Deterministic Switching(결정적 스위칭)란 무엇입니까?
Deterministic Switching 결정적 스위칭 - Comparison of the experimental switching behavior with micromagnetic simulations reveals that the deterministic switching in our devices cannot be explained by the stray field contribution of the in-plane magnetized layer, and the roughness-caused N\'eel coupling effect might play a more important role in achieving the observed field-free deterministic switching. [1] However, its development is still hindered by relatively high switching currents in in-plane magnetized structures and the need of an external magnetic field for deterministic switching of perpendicular layers. [2] Enhanced magnetization switching efficiency is observed with increasing Tb thickness, affirming the sizable antidamping torque responsible for deterministic switching. [3] Here, we report the discovery of deterministic switching of dark pulse Kerr combs, where the number of oscillations that appear between the switching waves can be either increased or decreased one at a time. [4] In the case of a symmetric square free layer, deterministic switching is achieved by running the second pulse over a part of the free layer. [5] In this work, we demonstrate a robust and highly controllable method for deterministic switching of the growth direction of self-catalyzed GaAs nanowires. [6] It is based on DWDM transmission, deterministic switching and a smart control. [7] Although the authors observe switching with a ferromagneticlike state for a 50-fs pulse, no deterministic switching is obtained. [8] The deterministic switching with smaller voltage was realized from the virgin state of the PMN-PT. [9] We demonstrate that, (i) for the easy plane anisotropy the precession of the Neel vector is conical and the cone angle depends on the STT strength and the value of spin non-compensation, while the frequency of precession can reach sub-THz frequencies; (ii) for the easy axis anisotropy two regimes are possible: deterministic switching of the net magnetization and a conical sub-THz precession depending on the STT strength. [10] However, in conventional SOT-based heterostructures, an in-plane bias magnetic field along the current direction is required for the deterministic switching. [11] Our results show that the positive sign product of field-like SOT and damping-like SOT and the strong antiferromagnetic exchange between the two coupled ferromagnetic layers are critical to realize the deterministic switching. [12] However, its development is still hindered by relatively high switching currents and the need of an external magnetic field for deterministic switching of perpendicularly magnetized layers. [13]마이크로 자기 시뮬레이션과 실험적 스위칭 거동을 비교하면 우리 장치의 결정론적 스위칭이 평면 내 자화층의 표유 자기장 기여로 설명될 수 없으며 거칠기로 인한 N\'eel 결합 효과가 더 중요한 역할을 할 수 있음을 보여줍니다. 관찰된 필드 없는 결정적 스위칭을 달성하는 데 있습니다. [1] 그러나 평면 내 자화 구조에서 상대적으로 높은 스위칭 전류와 수직 층의 결정론적 스위칭을 위한 외부 자기장의 필요성으로 인해 개발이 여전히 방해받고 있습니다. [2] Tb 두께가 증가함에 따라 향상된 자화 스위칭 효율이 관찰되어 결정론적 스위칭을 담당하는 상당한 감쇠 방지 토크를 확인합니다. [3] 여기에서 우리는 스위칭 파동 사이에 나타나는 진동 수가 한 번에 하나씩 증가하거나 감소할 수 있는 다크 펄스 커 빗의 결정적 스위칭의 발견을 보고합니다. [4] 대칭 정사각형 자유 레이어의 경우 결정적 스위칭은 자유 레이어의 일부에 대해 두 번째 펄스를 실행하여 달성됩니다. [5] 이 작업에서 우리는 자체 촉매 GaAs 나노와이어의 성장 방향을 결정론적으로 전환하기 위한 강력하고 고도로 제어 가능한 방법을 보여줍니다. [6] DWDM 전송, 결정적 스위칭 및 스마트 제어를 기반으로 합니다. [7] 저자는 50fs 펄스에 대해 강자성 상태로 스위칭하는 것을 관찰했지만 결정적 스위칭은 얻지 못했습니다. [8] PMN-PT의 처녀 상태에서 더 작은 전압으로 결정적 스위칭이 실현되었습니다. [9] (i) 쉬운 평면 이방성의 경우 Neel 벡터의 세차 운동은 원추형이고 원뿔 각도는 STT 강도와 스핀 비보상 값에 따라 달라지지만 세차 운동의 주파수는 서브 THz 주파수에 도달할 수 있습니다. (ii) 쉬운 축 등방성의 경우 두 가지 영역이 가능합니다. 순 자화의 결정론적 전환과 STT 강도에 따른 원추형 서브 THz 세차 운동입니다. [10] 그러나 기존의 SOT 기반 헤테로 구조에서는 결정적 스위칭을 위해 전류 방향을 따른 면내 바이어스 자기장이 필요합니다. [11] 우리의 결과는 필드형 SOT와 댐핑형 SOT의 양의 부호 곱과 두 결합된 강자성 층 사이의 강한 반강자성 교환이 결정론적 스위칭을 실현하는 데 중요하다는 것을 보여줍니다. [12] 그러나 상대적으로 높은 스위칭 전류와 수직 자화층의 결정론적 스위칭을 위한 외부 자기장의 필요성으로 인해 개발이 여전히 방해받고 있습니다. [13]
Induce Deterministic Switching 결정적 스위칭 유도
The spin-orbit torque device is promising as a candidate for next generation magnetic memory, while the static in-plane field needed to induce deterministic switching is a main obstacle for its application in highly integrated circuits. [1] The effective field increased with the slope of the wedged Pt, and is sufficient to induce deterministic switching of nearly 90% domains with the slope value of 0. [2]스핀-궤도 토크 장치는 차세대 자기 메모리의 후보로 유망한 반면 결정론적 스위칭을 유도하는 데 필요한 평면 내 필드는 고집적 회로에 적용하는 데 주요 장애물입니다. [1] 유효 필드는 쐐기형 Pt의 기울기와 함께 증가했으며 기울기 값이 0인 거의 90% 도메인의 결정적 전환을 유도하기에 충분합니다. [2]