Function Engineering(기능공학)란 무엇입니까?
Function Engineering 기능공학 - Workfunction engineering is applied to the device. [1] Our work opens avenues for realizing the Mott-transistor based on the wave-function engineering of strongly correlated electrons. [2] From both a fundamental viewpoint and the perspective of wave-function engineering of an electron pumped by single-electron sources, it is important to understand how an electron gains energy while propagating along a time-dependent region in a quantum Hall channel. [3] The transmission-matrix-based point-spread-function engineering is applied to encode the targeted mask in the Fourier domain before focusing. [4] Gate metal work-function engineering is used to overcome the problem of low ON-current, high OFF-current, high average subthreshold swing and low ION/IOFF ratio which are present in single material double gate TFET. [5] Here, we introduce multiplexed point-spread-function engineering that achieves photon-efficient, 3D multicolor particle tracking over a large field of view. [6] In this work, the performance of the heterojunction L-Tunnel Field Effect Transistor (LTFET) has been analyzed with different engineering techniques such as bandgap engineering, pocket engineering, work-function engineering, and gate dielectric engineering, respectively. [7] The device optimization of proposed device in terms of work-function engineering, gate oxide material, gate length, output characteristics and Si-thickness is done by the authors. [8] Gate workfunction engineering further shows the tuning of threshold voltage, and other electrical parameters. [9] It is observed that the source/drain metal electrode workfunction engineering in DL-DGFET yields improved analog/RF performance as compared to underlap inversion mode (IM) and junctionless (JL) DGFETs. [10] Finally, we explore the use of beam shaping and point-spread-function engineering to enable holographic single-lens light-sheet microscopy with single-pixel detection. [11] Recent efforts in the wavefunction engineering using an active region design based on a dual-upper-state concept led to a significant enhancement of the optical nonlinearity of the active region for efficient terahertz generation. [12] Quantitatively mapping and monitoring the strain distribution in 2D materials is essential for their physical understanding and function engineering. [13] Here we show that the technique is inherently compatible with 3D localization microscopy by point-spread-function engineering, namely the encoding of emitter depth in the emission pattern captured by a camera. [14] The proposed structure does not require conventional techniques for realizing highly doped p and n regions, as these regions are created by metal work-function engineering. [15] An extensive analysis of sub-10-nm logic building blocks utilizing ultracompact logic gates based on recently proposed gate workfunction engineering (WFE) approach is provided. [16] To obtain a significant ratio of on and off currents, and a positive gate voltage switching, gate workfunction engineering has been demonstrated. [17] Wavefunction engineering using intraband transition is the most versatile strategy for the design of infrared devices. [18] A variety of methods for obtaining 3D super-resolution images have been devised, each with their own strengths and weaknesses, ranging from point-spread-function engineering to steep axial illumination gradients. [19] Both the issues have been resolved in the double source dual gate CP-TFET (DS-DG-CP-TFET) by gate workfunction engineering and drain underlapping respectively. [20] Ultracompact sub-10-nm logic gates based on ambipolar characteristics of Schottky-barrier (SB) FinFETs and gate workfunction engineering (WFE) approach are introduced. [21] In this work, we use wavefunction engineering by varying the size of Quantum Dots (QDs) and tuning the delocalization (or diffuseness) of frontier orbitals of an acceptor molecule to modulate charge transfer dynamics at the QD/molecule interface. [22]장치에 일함수 공학이 적용됩니다. [1] 우리의 연구는 강하게 상관된 전자의 파동 함수 공학에 기반한 Mott-트랜지스터를 실현하기 위한 길을 열어줍니다. [2] 기본적 관점과 단일 전자 소스에 의해 펌핑된 전자의 파동 함수 공학 관점에서 양자 홀 채널에서 시간 종속 영역을 따라 전파하면서 전자가 에너지를 얻는 방법을 이해하는 것이 중요합니다. [3] 전송 매트릭스 기반 점확산 함수 엔지니어링은 초점을 맞추기 전에 푸리에 영역에서 대상 마스크를 인코딩하는 데 적용됩니다. [4] 게이트 금속 일함수 엔지니어링은 단일 재료 이중 게이트 TFET에 존재하는 낮은 ON 전류, 높은 OFF 전류, 높은 평균 하위 임계값 스윙 및 낮은 ION/IOFF 비율의 문제를 극복하는 데 사용됩니다. [5] 여기에서는 넓은 시야에서 광자 효율적인 3D 다색 입자 추적을 달성하는 다중 점 확산 기능 엔지니어링을 소개합니다. [6] 이 연구에서 이종접합 L-터널 전계 효과 트랜지스터(LTFET)의 성능은 각각 밴드갭 엔지니어링, 포켓 엔지니어링, 일함수 엔지니어링 및 게이트 유전체 엔지니어링과 같은 다양한 엔지니어링 기술로 분석되었습니다. [7] 제안하는 소자의 일함수 공학, 게이트 산화물 재료, 게이트 길이, 출력 특성 및 Si 두께 측면에서 소자 최적화를 수행하였다. [8] 게이트 일함수 공학은 임계 전압 및 기타 전기 매개변수의 조정을 추가로 보여줍니다. [9] DL-DGFET의 소스/드레인 금속 전극 일함수 엔지니어링은 언더랩 반전 모드(IM) 및 무접합(JL) DGFET에 비해 향상된 아날로그/RF 성능을 산출하는 것으로 관찰되었습니다. [10] 마지막으로, 우리는 단일 픽셀 감지로 홀로그램 단일 렌즈 광시트 현미경을 가능하게 하는 빔 형성 및 점 확산 기능 엔지니어링의 사용을 탐구합니다. [11] 이중 상부 상태 개념에 기반한 활성 영역 설계를 사용하는 파동 함수 엔지니어링의 최근 노력은 효율적인 테라헤르츠 생성을 위해 활성 영역의 광학적 비선형성을 크게 향상시켰습니다. [12] 2D 재료의 변형 분포를 정량적으로 매핑하고 모니터링하는 것은 물리적 이해와 기능 엔지니어링에 필수적입니다. [13] 여기에서 우리는 이 기술이 본질적으로 점 확산 기능 엔지니어링, 즉 카메라에 의해 캡처된 방출 패턴에서 이미 터 깊이의 인코딩에 의한 3D 지역화 현미경과 호환된다는 것을 보여줍니다. [14] 제안된 구조는 고도로 도핑된 p 및 n 영역을 구현하기 위한 기존 기술이 필요하지 않습니다. 이러한 영역은 금속 일함수 공학에 의해 생성되기 때문입니다. [15] 최근에 제안된 게이트 일함수 공학(WFE) 접근 방식을 기반으로 하는 초소형 논리 게이트를 활용하는 10nm 미만 논리 빌딩 블록에 대한 광범위한 분석이 제공됩니다. [16] 상당한 비율의 온/오프 전류와 양의 게이트 전압 스위칭을 얻기 위해 게이트 일함수 공학이 입증되었습니다. [17] 대역 내 전환을 사용하는 파동 함수 엔지니어링은 적외선 장치 설계를 위한 가장 다재다능한 전략입니다. [18] 3D 초해상도 이미지를 얻기 위한 다양한 방법이 고안되었으며 점확산 함수 엔지니어링에서 가파른 축 조명 기울기에 이르기까지 각각 고유한 강점과 약점이 있습니다. [19] 이중 소스 듀얼 게이트 CP-TFET(DS-DG-CP-TFET)에서는 게이트 일함수 엔지니어링과 드레인 언더랩핑을 통해 두 가지 문제가 각각 해결되었습니다. [20] 쇼트키 장벽(SB) FinFET의 양극성 특성과 게이트 일함수 공학(WFE) 접근 방식을 기반으로 하는 초소형 10nm 미만 논리 게이트가 도입되었습니다. [21] 이 작업에서 우리는 양자점(QD)의 크기를 변경하고 수용 분자의 프론티어 궤도의 비편재화(또는 확산)를 조정하여 QD/분자 인터페이스에서 전하 전달 역학을 조절함으로써 파동 함수 엔지니어링을 사용합니다. [22]
Work Function Engineering 일함수공학
The gate material work function engineering and hetero-dielectric engineering concepts are discussed in this paper to design a novel triple material DG Tunnel FET. [1] Theoretically, work function engineering of TiO2 electron transport layer can reduce both the loss of Voc and current hysteresis in PSCs. [2] Finally, to achieve the best performance of the device at circuit level implementation, the results of PMOS are matched with NMOS using work function engineering and thus V-shaped curve is obtained for both type of MOSFET followed by CMOS inverter as an application is also presented using the proposed device structure. [3] In this work, density functional calculations are performed for work function engineering for metal–semiconductor junctions involving 2D H-WSe2 and 2D metals of MX2 (M = Ti, V, Nb, Ta, Mo, and W and X = S and Se). [4] By work function engineering, charge plasma of the hole is created inside the heavily doped n-type source region to convert the device from n-i-n to p-n-i-n. [5] This paper presents a new structure known as triple-gate-dielectric (DM_TGD) TFET, which combines the dielectric and work function engineering to solve these problems. [6] Sensitivity improvement and reduction in Off current at higher dielectric constant of biomolecules are done by considering the gate metal work function engineering. [7] These characteristics surpass those of pure metal nitride Schottky diodes, possibly due to work function engineering due to the incorporation of C and use of a remote plasma to avoid process-induced defects. [8] Antiferroelectricity was recently discovered in tetragonal zirconia and its alloyed variants3,4 for which this material system can serve as a high endurance, non-volatile memory element through work function engineering. [9] 1V via bottom electrode (BE) work function engineering is demonstrated. [10] The analytical model for DMDG JLTFET is effective due to the combined supremacy of uniform doping in the channel, usage of high-K gate dielectric material and work function engineering in the gate metal. [11] This work presents main electrical characteristics improvement in a nanoscale tunnel field-effect transistor (TFET) with 50 nm channel length, applying work function engineering techniques. [12] In the charge plasma TFET, metal work function engineering is employed, while in the case of the ED-TFET, electrostatics is used to induce charge carriers at the drain/source side, resulting in the formation of n+ drain and p+ source regions. [13] The dual-material-gate (DMG) concept provides novel features like threshold voltage roll-up, transconductance enhancement and suppression of SCEs by work function engineering. [14] In order to overcome the limitations of MOSFET, researchers have proposed various alternative techniques like material engineering, gate engineering, work function engineering, structural engineering, spacer engineering, gate oxide engineering and so on. [15] Various transistor layouts described in the literature are evaluated in terms of the achieved device performance specs, and the most advanced experimental approach is presented that combines proper scaling, source/drain work function engineering, and gating. [16] The n+–p+ tunneling junction is created electrically in the intrinsic region and a framework of core and shell gate work function engineering are conducted via calculating 2D variation matrix of the on-state current and threshold voltage for optimizing the device performance. [17]새로운 삼중 재료 DG 터널 FET를 설계하기 위해 게이트 재료 일함수 공학 및 이종 유전 공학 개념이 이 백서에서 논의됩니다. [1] 이론적으로 TiO2 전자 수송층의 일함수 공학은 PSC에서 Voc 손실과 전류 히스테리시스를 모두 줄일 수 있습니다. [2] 마지막으로 회로 수준 구현에서 장치의 최상의 성능을 달성하기 위해 PMOS의 결과는 일 함수 엔지니어링을 사용하여 NMOS와 일치하므로 응용 프로그램으로 CMOS 인버터가 뒤따르는 두 유형의 MOSFET에 대해 V자형 곡선이 얻어집니다. 제안된 장치 구조를 사용합니다. [3] 이 연구에서는 2D H-WSe2 및 MX2(M = Ti, V, Nb, Ta, Mo, W 및 X = S 및 Se)의 2D 금속을 포함하는 금속-반도체 접합에 대한 일함수 공학을 위한 밀도 함수 계산을 수행합니다. . [4] 일함수 공학에 의해, n-i-n에서 p-n-i-n으로 소자를 변환하기 위해 고농도로 도핑된 n형 소스 영역 내부에 홀의 전하 플라즈마가 생성됩니다. [5] 이 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 유전체와 일함수 공학을 결합한 DM_TGD(triple-gate-dielectric) TFET로 알려진 새로운 구조를 제시합니다. [6] 게이트 금속 일함수 공학을 고려하여 생체 분자의 높은 유전 상수에서 감도 향상 및 오프 전류 감소를 수행합니다. [7] 이러한 특성은 순수 금속 질화물 쇼트키 다이오드의 특성을 능가합니다. 아마도 C의 통합과 공정 유도 결함을 피하기 위한 원격 플라즈마 사용으로 인한 일함수 엔지니어링 때문일 수 있습니다. [8] 반강유전성은 최근에 정방정계 지르코니아와 그 합금 변종3,4에서 발견되었으며 이 재료 시스템은 일함수 공학을 통해 높은 내구성, 비휘발성 메모리 요소로 작용할 수 있습니다. [9] 바닥 전극(BE)을 통한 1V 일함수 공학이 시연됩니다. [10] DMDG JLTFET에 대한 분석 모델은 채널의 균일한 도핑, high-K 게이트 유전체 재료의 사용 및 게이트 금속의 일함수 엔지니어링의 결합된 우월성으로 인해 효과적입니다. [11] 이 연구는 일함수 공학 기술을 적용하여 채널 길이가 50nm인 나노 스케일 TFET(Tunnel Field-Effect Transistor)의 주요 전기적 특성 개선을 제시합니다. [12] 전하 플라즈마 TFET에서는 금속 일함수 공학이 사용되지만 ED-TFET의 경우 정전기가 드레인/소스 측에서 전하 캐리어를 유도하는 데 사용되어 n+ 드레인 및 p+ 소스 영역이 형성됩니다. [13] 이중 재료 게이트(DMG) 개념은 임계 전압 롤업, 상호 컨덕턴스 향상 및 일함수 엔지니어링에 의한 SCE 억제와 같은 새로운 기능을 제공합니다. [14] MOSFET의 한계를 극복하기 위해 연구자들은 재료 공학, 게이트 공학, 일 함수 공학, 구조 공학, 스페이서 공학, 게이트 산화물 공학 등과 같은 다양한 대안 기술을 제안했습니다. [15] 문헌에 설명된 다양한 트랜지스터 레이아웃은 달성된 장치 성능 사양 측면에서 평가되며 적절한 스케일링, 소스/드레인 작업 함수 엔지니어링 및 게이팅을 결합하는 가장 진보된 실험 접근 방식이 제시됩니다. [16] n+–p+ 터널링 접합은 고유 영역에서 전기적으로 생성되고 코어 및 쉘 게이트 일함수 엔지니어링의 프레임워크는 소자 성능을 최적화하기 위해 온 상태 전류 및 임계 전압의 2D 변동 매트릭스 계산을 통해 수행됩니다. [17]
Spread Function Engineering 확산 함수 공학
Inspired by depth from defocus and emerging point spread function engineering approaches that optimize programmable optics end-to-end with depth estimation networks, we propose a new and improved framework for depth estimation from a single RGB image using a learned phase-coded aperture. [1] We achieve unprecedented 3D track lengths throughout the mammalian nucleus by combining a novel labeling scheme using nanobody ArrayG/N fusions of dSpCas9 targeted to specific DNA loci; light sheet illumination for gentle imaging of live cells with high contrast; and point spread function engineering for parallel detection of multiple loci in 3D. [2]디포커스의 깊이와 깊이 추정 네트워크를 통해 프로그래밍 가능한 광학을 종단 간 최적화하는 새로운 점 확산 기능 엔지니어링 접근 방식에서 영감을 받아 학습된 위상 코딩 조리개를 사용하여 단일 RGB 이미지에서 깊이 추정을 위한 새롭고 향상된 프레임워크를 제안합니다. [1] 우리는 특정 DNA 유전자좌를 표적으로 하는 dSpCas9의 나노바디 ArrayG/N 융합을 사용하는 새로운 라벨링 체계를 결합하여 포유류 핵 전체에 걸쳐 전례 없는 3D 트랙 길이를 달성합니다. 고대비로 살아있는 세포의 부드러운 이미징을 위한 라이트 시트 조명; 및 3D에서 다중 유전자좌의 병렬 검출을 위한 포인트 확산 함수 엔지니어링. [2]
function engineering technique
This work presents main electrical characteristics improvement in a nanoscale tunnel field-effect transistor (TFET) with 50 nm channel length, applying work function engineering techniques. [1] In order to mitigate different short channel effects, workfunction engineering technique is applied to the gate electrode. [2]이 연구는 일함수 공학 기술을 적용하여 채널 길이가 50nm인 나노 스케일 TFET(Tunnel Field-Effect Transistor)의 주요 전기적 특성 개선을 제시합니다. [1] 다양한 단채널 효과를 완화하기 위해 일함수 공학 기법이 게이트 전극에 적용됩니다. [2]