Electronic Switching(전자 스위칭)란 무엇입니까?
Electronic Switching 전자 스위칭 - Under various bendings, it was demonstrated that all the antenna components, including those for electronic switching, remained intact and in working order even under the radius bending of 40 mm, thus maintaining good pattern reconfigurability and overall performance. [1] SPDT switches are employed for electronic switching between two different feeding line sections. [2] METHODS Our proposed system is based on backscattering from a semi-passive Radio-Frequency-Identification-Device (RFID) implemented using an Application Specific Integrated Circuit (ASIC) in which electronic switching between transistor gates in high and low states create an impedance difference, thereby effectively changing the ASIC's Radar Cross Section (RCS) and thus modulating its backscat-tered field. [3] Lateral GaN-based transistors (HEMTs) for power-electronic switching up to 650 V have not yet approached their theoretical material limit in terms of R ON A vs. [4] This approach features a faster speed and simpler architecture in comparison with conventional sensing techniques based on mechanical scanning or electronic switching. [5] Graphene Field Effect Transistors (GFETs) are active electronic components which exploit the modulation of charge carriers in a graphene channel for a wide variety of applications such as electronic switching, amplification and biosensing. [6] The hardware design has four main part, sensing layer using PT1000 as a temperature sensor, data processing layer using an ESP32 microcontroller, a circuit breaker system using a solid-state relay as an electronic switching, and LCD as a display. [7] These interesting features can be utilized for optoelectronic switching, confirmed by the cyclic PL switching test for a long time exceeding 4000 s. [8] The antenna design was optimized to enable electronic switching. [9]다양한 굽힘에서 전자 스위칭용을 포함한 모든 안테나 구성 요소가 40mm의 반경 굽힘에서도 손상되지 않고 정상적으로 작동하여 우수한 패턴 재구성 가능성과 전반적인 성능을 유지하는 것으로 나타났습니다. [1] SPDT 스위치는 두 개의 서로 다른 급전선 섹션 사이의 전자 스위칭에 사용됩니다. [2] 행동 양식 우리가 제안하는 시스템은 하이 상태와 로우 상태의 트랜지스터 게이트 사이의 전자적 스위칭이 임피던스 차이를 생성하는 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)을 사용하여 구현된 반 수동형 RFID(Radio-Frequency-Identification-Device)의 후방 산란을 기반으로 합니다. ASIC의 RCS(Radar Cross Section)를 효과적으로 변경하여 후방 산란 필드를 변조합니다. [3] 최대 650V의 전력 전자 스위칭을 위한 측면 GaN 기반 트랜지스터(HEMT)는 아직 R ON A와 비교하여 이론적인 재료 한계에 도달하지 않았습니다. [4] 이 접근 방식은 기계적 스캐닝 또는 전자적 스위칭을 기반으로 하는 기존 감지 기술과 비교하여 더 빠른 속도와 단순한 아키텍처를 특징으로 합니다. [5] 그래핀 전계 효과 트랜지스터(GFET)는 전자 스위칭, 증폭 및 바이오센싱과 같은 다양한 애플리케이션을 위해 그래핀 채널에서 전하 캐리어의 변조를 이용하는 능동 전자 부품입니다. [6] 하드웨어 설계는 4가지 주요 부분, 즉 PT1000을 온도 센서로 사용하는 감지 계층, ESP32 마이크로컨트롤러를 사용하는 데이터 처리 계층, 전자 스위칭으로 무접점 계전기를 사용하는 회로 차단기 시스템, 디스플레이로 LCD를 포함합니다. [7] 이러한 흥미로운 기능은 4000초를 초과하는 오랜 시간 동안 주기적 PL 스위칭 테스트로 확인된 광전자 스위칭에 활용할 수 있습니다. [8] 안테나 설계는 전자 스위칭이 가능하도록 최적화되었습니다. [9]
Power Electronic Switching 전력 전자 스위칭
With the popularization of high-power power electronic switching equipment and the technical update of electrical equipment, voltage sags have become a major problem affecting power quality, which seriously affects the reliability of power supply in power systems. [1] Compared with the existing three-phase DCBVRMs, the number of power electronic switching devices has been greatly reduced without sacrificing performance. [2] The power electronic switching devices play a substantial slice in the process of high-power transfer applications. [3] The sensing principle of the monitoring device, the power-supply principle of ceramic capacitor voltage division, and power electronic switching device, as well as the principle of signal acquisition and wireless transmission are expounded. [4] This paper introduces an effortless design procedure for resistive-capacitive (RC) snubbers, aiming to damp the oscillations caused by wide-bandgap (WBG) power semiconductor devices in power electronic switching cells. [5] The power electronic switching arrangement employed interfaces the grid using an isolating transformer whose primary is connected in series with the feeder line and the secondary is shorted by an optimally sized AC reactor. [6] Reliability issue is one of the major drawbacks of SST because as it contains power electronic switching devices, the chances of occurring open and short circuit faults are more. [7] One of the most difficult problems in this study is how to set up a suitable power electronic switching model. [8] This paper presents the potential applications of flexible AC transmission system (FACTS) controllers, such as the static VAR compensator (SVC), using the latest technology of power electronic switching devices in the fields of electric power transmission systems with controlling the voltage and power flow, and improving the voltage regulation. [9] For each cell, a pre-charged capacitor is discharged by power electronic switching elements (insulated-gate bipolar transistor, IGBT). [10]고전력 전자 스위칭 장비의 대중화와 전기 장비의 기술 업데이트로 인해 전압 강하가 전력 품질에 영향을 미치는 주요 문제가 되어 전력 시스템의 전원 공급 신뢰성에 심각한 영향을 미칩니다. [1] 기존 3상 DCBVRM에 비해 성능 저하 없이 전력 전자 스위칭 장치의 수가 크게 감소했습니다. [2] 전력 전자 스위칭 장치는 고전력 전송 애플리케이션 프로세스에서 상당한 역할을 합니다. [3] 모니터링 장치의 감지 원리, 세라믹 커패시터 전압 분배의 전원 공급 원리, 전력 전자 스위칭 장치, 신호 획득 및 무선 전송 원리에 대해 설명합니다. [4] 이 백서에서는 전력 전자 스위칭 셀에서 WBG(광대역 갭) 전력 반도체 장치로 인해 발생하는 진동을 완화하는 것을 목표로 하는 저항 용량성(RC) 스너버를 위한 간편한 설계 절차를 소개합니다. [5] 채택된 전력 전자 스위칭 장치는 1차측이 급전선과 직렬로 연결되고 2차측이 최적 크기의 AC 리액터로 단락되는 절연 변압기를 사용하여 그리드를 인터페이스합니다. [6] 신뢰성 문제는 전력 전자 스위칭 장치를 포함하기 때문에 개방 및 단락 오류가 발생할 가능성이 더 높기 때문에 SST의 주요 단점 중 하나입니다. [7] 이 연구에서 가장 어려운 문제 중 하나는 적합한 전력 전자 스위칭 모델을 설정하는 방법입니다. [8] 본 논문은 전압 및 전력 흐름을 제어하는 전력 전송 시스템 분야에서 전력 전자 스위칭 장치의 최신 기술을 사용하여 SVC(Static VAR Compensator)와 같은 유연한 AC 전송 시스템(FACTS) 컨트롤러의 잠재적인 응용을 제시합니다. , 전압 조정 개선. [9] 각 셀에 대해 사전 충전된 커패시터는 전력 전자 스위칭 소자(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터, IGBT)에 의해 방전됩니다. [10]
electronic switching device 전자 스위칭 장치
Silicon–ferroelectric–silicon structures with hafnia BOX and alumina inclusions also demonstrated increased thermal stability for hafnia or hafnia–zirconia alloys during the RTA treatment up to 900 °C, which makes them fully compatible with current complementary metal oxide semiconductor technology, promising integrated circuits for neuromorphic computation and optoelectronic switching devices. [1] Compared with the existing three-phase DCBVRMs, the number of power electronic switching devices has been greatly reduced without sacrificing performance. [2] The power electronic switching devices play a substantial slice in the process of high-power transfer applications. [3] Nowadays, the increasing amount of large power-electronic switching devices can be a source of both harmonics (<2 kHz) and supraharmonics (2-150 kHz) currents injected to the grid. [4] The sensing principle of the monitoring device, the power-supply principle of ceramic capacitor voltage division, and power electronic switching device, as well as the principle of signal acquisition and wireless transmission are expounded. [5] Conjugated organic photochromes such as azobenzene derivatives can show remarkable nonlinear optical (NLO) properties and rapid responses, two essential requirements for the realization of optoelectronic switching devices. [6] Reliability issue is one of the major drawbacks of SST because as it contains power electronic switching devices, the chances of occurring open and short circuit faults are more. [7] The transformation of digital computers from bulky machines to portable systems has been enabled by new materials and advanced processing technologies that allow ultrahigh integration of solid-state electronic switching devices. [8] This paper presents the potential applications of flexible AC transmission system (FACTS) controllers, such as the static VAR compensator (SVC), using the latest technology of power electronic switching devices in the fields of electric power transmission systems with controlling the voltage and power flow, and improving the voltage regulation. [9] It is to be noted that the micromotors reported here maintain their stable motion without any mechanical support such as rotational axes or electronic switching devices. [10] Moreover, the ferroelastic phase transition was accompanied with semiconductor-to-metal-to-semiconductor transitions under uniaxial compressive stress, which could be applied in electronic switching devices. [11] The prepared hetero-structure has been compared with other silicon based optoelectronic switching devices to find suitability of an alternate choice. [12] The growing use of electronic switching devices in both power systems and distributed networks, has become a major issue due to the produced harmonic and interharmonic distortion that adversely affects the network. [13]하프니아 BOX 및 알루미나 개재물이 포함된 실리콘-강유전성-실리콘 구조는 최대 900°C의 RTA 처리 동안 하프니아 또는 하프니아-지르코니아 합금에 대한 열 안정성이 증가하여 현재의 상보적 금속 산화물 반도체 기술과 완전히 호환되는 유망한 집적 회로를 보여줍니다. 뉴로모픽 계산 및 광전자 스위칭 장치용. [1] 기존 3상 DCBVRM에 비해 성능 저하 없이 전력 전자 스위칭 장치의 수가 크게 감소했습니다. [2] 전력 전자 스위칭 장치는 고전력 전송 애플리케이션 프로세스에서 상당한 역할을 합니다. [3] 오늘날 증가하는 대용량 전력 전자 스위칭 장치는 그리드에 주입되는 고조파(<2kHz) 및 초고조파(2-150kHz) 전류의 소스가 될 수 있습니다. [4] 모니터링 장치의 감지 원리, 세라믹 커패시터 전압 분배의 전원 공급 원리, 전력 전자 스위칭 장치, 신호 획득 및 무선 전송 원리에 대해 설명합니다. [5] 아조벤젠 유도체와 같은 공액 유기 광색소는 광전자 스위칭 장치의 실현을 위한 두 가지 필수 요건인 놀라운 비선형 광학(NLO) 특성과 빠른 응답을 나타낼 수 있습니다. [6] 신뢰성 문제는 전력 전자 스위칭 장치를 포함하기 때문에 개방 및 단락 오류가 발생할 가능성이 더 높기 때문에 SST의 주요 단점 중 하나입니다. [7] 부피가 큰 기계에서 휴대용 시스템으로 디지털 컴퓨터의 변환은 반도체 전자 스위칭 장치의 초고집적도를 가능하게 하는 신소재와 고급 처리 기술에 의해 가능하게 되었습니다. [8] 본 논문은 전압 및 전력 흐름을 제어하는 전력 전송 시스템 분야에서 전력 전자 스위칭 장치의 최신 기술을 사용하여 SVC(Static VAR Compensator)와 같은 유연한 AC 전송 시스템(FACTS) 컨트롤러의 잠재적인 응용을 제시합니다. , 전압 조정 개선. [9] 여기에 보고된 마이크로 모터는 회전축이나 전자 스위칭 장치와 같은 기계적 지원 없이 안정적인 동작을 유지합니다. [10] 더욱이, 강탄성 상전이는 전자 스위칭 장치에 적용될 수 있는 단축 압축 응력 하에서 반도체-금속-반도체 전이를 동반하였다. [11] 준비된 헤테로 구조는 대체 선택의 적합성을 찾기 위해 다른 실리콘 기반 광전자 스위칭 장치와 비교되었습니다. [12] 전력 시스템과 분산 네트워크 모두에서 전자 스위칭 장치의 사용 증가는 네트워크에 악영향을 미치는 생성된 고조파 및 상호 고조파 왜곡으로 인해 주요 문제가 되었습니다. [13]
electronic switching system
The proposed model has been validated on two software failure data sets of Tandem Computers and Brazilian Electronic Switching System, TROPICO R-1500. [1] Here, it has been reported the first experimental observation of this phenomenon in a 3D electronic switching system and obtain the region of parameter space by constructing a discrete map of the system. [2]제안된 모델은 Tandem Computers와 브라질 전자 스위칭 시스템 TROPICO R-1500의 두 가지 소프트웨어 오류 데이터 세트에서 검증되었습니다. [1] 여기, 3D 전자 스위칭 시스템에서 이 현상의 첫 번째 실험 관찰이 보고되었으며 시스템의 이산 맵을 구성하여 매개변수 공간 영역을 얻습니다. [2]
electronic switching fabric
Optical interconnection networks promise to overcome the limitations of current electronic switching fabrics, enabling higher throughput, lower latency, and lower power consumption. [1] The idea of using photonic networks to replace present-day electronic switching fabrics was initially driven by the power hungry nature of the optical to electronic and electronic to optical conversion. [2]광 상호 연결 네트워크는 현재 전자 스위칭 패브릭의 한계를 극복하여 더 높은 처리량, 더 낮은 대기 시간 및 더 낮은 전력 소비를 가능하게 합니다. [1] 오늘날의 전자 스위칭 패브릭을 대체하기 위해 광자 네트워크를 사용한다는 아이디어는 처음에 광에서 전자로, 전자에서 광으로 변환하는 전력 소모적인 특성에 의해 주도되었습니다. [2]
electronic switching control 전자 스위칭 제어
The three types of electronic switching control, namely Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and Gate Turn-off Thyristor (GTO), are used to achieve the highest performance. [1] SRG design and commutation-pattern optimizations are carried out, and electronic switching control achieved by hysteresis regulation of stator-phase currents and enhanced wind-power extraction (MPPT) techniques is approached. [2]금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 및 게이트 턴오프 사이리스터(GTO)의 세 가지 유형의 전자 스위칭 제어를 사용하여 최고 성능을 달성합니다. [1] SRG 설계 및 정류 패턴 최적화가 수행되고 고정자 위상 전류의 히스테리시스 조절 및 향상된 풍력 추출(MPPT) 기술에 의해 달성되는 전자 스위칭 제어에 접근합니다. [2]