Epitaxial Films(에피택시 필름)란 무엇입니까?
Epitaxial Films 에피택시 필름 - This study sheds light on the effective control of vacancies and dislocations and then paves the way for heteroepitaxial films of high quality, as well as consequent optoelectronic or electronic devices of high performance. [1] However, evidence is found for elliptically distorted nano-objects along perpendicular crystallographic directions within the epitaxial films, which is consistent with elliptical Bloch skyrmions observed in single-crystalline lamellae. [2] Recent work exploring the synthesis and transfer of epitaxial films on the top of low layer count 2D materials reveals that atomic potentials from the underlying substrate interface are not completely screened. [3] Current-induced rotation in epitaxial films of the non-collinear antiferromagnet Mn3Sn is investigated. [4] Thin heteroepitaxial films of β-SiC (3C–SiC) on the Si(111) were obtained as a result of a solid-phase reaction between Si and C at 1300°С. [5] The method of optical polarimetry was used by us to study the magnetoelectric properties of micromagnetic structural inhomogeneities of epitaxial films of ferrite garnets. [6] Two series of B-site ordered, double-perovskite A2CoMnO6 and A2NiMnO6 (A = La, Pr, Nd, Sm, Gd) epitaxial films with thickness d ~ 100 nm were grown on SrTiO3(111) substrates via metalorganic aerosol deposition. [7] The results are explained by the compensation rate of the depolarization field during the switching process, which is much faster in epitaxial films than in polycrystalline ones. [8] The studies of the properties of graphene synthesized on the surface of epitaxial films of cubic single-crystal silicon carbide preliminarily grown on Si(001) wafers have been reviewed. [9] Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) data acquired during growth shows evidence of atomically-smooth, crystalline, epitaxial films. [10] In this paper, the interaction mechanism between carbon atoms and Ir (1 0 0) surface at the initial stage of nucleation and its uniqueness caused by distinctive energy changes compared with (1 0 0) faces of Cu and Ni are explained by first-principle calculation, which acts as a dominating factor in the transformation from epitaxial films to single crystal wafers. [11] Structural measurements indicated that the out-of-plane lattice spacing of TbIG layers firstly increased with the rising thickness of GGG (tG) and then decreased, which was attributed to the impact of the buffer layer on strain relaxation of the epitaxial films. [12] 4O3 (GFO) epitaxial films by polarization dependent x-ray absorption spectroscopy. [13] The Q-carbon layer provides ready nucleation sites for epitaxial films on planar matching substrates such as sapphire, and polycrystalline films on amorphous substrates such as glass. [14] Using kinetic Monte Carlo simulations, we develop a framework to relate morphological properties and microscopic dynamics during island growth, coalescence, and initial formation of continuous heteroepitaxial films. [15] Microdisks fabricated with III-nitride materials grown on GaN substrates are demonstrated, taking advantage of the high material quality of homoepitaxial films and advanced micro-fabrication processes. [16] This results in NiO (111), VO2 (M1) (020), and RuO2 (110) epitaxial films on Al2O3 (0001) or MgO (100) substrates. [17] For dcMS we observe the formation of these epitaxial films down to flow rate values of 1. [18] 26%), epitaxial films of excellent crystallinity were grown once the growth conditions had been optimized. [19] We report an unconventional carrier-dependent anomalous Hall effect (AHE) with a quadratic scaling relation in epitaxial films of a ferromagnetic semiconductor (ZnCo)O with a high Co concentration. [20] The influence of film thickness on the formation of twinning structure, martensitic transformation and magnetoelastic properties of epitaxial films of Ni(Co)MnSn magnetic shape memory alloy is investigated by means of ferromagnetic resonance spectroscopy, synchrotron X-ray diffraction and standard magnetic measurements. [21] In this work, we systematically show the sputtering deposition method for two uniaxial antiferromagnetic oxides, namely Cr2O3 and α-Fe2O3, on A-plane sapphire substrates, and identify the optimized deposition conditions for epitaxial films with low surface roughness. [22] However, the reduction of the thickness to an ultrathin region (a few nm) is typically detrimental to the MIT in epitaxial films, and even catastrophic for their freestanding form. [23] Multi-dimensional defects created by thermodynamic and mechanical condition strongly limit electron mobility by the scattering of charged carriers in semiconducting ${\mathrm{BaSnO}}_{3}$ (BSO) epitaxial films. [24] Ultrathin FM ${\mathrm{SrRuO}}_{3}$ epitaxial films with perpendicular magnetic anisotropy, interfaced with suitable oxides, may be susceptible of forming skyrmions. [25] GaP(0 0 1) epitaxial films with thicknesses between 4 and 50 nm are prepared by metalorganic vapor phase epitaxy on either predominantly single-domain (SD) or two-domain (TD) Si(0 0 1) surfaces. [26] We have studied the growth of epitaxial films of stannate pyrochlores with a general formula A2Sn2O7 (A = La and Y) and find that it is possible to incorporate ∼25% excess of the A-site constituent; in contrast, any tin excess is expelled. [27] In this study, super broadband antireflection based on the microstructure formed by embedding NPs in homoepitaxial films is reported. [28] Epitaxial films, which have fewer defects and a more controlled microstructure than polycrystalline films, can be very useful for this purpose. [29] In contrast to s-SNIN, we show that TERS furthermore enables the quantification of the In content in the different compositional regions and even allows the identification of InN nanoclusters near the surface of the epitaxial films. [30]이 연구는 공극과 전위의 효과적인 제어를 조명하고 고품질의 헤테로에피택시 필름과 결과적으로 고성능의 광전자 또는 전자 장치를 위한 길을 열었습니다. [1] 그러나 단결정 라멜라에서 관찰된 타원형 Bloch 스커미온과 일치하는 에피택셜 필름 내에서 수직 결정학적 방향을 따라 타원형으로 왜곡된 나노 물체에 대한 증거가 발견되었습니다. [2] 낮은 층 수의 2D 재료 상단에서 에피택시 필름의 합성 및 전송을 탐구하는 최근 작업은 기본 기판 인터페이스의 원자 전위가 완전히 스크리닝되지 않음을 보여줍니다. [3] 비공선형 반강자성 Mn3Sn의 에피택셜 필름에서 전류에 의한 회전을 조사합니다. [4] Si(111) 상의 β-SiC(3C-SiC)의 얇은 헤테로에피택시 필름은 1300°C에서 Si와 C 사이의 고체상 반응의 결과로 얻어졌다. [5] 우리는 광편광법을 사용하여 페라이트 가넷의 에피택셜 필름의 미세자성 구조적 불균일성의 자기전기적 특성을 연구했습니다. [6] d ~ 100 nm 두께의 B-사이트 정렬 이중 페로브스카이트 A2CoMnO6 및 A2NiMnO6(A = La, Pr, Nd, Sm, Gd) 에피택셜 필름이 금속 유기 에어로졸 증착을 통해 SrTiO3(111) 기판에서 성장되었습니다. [7] 결과는 스위칭 과정에서 탈분극 필드의 보상 속도로 설명되며, 이는 다결정 필름보다 에피택셜 필름에서 훨씬 더 빠릅니다. [8] Si(001) 웨이퍼에 미리 성장시킨 입방체 단결정 탄화규소의 에피택시막 표면에서 합성된 그래핀의 특성에 대한 연구를 검토하였다. [9] 성장 중에 얻은 반사 고에너지 전자 회절(RHEED) 데이터는 원자적으로 매끄러운 결정질 에피택셜 필름의 증거를 보여줍니다. [10] 본 논문에서는 핵생성 초기의 탄소 원자와 Ir (1 0 0) 표면의 상호작용 메커니즘과 Cu 및 Ni의 (1 0 0) 면과 비교하여 독특한 에너지 변화에 의한 고유성을 제1원칙으로 설명한다. 에피택시 필름에서 단결정 웨이퍼로의 변환에서 지배적인 요소로 작용하는 계산. [11] 구조적 측정은 TbIG 층의 평면외 격자 간격이 먼저 GGG(tG)의 두께가 증가함에 따라 증가한 다음 감소하는 것으로 나타났으며, 이는 에피택셜 필름의 변형 완화에 대한 버퍼 층의 영향에 기인합니다. [12] 편광 의존 X선 흡수 분광법에 의한 4O3(GFO) 에피택셜 필름. [13] Q-탄소 층은 사파이어와 같은 평면 정합 기판의 에피택셜 필름과 유리와 같은 비정질 기판의 다결정 필름을 위한 준비된 핵 생성 사이트를 제공합니다. [14] 운동 몬테카를로 시뮬레이션을 사용하여 연속 헤테로에피택시 필름의 섬 성장, 유착 및 초기 형성 동안 형태학적 특성과 미시적 역학을 관련시키는 프레임워크를 개발합니다. [15] GaN 기판에서 성장된 III-질화물 재료로 제작된 마이크로디스크가 시연되며, 호모에피택셜 필름의 높은 재료 품질과 고급 미세 가공 공정을 활용합니다. [16] 그 결과 Al2O3(0001) 또는 MgO(100) 기판에 NiO(111), VO2(M1)(020) 및 RuO2(110) 에피택셜 필름이 생성됩니다. [17] dcMS의 경우 1의 유속 값까지 이러한 에피택시 필름의 형성을 관찰합니다. [18] 26%), 성장 조건이 최적화되면 우수한 결정도의 에피택셜 필름이 성장되었습니다. [19] 우리는 높은 Co 농도를 가진 강자성 반도체(ZnCo)O의 에피택셜 필름에서 2차 스케일링 관계를 갖는 비 전통적인 캐리어 의존 변칙 홀 효과(AHE)를 보고합니다. [20] Ni(Co)MnSn 자성 형상 기억 합금의 에피택셜 필름의 쌍정 구조 형성, 마르텐사이트 변태 및 자기탄성 특성에 대한 필름 두께의 영향은 강자성 공명 분광법, 싱크로트론 X선 회절 및 표준 자기 측정을 통해 조사됩니다. [21] 이 연구에서 우리는 A면 사파이어 기판에서 두 개의 단축 반강자성 산화물, 즉 Cr2O3 및 α-Fe2O3에 대한 스퍼터링 증착 방법을 체계적으로 보여주고 표면 거칠기가 낮은 에피택셜 필름에 대한 최적화된 증착 조건을 식별합니다. [22] 그러나 초박형 영역(수 nm)으로의 두께 감소는 일반적으로 에피택시 필름의 MIT에 해롭고 독립된 형태의 경우에도 치명적입니다. [23] 열역학적 및 기계적 조건에 의해 생성된 다차원 결함은 반도체 ${\mathrm{BaSnO}}_{3}$ (BSO) 에피택셜 필름에서 전하 캐리어의 산란에 의해 전자 이동성을 강력하게 제한합니다. [24] 초박형 FM ${\mathrm{SrRuO}}}_{3}$ 수직 자기 이방성을 가진 에피택셜 필름은 적절한 산화물과 접하고 스커미온을 형성하기 쉬울 수 있습니다. [25] 두께가 4~50nm인 GaP(0 0 1) 에피택셜 필름은 주로 단일 도메인(SD) 또는 2 도메인(TD) Si(0 0 1) 표면에서 금속유기 기상 에피택시로 준비됩니다. [26] 우리는 일반식 A2Sn2O7(A = La 및 Y)을 갖는 stannate pyrochlores의 에피택셜 필름의 성장을 연구했으며 A 사이트 구성 요소의 ~25% 초과를 통합할 수 있음을 발견했습니다. 대조적으로, 주석 과잉은 배출됩니다. [27] 이 연구에서는 호모에피택시 필름에 NP를 임베딩하여 형성된 미세 구조를 기반으로 하는 초광대역 반사 방지가 보고되었습니다. [28] 다결정 필름보다 결함이 적고 미세 구조가 제어된 에피택셜 필름은 이러한 목적에 매우 유용할 수 있습니다. [29] s-SNIN과 대조적으로, 우리는 TERS가 또한 다른 구성 영역에서 In 함량의 정량화를 가능하게 하고 에피택셜 필름의 표면 근처에서 InN 나노클러스터의 식별을 허용한다는 것을 보여줍니다. [30]
pulsed laser deposition 펄스 레이저 증착
% Mg-doped SnO2 epitaxial films were first grown on c-Al2O3 by pulsed laser deposition and then annealed in an oxygen atmosphere at proper temperature and time. [1] In this paper, a series of high-quality Nb-doped ZrxSn1−xO2 (Nb:ZrxSn1−xO2) alloy epitaxial films were prepared on c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition. [2] The structural and electronic properties of In2O3 epitaxial films grown on c-sapphire substrates by a pulsed laser deposition technique are studied as functions of various growth conditions. [3] Here, AgNbO3 epitaxial films were fabricated by pulsed laser deposition, which possess high Eb of 624kV/cm. [4] 1 eV) reported in the literature, obtained from samples of varied structural qualities, including polycrystalline films, epitaxial films grown by pulsed-laser deposition and molecular beam epitaxy, nanowires, nanotubes, and bulk single crystals. [5] In this work, we report that the hole mobility of SnO epitaxial films grown by pulsed laser deposition can be improved by reducing the growth temperature. [6]% Mg 도핑된 SnO2 에피택셜 필름은 먼저 펄스 레이저 증착에 의해 c-Al2O3 위에 성장한 다음 적절한 온도와 시간에서 산소 분위기에서 어닐링되었습니다. [1] 이 논문에서는 펄스 레이저 증착에 의해 c면 사파이어 기판에 고품질 Nb 도핑된 ZrxSn1-xO2(Nb:ZrxSn1-xO2) 합금 에피택시 필름 시리즈를 준비했습니다. [2] 펄스 레이저 증착 기술에 의해 c-사파이어 기판에서 성장한 In2O3 에피택시 필름의 구조적 및 전자적 특성은 다양한 성장 조건의 함수로 연구됩니다. [3] nan [4] nan [5] nan [6]
atomic force microscopy 원자력 현미경
The topology of the surface of epitaxial films of lead tin telluride solid solution, including those with the addition of indium (Pb1-xSnxTe:In), grown on single-crystal BaF2 (111) substrates and a CaF2/BaF2 buffer layer on Si (111) was studied by atomic force microscopy. [1] The relief of thin Mo epitaxial films grown on the R-plane of sapphire has been studied by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy. [2] The non-polar a-AlGaN epitaxial films were investigated by using atomic force microscopy (AFM), high-resolution x-ray diffraction, photoluminescence (PL) spectroscopy and the Hall effect measurement techniques. [3] The microstructural properties of m-plane AlN substrates and homoepitaxial films were assessed by means of atomic force microscopy and high resolution x-ray diffraction characterization. [4]인듐(Pb1-xSnxTe:In)이 첨가된 단결정 BaF2(111) 기판과 Si( 111) 원자력현미경으로 연구하였다. [1] 사파이어의 R면에서 성장한 얇은 Mo 에피택셜 필름의 양각은 주사 터널링 현미경과 원자력 현미경으로 연구되었습니다. [2] 비극성 a-AlGaN 에피택셜 필름은 원자간력현미경(AFM), 고해상도 x-선 회절, 광발광(PL) 분광법 및 홀 효과 측정 기술을 사용하여 조사되었습니다. [3] nan [4]
chemical vapor deposition 화학 기상 증착
The native oxygen-deficient e-Ga2O3 epitaxial films fabricated via metal–organic chemical vapor deposition become highly dense and VO-less after oxidation annealing, leading to an enhanced performance, while they become VO-rich after reduction annealing to depress the PD property. [1] The α-(Al x Ga1–x )2O3 epitaxial films grown by mist chemical vapor deposition were annealed at temperatures in the range of 600 °C–1100 °C in an atmospheric furnace, and then the crystal structures of the films were characterized using X-ray diffraction and transmission electron microscopy. [2] Vertical β-Ga2O3 Schottky diodes from metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)-grown epitaxial films are reported in this paper for high-power application devices. [3] The key process steps for growing high-quality Si-based epitaxial films via reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) are investigated herein. [4]금속-유기 화학 기상 증착을 통해 제조된 고유 산소 결핍 e-Ga2O3 에피택셜 필름은 산화 어닐링 후에 고밀도화되고 VO가 없어 성능이 향상되는 반면, PD 특성을 저하시키기 위해 환원 어닐링 후에는 VO가 풍부해집니다. [1] 미스트 화학기상증착법에 의해 성장된 α-(Al x Ga1-x )2O3 에피택셜 필름은 대기로에서 600°C–1100°C 범위의 온도에서 어닐링되었고, 그 후 필름의 결정 구조는 다음을 사용하여 특성화되었습니다. X선 회절 및 투과 전자 현미경. [2] MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 성장 에피택셜 필름의 수직 β-Ga2O3 쇼트키 다이오드가 고전력 응용 장치에 대해 이 논문에서 보고되었습니다. [3] 감압 화학 기상 증착(RPCVD)을 통해 고품질 Si 기반 에피택셜 필름을 성장시키는 주요 공정 단계가 여기에서 조사됩니다. [4]
molecular beam epitaxy 분자빔 에피택시
In this paper, we observe the PLMR effect at 10 K in homogeneous and single-phase ${\mathrm{Mn}}_{2}\mathrm{CoAl}$ epitaxial films grown by low-temperature molecular beam epitaxy at $100{\phantom{\rule{0. [1] We previously found that the photoresponsivity of a-axis-oriented BaSi2 epitaxial films was enhanced drastically when formed under Si-rich conditions by molecular beam epitaxy. [2] Bi이 논문에서 우리는 ${\mathrm{Mn}}_{2}\mathrm{CoAl}$ $100에서 저온 분자빔 에피택시로 성장된 에피택시 필름에서 10K에서 PLMR 효과를 관찰합니다. 팬텀{\규칙{0. [1] nan [2] nan [3]
≤ x ≤ ≤ x ≤
Barrier height at the interface between metal and polar AlxGa1−xN (0 ≤ x ≤ 1) epitaxial films was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy and interface induced gap states (IFIGS) model. [1] 04) solid solution and that epitaxial films of Si1--xSnx (0 ≤ x ≤ 0. [2] 01 ≤ x ≤ 1) epitaxial films grown by the pulsed laser deposition and found that there are two thermoelectric phase boundaries at x ∼ 0. [3]금속과 극성 AlxGa1-xN(0 ≤ x ≤ 1) 에피택셜 필름 사이의 경계면에서 장벽 높이를 X선 광전자 분광법과 IFIGS(Interface induced gap state) 모델을 사용하여 조사했습니다. [1] 04) 고용체 및 Si1--xSnx의 에피택셜 필름(0 ≤ x ≤ 0. [2] nan [3]
Basi2 Epitaxial Films Basi2 에피택시 필름
We demonstrated the marked photoresponsivity enhancement of BaSi2 epitaxial films by 5 min post-annealing at 850 °C–1000 °C in contrast to those at 600 °C–800 °C. [1] A new growth method for BaSi2 thin film has been developed by co-sputtering Ba and Si to solve the problem that it is difficult to sputter BaSi2 epitaxial films by a single BaSi2 target. [2] We previously found that the photoresponsivity of a-axis-oriented BaSi2 epitaxial films was enhanced drastically when formed under Si-rich conditions by molecular beam epitaxy. [3]우리는 600°C–800°C에서와 대조적으로 850°C–1000°C에서 5분 후 어닐링에 의해 BaSi2 에피택셜 필름의 현저한 광응답 향상을 시연했습니다. [1] 단일 BaSi2 타겟으로 BaSi2 에피택시 필름을 스퍼터링하기 어려운 문제를 해결하기 위해 Ba 및 Si를 공동 스퍼터링하여 BaSi2 박막을 위한 새로운 성장 방법이 개발되었습니다. [2] nan [3]
Quality Epitaxial Films 고품질 에피택시 필름
One of the challenges in chemical solution-based processes for ferroic metal oxide films has been the growth of high-quality epitaxial films with desired physical properties. [1] The magnetic susceptibility in the high-quality epitaxial films Nd1. [2] To study the conductive mechanism in detail, high quality epitaxial films are essential. [3]철 금속 산화물 필름에 대한 화학 용액 기반 공정의 과제 중 하나는 원하는 물리적 특성을 가진 고품질 에피택시 필름의 성장이었습니다. [1] 고품질 에피택시 필름의 자화율 Nd1. [2] nan [3]
Gan Epitaxial Films 간 에피택시 필름
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of electronic structure and surface states of GaN epitaxial films grown on Al2O3 and SiC substrates established the presence of only traces of surface oxidation after three years storage in standard air media conditions. [1] 94 × 10 8 cm−3 for screw and edge dislocation density of GaN epitaxial films were achieved on sapphire. [2] With the addition of a 3D GaN interlayer, the crystal quality of the GaN epitaxial films was further improved. [3]Al2O3 및 SiC 기판에서 성장한 GaN 에피택셜 필름의 전자 구조 및 표면 상태에 대한 X선 광전자 분광법(XPS)은 표준 공기 매체 조건에서 3년 보관 후 표면 산화의 흔적만 확인했습니다. [1] 나사의 경우 94×10 8 cm-3 GaN 에피택셜 필름의 에지 전위 밀도가 사파이어에서 달성되었습니다. [2] nan [3]
Lacoo3 Epitaxial Films
Here, we report the observation of twin domains in ferroelastic LaCoO3 epitaxial films and their geometric control of structural symmetry intimately linked to the material’s electronic and magnetic states. [1] All the LaCoO3 epitaxial films, with strain-induced larger unit-cell sizes and longer Co O bond lengths compared with those of bulk LaCoO3, exhibit obvious visible-light-driven photocatalytic activity. [2]Grown Epitaxial Films
Vertical β-Ga2O3 Schottky diodes from metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)-grown epitaxial films are reported in this paper for high-power application devices. [1] The grown epitaxial films had the thickness of ~ 10 μm, n -type conductivity with specific resistances of ~ 0. [2]MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 성장 에피택셜 필름의 수직 β-Ga2O3 쇼트키 다이오드가 고전력 응용 장치에 대해 이 논문에서 보고되었습니다. [1] nan [2]
Ga2o3 Epitaxial Films
The native oxygen-deficient e-Ga2O3 epitaxial films fabricated via metal–organic chemical vapor deposition become highly dense and VO-less after oxidation annealing, leading to an enhanced performance, while they become VO-rich after reduction annealing to depress the PD property. [1] Delta-doped \b{eta}-Ga2O3 epitaxial films are characterized using capacitance-voltage profiling and secondary-ion mass spectroscopy. [2]금속-유기 화학 기상 증착을 통해 제조된 고유 산소 결핍 e-Ga2O3 에피택셜 필름은 산화 어닐링 후에 고밀도화되고 VO가 없어 성능이 향상되는 반면, PD 특성을 저하시키기 위해 환원 어닐링 후에는 VO가 풍부해집니다. [1] nan [2]
Sriro3 Epitaxial Films
15 V in the overpotential of the recently discovered IrO x/SrIrO3 OER catalysts, which directly correlates with the structural parameters of the as-synthesized SrIrO3 epitaxial films. [1] Semimetallic iridate compound SrIrO3 epitaxial films have been deposited by off-axis sputtering, exhibiting excellent crystalline quality as well as smooth surfaces. [2]Zno Epitaxial Films
We have studied the structure and luminescence properties of (0001) ZnO epitaxial films on (0001) LaMgAl11O19. [1] A series of Cu-doped ZnO epitaxial films has been grown on sapphire substrates to investigate the possibilities of preparing a doped magnetic oxide at the coalescence limit. [2]우리는 (0001) LaMgAl11O19에서 (0001) ZnO 에피택시 필름의 구조와 발광 특성을 연구했습니다. [1] nan [2]
Δ Epitaxial Films
In search of novel oxide heterostructures that display highly mobile two-dimensional charge transport at its heterointerface, we report the synthesis of non-stoichiometric perovskite CaxTayO3+δ epitaxial films on TiO2 terminated SrTiO3 (001) substrate. [1] The transport properties of the percolation channels of memristive structures based on YBa2Cu3O7−δ epitaxial films were studied. [2]이종 계면에서 이동성이 높은 2차원 전하 수송을 표시하는 새로운 산화물 이종 구조를 찾기 위해 TiO2 종단 SrTiO3(001) 기판에서 비화학량론적 페로브스카이트 CaxTayO3+δ 에피택셜 필름의 합성을 보고합니다. [1] nan [2]
Alloy Epitaxial Films 합금 에피택시 필름
In this paper, a series of high-quality Nb-doped ZrxSn1−xO2 (Nb:ZrxSn1−xO2) alloy epitaxial films were prepared on c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition. [1] We succeeded in inducing the direct 3D-2D structural phase transition in (Pb1−xSnx)Se alloy epitaxial films by using a nonequilibrium growth technique. [2]이 논문에서는 펄스 레이저 증착에 의해 c면 사파이어 기판에 고품질 Nb 도핑된 ZrxSn1-xO2(Nb:ZrxSn1-xO2) 합금 에피택시 필름 시리즈를 준비했습니다. [1] 우리는 비평형 성장 기술을 사용하여 (Pb1-xSnx)Se 합금 에피택시 필름에서 직접적인 3D-2D 구조적 상전이를 유도하는 데 성공했습니다. [2]
Strained Epitaxial Films 변형된 에피택시 필름
Structural relaxation is carried out to simulate the growth of coherently strained epitaxial films on (001) oriented orthorhombic perovskite substrates. [1] In this work, the change in ionic conductivity of biaxially strained epitaxial films of rare-earth substituted ceria was measured. [2]구조적 이완은 (001) 배향 사방정계 페로브스카이트 기판에서 일관되게 변형된 에피택시 필름의 성장을 시뮬레이션하기 위해 수행됩니다. [1] 이 연구에서 희토류 치환 세리아의 이축 변형 에피택셜 필름의 이온 전도도 변화를 측정했습니다. [2]
Algan Epitaxial Films 알간 에피택시 필름
It was observed that the remnant Al in low temperature growth of AlN buffer layer resist the growth quality of AlGaN epitaxial films. [1] The non-polar a-AlGaN epitaxial films were investigated by using atomic force microscopy (AFM), high-resolution x-ray diffraction, photoluminescence (PL) spectroscopy and the Hall effect measurement techniques. [2]AlN 버퍼층의 저온 성장에서 남은 Al은 AlGaN 에피택시 필름의 성장 품질에 저항하는 것으로 관찰되었습니다. [1] 비극성 a-AlGaN 에피택셜 필름은 원자간력현미경(AFM), 고해상도 x-선 회절, 광발광(PL) 분광법 및 홀 효과 측정 기술을 사용하여 조사되었습니다. [2]
epitaxial films grown 성장된 에피택시 필름
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) of electronic structure and surface states of GaN epitaxial films grown on Al2O3 and SiC substrates established the presence of only traces of surface oxidation after three years storage in standard air media conditions. [1] The structural and electronic properties of In2O3 epitaxial films grown on c-sapphire substrates by a pulsed laser deposition technique are studied as functions of various growth conditions. [2] In this paper, we observe the PLMR effect at 10 K in homogeneous and single-phase ${\mathrm{Mn}}_{2}\mathrm{CoAl}$ epitaxial films grown by low-temperature molecular beam epitaxy at $100{\phantom{\rule{0. [3] The α-(Al x Ga1–x )2O3 epitaxial films grown by mist chemical vapor deposition were annealed at temperatures in the range of 600 °C–1100 °C in an atmospheric furnace, and then the crystal structures of the films were characterized using X-ray diffraction and transmission electron microscopy. [4] 05) epitaxial films grown on (LaAlO3)0. [5] The relief of thin Mo epitaxial films grown on the R-plane of sapphire has been studied by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy. [6] 1 eV) reported in the literature, obtained from samples of varied structural qualities, including polycrystalline films, epitaxial films grown by pulsed-laser deposition and molecular beam epitaxy, nanowires, nanotubes, and bulk single crystals. [7] In this work we report separable CdTe(1 1 1) epitaxial films grown on mica substrate via vapor transport deposition. [8] In this work, the electrical properties of SiC epitaxial films grown on single-crystalline silicon substrates with conductivity of n- and p-types were studied. [9] The ALD growth of the PbTe–PbSe samples in this work results in nonepitaxial films grown directly on native oxide/Si substrates, where the Volmer–Weber mode of growth promotes grains with a preferred columnar orientation. [10] In this work, we report that the hole mobility of SnO epitaxial films grown by pulsed laser deposition can be improved by reducing the growth temperature. [11] 01 ≤ x ≤ 1) epitaxial films grown by the pulsed laser deposition and found that there are two thermoelectric phase boundaries at x ∼ 0. [12]Al2O3 및 SiC 기판에서 성장한 GaN 에피택셜 필름의 전자 구조 및 표면 상태에 대한 X선 광전자 분광법(XPS)은 표준 공기 매체 조건에서 3년 보관 후 표면 산화의 흔적만 확인했습니다. [1] 펄스 레이저 증착 기술에 의해 c-사파이어 기판에서 성장한 In2O3 에피택시 필름의 구조적 및 전자적 특성은 다양한 성장 조건의 함수로 연구됩니다. [2] 이 논문에서 우리는 ${\mathrm{Mn}}_{2}\mathrm{CoAl}$ $100에서 저온 분자빔 에피택시로 성장된 에피택시 필름에서 10K에서 PLMR 효과를 관찰합니다. 팬텀{\규칙{0. [3] 미스트 화학기상증착법에 의해 성장된 α-(Al x Ga1-x )2O3 에피택셜 필름은 대기로에서 600°C–1100°C 범위의 온도에서 어닐링되었고, 그 후 필름의 결정 구조는 다음을 사용하여 특성화되었습니다. X선 회절 및 투과 전자 현미경. [4] 05) (LaAlO3)0에서 성장된 에피택시 필름. [5] 사파이어의 R면에서 성장한 얇은 Mo 에피택셜 필름의 양각은 주사 터널링 현미경과 원자력 현미경으로 연구되었습니다. [6] nan [7] 이 작업에서 우리는 증기 수송 증착을 통해 운모 기판에서 성장된 분리 가능한 CdTe(1 1 1) 에피택시 필름을 보고합니다. [8] nan [9] nan [10] nan [11] nan [12]
epitaxial films vium
The key process steps for growing high-quality Si-based epitaxial films via reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) are investigated herein. [1] We grow (111)-oriented Pt epitaxial films via off-axis sputtering on various substrates and investigate the optimal substrate and orientation for high quality, epitaxial growth. [2]감압 화학 기상 증착(RPCVD)을 통해 고품질 Si 기반 에피택셜 필름을 성장시키는 주요 공정 단계가 여기에서 조사됩니다. [1] nan [2]