Ferroelectric Switching
강유전체 스위칭
Sentence Examples
Discover more insights into Ferroelectric Switching 강유전체 스위칭
Keywords frequently search together with Ferroelectric Switching 강유전체 스위칭
Narrow sentence examples with built-in keyword filters
Ferroelectric Switching sentence examples within hexagonal boron nitride
Two groups now show that ferroelectricity can also be engineered through stacking: Parallel-stacked bilayers of hexagonal boron nitride exhibit ferroelectric switching even though the bulk material is not ferroelectric (see the Perspective by Tsymbal).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
Full Text
Two groups now show that ferroelectricity can also be engineered through stacking: Parallel-stacked bilayers of hexagonal boron nitride exhibit ferroelectric switching even though the bulk material is not ferroelectric (see the Perspective by Tsymbal).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within Exhibit Ferroelectric Switching
Two groups now show that ferroelectricity can also be engineered through stacking: Parallel-stacked bilayers of hexagonal boron nitride exhibit ferroelectric switching even though the bulk material is not ferroelectric (see the Perspective by Tsymbal).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
Full Text
Two groups now show that ferroelectricity can also be engineered through stacking: Parallel-stacked bilayers of hexagonal boron nitride exhibit ferroelectric switching even though the bulk material is not ferroelectric (see the Perspective by Tsymbal).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within Temperature Ferroelectric Switching
Here we report the room-temperature ferroelectric switching of spin-to-charge conversion in epitaxial GeTe films.
여기에서 우리는 에피택셜 GeTe 필름에서 스핀-전하 변환의 실온 강유전성 스위칭을 보고합니다.
여기에서 우리는 에피택셜 GeTe 필름에서 스핀-전하 변환의 실온 강유전성 스위칭을 보고합니다.
Full Text
Our study opens up the door of inducing high temperature ferroelectric switching characteristics in bio compatible pristine ZnO nanostructures by doping it with rare earth holmium (Ho3+) and to use the ferroelectric material in designing components for memory applications.
우리의 연구는 희토류 홀뮴(Ho3+)으로 도핑하여 생체 적합성 순수 ZnO 나노구조체에서 고온 강유전성 스위칭 특성을 유도하고 강유전성 재료를 메모리 애플리케이션용 구성 요소 설계에 사용하는 문을 엽니다.
우리의 연구는 희토류 홀뮴(Ho3+)으로 도핑하여 생체 적합성 순수 ZnO 나노구조체에서 고온 강유전성 스위칭 특성을 유도하고 강유전성 재료를 메모리 애플리케이션용 구성 요소 설계에 사용하는 문을 엽니다.
Full Text
Learn more from Ferroelectric Switching 강유전체 스위칭
Ferroelectric Switching sentence examples within Possible Ferroelectric Switching
Due to its specific hexapetalous potential energy profile, the possible ferroelectric switching paths and domain walls are nontrivial, which are mediated via the metallic paraelectric state.
nan
nan
Full Text
The possible ferroelectric switching path was determined using the nudged elastic band method.
가능한 강유전성 스위칭 경로는 너지 탄성 밴드 방법을 사용하여 결정되었습니다.
가능한 강유전성 스위칭 경로는 너지 탄성 밴드 방법을 사용하여 결정되었습니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within Induced Ferroelectric Switching
Extended fidelity scaling and efficient parallelization have allowed us for the first time to study light-induced ferroelectric switching under extreme electronic excitation at experimentally relevant spatiotemporal scales with accuracy.
nan
nan
Full Text
Herein, we conclusively discovered the role of “2D” odd/mixed, layered Aurivillius structures in generating coupled order parameters by directly visualizing magnetic-field-induced ferroelectric switching.
여기에서 자기장 유도 강유전성 스위칭을 직접 시각화하여 결합된 차수 매개변수를 생성하는 "2D" 홀수/혼합, 계층 Aurivillius 구조의 역할을 결정적으로 발견했습니다.
여기에서 자기장 유도 강유전성 스위칭을 직접 시각화하여 결합된 차수 매개변수를 생성하는 "2D" 홀수/혼합, 계층 Aurivillius 구조의 역할을 결정적으로 발견했습니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within Display Ferroelectric Switching
15$ display ferroelectric switching with remanent polarizations exceeding $125\phantom{\rule{0.
$125\phantom{\rule{0}을 초과하는 잔류 분극이 있는 15$ 디스플레이 강유전성 스위칭.
$125\phantom{\rule{0}을 초과하는 잔류 분극이 있는 15$ 디스플레이 강유전성 스위칭.
Full Text
When prepared on a 200 °C substrate, films display ferroelectric switching with remanent polarizations exceeding 100 μC cm and coercive fields below 3MV cm when the Mg content is between ∼30% and ∼37%.
200°C 기판에서 준비될 때 필름은 Mg 함량이 ~30%와 ~37% 사이일 때 잔류 분극이 100μC cm를 초과하고 보자력장이 3MV cm 미만인 강유전성 스위칭을 표시합니다.
200°C 기판에서 준비될 때 필름은 Mg 함량이 ~30%와 ~37% 사이일 때 잔류 분극이 100μC cm를 초과하고 보자력장이 3MV cm 미만인 강유전성 스위칭을 표시합니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching behavior
The nematic phase of the aligned samples shows antiferroelectric switching behavior with spontaneous polarization, P s ∼5 μC/cm2.
정렬된 샘플의 네마틱 상은 자발적 분극(P s ~5 μC/cm2)과 함께 반강유전성 스위칭 거동을 보여줍니다.
정렬된 샘플의 네마틱 상은 자발적 분극(P s ~5 μC/cm2)과 함께 반강유전성 스위칭 거동을 보여줍니다.
Full Text
Compared with a pristine specimen, the Si-doped HfO2 thin film exhibited a partial increase in polarization after a finite number of ferroelectric switching behaviors.
깨끗한 시편과 비교하여 Si 도핑된 HfO2 박막은 유한한 수의 강유전성 스위칭 거동 후에 분극이 부분적으로 증가하는 것으로 나타났습니다.
깨끗한 시편과 비교하여 Si 도핑된 HfO2 박막은 유한한 수의 강유전성 스위칭 거동 후에 분극이 부분적으로 증가하는 것으로 나타났습니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching dynamic
The large electrocaloric coupling in PbZrO3 allows using high-speed infrared imaging to visualize antiferroelectric switching dynamics via the associated temperature change.
PbZrO3의 큰 전기열량 커플링은 고속 적외선 이미징을 사용하여 관련 온도 변화를 통해 반강유전성 스위칭 역학을 시각화할 수 있습니다.
PbZrO3의 큰 전기열량 커플링은 고속 적외선 이미징을 사용하여 관련 온도 변화를 통해 반강유전성 스위칭 역학을 시각화할 수 있습니다.
Full Text
Therefore, a full microscopic understanding of the impact of the nanoscale defects on the ferroelectric switching dynamics is crucial.
따라서 강유전성 스위칭 역학에 대한 나노 스케일 결함의 영향에 대한 완전한 미시적 이해가 중요합니다.
따라서 강유전성 스위칭 역학에 대한 나노 스케일 결함의 영향에 대한 완전한 미시적 이해가 중요합니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching characteristic
However, for commercial applications, reliable ferroelectric switching characteristics under electric field cycling of HfO2 thin films must be secured.
그러나 상용 응용을 위해서는 HfO2 박막의 전기장 사이클링 하에서 안정적인 강유전체 스위칭 특성이 확보되어야 합니다.
그러나 상용 응용을 위해서는 HfO2 박막의 전기장 사이클링 하에서 안정적인 강유전체 스위칭 특성이 확보되어야 합니다.
Full Text
We report piezo force microscopy (PFM) investigations on the ferroelectric switching characteristics of spherical and rod shaped non-interacting nanocrystalline BaTiO3 (BTO).
우리는 구형 및 막대 모양의 상호 작용하지 않는 나노결정 BaTiO3(BTO)의 강유전성 스위칭 특성에 대한 압전력 현미경(PFM) 조사를 보고합니다.
우리는 구형 및 막대 모양의 상호 작용하지 않는 나노결정 BaTiO3(BTO)의 강유전성 스위칭 특성에 대한 압전력 현미경(PFM) 조사를 보고합니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching even
Two groups now show that ferroelectricity can also be engineered through stacking: Parallel-stacked bilayers of hexagonal boron nitride exhibit ferroelectric switching even though the bulk material is not ferroelectric (see the Perspective by Tsymbal).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
Full Text
Two groups now show that ferroelectricity can also be engineered through stacking: Parallel-stacked bilayers of hexagonal boron nitride exhibit ferroelectric switching even though the bulk material is not ferroelectric (see the Perspective by Tsymbal).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
두 그룹은 이제 적층을 통해 강유전성을 조작할 수 있음을 보여줍니다. 병렬로 적층된 육각형 질화붕소 이중층은 벌크 재료가 강유전성이 아님에도 불구하고 강유전성 스위칭을 나타냅니다(Tsymbal의 Perspective 참조).
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching property
Herein, we report the oxygen- deficiency induced enhancement of ferroelectric switching properties of Si-doped HfO2 thin films.
여기에서 우리는 Si 도핑된 HfO2 박막의 강유전성 스위칭 특성의 산소 결핍 유도 향상을 보고합니다.
여기에서 우리는 Si 도핑된 HfO2 박막의 강유전성 스위칭 특성의 산소 결핍 유도 향상을 보고합니다.
Full Text
Herein, we report the helical assembly and ferroelectric switching properties of a columnar liquid crystal comprising a naphthalene core and 1,2,3-triazolyl linkages.
여기에서 우리는 나프탈렌 코어와 1,2,3-트리아졸릴 결합을 포함하는 원주형 액정의 나선형 어셈블리 및 강유전성 스위칭 특성을 보고합니다.
여기에서 우리는 나프탈렌 코어와 1,2,3-트리아졸릴 결합을 포함하는 원주형 액정의 나선형 어셈블리 및 강유전성 스위칭 특성을 보고합니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching behavimy
It is demonstrated that the ferroelectric switching behaviour, the remnant polarisation, the dielectric constant and the piezoelectric constant are enhanced in nanoporous ferroelectrics with ellipse-shaped pores by introducing mechanisms of symmetry breaking.
강유전성 스위칭 거동, 잔여 분극, 유전 상수 및 압전 상수가 대칭 파괴 메커니즘을 도입함으로써 타원 모양의 기공을 갖는 나노다공성 강유전체에서 향상된다는 것이 입증되었습니다.
강유전성 스위칭 거동, 잔여 분극, 유전 상수 및 압전 상수가 대칭 파괴 메커니즘을 도입함으로써 타원 모양의 기공을 갖는 나노다공성 강유전체에서 향상된다는 것이 입증되었습니다.
Full Text
The SmC* phase shows ferroelectric switching behaviour with PS values in the range 70–130 nC cm−2.
SmC* 위상은 70–130nCcm-2 범위의 PS 값으로 강유전성 스위칭 동작을 보여줍니다.
SmC* 위상은 70–130nCcm-2 범위의 PS 값으로 강유전성 스위칭 동작을 보여줍니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching path
Due to its specific hexapetalous potential energy profile, the possible ferroelectric switching paths and domain walls are nontrivial, which are mediated via the metallic paraelectric state.
nan
nan
Full Text
The possible ferroelectric switching path was determined using the nudged elastic band method.
가능한 강유전성 스위칭 경로는 너지 탄성 밴드 방법을 사용하여 결정되었습니다.
가능한 강유전성 스위칭 경로는 너지 탄성 밴드 방법을 사용하여 결정되었습니다.
Full Text
Ferroelectric Switching sentence examples within ferroelectric switching barrier
In addition to the sizable spontaneous polarization, 1D NbOX 3 exhibits low ferroelectric switching barriers, small coercive electric fields, and high critical temperature, governed by the hybridization of the Nb empty d orbitals and the O p orbitals ( d 0 rule).
상당한 자발 분극 외에도 1D NbOX 3 는 Nb 빈 d 오비탈과 Op 오비탈( d 0 규칙)의 혼성화에 의해 지배되는 낮은 강유전성 스위칭 장벽, 작은 보자력 전기장 및 높은 임계 온도를 나타냅니다.
상당한 자발 분극 외에도 1D NbOX 3 는 Nb 빈 d 오비탈과 Op 오비탈( d 0 규칙)의 혼성화에 의해 지배되는 낮은 강유전성 스위칭 장벽, 작은 보자력 전기장 및 높은 임계 온도를 나타냅니다.
Full Text
Our approach allows us to calculate the ferroelectric switching barrier, which we analyze as a function of Sc concentration and temperature based on Ginzburg-Landau theory.
우리의 접근 방식을 통해 긴츠부르크-란다우 이론을 기반으로 Sc 농도와 온도의 함수로 분석하는 강유전성 스위칭 장벽을 계산할 수 있습니다.
우리의 접근 방식을 통해 긴츠부르크-란다우 이론을 기반으로 Sc 농도와 온도의 함수로 분석하는 강유전성 스위칭 장벽을 계산할 수 있습니다.
Full Text
Charge injection from the near-by-electrode can occur during ferroelectric switching in the ferroelectric-dielectric bilayer due to the high field applied to the adjacent dielectric layers.
인접 유전체 층에 인가된 높은 전계로 인해 강유전체-유전체 이중층에서 강유전체 스위칭 동안 인접 전극으로부터의 전하 주입이 발생할 수 있습니다.
인접 유전체 층에 인가된 높은 전계로 인해 강유전체-유전체 이중층에서 강유전체 스위칭 동안 인접 전극으로부터의 전하 주입이 발생할 수 있습니다.
Full Text
The resulting (240)-oriented PbHfO3 (Pba2) films were found to exhibit antiferroelectric switching with a saturation polarization ⁓53 μC/cm2 at 1.
생성된 (240) 배향 PbHfO3(Pba2) 필름은 1에서 포화 분극이 ⁓53μC/cm2인 반강유전성 스위칭을 나타내는 것으로 밝혀졌습니다.
생성된 (240) 배향 PbHfO3(Pba2) 필름은 1에서 포화 분극이 ⁓53μC/cm2인 반강유전성 스위칭을 나타내는 것으로 밝혀졌습니다.
Full Text
However, the mechanisms of ferroelectric switching and phase transition for the molecular ferroelectrics are still missing, which leaves the development of novel molecular ferroelectrics less efficient.
그러나 분자 강유전체에 대한 강유전체 스위칭 및 상전이 메커니즘은 여전히 누락되어 새로운 분자 강유전체 개발의 효율성이 떨어집니다.
그러나 분자 강유전체에 대한 강유전체 스위칭 및 상전이 메커니즘은 여전히 누락되어 새로운 분자 강유전체 개발의 효율성이 떨어집니다.
Full Text
Moreover, reversible spin texture induced by ferroelectric switching is achieved in all these three systems.
더욱이, 이 세 가지 시스템 모두에서 강유전체 스위칭에 의해 유도된 가역적 스핀 텍스처가 달성됩니다.
더욱이, 이 세 가지 시스템 모두에서 강유전체 스위칭에 의해 유도된 가역적 스핀 텍스처가 달성됩니다.
Full Text
In this work, we elaborate a deficiency of the single domain Landau-Khalatnikov (LK) equation for the ferroelectric switching.
이 작업에서 우리는 강유전성 스위칭에 대한 단일 도메인 Landau-Khalatnikov(LK) 방정식의 결함을 자세히 설명합니다.
이 작업에서 우리는 강유전성 스위칭에 대한 단일 도메인 Landau-Khalatnikov(LK) 방정식의 결함을 자세히 설명합니다.
Full Text
Two modes of ferroelectric switching are revealed: when the ends of SNWs are not hydrogen-bonded, the polarizations can be reversed via ligand reorientation that will reform the hydrogen-bonded chains and alter their helicity; when both ends are hydrogen-bonded, the polarizations can be reversed via proton transfer without changing the helicity of chains.
강유전성 스위칭의 두 가지 모드가 밝혀졌습니다. SNW의 끝이 수소 결합되지 않은 경우, 극성은 리간드 재배향을 통해 반전될 수 있습니다. 양쪽 끝이 수소 결합되면 사슬의 나선을 변경하지 않고 양성자 전달을 통해 극성을 반전시킬 수 있습니다.
강유전성 스위칭의 두 가지 모드가 밝혀졌습니다. SNW의 끝이 수소 결합되지 않은 경우, 극성은 리간드 재배향을 통해 반전될 수 있습니다. 양쪽 끝이 수소 결합되면 사슬의 나선을 변경하지 않고 양성자 전달을 통해 극성을 반전시킬 수 있습니다.
Full Text
The authors found that vacancy migration is intertwined with the ferroelectric switching, which has implications for the use of these materials in a range of microelectronic applications.
저자는 공극 이동이 강유전성 스위칭과 얽혀 있다는 것을 발견했으며, 이는 다양한 마이크로 전자 응용 분야에서 이러한 재료의 사용에 영향을 미칩니다.
저자는 공극 이동이 강유전성 스위칭과 얽혀 있다는 것을 발견했으며, 이는 다양한 마이크로 전자 응용 분야에서 이러한 재료의 사용에 영향을 미칩니다.
Full Text
The authors found that vacancy migration is intertwined with the ferroelectric switching, which has implications for the use of these materials in a range of microelectronic applications.
저자는 공극 이동이 강유전성 스위칭과 얽혀 있다는 것을 발견했으며, 이는 다양한 마이크로 전자 응용 분야에서 이러한 재료의 사용에 영향을 미칩니다.
저자는 공극 이동이 강유전성 스위칭과 얽혀 있다는 것을 발견했으며, 이는 다양한 마이크로 전자 응용 분야에서 이러한 재료의 사용에 영향을 미칩니다.
Full Text
This manuscript reports the temperature dependence of ferroelectric switching in Al0.
이 원고는 Al0에서 강유전체 스위칭의 온도 의존성을 보고합니다.
이 원고는 Al0에서 강유전체 스위칭의 온도 의존성을 보고합니다.
Full Text
The phase formation and functional properties (dielectric, ferroelectric switching, and tunability) in <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${x}$ </tex-math></inline-formula>BaGeO<sub>3</sub>–(<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$1- {x}$ </tex-math></inline-formula>)BaTiO<sub>3</sub> ceramics with compositions <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${x} =0$ </tex-math></inline-formula>, 0.
<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${x}$ </tex-math></inline-formula>BaGeO<의 위상 형성 및 기능적 특성(유전체, 강유전체 스위칭 및 조정 가능성) sub>3</sub>–(<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$1- {x}$ </tex-math></inline-formula>)BaTiO<sub>3</ sub> 구성이 있는 도자기 <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${x} =0$ </tex-math></inline-formula>, 0.
<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${x}$ </tex-math></inline-formula>BaGeO<의 위상 형성 및 기능적 특성(유전체, 강유전체 스위칭 및 조정 가능성) sub>3</sub>–(<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$1- {x}$ </tex-math></inline-formula>)BaTiO<sub>3</ sub> 구성이 있는 도자기 <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">${x} =0$ </tex-math></inline-formula>, 0.
Full Text
Both formulation and experiment results suggest that slower charge compensation than ferroelectric switching is the key to obtain the NC effect.
공식 및 실험 결과 모두 강유전체 스위칭보다 느린 전하 보상이 NC 효과를 얻는 열쇠임을 시사합니다.
공식 및 실험 결과 모두 강유전체 스위칭보다 느린 전하 보상이 NC 효과를 얻는 열쇠임을 시사합니다.
Full Text
Ferroelectric switching in TiN/Hf0.
TiN/Hf0의 강유전체 스위칭.
TiN/Hf0의 강유전체 스위칭.
Full Text
Here, we elucidate the fundamental role of lattice dynamics in ferroelectric switching by combining thermodynamic calculations, experiments, and phase-field simulations on both freestanding BiFeO3 membranes and films clamped to a substrate.
여기에서 우리는 독립형 BiFeO3 멤브레인과 기판에 고정된 필름에 대한 열역학 계산, 실험 및 위상장 시뮬레이션을 결합하여 강유전성 스위칭에서 격자 역학의 기본적인 역할을 설명합니다.
여기에서 우리는 독립형 BiFeO3 멤브레인과 기판에 고정된 필름에 대한 열역학 계산, 실험 및 위상장 시뮬레이션을 결합하여 강유전성 스위칭에서 격자 역학의 기본적인 역할을 설명합니다.
Full Text
However, the microscopic mechanism of their ferroelectric switching is not fully understood.
그러나 강유전성 스위칭의 미시적 메커니즘은 완전히 이해되지 않았습니다.
그러나 강유전성 스위칭의 미시적 메커니즘은 완전히 이해되지 않았습니다.
Full Text
Here, by means of first-principles calculations, we identify six ferroelectric catalysts comprising transition-metal atoms anchored on In2Se3 monolayer, whose catalytic performance can be controlled by ferroelectric switching based on adjusted d-band center and occupation of supported metal atoms.
여기에서 첫 번째 원칙 계산을 통해 In2Se3 단층에 고정된 전이 금속 원자를 포함하는 6개의 강유전성 촉매를 식별합니다. 이 촉매의 촉매 성능은 조정된 d-밴드 중심 및 지지된 금속 원자의 점유를 기반으로 하는 강유전성 스위칭에 의해 제어될 수 있습니다.
여기에서 첫 번째 원칙 계산을 통해 In2Se3 단층에 고정된 전이 금속 원자를 포함하는 6개의 강유전성 촉매를 식별합니다. 이 촉매의 촉매 성능은 조정된 d-밴드 중심 및 지지된 금속 원자의 점유를 기반으로 하는 강유전성 스위칭에 의해 제어될 수 있습니다.
Full Text
Spontaneous polarization occurs due to a small charge transfer between the layers, which increases with compressive strain, and ferroelectric switching can be achieved by an interlayer translation with a small energy barrier.
자발적인 분극은 압축 변형에 따라 증가하는 층 사이의 작은 전하 이동으로 인해 발생하며, 강유전체 스위칭은 작은 에너지 장벽으로 층간 이동에 의해 달성될 수 있습니다.
자발적인 분극은 압축 변형에 따라 증가하는 층 사이의 작은 전하 이동으로 인해 발생하며, 강유전체 스위칭은 작은 에너지 장벽으로 층간 이동에 의해 달성될 수 있습니다.
Full Text
Recent results on fundamental understanding of the mechanism of ferroelectric and antiferroelectric switching will be presented.
강유전성 및 반강유전성 스위칭의 메커니즘에 대한 근본적인 이해에 대한 최근 결과를 발표합니다.
강유전성 및 반강유전성 스위칭의 메커니즘에 대한 근본적인 이해에 대한 최근 결과를 발표합니다.
Full Text
The real and imaginary dielectric constant, conductivity mechanism, impedance, and dielectric relaxation mechanism of new chiral compound 5, exhibiting an enantiotropic SmC* mesophase which shows a ferroelectric switching with PS values in the range of 220–100 nC cm−2, have been investigated in the frequency range between 100 rad/s and 106 rad/s at different temperatures altering from 25 to 85 °C.
220-100nC cm-2 범위의 PS 값으로 강유전성 스위칭을 나타내는 거울상 이방성 SmC* 중간상을 나타내는 새로운 키랄 화합물 5의 실수 및 가상 유전 상수, 전도도 메커니즘, 임피던스 및 유전 완화 메커니즘은 다음과 같습니다. 25 ~ 85 °C의 다양한 온도에서 100 rad/s ~ 106 rad/s 사이의 주파수 범위에서 조사되었습니다.
220-100nC cm-2 범위의 PS 값으로 강유전성 스위칭을 나타내는 거울상 이방성 SmC* 중간상을 나타내는 새로운 키랄 화합물 5의 실수 및 가상 유전 상수, 전도도 메커니즘, 임피던스 및 유전 완화 메커니즘은 다음과 같습니다. 25 ~ 85 °C의 다양한 온도에서 100 rad/s ~ 106 rad/s 사이의 주파수 범위에서 조사되었습니다.
Full Text
In ferroelectric switching, the polarization is reversed by a ${180}^{\ensuremath{\circ}}$ rotation of the tilt axis within the $ab$ plane, which also results in a reversal of magnetization.
강유전성 스위칭에서 편광은 $ab$ 평면 내에서 기울기 축의 ${180}^{\ensuremath{\circ}}$ 회전에 의해 반전되며, 이는 또한 자화의 반전을 초래합니다.
강유전성 스위칭에서 편광은 $ab$ 평면 내에서 기울기 축의 ${180}^{\ensuremath{\circ}}$ 회전에 의해 반전되며, 이는 또한 자화의 반전을 초래합니다.
Full Text
Recent measurements, however, demonstrated signatures of ferroelectric switching in the electrical conductance of bilayers and trilayers of WTe 2 , a semimetallic transition metal dichalcogenide with broken inversion symmetry.
그러나 최근 측정에서는 역대칭이 깨진 반금속 전이금속 이칼코겐화물인 이중층 및 삼중층의 전기 전도도에서 강유전성 스위칭의 특징을 보여주었습니다.
그러나 최근 측정에서는 역대칭이 깨진 반금속 전이금속 이칼코겐화물인 이중층 및 삼중층의 전기 전도도에서 강유전성 스위칭의 특징을 보여주었습니다.
Full Text
In this review, we summarize the unique ferroelectric properties in experimentally confirmed vdW ferroelectrics, particularly those properties that expand our understanding of ferroelectric switching.
이 리뷰에서는 실험적으로 확인된 vdW 강유전체의 고유한 강유전체 특성, 특히 강유전체 스위칭에 대한 이해를 확장하는 특성을 요약합니다.
이 리뷰에서는 실험적으로 확인된 vdW 강유전체의 고유한 강유전체 특성, 특히 강유전체 스위칭에 대한 이해를 확장하는 특성을 요약합니다.
Full Text
To explain such a high Ps for the poled BOPVDF, a third component in the amorphous phase must participate in the ferroelectric switching to contribute to the Ps.
극성 BOPVDF에 대한 이러한 높은 Ps를 설명하려면 비정질 상의 세 번째 구성 요소가 Ps에 기여하기 위해 강유전성 스위칭에 참여해야 합니다.
극성 BOPVDF에 대한 이러한 높은 Ps를 설명하려면 비정질 상의 세 번째 구성 요소가 Ps에 기여하기 위해 강유전성 스위칭에 참여해야 합니다.
Full Text
These findings have implications for our understanding of ferroelectric switching and offer easy method to manipulate domain reversal state in HfO2-based ferroelectric materials.
이러한 발견은 강유전성 스위칭에 대한 우리의 이해에 영향을 미치고 HfO 기반 강유전성 재료에서 도메인 반전 상태를 조작하는 쉬운 방법을 제공합니다.
이러한 발견은 강유전성 스위칭에 대한 우리의 이해에 영향을 미치고 HfO 기반 강유전성 재료에서 도메인 반전 상태를 조작하는 쉬운 방법을 제공합니다.
Full Text
We evaluate the orthorhombic phase of Pca2 1 symmetry, its ferroelectric switching and the incidence of doping with silicon.
우리는 Pca2 1 대칭의 사방정계 위상, 강유전성 스위칭 및 실리콘 도핑 발생률을 평가합니다.
우리는 Pca2 1 대칭의 사방정계 위상, 강유전성 스위칭 및 실리콘 도핑 발생률을 평가합니다.
Full Text
We examine ferroelectric responses to voltage and charge, as well as ferroelectric switching, and discuss proof-of-concept experiments and possibilities for device implementation.
전압과 전하에 대한 강유전성 반응과 강유전성 스위칭을 조사하고 개념 증명 실험과 장치 구현 가능성에 대해 논의합니다.
전압과 전하에 대한 강유전성 반응과 강유전성 스위칭을 조사하고 개념 증명 실험과 장치 구현 가능성에 대해 논의합니다.
Full Text
In our previous study, the ferroelectric switching of crystalline PVDF is suppressed effectively in PVDF-based Langmuir–Blodgett (LB) nanofilms because of its large interfacial effect, even in an extremely high electric field.
우리의 이전 연구에서 결정질 PVDF의 강유전성 스위칭은 매우 높은 전기장에서도 큰 계면 효과로 인해 PVDF 기반 Langmuir-Blodgett(LB) 나노 필름에서 효과적으로 억제됩니다.
우리의 이전 연구에서 결정질 PVDF의 강유전성 스위칭은 매우 높은 전기장에서도 큰 계면 효과로 인해 PVDF 기반 Langmuir-Blodgett(LB) 나노 필름에서 효과적으로 억제됩니다.
Full Text
Ferroelectric switching is demonstrated in field-effect transistor devices fabricated on ultrathin SnS films, in which a stronger ferroelectric response is achieved at negative gate voltages.
강유전성 스위칭은 음의 게이트 전압에서 더 강한 강유전성 응답이 달성되는 초박형 SnS 필름으로 제작된 전계 효과 트랜지스터 장치에서 시연됩니다.
강유전성 스위칭은 음의 게이트 전압에서 더 강한 강유전성 응답이 달성되는 초박형 SnS 필름으로 제작된 전계 효과 트랜지스터 장치에서 시연됩니다.
Full Text
Besides, the inlaid Al2O3, as an ideal tunnel switch layer, turns on during ferroelectric switching, but closes during the post-switching or non-switching under the applied pulse voltage.
또한 이상적인 터널 스위치 층인 상감 Al2O3는 강유전성 스위칭 동안 켜지지만 인가된 펄스 전압 하에서 스위칭 후 또는 비 스위칭 동안 닫힙니다.
또한 이상적인 터널 스위치 층인 상감 Al2O3는 강유전성 스위칭 동안 켜지지만 인가된 펄스 전압 하에서 스위칭 후 또는 비 스위칭 동안 닫힙니다.
Full Text
This opens the pathway to designing future applications which make use of the unique electrical and viscoelastic properties of ferroelectric switching.
이것은 강유전성 스위칭의 고유한 전기적 및 점탄성 특성을 사용하는 미래 응용 프로그램을 설계할 수 있는 길을 열어줍니다.
이것은 강유전성 스위칭의 고유한 전기적 및 점탄성 특성을 사용하는 미래 응용 프로그램을 설계할 수 있는 길을 열어줍니다.
Full Text
Although they are excellent candidates as channels in spin field effect transistors, the experimental research has been limited so far to semiconducting GeTe, in which ferroelectric switching is often prevented by heavy doping and/or large leakage currents.
스핀 전계 효과 트랜지스터의 채널로 우수한 후보이지만, 실험적 연구는 지금까지 반도체 GeTe에 국한되어 있으며, 여기서 강유전성 스위칭은 종종 무거운 도핑 및/또는 큰 누설 전류에 의해 방지됩니다.
스핀 전계 효과 트랜지스터의 채널로 우수한 후보이지만, 실험적 연구는 지금까지 반도체 GeTe에 국한되어 있으며, 여기서 강유전성 스위칭은 종종 무거운 도핑 및/또는 큰 누설 전류에 의해 방지됩니다.
Full Text
The two-dimensional electron gas (2DEG) at the AlN/GaN interface could be manipulated by the ferroelectric switching in the AlN epilayer.
AlN/GaN 인터페이스의 2차원 전자 가스(2DEG)는 AlN 에피층의 강유전성 스위칭에 의해 조작될 수 있습니다.
AlN/GaN 인터페이스의 2차원 전자 가스(2DEG)는 AlN 에피층의 강유전성 스위칭에 의해 조작될 수 있습니다.
Full Text
Instability-induced patterns are ubiquitous in nature, from phase transformations and ferroelectric switching to spinodal decomposition and cellular organization.
불안정성 유도 패턴은 위상 변환 및 강유전성 전환에서 스피노달 분해 및 세포 조직에 이르기까지 본질적으로 어디에나 있습니다.
불안정성 유도 패턴은 위상 변환 및 강유전성 전환에서 스피노달 분해 및 세포 조직에 이르기까지 본질적으로 어디에나 있습니다.
Full Text
Deterministic creation of multiple ferroelectric states with intermediate values of polarization remains challenging due to the inherent bi-stability of ferroelectric switching.
중간 값의 분극을 갖는 다중 강유전성 상태의 결정론적 생성은 강유전성 스위칭의 고유한 쌍안정성으로 인해 여전히 어렵습니다.
중간 값의 분극을 갖는 다중 강유전성 상태의 결정론적 생성은 강유전성 스위칭의 고유한 쌍안정성으로 인해 여전히 어렵습니다.
Full Text
Electrons trapped into oxygen vacancies are pinning the domain seeds, which inhibit the ferroelectric switching.
산소 결손에 갇힌 전자는 강유전성 스위칭을 억제하는 도메인 시드를 고정하고 있습니다.
산소 결손에 갇힌 전자는 강유전성 스위칭을 억제하는 도메인 시드를 고정하고 있습니다.
Full Text
8 nm below which ferroelectricity vanishes in BaTiO3; (2) migration and clustering of oxygen vacancies (OVs) in BaTiO3 and a reduction in the polarization and the Curie temperature due to the OVs; (3) domain wall interaction with the surface chemistry to influence the ferroelectric switching and polarization magnitude.
BaTiO3에서 강유전성이 사라지는 8 nm; (2) BaTiO3에서 산소 결손(OV)의 이동 및 클러스터링 및 OV로 인한 분극 및 퀴리 온도 감소; (3) 강유전성 스위칭 및 분극 크기에 영향을 미치는 표면 화학 물질과의 도메인 벽 상호 작용.
BaTiO3에서 강유전성이 사라지는 8 nm; (2) BaTiO3에서 산소 결손(OV)의 이동 및 클러스터링 및 OV로 인한 분극 및 퀴리 온도 감소; (3) 강유전성 스위칭 및 분극 크기에 영향을 미치는 표면 화학 물질과의 도메인 벽 상호 작용.
Full Text
The dynamical modulation of both barrier width and barrier height during the ferroelectric switching are responsible for this giant TER effect.
강유전성 스위칭 동안 장벽 너비와 장벽 높이의 동적 변조가 이 거대한 TER 효과를 초래합니다.
강유전성 스위칭 동안 장벽 너비와 장벽 높이의 동적 변조가 이 거대한 TER 효과를 초래합니다.
Full Text