Edge States
에지 상태

2차원 위상 절연체는 단일 입자 후방 산란에 대해 위상적으로 보호되는 나선형 가장자리 상태를 나타냅니다.

대신, 우리는 2차원 위상 절연체에서 유한 길이의 좁은 결함 라인 주위에 나선형 에지 상태를 제한합니다.

기존의 벌크 경계 대응은 유한 시스템의 토폴로지 에지 상태 수를 주기적 경계 조건(PBC)이 있는 벌크 밴드 구조의 토폴로지 불변량과 직접 연결합니다.

대칭은 물질의 위상 위상을 식별하고 벌크 경계 대응을 통해 보호된 가장자리 상태와 토폴로지 벌크 불변 사이를 직접 연결하는 데 중요한 역할을 합니다.

이 결과는 전위 프로파일에 대한 국부 밀도 근사 및 전위에 대한 밴드 에지 상태의 준입자 자체 일관된 GW 계산을 사용하여 제1 원리 밀도 기능 이론 계산에 의해 예측된 값과 잘 일치합니다.

밀도 기능 이론 방법을 사용하여 더 넓은 ML Na3Bi 나노리본(>7 nm)이 절연 벌크 상태와 소산 없는 금속 가장자리 상태를 특징으로 하는 토폴로지 절연체임을 발견했습니다.

다양한 토폴로지 상태가 체인을 다르게 쌓아서 선택할 수 있다는 우리의 시연은 van der Waals 재료의 장점과 결합되어 미래의 스핀트로닉스 애플리케이션을 위해 토폴로지적으로 중요하지 않은 에지 상태를 엔지니어링할 수 있는 놀이터를 제공합니다.

이 Lieb-lattice Ag2S는 또한 가전자대 가장자리 근처의 변형에 의해 유도된 토폴로지로 중요하지 않은 가장자리 상태에 의해 입증되는 바와 같이 페르미 준위 근처의 전자 특성 및 토폴로지 상태를 미세하게 조정할 수 있도록 하는 초연성이 있는 것으로 밝혀졌습니다.

이 이론 내에서 우리는 두 번째 시간 프레임이 $+1$ 및 $-1$에서 대칭 보호 가장자리 상태를 구별할 수 있는 벌크 가장자리 대응을 증명합니다. 이는 단 하나의 시간 프레임으로는 불가능합니다.

또한 가장자리 상태 스펙트럼을 분석하고 벌크 가장자리 일치의 원리에 따라 Chern 수와 가장자리 상태 간의 일치에 대해 논의합니다.

여기에서 우리는 토폴로지 설계 원칙을 사용하여 광자에 대한 합성 자기장을 생성하고 토폴로지 에지 상태를 나타내는 결합된 링 공진기의 2차원 어레이에서 광학 주파수 빗 및 시간 소산 Kerr 솔리톤의 생성을 이론적으로 제안합니다.

여기에서 우리는 이론적으로 합성 자기장을 생성하여 광자에 대한 위상 에지 상태를 나타내는 결합된 링 공진기의 2차원 어레이에서 간섭성 광 주파수 빗 및 소산 커 슈퍼 솔리톤의 생성을 제안합니다.

양자 비정상 홀 효과(QAHE)에서 외부 자기장 없이 소산 없는 키랄 에지 상태의 가능성은 전자/스핀트로닉스 응용 분야에서 큰 잠재력을 제공합니다.

이 리뷰에서 우리는 마이크로캐비티 폴라리톤의 주요 특성과 토폴로지 포토닉스 분야의 주요 관찰 사항을 설명합니다. 여기에는 무엇보다도 토폴로지 에지 상태에서의 레이징, 외부 자기장 하에서 폴라리톤 Chern 절연체의 구현 및 1차원 및 2차원 격자의 양자 기하학적 텐서 및 권선 수와 같은 기본 수량의 직접 측정.

갭이 있는 에지 상태와 갭 코너 상태의 기존 스펙트럼 기능 외에도 위상 밴드 이론은 고차 위상 절연체의 모서리 경계가 2/3 부분 전하를 호스팅한다고 예측합니다.

최근 고차 위상 절연체는 갭 경계 상태와 인갭 코너 상태를 동시에 호스팅하는 고유한 벌크 경계 대응 원리로 인해 음파 조작 분야에서 점점 더 주목받고 있습니다.

그 중 양자 스핀 홀(QSH) 절연체는 토폴로지 밴드 반전과 강력한 스핀-궤도 결합의 상호 작용에서 발생하는 2D 물질 상태로, 최대 800meV까지 조정할 수 있는 큰 벌크 밴드갭과 갭이 없는 1D 가장자리 상태가 있습니다.

더욱이, 스핀-궤도 커플링은 Dirac 지점에서 밴드 갭을 열 수 있으며, 이는 Chern 수의 정수 값과 나노리본의 가장자리 상태를 특징으로 하는 위상학적으로 중요하지 않은 전자 상태로 이어집니다.

이 논문의 연구는 광통신 분야에서 견인 차원 결합 공진 광 도파관의 위상 에지 상태의 잠재적인 응용을 위한 기초를 제공할 것입니다.

플라즈몬 토폴로지 에지 상태의 디페이징 시간은 임계값 요구 사항이 있고 최종적으로 포화에 도달하는 벌크 격자 수가 증가함에 따라 증가합니다.

이러한 C n 대칭 CI는 키랄 에지 상태, 실제 공간 Chern 수 및 양자화된 컨덕턴스를 기반으로 식별할 수 있습니다.

양자 비정상 홀 효과(QAHE)에서 외부 자기장 없이 소산 없는 키랄 에지 상태의 가능성은 전자/스핀트로닉스 응용 분야에서 큰 잠재력을 제공합니다.

게다가, 우리는 토폴로지 Dirac 반금속이 회전 대칭 축에 국한될 때 나선형 모서리 상태가 스핀-z 구성 요소의 보존에 의해 보호되는 양자 홀 및 양자 스핀 홀 상태를 모두 호스트한다는 것을 발견했습니다.

1차원의 틈이 없는 나선형 모서리 상태와 0차원 모서리 상태가 동일한 시스템에 공존합니다.

한편, 결과는 토폴로지 보호 가장자리 상태가 우리 구조에서도 관찰됨을 보여줍니다.

우리의 시뮬레이션은 이러한 토폴로지로 보호된 에지 상태가 거의 임의로 변형된 결함 도파관에서 강력한 전송을 달성할 수 있고 따라서 재구성 가능한 토폴로지 위상을 달성하기 위해 실용적으로 조정 가능한 체계를 제공할 수 있음을 보여줍니다.

또한, R 지점의 밴드 에지 상태는 주로 Pb-I 결합의 반결합 특성에 영향을 받기 때문에 CH3NH3PbI3는 상대적으로 작은 변형 전위와 밴드 갭의 낮은 온도 의존성을 나타냅니다(330 K에서 ΔEg ≈ 50 meV ~ 400 K) 및 전자-포논 결합 강도는 유기 양이온의 큰 구조적 변동에도 불구하고.

이종계면 결합은 IEF를 추가로 줄이고 8|4 구성에서 밴드 에지 상태의 모집단을 확대하여 가시광 흡수를 크게 개선하는 효과적인 방법입니다.

우리는 단방향 방출 및 단일 광자의 비가역 전송을 달성하는 데 사용되는 토폴로지로 강력한 에지 상태를 설계합니다.

양자 물질의 경계는 위상학적으로 강력한 가장자리 상태 또는 임의의 준입자와 같은 다양한 이국적인 효과를 호스팅할 수 있습니다.

흥미롭게도 g-C6N7B는 위상적으로 중요하지 않습니다. 왜냐하면 원자가와 전도대가 강력한 갭리스 에지 상태와 관련된 스핀-궤도 커플링(SOC) 효과에 의해 갭이 생길 수 있기 때문입니다.

그런 다음 경계에 대한 Chern-Simons 이론에 의해 유도된 Wess-Zumino-Witten 모델에서 틈이 없는 가장자리 상태와 관련된 키랄 보존의 새로운 유도를 제공합니다.

대칭으로 보호된 금속 모서리 상태를 나타내는 위상 절연체는 다양한 응용 분야에서 유망한 재료 등급입니다.

밀도 기능 이론 방법을 사용하여 더 넓은 ML Na3Bi 나노리본(>7 nm)이 절연 벌크 상태와 소산 없는 금속 가장자리 상태를 특징으로 하는 토폴로지 절연체임을 발견했습니다.

지그재그 에지(ZGNR)를 갖는 그래핀 나노리본은 15년 이상 전에 예측된 스핀-편광 에지 상태로 인해 많은 관심을 받았습니다.

장치의 작동은 실리신 나노리본의 "스핀 편극 에지 상태"를 기반으로 합니다.

유형 II Dirac 점을 호스팅하는 cw-레이저 작성 이방성 광자 격자에서 비선형 밸리 홀 에지 상태(VHES)를 시연합니다.

이미 이러한 이미징 기술은 꼬인 이중층 그래핀에서 꼬인 각도 장애에 대한 상관 상태의 취약성을 보여주고 양자 홀 가장자리 상태에서 복잡한 전류 흐름을 드러냈습니다.

다양한 연구 및 애플리케이션을 위해 QAH 에지 상태를 엔지니어링하는 우아한 방법을 제공하지만 실험적으로 입증된 적은 없습니다.

자기장에서 QAH 절연체의 효과적인 작용을 유도함으로써 스펙트럼 비대칭이 QAH 가장자리 상태에 대한 정보를 포함하는 고유한 Chern-Simons 항과 연결됨을 보여줍니다.

에지를 따라 흐르는 0이 아닌 전류는 에지 상태를 전파하는 신호로 사용될 수 있습니다.

비국소 전송 측정 및 이론적 계산은 0 홀 고원 상태에서 전하 전송이 강한 자기장에서 Landau 준위와 큰 Zeeman 효과의 결합 효과에서 발생하는 두 개의 역전파 에지 상태에 의해 수행됨을 보여줍니다.

로컬 음향 측정을 통해 계층적 고차 토폴로지의 특징적인 서명으로 갭이 있는 에지 상태와 인갭 코너 상태로 채워진 토폴로지 벌크 밴드갭을 식별합니다.

갭이 있는 에지 상태와 갭 코너 상태의 기존 스펙트럼 기능 외에도 위상 밴드 이론은 고차 위상 절연체의 모서리 경계가 2/3 부분 전하를 호스팅한다고 예측합니다.

다양한 토폴로지 상태가 체인을 다르게 쌓아서 선택할 수 있다는 우리의 시연은 van der Waals 재료의 장점과 결합되어 미래의 스핀트로닉스 애플리케이션을 위해 토폴로지적으로 중요하지 않은 에지 상태를 엔지니어링할 수 있는 놀이터를 제공합니다.

Abelian 토폴로지 밴드 절연체와 달리 이러한 시스템은 여러 개의 얽힌 벌크 밴드갭을 포함하고 비 Abelian 토폴로지 특징을 나타내는 중요하지 않은 가장자리 상태를 지원합니다.

이 현상은 국부적인 에지 상태와 Mo-에지 및 S-에지의 구조 유도 역전이 결합된 결과입니다.

지그재그 에지가 있는 나노리본(ZGNR)은 지그재그 에지를 따라 페리자성 스핀 분극을 유도하는 페르미 에너지 근처에서 강력한 국부적 에지 상태를 보유합니다.

우리는 또한 Majorana 에지 상태와 위상 다이어그램의 여러 영역에서 상태 밀도를 플로팅하여 모델의 위상 다이어그램을 연구합니다.

위상 초전도체(TSC)의 주요 서명으로 키랄 및 나선 MES(Majorana edge state)가 최근 주목을 받고 있습니다.

홀수 주기 양자 보행의 경우 경계에 0 에너지 경계 상태와 π 에너지 경계 상태가 동등하게 공존하지만 짝수 주기 양자 보행의 경우 이 두 가지 경계 상태가 단독으로 또는 함께 존재할 수 있습니다.

실린더 형상의 경우 에너지가 0인 가장자리 상태가 나타날 수 있지만 한 경계에 국한됩니다.

투영된 곡선의 진화는 결함 폭이 증가함에 따라 입증되며, 이는 두 인터페이스에서 다중 에지 상태의 발생을 확대합니다.

경계가 있는 시스템의 경우 그랜드 캐노니컬 앙상블 아래의 질량 중심(CoM)은 여러 에지 상태의 기여도를 설명하고 시스템의 토폴로지를 나타냅니다.

최근에 금속-유기 네트워크를 특징으로 하는 혼합 벌집-카고메 격자가 사소한 가장자리 상태를 호스팅할 수 있는 위상 절연체 재료로 이론적으로 제안되었습니다.

마지막으로, 우리는 초전도성과 위상학적으로 중요한 가장자리 상태의 공존을 달성하기 위해 재료를 조정할 수 있는 가능성에 대해 논의합니다.

일반 광유전체 재료로 구성된 역 밸리 홀 위상 계면에서 결함과 날카로운 에지로 인한 광학 후방산란에 영향을 받지 않는 위상적으로 보호된 밸리 에지 상태가 존재하지만 에지 상태의 분산 및 주파수 범위는 일단 기하학적으로 조정되면 조정할 수 없습니다. 재료의 매개변수가 결정됩니다.

강력한 계곡 가장자리 상태는 벌크 가장자리 대응으로 인해 내부 및 외부 클래딩 사이의 도메인 벽에 존재합니다.

중간 갭 에지 상태는 유한한 수명을 획득하며 토폴로지 기원이거나 리드에 대한 강력한 결합에 의해 생성됩니다.