Function Variability(기능 가변성)란 무엇입니까?
Function Variability 기능 가변성 - Secondary: To evaluate its impact on asthma management (control, treatment, respiratory function variability) and the acceptability of this telemonitoring system. [1] We have demonstrated that in the modelling of TiN workfunction variability not only the different workfunctions of the grains but also the grain boundaries should be included. [2] Subsequently, all the retrieved documents were filtered by selecting those publications that had the purpose of combining the FRAM with another method to define the function variability in a semi-quantitative or quantitative manner. [3]보조: 평가하기 위해 천식 관리에 미치는 영향(조절, 치료, 호흡기 기능 변동성) 및 이 원격 모니터링의 수용 가능성 체계. [1] 우리는 TiN 일함수 가변성의 모델링에서 결정립의 다른 일함수뿐만 아니라 결정립계도 포함되어야 함을 입증했습니다. [2] 그 후, 반정량적 또는 정량적 방식으로 기능 변동성을 정의하기 위해 FRAM을 다른 방법과 결합하려는 목적을 가진 출판물을 선택하여 검색된 모든 문서를 필터링했습니다. [3]
Work Function Variability
We have reported the impact of work function variability (WFV) of TiN metal gate on the variation in electrical parameters for negative capacitance FinFET (NC-FinFET) through TCAD simulator. [1] A systematic investigation of the impact of Ti metal gate work function variability (WFV) on various electrical parameters against variation in gate oxide thickness in both step-FinFET and conventional FinFET (C-FinFET) using technology computer-aided design simulation is reported. [2] We report the numerical simulation study on the characteristic variability of 10-nm SOI Multi Fin n-FET due to the impact of random fluctuation sources such as gate work function variability induced by metal gate granularity (MGG) and Fin line edge roughness (LER) using quantum corrected 3-D drift diffusion (DD) simulation framework. [3] This paper presented findings on statistical impact of mole fraction (x) on threshold voltage, on current, and off current in high-k/metal gate SiGe channel Tunnel FET (TFET) due to work function variability (WFV) of the metal gate. [4] The impact of metal gate work function variability (WFV) on electrical parameters is studied. [5]우리는 TCAD 시뮬레이터를 통해 음의 정전용량 FinFET(NC-FinFET)에 대한 전기적 매개변수의 변화에 대한 TiN 금속 게이트의 일함수 변동성(WFV)의 영향을 보고했습니다. [1] 기술 컴퓨터 지원 설계 시뮬레이션을 사용하여 단계 FinFET 및 기존 FinFET(C-FinFET) 모두에서 게이트 산화물 두께의 변화에 대한 다양한 전기 매개변수에 대한 Ti 금속 게이트 일함수 가변성(WFV)의 영향에 대한 체계적인 조사가 보고되었습니다. [2] 우리는 금속 게이트 입도(MGG) 및 핀 라인 에지 거칠기(LER)에 의해 유도된 게이트 일함수 변동과 같은 임의 변동 소스의 영향으로 인한 10nm SOI Multi Fin n-FET의 특성 변동에 대한 수치 시뮬레이션 연구를 보고합니다. 양자 보정된 3차원 드리프트 확산(DD) 시뮬레이션 프레임워크를 사용합니다. [3] 이 논문은 금속 게이트의 일함수 가변성(WFV)으로 인한 고유전율/금속 게이트 SiGe 채널 터널 FET(TFET)에서 임계 전압, 온 전류 및 오프 전류에 대한 몰 분율(x)의 통계적 영향에 대한 결과를 제시했습니다. [4] 전기 매개변수에 대한 금속 게이트 일함수 가변성(WFV)의 영향을 연구합니다. [5]