Conversion Circuits(변환 회로)란 무엇입니까?
Conversion Circuits 변환 회로 - This letter presents a computing-in-memory (CIM) static random-access memory (SRAM) using efficient data processing and conversion circuits to enhance the throughput, energy, and area efficiency performance. [1]이 편지는 처리량, 에너지 및 면적 효율성 성능을 향상시키기 위해 효율적인 데이터 처리 및 변환 회로를 사용하는 메모리 컴퓨팅(CIM) 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM)를 제시합니다. [1]
Power Conversion Circuits 전력 변환 회로
With the auxiliary resonant circuit in dc link, the soft-switching operation can be achieved for all power switches in the proposed power conversion circuits. [1] A DC-DC converter with a 16:1 (Vin,max = 16Vin,min) wide input voltage operation is presented for auxiliary power supplies on solar power conversion circuits or railway vehicles. [2] Monolithic integration makes power conversion circuits smaller in size and improves circuit performance due to its lower parasitics. [3] Requirement for high level power conversion circuits in industrial drives resolved by the evolution of Multi level power converter structures. [4] The threshold voltage (Vth) shift caused by bias temperature instability (BTI) in power MOSFETs is crucial for ensuring the reliability of power conversion circuits. [5] The industry standard MIT virtual source gallium nitride high electron-mobility transistor (GaN HEMT) (MVSG) model is used as the modeling framework to understand the operation of the GaN HEMTs and study the key device–circuit interactions in the GaN-based high-frequency and power conversion circuits. [6] , RF signal to dc power conversion circuits, with electrically small Huygens dipole LP and CP antennas. [7] The resonant power conversion circuits represented by the class Phi-2 inverter have soft-switching feature; therefore, these circuits realize low-switching-loss operation even in high-frequency regions. [8]DC 링크의 보조 공진 회로를 사용하면 제안된 전력 변환 회로의 모든 전력 스위치에 대해 소프트 스위칭 동작을 달성할 수 있습니다. [1] 16:1(Vin,max = 16Vin,min)의 넓은 입력 전압 작동을 갖는 DC-DC 컨버터는 태양광 발전 변환 회로 또는 철도 차량의 보조 전원 공급 장치에 대해 제공됩니다. [2] 모놀리식 통합은 전력 변환 회로의 크기를 더 작게 만들고 더 낮은 기생으로 인해 회로 성능을 향상시킵니다. [3] 다중 레벨 전력 변환기 구조의 진화로 해결된 산업용 드라이브의 높은 레벨 전력 변환 회로에 대한 요구 사항. [4] 전력 MOSFET의 바이어스 온도 불안정성(BTI)으로 인한 임계 전압(Vth) 이동은 전력 변환 회로의 신뢰성을 보장하는 데 중요합니다. [5] 업계 표준 MIT 가상 소스 갈륨 질화물 고 전자 이동성 트랜지스터(GaN HEMT)(MVSG) 모델은 GaN HEMT의 작동을 이해하고 GaN 기반 고-전자 장치에서 핵심 장치-회로 상호 작용을 연구하기 위한 모델링 프레임워크로 사용됩니다. 주파수 및 전력 변환 회로. [6] , 전기적으로 작은 Huygens 쌍극자 LP 및 CP 안테나가 있는 DC 전력 변환 회로에 대한 RF 신호. [7] 클래스 Phi-2 인버터로 대표되는 공진 전력 변환 회로에는 소프트 스위칭 기능이 있습니다. 따라서 이러한 회로는 고주파 영역에서도 낮은 스위칭 손실 동작을 실현합니다. [8]
Frequency Conversion Circuits 주파수 변환 회로
In this study, as system-level photodetectors, light-to-frequency conversion circuits (LFCs) are realized by i) photosensitive ring oscillators (ROs) composed of amorphous indium-gallium-zinc-oxide/single-walled carbon nanotube (a-IGZO/SWNT) thin film transistors (TFTs) and ii) phase-locked-loop Si circuits built with frequency-to-digital converters (PFDC). [1] Finally, general circuit design techniques for terahertz frequency conversion circuits are summarized. [2] Herein, light-to-frequency conversion circuits (LFCs) using n-type amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors (a-IGZO TFTs) and p-type single-walled carbon nanotube (SWNT) TFTs are proposed as circuit level photodetector. [3] The downlink channel of the complete transmission system including wireless channel and frequency conversion circuits to millimeter-wave (mm-wave) band is studied by simulation. [4]이 연구에서 시스템 레벨 광검출기로서 광-주파수 변환 회로(LFC)는 i) 비정질 인듐-갈륨-아연-산화물/단일벽 탄소 나노튜브로 구성된 감광성 링 발진기(RO)에 의해 실현됩니다. IGZO/SWNT) 박막 트랜지스터(TFT) 및 ii) 주파수-디지털 변환기(PFDC)로 구축된 위상 고정 루프 Si 회로. [1] 마지막으로 테라헤르츠 주파수 변환 회로에 대한 일반적인 회로 설계 기법을 요약한다. [2] 여기에서는 n형 비정질 인듐갈륨아연 산화물 박막 트랜지스터(a-IGZO TFT)와 p형 단층 탄소나노튜브(SWNT) TFT를 이용한 광주파수변환회로(LFC)를 회로레벨로 제안한다. 광검출기. [3] 무선 채널 및 밀리미터파(mm-wave) 대역으로의 주파수 변환 회로를 포함하는 완전한 전송 시스템의 다운링크 채널은 시뮬레이션을 통해 연구됩니다. [4]
Datum Conversion Circuits
The advances in high-precision analog front-end and data conversion circuits have opened up new opportunities in diverse application spaces. [1] The RF mixed-signal data conversion circuits and DSP algorithms operate on a single-chip RFSoC solution installed on the Xilinx ZCU1275 prototyping platform. [2]고정밀 아날로그 프런트 엔드 및 데이터 변환 회로의 발전은 다양한 응용 분야에서 새로운 기회를 열어주었습니다. [1] RF 혼합 신호 데이터 변환 회로와 DSP 알고리즘은 Xilinx ZCU1275 프로토타이핑 플랫폼에 설치된 단일 칩 RFSoC 솔루션에서 작동합니다. [2]
Dc Conversion Circuits
The design method of RF-DC conversion circuits for wireless power transmission is discussed. [1] RF-DC conversion circuits are used in Microwave wireless power transfer (MWPT). [2]무선 전력 전송을 위한 RF-DC 변환 회로의 설계 방법을 논의한다. [1] RF-DC 변환 회로는 마이크로웨이브 무선 전력 전송(MWPT)에 사용됩니다. [2]