Coefficient Mismatch(계수 불일치)란 무엇입니까?
Coefficient Mismatch 계수 불일치 - Coefficient mismatch, time-varying delay mismatch, and activation function mismatch are considered between the drive and the response MNNs. [1] First, coefficient mismatches are dealt within the framework of set-valued maps and differential inclusions. [2]드라이브와 응답 MNN 사이에 계수 불일치, 시변 지연 불일치 및 활성화 기능 불일치가 고려됩니다. [1] 첫째, 계수 불일치는 설정된 값 맵 및 차등 내포물의 프레임워크 내에서 처리됩니다. [2]
Expansion Coefficient Mismatch 팽창 계수 불일치
And the chemical bonds of Al O Si and Si C were found at the interface between CFRP and silane-modified AA6061, thereby proving the existence of a silane flexible layer, which enabled the adjustment of the thermal expansion coefficient mismatch between AA6061 and CFRP and the improvement in the stability of the mechanical properties of Al/CFRP/Al laminates. [1] However, lattice and thermal expansion coefficient mismatch problems limit the options for growth and integration of high-efficiency electronic and photonic devices on dissimilar materials. [2] Cracks generated during heating were likely due to thermal expansion coefficient mismatch between the coating and the substrate. [3] Moreover, observed cracks in the triple-junction structure point to the need to reduce the thickness of the Ge + III-V structure or using other advanced approaches to mitigate the thermal expansion coefficient mismatch effects, such as using embedded porous silicon. [4] Furthermore, macroscopic regulation introduces the strains to the lattices, including the deformation of flexible substrates (bend, tension and compression), external pressure (applied by the diamond anvil cell) and thermal expansion coefficient mismatch. [5] Using the buffer layer, the cracks and falling off caused by dewetting and/or strain resulted from the large thermal expansion coefficient mismatched substrate are avoided, the nitrogen content in the films is increased via inhibiting oxygen diffusion from the substrate at elevated temperature, and the lowest annealing temperature required is reduced. [6] Thus, the TEC may be destroyed by thermal expansion coefficient mismatch between component materials after a long time period. [7] When oxidized at 1600 °C, the microcracks were evident in the SiO2 glassy phase because of the thermal expansion coefficient mismatch between ZrO2 and ZrB2. [8] Analysis of the thermo-mechanical properties of the printed strips shows that mechanical deformations can be generated in Cu-Ni strips at temperatures up to 300 °C which is due to the thermal expansion coefficient mismatch generating internal stresses in the printed structures. [9] The fabrication process, based on the transfer of h-BN to seal air-gap regions, is discussed, including the use of Al2O3 on h-BN film for mechanical stability, and the consequence of thermal expansion coefficient mismatch in the materials introduced. [10] The thermal expansion coefficient mismatch between AlN and SiC is measured to be Δ α = α AlN − α SiC = 1. [11] The expected formation of cracks during growth, due to the large thermal expansion coefficient mismatch with the Si substrate, is confirmed, and is found to be a major limiting factor for the performance of the solar cells. [12] Due to the closer distance from the heat-sink to active region and the thermal expansion coefficient mismatch between the oxygen-free copper heat-sink and GaAs-based chip, p-side-down bonding configuration were observed to have a larger stress than p-side-up one. [13] The tensile test results reveal that Al – 3 wt% TiO2 nanocomposite weld exhibits higher strength which is not only due to drop in grain size but also due to mechanisms such as grain refinement strengthening, Orowan strengthening and thermal expansion coefficient mismatch strengthening and occurred incommensurate with the progressive addition of TiO2 nanoparticles in the weldment. [14]그리고 CFRP와 실란으로 개질된 AA6061 사이의 계면에서 Al2O2Si와 SiC의 화학 결합이 발견되어 실란 유연층이 존재함을 증명하여 AA6061과 CFRP 사이의 열팽창 계수 불일치를 조정할 수 있었습니다. Al/CFRP/Al 라미네이트의 기계적 특성의 안정성 향상. [1] 그러나 격자 및 열팽창 계수 불일치 문제는 이종 재료에 대한 고효율 전자 및 광자 장치의 성장 및 통합 옵션을 제한합니다. [2] 가열 중에 발생하는 균열은 코팅과 기판 사이의 열팽창 계수 불일치로 인해 발생했을 가능성이 있습니다. [3] 더욱이, 삼중 접합 구조에서 관찰된 균열은 Ge + III-V 구조의 두께를 줄이거나 임베디드 다공성 실리콘을 사용하는 것과 같은 열팽창 계수 불일치 효과를 완화하기 위해 다른 고급 접근 방식을 사용해야 할 필요성을 나타냅니다. [4] 또한, 거시적 조절은 유연한 기판의 변형(굽힘, 인장 및 압축), 외부 압력(다이아몬드 앤빌 셀에 의해 적용됨) 및 열팽창 계수 불일치를 포함하여 격자에 변형을 도입합니다. [5] 버퍼 층을 사용하여, 큰 열팽창 계수 불일치 기판으로 인한 디웨팅 및/또는 변형으로 인한 균열 및 탈락을 방지하고, 고온에서 기판으로부터의 산소 확산을 억제하여 필름의 질소 함량을 증가시키고, 필요한 최저 어닐링 온도가 감소합니다. [6] 따라서 TEC는 오랜 시간이 지나면 구성 재료 간의 열팽창 계수 불일치로 인해 파괴될 수 있습니다. [7] 1600°C에서 산화될 때 ZrO2와 ZrB2 사이의 열팽창 계수 불일치로 인해 SiO2 유리상에서 미세 균열이 분명했습니다. [8] 인쇄된 스트립의 열-기계적 특성 분석은 인쇄된 구조에서 내부 응력을 생성하는 열팽창 계수 불일치로 인해 최대 300°C의 온도에서 Cu-Ni 스트립에서 기계적 변형이 생성될 수 있음을 보여줍니다. [9] 에어 갭 영역을 밀봉하기 위한 h-BN의 전사를 기반으로 하는 제조 공정에 대해 h-BN 필름에 Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 사용을 포함하여 설명합니다. 기계적 안정성 및 도입된 재료의 열팽창 계수 불일치의 결과. [10] AlN과 SiC 사이의 열팽창 계수 불일치는 Δ α = α AlN − α SiC = 1로 측정됩니다. [11] Si 기판과의 큰 열팽창 계수 불일치로 인해 성장 중 예상되는 균열 형성이 확인되었으며, 이는 태양 전지의 성능에 대한 주요 제한 요인으로 밝혀졌습니다. [12] 방열판에서 활성 영역까지의 거리가 더 가깝고 무산소 구리 방열판과 GaAs 기반 칩 사이의 열팽창 계수 불일치로 인해 p-side-down 본딩 구성이 p보다 큰 응력을 갖는 것으로 관찰되었습니다. - 사이드 업 하나. [13] 인장 시험 결과 Al – 3wt% TiO2 나노복합체 용접은 입자 크기의 감소뿐만 아니라 결정립 미세화 강화, Orowan 강화 및 열팽창 계수 불일치 강화와 같은 메커니즘으로 인해 더 높은 강도를 나타냈으며 용접물에 TiO2 나노 입자를 점진적으로 추가합니다. [14]
Thermal Coefficient Mismatch 열 계수 불일치
The failure mechanism of the WTiSixN thin films under cyclic oxidation was attributed to the microstructure of the films, WO3 sublimation, and the thermal coefficient mismatch between the film and the substrate. [1] The use of Ni–Sn DSLID/Al joint as bonding layers for a large thermal coefficient mismatch [silicon (Si) chip: 3. [2]순환 산화 하에서 WTiSixN 박막의 고장 메커니즘은 박막의 미세 구조, WO3 승화 및 박막과 기판 사이의 열 계수 불일치에 기인합니다. [1] Ni-Sn DSLID/Al 접합을 큰 열 계수 불일치에 대한 접합 층으로 사용[실리콘(Si) 칩: 3. [2]
coefficient mismatch effect 계수 불일치 효과
Moreover, observed cracks in the triple-junction structure point to the need to reduce the thickness of the Ge + III-V structure or using other advanced approaches to mitigate the thermal expansion coefficient mismatch effects, such as using embedded porous silicon. [1] In addition, the presented optimization method is extended to account for and ultimately compensate NCF coefficient mismatch effects just using a single parameter only. [2]더욱이, 삼중 접합 구조에서 관찰된 균열은 Ge + III-V 구조의 두께를 줄이거나 임베디드 다공성 실리콘을 사용하는 것과 같은 열팽창 계수 불일치 효과를 완화하기 위해 다른 고급 접근 방식을 사용해야 할 필요성을 나타냅니다. [1] 또한, 제시된 최적화 방법은 단일 매개변수만을 사용하여 NCF 계수 불일치 효과를 설명하고 궁극적으로 보상하도록 확장됩니다. [2]