Driven Switching(구동 스위칭)란 무엇입니까?
Driven Switching 구동 스위칭 - We investigate the electrically-driven switching between low and high resistance states in antiferromagnetic Sr3Ir2O7 single crystals. [1] This paper proposes a stick-slip suppression method based on a velocity-driven N-order stick compensator (VDNSC), which works as an order-variable friction compensator formed by the velocity-driven switching of the internal components of a high order Q-filter. [2] Deterministic, magnetic-field-free 90\ifmmode^\circ\else\textdegree\fi{} magnetization switching is achieved solely by applying an extremely small electric field, and the associated current density is reduced by 8 orders of magnitude, compared to current-driven switching. [3] We also present data on voltage-driven switching between one of the anisotropic limits. [4] An important problem that has not been solved is the nonvolatility of field-driven switching for information storage applications. [5]우리는 반강자성 Sr3Ir2O7 단결정에서 낮은 저항 상태와 높은 저항 상태 사이의 전기 구동 스위칭을 조사합니다. [1] 본 논문에서는 VDNSC(Velocity-Driven N-order Stick Compensator) 기반의 스틱 슬립 억제 방법을 제안한다. 필터. [2] 결정적이며 자기장이 없는 90\ifmmode^\circ\else\textdegree\fi{} 자화 스위칭은 극히 작은 전기장을 인가함으로써만 달성되며, 관련 전류 밀도는 전류에 비해 800배 감소합니다. - 구동 스위칭. [3] 또한 이방성 한계 중 하나 사이의 전압 구동 스위칭에 대한 데이터도 제시합니다. [4] 아직 해결되지 않은 중요한 문제는 정보 저장 애플리케이션을 위한 필드 구동 스위칭의 비휘발성입니다. [5]
Field Driven Switching 필드 기반 스위칭
We study numerically external electric or magnetic field driven switching between percolated and non-percolated configuration of nanoparticles in soft matter ternary systems. [1] Ferroelectricity is very attractive for nonvolatile memories since it allows non-volatility paired with a field driven switching mechanism enabling a very low-power write operation. [2] We compute sizable induced magnetizations at optical frequencies, which suggest that electric-field driven switching could be achieved at much higher frequencies. [3] Consequently, the traditional field driven switching of ferromagnets gave way for more scalable current driven switching based on the well-known spin transfer torque phenomenon. [4]우리는 연질 물질 삼원계에서 나노입자의 침투된 구성과 침투되지 않은 구성 사이의 수치적 외부 전기장 또는 자기장 구동 스위칭을 연구합니다. [1] 강유전성은 매우 낮은 전력 쓰기 작업을 가능하게 하는 필드 구동 스위칭 메커니즘과 쌍을 이루는 비휘발성을 허용하기 때문에 비휘발성 메모리에 매우 매력적입니다. [2] 우리는 광 주파수에서 상당한 유도 자화를 계산했는데, 이는 훨씬 더 높은 주파수에서 전계 구동 스위칭이 달성될 수 있음을 시사합니다. [3] 결과적으로, 강자성체의 전통적인 필드 구동 스위칭은 잘 알려진 스핀 전달 토크 현상을 기반으로 하는 보다 확장 가능한 전류 구동 스위칭에 자리를 내주었습니다. [4]
driven switching mechanism 구동 스위칭 메커니즘
Here, we report a structurally driven switching mechanism involving the so-called "dead" layers of perovskite manganite surfaces. [1] Ferroelectricity is very attractive for nonvolatile memories since it allows non-volatility paired with a field driven switching mechanism enabling a very low-power write operation. [2] It is argued that the buried position and dense microstructure of the bottom platinum impedes an oxygen vacancy driven switching mechanism. [3]여기, 우리는 페로브스카이트 망간 표면의 소위 "죽은" 층을 포함하는 구조적으로 구동되는 스위칭 메커니즘을 보고합니다. [1] 강유전성은 매우 낮은 전력 쓰기 작업을 가능하게 하는 필드 구동 스위칭 메커니즘과 쌍을 이루는 비휘발성을 허용하기 때문에 비휘발성 메모리에 매우 매력적입니다. [2] 바닥 백금의 매립 위치와 조밀한 미세 구조가 산소 결손 구동 스위칭 메커니즘을 방해한다고 주장됩니다. [3]