Density Electron
밀도 전자

Density Electron(밀도 전자)란 무엇입니까?

Density Electron 밀도 전자 - Low-density electronic states in the energy gap of an amorphous In–Ga–Zn–O film control device performance. ^[1] The effect of high-density electronic excitations on the properties of CZTS thin films has been examined using UV–visible spectrophotometry for optical properties, X-ray diffraction and Raman spectroscopy for structural properties. ^[2] The single-dislocation Schottky diodes may find applications for developing ultrahigh-density electronic and memory devices. ^[3] High-density electronic defects at the surfaces and grain boundaries (GBs) of perovskite materials are the major contributor to suppressing the power conversion efficiency (PCE) and deteriorating the long-term stability of the solar devices. ^[4] Already in very low-density electron–hole plasmas these provide a substantial contribution to the excitonic linewidth. ^[5] Fortunately, it has been discovered that instead of using AlGaN layers with fixed Al compositions, by grading the Al composition along the growth direction, it is possible to (1) generate high-density electrons and holes via polarization-induced doping; (2) manipulate carrier transport behavior via energy band modulation, also known as ‘band engineering’. ^[6] Our findings not only propose a class of 1D ferroelectric materials toward the development of miniaturized and high-density electronic devices, but also pave an avenue of obtaining intrinsic 1D ferroelectrics from van der Waals crystals. ^[7] A highly electronegative carboxyl-decorated anionic metal-organic framework (MOF), (Me2NH2)2[In2(THBA)2](CH3CN)9(H2O)21 (InOF; H4THBA = [1,1':4',1″-terphenyl]-2',3,3″,5,5',5″-hexacarboxylic acid), with high-density electronegative functional sites was designed and constructed. ^[8] Thermal interface material (TIM) is pivotal for the heat dissipation between layers of high-density electronic packaging. ^[9] Ultrathin ferroelectrics are of great technological interest for high-density electronics, particularly non-volatile memories and field-effect transistors. ^[10] The results show that HG mode at 1-kHz repetitive operation can be achieved with the special electrode structure under nJ optical excitation and the generation of the plasma channel can be attributed to the accumulation of high-density electron-hole pairs and the transportation of the high-density filamentary current. ^[11] The electrons transfer to FePc from 585 defects forms an electron-rich region on Fe atom, and high-density electrons further raise the d-band center of Fe atom. ^[12] Thermal interface material (TIM) is pivotal for the heat dissipation in high-density electronic packaging. ^[13] Proton-conducting materials are key components for constructing high-energy-density electronic devices. ^[14] This study is the first demonstration of ultrathin, flexible, high-density electronics delivered into DRG, with capabilities for recording and tracking sensory information that are a significant improvement over conventional DRG interfaces. ^[15] With the rapid development of the electronics industry, high-density electronic devices and component mounting have gained popularity. ^[16] High-density electronics packaging, high speed, high performance, and miniaturized size are required to satisfy these trends. ^[17] The thermal design approach is relevant for a range of high-power-density electronics PMC packaging applications. ^[18] Our results are important for the thermal management of high-power-density electronics implemented with diamond and other wide-band-gap semiconductors. ^[19] High-density electron-bunch train--based tunable coherent terahertz radiation with a narrow spectral bandwidth is highly essential for many scientific applications. ^[20] Recently, the author’s group has demonstrated that an intense femtosecond (fs) laser pulse produces high-density electrons on a silicon (Si) grating, SPPs can resonantly be excited at the interface between air and the metalized silicon, and the plasmonic near-fields induce periodic ablation of the target surface [1]. ^[21] To maximize the benefit of the ultrahigh-power-density electronic devices, improved package-level cooling methods are needed to prevent the package and heatsink becoming a thermal bottleneck. ^[22] Heat dissipation is a key obstacle to achieving reliable, high-power-density electronic systems. ^[23] As devices continue to become miniaturized, both low-cost embedded microjet cooling technology and micro-Raman thermography may play a vital role in the design, operation, and evaluation of advanced high power-density electronics. ^[24] Driven by initiatives encouraging the generation of novel neurotechnologies and the maturation of technologies to fabricate high-density electronics, novel electrode technologies are emerging. ^[25] This study aims to provide an additive manufacturing-based pathway for addressing issues concerned with the reliability of high-density electronic packaging. ^[26] Stable and high-density electronic synapses are the most critical units for the hardware implementation of artificial neural network. ^[27] The XPS studies indicate that the density electron of Pd nanoparticles (NPs) could be manipulated by various supports, and the electron‐donating effect of Al2O3 was observed. ^[28] With the rapid development of high power, high frequency and high-density electronics, heat management of the package has attracted intensive attention. ^[29] This paper explores polylithic integration of heterogeneous dice (chiplets) for high-density electronic systems. ^[30] Recently, one of the dominant physical processes has been proposed that the moderate fs laser pulses can excite surface plasmon polaritons (SPPs) at the interface between the target substrate and the thin layer with high-density electrons generated [1]. ^[31] Our transport measurements on the single crystals show highly anisotropic, compensated low-density electrons and holes, both of which exhibit ultrahigh mobility at a level of 10^5cm^2V^-1s^-1 at low temperature. ^[32] Flow boiling in microchannels is a promising technique for cooling high power-density electronic devices. ^[33]
비정질 In-Ga-Zn-O 막 제어 장치 성능의 에너지 갭에서 저밀도 전자 상태. ^[1] CZTS 박막의 특성에 대한 고밀도 전자 여기의 효과는 광학적 특성에 대한 UV-가시광선 분광광도법, 구조적 특성에 대한 X선 회절 및 라만 분광법을 사용하여 조사되었습니다. ^[2] 단일 전위 쇼트키 다이오드는 초고밀도 전자 및 메모리 장치를 개발하기 위한 응용 프로그램을 찾을 수 있습니다. ^[3] 페로브스카이트 재료의 표면 및 입계(GB)의 고밀도 전자 결함은 전력 변환 효율(PCE)을 억제하고 태양광 소자의 장기 안정성을 저하시키는 주요 원인입니다. ^[4] 이미 매우 낮은 밀도의 전자-정공 플라즈마에서 이들은 여기자 선폭에 상당한 기여를 합니다. ^[5] 다행히도, 고정된 Al 조성을 가진 AlGaN 층을 사용하는 대신 성장 방향을 따라 Al 조성을 등급화함으로써 (1) 분극 유도 도핑을 통해 고밀도 전자와 정공을 생성할 수 있다는 것이 발견되었습니다. (2) '대역 엔지니어링'이라고도 알려진 에너지 대역 변조를 통해 반송파 전송 동작을 조작합니다. ^[6] 우리의 연구 결과는 소형 및 고밀도 전자 장치의 개발을 위한 1D 강유전체 재료 클래스를 제안할 뿐만 아니라 반 데르 발스 결정에서 고유한 1D 강유전체를 얻는 길을 열어줍니다. ^[7] 전기음성도가 높은 카르복실 장식 음이온 금속-유기 골격(MOF), (Me2NH2)2[In2(THBA)2](CH3CN)9(H2O)21 (InOF; H4THBA = [1,1':4',1″ -terphenyl]-2',3,3",5,5',5"-hexacarboxylic acid), 고밀도 전기음성 작용 부위가 설계 및 구축되었습니다. ^[8] 열 인터페이스 재료(TIM)는 고밀도 전자 패키징 레이어 간의 열 분산에 중추적인 역할을 합니다. ^[9] 초박형 강유전체는 고밀도 전자 제품, 특히 비휘발성 메모리 및 전계 효과 트랜지스터에 대한 기술적 관심이 높습니다. ^[10] 결과는 1kHz 반복 작동에서 HG 모드가 nJ 광 여기 하에서 특수 전극 구조로 달성될 수 있고 플라즈마 채널의 생성은 고밀도 전자-정공 쌍의 축적과 수송에 기인할 수 있음을 보여줍니다. 고밀도 필라멘트 전류. ^[11] 585개 결함에서 FePc로 전자가 이동하여 Fe 원자에 전자가 풍부한 영역을 형성하고 고밀도 전자가 Fe 원자의 d-band 중심을 더욱 높입니다. ^[12] 열 인터페이스 재료(TIM)는 고밀도 전자 패키징의 열 분산에 중추적인 역할을 합니다. ^[13] 양성자 전도성 물질은 고에너지 밀도 전자 장치를 구성하는 핵심 구성 요소입니다. ^[14] 이 연구는 기존 DRG 인터페이스에 비해 상당히 개선된 감각 정보를 기록하고 추적하는 기능과 함께 DRG에 제공되는 초박형, 유연, 고밀도 전자 장치의 첫 번째 시연입니다. ^[15] 전자 산업의 급속한 발전으로 고밀도 전자 장치 및 부품 실장이 인기를 얻었습니다. ^[16] 이러한 트렌드를 만족시키기 위해서는 고밀도 전자 패키징, 고속, 고성능, 소형화가 요구되고 있습니다. ^[17] 열 설계 접근 방식은 다양한 고전력 밀도 전자 제품 PMC 패키징 애플리케이션과 관련이 있습니다. ^[18] 우리의 결과는 다이아몬드 및 기타 광대역 갭 반도체로 구현된 고전력 밀도 전자 장치의 열 관리에 중요합니다. ^[19] 좁은 스펙트럼 대역폭을 가진 고밀도 전자 다발 트레인 기반 조정 가능한 가간섭성 테라헤르츠 방사선은 많은 과학 응용 분야에서 매우 중요합니다. ^[20] 최근에 저자 그룹은 강렬한 펨토초(fs) 레이저 펄스가 실리콘(Si) 격자에서 고밀도 전자를 생성하고 SPP가 공기와 금속화된 실리콘 사이의 계면에서 공명하게 여기될 수 있으며 플라즈몬 근접장 대상 표면의 주기적인 절제를 유도합니다[1]. ^[21] 초고전력 밀도 전자 장치의 이점을 극대화하려면 패키지와 히트싱크가 열 병목 현상이 되지 않도록 개선된 패키지 수준 냉각 방법이 필요합니다. ^[22] 방열은 안정적인 고전력 밀도 전자 시스템을 구현하는 데 있어 주요 장애물입니다. ^[23] 장치가 계속 소형화됨에 따라 저비용 내장형 마이크로젯 냉각 기술과 마이크로 라만 열화상 측정법 모두 고급 고전력 밀도 전자 장치의 설계, 작동 및 평가에서 중요한 역할을 할 수 있습니다. ^[24] 새로운 신경 기술의 생성과 고밀도 전자 장치를 제조하는 기술의 성숙을 장려하는 이니셔티브에 의해 새로운 전극 기술이 부상하고 있습니다. ^[25] 이 연구는 고밀도 전자 패키징의 신뢰성과 관련된 문제를 해결하기 위한 적층 제조 기반 경로를 제공하는 것을 목표로 합니다. ^[26] 안정적이고 밀도가 높은 전자 시냅스는 인공 신경망의 하드웨어 구현에 가장 중요한 단위입니다. ^[27] XPS 연구에 따르면 Pd 나노입자(NP)의 밀도 전자는 다양한 지지체에 의해 조작될 수 있으며 Al2O3의 전자 공여 효과가 관찰되었습니다. ^[28] 고전력, 고주파 및 고밀도 전자 장치의 급속한 발전으로 패키지의 열 관리가 집중적인 관심을 받았습니다. ^[29] 이 논문은 고밀도 전자 시스템을 위한 이기종 주사위(칩렛)의 폴리리식 통합을 탐구합니다. ^[30] 최근 지배적인 물리적 프로세스 중 하나는 중간 fs 레이저 펄스가 고밀도 전자가 생성된 박막과 타겟 기판 사이의 계면에서 표면 플라즈몬 폴라리톤(SPP)을 여기시킬 수 있다는 제안이 있었습니다[1]. ^[31] 단결정에 대한 우리의 수송 측정은 고도의 이방성, 보상된 저밀도 전자 및 정공을 보여주며, 둘 다 저온에서 10^5cm^2V^-1s^-1 수준에서 초고 이동성을 나타냅니다. ^[32] 마이크로채널에서의 유동 비등은 고전력 밀도 전자 장치를 냉각하기 위한 유망한 기술입니다. ^[33]

Power Density Electron 전력 밀도 전자

We present a heat exchanger design that was developed for low temperature cooling of medium power density electronics and, more specifically, for the particle detectors of the “forward” AFP and TOTEM experiments at the CERN Large Hadron Collider (LHC). ^[1] Compared with the pristine polymers, the nanocomposite films have excellent thermal conduction, which indicates that new high-performance thermal conductivity materials will play an important role in high-power density electronic devices. ^[2] With the development of high power density electronic devices, much more excessive heat is generated, which puts forward higher requirements for the thermal conductivity (TC) of polymer materials. ^[3] These results demonstrate that adding multiscale fillers into epoxy composites may solve the tradeoff between thermal conductivity and processability performances and fit the applications in high-power density electronic devices. ^[4] This research provides significant guidance for the design of composite materials with excellent thermal conductivity based on the functionalization of low dimensional fillers, ensuring its application in the thermal management of high-power density electronic devices. ^[5] Multiphysics simulation and optimization has emerged as a powerful approach in the design of high power density electronics systems. ^[6] At present, the existing thermal interface materials (TIMs) cannot meet the heat dissipation requirements of some high-power density electronic devices. ^[7] In addition, as-prepared pads can be mass produced at an acceptable cost, indicating that our work provides a promising new approach to fabricating TIMs for application in the next-generation thermal management of high power density electronics. ^[8] Such a hybrid design encompasses a combination of channels and microjets for optimal performance of chip scale high-power density electronic packages. ^[9] The strong thermal management capability of the nanocomposite film was demonstrated in switching power supply, which showed the importance of high in-plane thermal conductivity in thermal management of high-power density electronic devices. ^[10] In order to clarify the influence factors of EMI noise in SiC converters and find the suppressing method, this paper investigated the conducted EMI in SiC-based high power density electronic systems from two aspects: packaging structures and modulation methods. ^[11] With enhanced thermal conductivity and manufacturability, our work provides a new promising technical approach in the next generation of thermal management of high power density electronics and wearable electronics. ^[12]
우리는 중간 전력 밀도 전자 장치의 저온 냉각, 특히 CERN LHC(Large Hadron Collider)에서 "정방향" AFP 및 TOTEM 실험의 입자 탐지기를 위해 개발된 열교환기 설계를 제시합니다. ^[1] 원래의 폴리머와 비교하여 나노복합체 필름은 열전도율이 뛰어나 새로운 고성능 열전도성 재료가 고전력 밀도 전자 장치에서 중요한 역할을 할 것임을 나타냅니다. ^[2] 고전력 밀도 전자 장치의 개발로 인해 훨씬 ​​더 많은 과도한 열이 발생하여 고분자 재료의 열전도율(TC)에 대한 요구 사항이 높아졌습니다. ^[3] 이러한 결과는 다중 스케일 충전제를 에폭시 복합재에 추가하면 열전도성과 가공성 성능 사이의 균형을 해결할 수 있고 고전력 밀도 전자 장치의 응용 분야에 적합할 수 있음을 보여줍니다. ^[4] 이 연구는 저차원 충전재의 기능화를 기반으로 한 열전도율이 우수한 복합 재료 설계에 중요한 지침을 제공하여 고전력 밀도 전자 장치의 열 관리에 응용할 수 있도록 합니다. ^[5] 다중물리 시뮬레이션 및 최적화는 고전력 밀도 전자 시스템 설계에서 강력한 접근 방식으로 부상했습니다. ^[6] 현재 기존의 열 인터페이스 재료(TIM)는 일부 고전력 밀도 전자 장치의 방열 요구 사항을 충족할 수 없습니다. ^[7] 또한, 준비된 패드는 수용 가능한 비용으로 대량 생산할 수 있으며, 이는 우리의 연구가 고전력 밀도 전자 장치의 차세대 열 관리에 적용하기 위한 TIM 제조에 대한 유망한 새로운 접근 방식을 제공함을 나타냅니다. ^[8] 이러한 하이브리드 설계는 칩 규모의 고전력 밀도 전자 패키지의 최적 성능을 위한 채널과 마이크로젯의 조합을 포함합니다. ^[9] 나노복합 필름의 강력한 열 관리 능력은 스위칭 전원 공급 장치에서 입증되었으며, 이는 고전력 밀도 전자 장치의 열 관리에서 높은 면내 열전도율의 중요성을 보여주었습니다. ^[10] SiC 컨버터에서 EMI 잡음의 영향 요인을 명확히 하고 억제 방법을 찾기 위해 본 논문에서는 SiC 기반 고전력 밀도 전자 시스템에서 전도 EMI를 패키징 구조와 변조 방식의 두 가지 측면에서 조사했다. ^[11] 향상된 열 전도성 및 제조 가능성을 통해 우리의 작업은 고전력 밀도 전자 장치 및 웨어러블 전자 장치의 차세대 열 관리에서 새로운 유망한 기술 접근 ​​방식을 제공합니다. ^[12]

High Density Electron 고밀도 전자

It features two separately integrated diodes above the N-drift, which not only forms high density electron accumulation layer in the on-state, but also assists depleting the N-drift to increase the doping centration $(N_{\mathrm{d}})$ in the off-state. ^[1] The recent developments in nanosecond pulsed power supplies facilitate the emission of high density electron bursts but their safe operation demands avoiding breakdowns. ^[2] The enhanced photo-catalytic behavior of Zn, Cu dual doped CdS is the collective consequences of high density electron–hole pairs creation, enhanced absorbance in the visible wavelength, surface area enhancement, reduced energy gap and the formation of novel defect associated states. ^[3] The enhanced photo-catalytic behaviour of Zn, Cu dual doped CdS is the collective consequences of high density electron-hole pairs creation, enhanced absorbance in the visible wavelength, surface area enhancement, reduced energy gap and the formation of novel defect associated states. ^[4] Innovative technological solutions for thermal management of components at small scales, such as electrohydrodynamic (EHD) conduction pumping, are being developed to enable the next generation of miniaturized high density electronics. ^[5] Impressively, the HPDS formed by D-A-D units not only possessed effectively shorted electron-transfer path between donor and accepter, but also presented a desiring aggregate state via the π-π stacking of perylene core and hydrogen bonding of terminal moiety, thereby acquiring a high density electron flow for generating the extremely high PEC signal. ^[6] The heat spreader integrated microchannel heat sink is employed in thermal management of transient hotspot problem in multicore processors for high density electronic cooling application. ^[7] The high density electrons produced by microplasma induce the chemical reactions and accelerate the formation process of functional groups doped carbon dots. ^[8] This pervasive failure mode across multiple industries and designs is evidence that a new, more robust technique based on reliability physics is required for future, high density electronic hardware designs. ^[9] It was observed that high density electrons up to (10~10/cm) were confined within ~2. ^[10] When the laser pulse propagates through near-critical density targets, a high density electron bunch is formed and travels with the laser pulse behind the target. ^[11]
그것은 온 상태에서 고밀도 전자 축적 층을 형성할 뿐만 아니라 도핑 중심 $(N_{\mathrm{d}} )$는 오프 상태입니다. ^[1] 나노초 펄스 전원 공급 장치의 최근 개발은 고밀도 전자 버스트의 방출을 촉진하지만 안전한 작동은 고장을 피해야 합니다. ^[2] Zn, Cu 이중 도핑된 CdS의 향상된 광촉매 거동은 고밀도 전자-정공 쌍 생성, 가시 파장의 향상된 흡광도, 표면적 향상, 에너지 갭 감소 및 새로운 결함 관련 상태 형성의 집합적인 결과입니다. ^[3] Zn, Cu 이중 도핑된 CdS의 향상된 광촉매 거동은 고밀도 전자-정공 쌍 생성, 가시 파장의 향상된 흡광도, 표면적 향상, 에너지 갭 감소 및 새로운 결함 관련 상태 형성의 집합적인 결과입니다. ^[4] EHD(electrohydrodynamic) 전도 펌핑과 같은 소규모 부품의 열 관리를 위한 혁신적인 기술 솔루션이 차세대 소형 고밀도 전자 장치를 가능하게 하기 위해 개발되고 있습니다. ^[5] 인상적으로, D-A-D 단위에 의해 형성된 HPDS는 도너와 억셉터 사이의 전자 전달 경로가 효과적으로 단축되었을 뿐만 아니라 페릴렌 코어의 π-π 적층과 말단 부분의 수소 결합을 통해 원하는 응집체 상태를 나타내어 고밀도를 획득했습니다. 극도로 높은 PEC 신호를 생성하기 위한 전자 흐름. ^[6] 히트 스프레더 통합 마이크로채널 히트 싱크는 고밀도 전자 냉각 애플리케이션을 위한 멀티코어 프로세서에서 일시적인 핫스팟 문제의 열 관리에 사용됩니다. ^[7] 마이크로플라즈마에 의해 생성된 고밀도 전자는 화학 반응을 유도하고 작용기 도핑된 탄소 도트의 형성 과정을 가속화합니다. ^[8] 여러 산업 및 설계 전반에 걸친 이러한 만연한 고장 모드는 미래의 고밀도 전자 하드웨어 설계에 신뢰성 물리학을 기반으로 하는 보다 강력하고 새로운 기술이 필요하다는 증거입니다. ^[9] (10~10/cm)까지의 고밀도 전자가 ~2 내에 가두어진 것으로 관찰되었다. ^[10] 레이저 펄스가 거의 임계 밀도 타겟을 통해 전파될 때 고밀도 전자 다발이 형성되고 타겟 뒤의 레이저 펄스와 함께 이동합니다. ^[11]

Charge Density Electron

High-gain free-electron lasers (FELs) are driven by short, high-charge density electron beams as only produced at dedicated single pass or recirculating linear accelerators. ^[1] These results are expected to aid the informed design of BaSnO3 as the active material for high-charge density electronic transistors. ^[2]
고이득 자유 전자 레이저(FEL)는 전용 단일 패스 또는 재순환 선형 가속기에서만 생성되는 짧은 고 전하 밀도 전자빔에 의해 구동됩니다. ^[1] 이러한 결과는 고전하 밀도 전자 트랜지스터의 활물질로서 BaSnO3의 정보에 입각한 설계에 도움이 될 것으로 기대됩니다. ^[2]

density electron beam 밀도 전자빔

As one of the leading acceleration mechanisms in laser-driven underdense plasmas, direct laser acceleration (DLA) is capable of producing high-energy-density electron beams in a plasma channel for many applications. ^[1] High-gain free-electron lasers (FELs) are driven by short, high-charge density electron beams as only produced at dedicated single pass or recirculating linear accelerators. ^[2] In this article, a trigger unit has been implemented to generate a high-current-density electron beam from a pseudospark (PS) discharge-based electron gun. ^[3]
레이저 구동 저밀도 플라즈마의 주요 가속 메커니즘 중 하나인 직접 레이저 가속(DLA)은 많은 응용 분야에서 플라즈마 채널에서 고에너지 밀도 전자빔을 생성할 수 있습니다. ^[1] 고이득 자유 전자 레이저(FEL)는 전용 단일 패스 또는 재순환 선형 가속기에서만 생성되는 짧은 고 전하 밀도 전자빔에 의해 구동됩니다. ^[2] 이 기사에서는 PS(pseudospark) 방전 기반 전자총에서 고전류 밀도 전자빔을 생성하기 위해 트리거 유닛을 구현했습니다. ^[3]

density electron ga

84N layer, while lower THz emission efficiency was observed from InN and indium-rich InGaN layers due to the screening of built-in field by a high-density electron gas in these materials. ^[1] Interfaces between ScN and wurtzite III-nitrides will exhibit a high-density electron gas on the (000$\overline{1}$) GaN interface or a hole gas on the (0001) GaN interface, with carrier concentrations up to $8. ^[2]
84N 층에 비해 낮은 THz 방출 효율이 InN 및 인듐이 풍부한 InGaN 층에서는 이러한 재료의 고밀도 전자 가스에 의한 내장 필드 스크리닝으로 인해 관찰되었습니다. ^[1] ScN과 wurtzite III-nitrides 사이의 계면은 캐리어 농도가 최대 $8인 (000$\overline{1}$) GaN 인터페이스 또는 (0001) GaN 인터페이스에서 고밀도 전자 가스를 나타냅니다. ^[2]