide CVD parameter range. [23] We investigate a method to prepare boron-doped graphene (BG) using a boron-doped copper film as both the substrate for graphene growth and the boron dopant source. [24] The thermal conductivity of the laser cladded copper was found to be improved from 140 W/mK for as-deposited cladding to 309 W/mK after graphene growth. [25] After electrochemical transfer of the graphene films from the foils, the foils themselves can be reused essentially indefinitely for further graphene growth. [26] The dynamics of the graphene growth were proposed, which mainly consist of polymer carbonization, carbon dissolution, segregation and precipitation. [27] This paper provides modeling and simulation insights into field-effect transistors based on graphene (GFET), focusing on the devices’ architecture with regards to the position of the gate (top-gated graphene transistors, back-gated graphene transistors, and top-/back-gated graphene transistors), substrate (silicon, silicon carbide, and quartz/glass), and the graphene growth (CVD, CVD on SiC, and mechanical exfoliation). [28] Graphene growth on copper is observed for a wide range of temperatures from 850˚C to 1000˚C, with high-quality BLG created at a substrate temperature of 1000˚C with JCH4:JH2 of 1:100 for 5min growth duration. [29] However, the tens order magnitude of thin film thickness obtained is the expected result for graphene growth. [30] The process itself is quite complex and poorly understood, but it is generally believed to involve a number of distinct steps such as hydrocarbon decomposition into surface-bound intermediates, diffusion on the catalytic substrate, generation of nucleation points and, finally, graphene growth. [31] After the annealing of sample to 450°C, the coexistence of the deprotonated BTB molecules and graphene flakes converted from the molecules is observed, implying the onset of graphene growth. [32] The graphene growth on the Ni(111) surface in the presence of different graphene seeds C16 and C24 has been investigated at the atomic level by quantum chemical molecular dynamics simulations. [33] In comparison with the well-studied mechanism of graphene growth on transition metal substrates, the lack of understanding on the mechanism of graphene growth on insulating surfaces greatly hinders the progress. [34] In this study, we slow down graphene growth on quartz substrates by elevating pressure in a PECVD setup. [35] The role of the inert gas during CVD-graphene growth over polycrystalline nickel foils is reported. [36] Interestingly, the graphene growth during annealing is not self-limiting and the thickness of graphene can be precisely controlled by the carbon ion implanted fluence. [37] It was used to simulate 31 elementary events proposed for graphene growth on copper, and subsequently validated by comparing graphene growth’s time evolution from simulation with experiments. [38] Although the transfer process on different substrates has been researched, a post-processing step after graphene growth for understanding influence of radical of carbon unreacted in graphene properties has not been studied. [39] In this work, the role of surface oxygen in the early stage of graphene growth is investigated using density functional theory (DFT) and first-principles molecular dynamics (FPMD) simulation. [40] By modifying the etching kinetics under confinement, the barrier film could be stabilized and high resolution barriers could be retained even after 6 hours of graphene growth. [41] In particular, metal contamination and mechanical damage, caused by the metal catalyst for graphene growth, are known to cause severe and irreversible deterioration in the performance of devices. [42] In addition, prospects and further developments in these exciting fields of graphene growth on a liquid surface are discussed. [43] This study opens a new avenue for improving graphene quality with respect to surface cleanness and provides new insight into the mechanism of graphene growth through the gas-phase reaction pathway. [44] Then, two modeling approaches were developed to analyze the plasma environment during graphene growth. [45] This work not only opens up frontiers for graphene growth but also provides exciting opportunities for the utilization of as-obtained super-clean graphene films for advanced applications. [46] This paper on graphene growth and characterization: advances, present challenges and prospects is therefore timely. [47] This study aimed to identify the tribological potential of graphene growth from solid waste products on copper substrate via the chemical vapour deposition method. [48] To reduce the density of GGB by increasing the grain size, CVD growth conditions with a reduced CH4 flow rate have been widely applied and, recently, electropolishing of copper (Cu) foil substrates to flatten the surface has been undertaken prior to graphene growth. [49] Optimal conditions for graphene growth were an initial a-C film thickness of 2 nm and an annealing temperature of 900 °C. [50]여기에서 우리는 싱크로트론 X선 회절 및 반사율, 라만 분광법 및 방사선 모드 광학 현미경의 4가지 보완적인 현장 방법을 통해 액체 구리(대기압 CVD 조건에서 1370K)에서 그래핀 성장을 실시간으로 모니터링하고 있습니다. [1] 그래핀 성장 및 도핑은 다양한 재료의 평평한 표면에서 잘 연구됩니다. [2] 본 논문에서는 메탄과 수소를 포함하는 2성분 희석 가스의 유동 특성을 수치 시뮬레이션을 통해 연구하고 희박 조건에서 그래핀 성장의 실험 현상에 대한 설명을 제공합니다. [3] 여기에서 우리는 그래핀 성장에서 시작하여 인간 피부에 통합으로 끝나는 포괄적인 GET 제작 프로토콜을 제공합니다. [4] 또한 그래핀 성장 및 전사 공정은 그래핀 층에 결함을 유발할 수 있습니다. [5] 또한, 그래핀 성장에 대한 회귀 모델 및 실험 결과는 3으로 결정되었다. [6] 벤젠에 노출된 Pt(111) 기판의 그래핀 성장은 800K와 1100K 사이의 기판 온도에서 연구되었습니다. [7] 밀도 기능 이론(DFT) 계산과 같은 첫 번째 원칙 기반 접근 방식은 MSR 반응에서 그래핀 성장 메커니즘에 대한 귀중한 통찰력을 제공할 수 있습니다. [8] 원자 탄소 농도는 그래핀 성장 및 분해의 다양한 단계에 대해 세 단계 모두에서 측정됩니다. [9] 그래핀 성장 그래핀은 고체 구리 표면에서 성장될 수 있지만 더 빠른 성장을 유도하는 더 높은 전구체 압력은 용융 금속에서 사용될 수 있고 더 부드러운 그래핀 필름은 액체 표면에서 만들 수 있습니다. [10] 결과적으로, Cu 상의 그래핀 성장은 포일 온도가 더 높고 플라즈마에서의 체류 시간이 더 긴 더 낮은 웹 속도로 제한됩니다. [11] 우리는 메탄 분해 및 그래핀 성장을 위해 저온 벽 CVD 반응기의 온도가 825°C 이상이어야 한다는 것을 발견했습니다. [12] 그래핀 계측은 그래핀 성장 및 전달의 빠른 발전 속도를 따라잡아야 합니다. [13] 그래핀 성장의 동역학을 완전히 이해하기 위해 그래핀 섬 진화의 거시적 크기까지의 대규모 원자 시뮬레이션(i. [14] 이 리뷰는 그래핀 성장에 중점을 둔 2DM 생산을 위해 LMCat을 사용하려는 과거의 시도에 대한 포괄적인 보고서입니다. [15] CVD 설정에서 그래핀 성장에 대한 특정 실험이 수행되었습니다. [16] 우리는 리소그래피로 패턴화된 SiO2 마스크 층에 의해 정의된 다결정 Cu 미세 패턴에서 그래핀 성장에 대한 Cu 결정립 경계의 구조적 특성의 영향을 분석하여 이러한 불일치의 원인을 조사했습니다. [17] 한편, 우리는 Cu-vapor가 원격으로 도입될 때 복원 효율을 저하시킬 것임을 보여줍니다. 이는 그래핀 성장에 대한 이전 연구와 상당히 다릅니다. [18] 이 연구는 Ni(110)에 대한 그래핀 성장에 대한 이전 연구 간의 차이점을 명확히 하고 기판에서 그래핀을 분리하기 위한 수단으로 불순물 표면 분리를 사용하는 것을 제안합니다. [19] 그래핀의 표면 피복률은 6분에도 98% 이상이었고, MLG 비율은 ~97%로, 우리의 성장 방법이 그래핀 성장 초기부터 MLG 성장을 선택적으로 촉진했음을 나타냅니다. [20] 고온에서 Cu 증기는 기체 촉매로 작용하여 그래핀 성장의 에너지 장벽을 줄이고 탄소원의 분해를 촉진할 수 있습니다. [21] 여기에서 현장 이미징을 통해 액체 Cu에 대한 그래핀 성장 및 움직임 거동을 직접 관찰하는 것이 보고되었습니다. [22] 그래핀 성장은 넓은 CVD 매개변수 범위 내에서 사전 평형화된 흡착 탄소(Cad)에서 진행되는 것으로 나타났습니다. [23] 우리는 붕소 도핑된 구리 필름을 그래핀 성장을 위한 기판과 붕소 도펀트 소스로 사용하여 붕소 도핑된 그래핀(BG)을 제조하는 방법을 조사합니다. [24] 레이저 클래딩 구리의 열전도율은 증착된 클래딩의 경우 140W/mK에서 그래핀 성장 후 309W/mK로 개선된 것으로 나타났습니다. [25] 포일로부터 그래핀 필름의 전기화학적 이동 후, 포일 자체는 추가 그래핀 성장을 위해 본질적으로 무기한 재사용될 수 있다. [26] 그래핀 성장의 역학은 주로 고분자 탄화, 탄소 용해, 분리 및 침전으로 구성되어 제안되었습니다. [27] 이 논문은 그래핀(GFET) 기반 전계 효과 트랜지스터에 대한 모델링 및 시뮬레이션 통찰력을 제공하며, 게이트 위치(상단 게이트 그래핀 트랜지스터, 후면 게이트 그래핀 트랜지스터, 후면 게이트 그래핀 트랜지스터), 기판(실리콘, 탄화규소 및 석영/유리), 그래핀 성장(CVD, SiC 상의 CVD 및 기계적 박리). [28] 구리의 그래핀 성장은 850˚C ~ 1000˚C의 광범위한 온도에서 관찰되며, 고품질 BLG는 1000˚C의 기판 온도에서 JCH4:JH2 1:100으로 5분 동안 생성됩니다. [29] 그러나 얻은 박막 두께의 수십 배는 그래핀 성장에 대한 예상 결과입니다. [30] 공정 자체는 상당히 복잡하고 잘 이해되지 않지만 일반적으로 탄화수소가 표면 결합 중간체로 분해, 촉매 기질에서의 확산, 핵 생성 지점의 생성 및 최종적으로 그래핀 성장과 같은 여러 단계를 포함하는 것으로 믿어집니다. [31] 샘플을 450°C로 어닐링한 후 탈양성자화된 BTB 분자와 분자에서 변환된 그래핀 플레이크의 공존이 관찰되어 그래핀 성장의 시작을 암시합니다. [32] 서로 다른 그래핀 시드 C16과 C24가 존재할 때 Ni(111) 표면의 그래핀 성장은 양자 화학 분자 역학 시뮬레이션을 통해 원자 수준에서 조사되었습니다. [33] 잘 연구된 전이 금속 기판의 그래핀 성장 메커니즘과 비교할 때 절연 표면의 그래핀 성장 메커니즘에 대한 이해 부족은 진행을 크게 방해합니다. [34] 이 연구에서 우리는 PECVD 설정에서 압력을 높여 석영 기판에서 그래핀 성장을 늦춥니다. [35] 다결정 니켈 호일에 대한 CVD 그래핀 성장 동안 불활성 가스의 역할이 보고되었습니다. [36] 흥미롭게도, 어닐링 동안의 그래핀 성장은 자기 제한적이지 않으며 그래핀의 두께는 탄소 이온 주입 플루언스에 의해 정밀하게 제어될 수 있습니다. [37] 이것은 구리에서 그래핀 성장에 대해 제안된 31개의 기본 이벤트를 시뮬레이션하는 데 사용되었으며, 이후에 시뮬레이션에서 그래핀 성장의 시간 진화를 실험과 비교하여 검증되었습니다. [38] 다양한 기판에 대한 전사 공정이 연구되었지만, 그래핀 특성에 미반응 탄소 라디칼의 영향을 이해하기 위한 그래핀 성장 후 후처리 단계는 연구되지 않았다. [39] 이 연구에서는 밀도 기능 이론(DFT) 및 제1 원리 분자 역학(FPMD) 시뮬레이션을 사용하여 그래핀 성장의 초기 단계에서 표면 산소의 역할을 조사합니다. [40] 감금 상태에서 에칭 동역학을 수정함으로써 장벽 필름이 안정화되고 6시간의 그래핀 성장 후에도 고해상도 장벽이 유지될 수 있었습니다. [41] 특히, 그래핀 성장용 금속 촉매에 의한 금속 오염 및 기계적 손상은 소자의 성능을 심각하고 비가역적으로 저하시키는 것으로 알려져 있다. [42] 또한 액체 표면에서 그래핀 성장의 이러한 흥미로운 분야의 전망과 추가 개발이 논의됩니다. [43] 이 연구는 표면 청정도와 관련하여 그래핀 품질을 개선하기 위한 새로운 길을 열고 기체상 반응 경로를 통한 그래핀 성장 메커니즘에 대한 새로운 통찰력을 제공합니다. [44] 그런 다음 그래핀 성장 동안 플라즈마 환경을 분석하기 위해 두 가지 모델링 접근 방식이 개발되었습니다. [45] 이 작업은 그래핀 성장의 한계를 열었을 뿐만 아니라 고급 응용 분야를 위해 얻은 초청정 그래핀 필름을 활용할 수 있는 흥미로운 기회를 제공합니다. [46] 따라서 그래핀 성장 및 특성화: 발전, 현재 과제 및 전망에 대한 이 문서는 시의적절합니다. [47] 이 연구는 화학기상증착법을 통해 구리 기판 상의 고형 폐기물로부터 그래핀 성장의 마찰학적 잠재력을 확인하는 것을 목표로 하였다. [48] GGB의 밀도를 감소시키기 위해 GGB의 Grain크기를 증가시키기 위해 감소된 CH4 유량을 갖는 CVD 성장조건이 널리 적용되고 있으며, 최근에는 그래핀 성장에 앞서 표면을 평평하게 하기 위한 구리(Cu) 포일 기판의 전해연마가 수행되고 있다. [49] 그래핀 성장을 위한 최적의 조건은 초기 a-C 막 두께 2nm 및 어닐링 온도 900°C였습니다. [50]
chemical vapor deposition 화학 기상 증착
Polycrystalline copper (Cu) foil is widely used as catalytic substrate for graphene growth in chemical vapor deposition (CVD) technique. [1] Polycrystalline copper (Cu) foil is widely used as catalytic substrate for graphene growth in chemical vapor deposition (CVD) technique. [2] In this study, we introduce an approach that applies machine learning (ML) in various procedures to predict graphene growth pattern in chemical vapor deposition (CVD) system. [3] Understanding the fundamentals of chemical vapor deposition bilayer graphene growth is crucial for its synthesis. [4] However, the waste vegetable oil still contains abundant carbon which can be used as a carbon source for graphene growth on stainless steel by chemical vapor deposition (CVD). [5] Using chemical vapor deposition graphene growth procedures, we used the insufficiently grown graphene as oxidation masking materials, and we simultaneously generated the high-facet wrinkled Cu during the graphene growth synthesis. [6] Graphene growth on copper foil via chemical vapor deposition (CVD) is extensively used because the low carbon solubility of Cu leads to uniform, single-layer graphene formation. [7] Chemical vapor deposition (CVD) has shown a great promise for large-scale multilayer graphene growth with a high temperature (typically 1000 °C). [8] Graphene growth on NASICON was carried out in a chemical vapor deposition system. [9] In distinction to the generally utilized chemical vapor deposition (CVD) synthesis that leads to multilayer graphene growth by carbon (C) synthesis from nickel (Ni), we proposed a controllable strategy to synthesize graphene on an arbitrary substrate through ion implantation technology, where the layer number of the obtained graphene film is accurately controlled by the corresponding dose of implanted C ions. [10] Using ab initio thermodynamics, the stability of a wide range of hydrocarbon adsorbates under various chemical vapor deposition (CVD) conditions (temperature, methane and hydrogen pressures) used in experimental graphene growth protocols at solid and liquid Cu surfaces has been explored. [11] Carbon solid solubility in metals is an important factor affecting uniform graphene growth by chemical vapor deposition (CVD) at high temperatures. [12] A unique technology called polymer-assisted metal-catalyzed chemical vapor deposition (CVD) was used to first disperse a gold catalyst precursor, via the assistance of polyvinyl alcohol, on the CNT surface and then facilitate graphene growth by reducing the gold nanoparticles during CVD. [13] In this paper we demonstrate graphene growth by using Chemical Vapor Deposition (CVD) method. [14]다결정 구리(Cu) 포일은 화학 기상 증착(CVD) 기술에서 그래핀 성장을 위한 촉매 기판으로 널리 사용됩니다. [1] 다결정 구리(Cu) 포일은 화학 기상 증착(CVD) 기술에서 그래핀 성장을 위한 촉매 기판으로 널리 사용됩니다. [2] nan [3] nan [4] nan [5] nan [6] Cu의 낮은 탄소 용해도가 균일한 단일층 그래핀 형성으로 이어지기 때문에 화학 기상 증착(CVD)을 통한 구리 호일의 그래핀 성장이 광범위하게 사용됩니다. [7] 화학 기상 증착(CVD)은 고온(일반적으로 1000°C)에서 대규모 다층 그래핀 성장에 대한 큰 가능성을 보여주었습니다. [8] nan [9] 니켈(Ni)로부터 탄소(C) 합성에 의해 다층 그래핀 성장을 유도하는 일반적으로 사용되는 화학 기상 증착(CVD) 합성과 달리, 우리는 이온 주입 기술을 통해 임의의 기판에 그래핀을 합성하는 제어 가능한 전략을 제안했습니다. 얻어진 그래핀 필름의 층 수는 주입된 C 이온의 해당 용량에 의해 정확하게 제어됩니다. [10] nan [11] nan [12] nan [13] nan [14]
plasma enhanced chemical
This article describes a novel method of growing graphene directly on a flexible substrate at low temperatures using plasma-enhanced chemical vapor deposition with a solid aromatic hydrocarbon source, 1,2,3,4-tetraphenylnaphthalene (TPN), which acts as the feedstock for graphene growth. [1] The aim of the present work is to understand the carbon deposition during graphene growth in plasma enhanced chemical vapor deposition system containing Ar/C2H2/H2 gas mixture and to optimize the process parameters for the enhanced growth of graphene. [2] Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) has been a versatile technique for synthesizing many carbon-based materials, because PECVD provides a rich chemical environment, including a mixture of radicals, molecules and ions from hydrocarbon precursors, which enables graphene growth on a variety of material surfaces at lower temperatures and faster growth than typical thermal chemical vapor deposition. [3] We present the study on graphene growth on Cu substrate through low power capacitive coupled radio frequency (RF) plasma enhanced chemical vapor deposition. [4]이 기사는 고체 방향족 탄화수소 공급원인 1,2,3,4-테트라페닐나프탈렌(TPN)을 사용하여 플라즈마 강화 화학 기상 증착을 사용하여 저온에서 유연한 기판 위에 직접 그래핀을 성장시키는 새로운 방법을 설명합니다. 그래핀 성장. [1] 현재 연구의 목적은 Ar/C2H2/H2 가스 혼합물을 포함하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 시스템에서 그래핀 성장 동안의 탄소 증착을 이해하고 그래핀의 향상된 성장을 위한 공정 매개변수를 최적화하는 것입니다. [2] nan [3] nan [4]
Multilayer Graphene Growth
Chemical vapor deposition (CVD) has shown a great promise for large-scale multilayer graphene growth with a high temperature (typically 1000 °C). [1] In distinction to the generally utilized chemical vapor deposition (CVD) synthesis that leads to multilayer graphene growth by carbon (C) synthesis from nickel (Ni), we proposed a controllable strategy to synthesize graphene on an arbitrary substrate through ion implantation technology, where the layer number of the obtained graphene film is accurately controlled by the corresponding dose of implanted C ions. [2] This study also shows that a pressure threshold exists for a distinct transition from monolayer to multilayer graphene growth. [3] We employ Ni-Au multi-block vertical nanotubes fabricated by anodic aluminum oxide (AAO) template-assisted electrodeposition as a designer substrate for multilayer graphene growth. [4]화학 기상 증착(CVD)은 고온(일반적으로 1000°C)에서 대규모 다층 그래핀 성장에 대한 큰 가능성을 보여주었습니다. [1] 니켈(Ni)로부터 탄소(C) 합성에 의해 다층 그래핀 성장을 유도하는 일반적으로 사용되는 화학 기상 증착(CVD) 합성과 달리, 우리는 이온 주입 기술을 통해 임의의 기판에 그래핀을 합성하는 제어 가능한 전략을 제안했습니다. 얻어진 그래핀 필름의 층 수는 주입된 C 이온의 해당 용량에 의해 정확하게 제어됩니다. [2] nan [3] nan [4]
Cvd Graphene Growth Cvd 그래핀 성장
The integration is based on imec’s 300mm silicon photonics platform and the full integration sequence is using standard CMOS production tools expect for the 6-inch CVD graphene growth and transfer, transferred by Graphenea. [1] The setup was validated by CVD graphene growth and characterization on Cu foils. [2] Here, we suggest a facile method for preparing a pretreated copper catalyst substrate for highly uniform, large-area CVD graphene growth. [3] The use of a patterned CMOS compatible catalyst for pre-defined regions of CVD graphene growth, and the transfer-free process used, allows the direct implementation of patterned graphene structures between the front-end-of-line (FEOL) and back-end-of-line (BEOL) processes. [4]통합은 imec의 300mm 실리콘 포토닉스 플랫폼을 기반으로 하며 전체 통합 시퀀스는 Graphenea에 의해 전송되는 6인치 CVD 그래핀 성장 및 전송에 대해 예상되는 표준 CMOS 생산 도구를 사용합니다. [1] 설정은 Cu 호일에 대한 CVD 그래핀 성장 및 특성화에 의해 검증되었습니다. [2] 여기에서 우리는 매우 균일한 대면적 CVD 그래핀 성장을 위해 전처리된 구리 촉매 기판을 제조하는 손쉬운 방법을 제안합니다. [3] CVD 그래핀 성장의 미리 정의된 영역을 위한 패턴화된 CMOS 호환 촉매의 사용과 사용된 무전사 공정은 FEOL(front-end-of-line)과 백엔드 사이에 패턴화된 그래핀 구조의 직접 구현을 허용합니다. -of-line(BEOL) 프로세스. [4]
Layer Graphene Growth
This study shows few-layer graphene growth proceeds through different pathways from a CVD grown graphene and also highlights flame deposition as a viable method for graphene growth. [1] First single-layer graphene growth is optimized using a preliminary oxygen passivation of the Cu substrate which facilitates the formation of larger graphene grains with low defect density. [2] The mechanism of few-layer graphene growth on the technologically relevant cubic-SiC/Si(001) substrate is uncovered using high-resolution core-level and angle-resolved photoelectron spectroscopy, low-energy electron microscopy, and microspot low-energy electron diffraction. [3]이 연구는 수층 그래핀 성장이 CVD 성장 그래핀과 다른 경로를 통해 진행되고 또한 그래핀 성장을 위한 실행 가능한 방법으로서 화염 증착을 강조합니다. [1] 첫 번째 단층 그래핀 성장은 낮은 결함 밀도로 더 큰 그래핀 입자의 형성을 촉진하는 Cu 기판의 예비 산소 패시베이션을 사용하여 최적화됩니다. [2] nan [3]
Epitaxial Graphene Growth
(See the complete abstract within the thesis in both English and German versions) In this thesis, the process conditions of the epitaxial graphene growth through a socalled polymer-assisted sublimation growth method are minutely investigated. [1] In this study, we first show that the argon flow during epitaxial graphene growth is an important parameter to control the quality of the buffer and the graphene layer. [2] We demonstrate a new concept of edge-epitaxial growth that enables the van der Waals (vdWs) epitaxial graphene growth on different Cu facets. [3]nan [1] 이 연구에서 우리는 먼저 에피택셜 그래핀 성장 중 아르곤 흐름이 버퍼와 그래핀 층의 품질을 제어하는 중요한 매개변수임을 보여줍니다. [2] 우리는 다양한 Cu 패싯에서 반 데르 발스(vdWs) 에피택셜 그래핀 성장을 가능하게 하는 에지 에피택셜 성장의 새로운 개념을 시연합니다. [3]
Temperature Graphene Growth
Current reports on the low-temperature graphene growth usually involve catalytic metal substrates, which exceedingly impedes the direct use of graphene in nanoelectronic fabrications. [1] Sn, which is recently found as a promising catalyst for the low-temperature graphene growth, is taken as the study material in this work. [2]저온 그래핀 성장에 대한 현재 보고는 일반적으로 촉매 금속 기판을 포함하는데, 이는 나노전자 제조에서 그래핀의 직접적인 사용을 극도로 방해합니다. [1] nan [2]
Direct Graphene Growth
The direct graphene growth on a-plane sa. [1] In most of the reports, direct graphene growth is confined to either a small area or high sheet resistance. [2]평면 sa에서 직접 그래핀 성장 [1] nan [2]
Quality Graphene Growth
Thin-metal films, which are usually made by depositing metals on various substrates such as single-crystal sapphire, have also been reported as catalytic substrates for high-quality graphene growth. [1] Besides the use of gaseous hydrocarbon sources, solid and liquid hydrocarbon sources have recently shown great promises for high-quality graphene growth. [2]일반적으로 단결정 사파이어와 같은 다양한 기판에 금속을 증착하여 만드는 금속 박막도 고품질 그래핀 성장을 위한 촉매 기판으로 보고되고 있습니다. [1] nan [2]