Bias Dependent(바이어스 종속)란 무엇입니까?
Bias Dependent 바이어스 종속 - Post hoc analyses explored for bias dependent on surgical side. [1] Results Bias was observed between devices via Bland Altman, with bias dependent on actual temperature. [2] In contrast, long-term diffusion charge collection is strongly gate-bias dependent. [3] The sensor's sensitivity is bias dependent, but the device can operate even at modest voltage. [4] In this article, we present an enhanced sampling method based on a hybrid Hamiltonian which combines experimental distance restraints with a bias dependent from multiple path-dependent variables. [5] The charge/discharge kinetics are temperature and bias dependent, indicating the electrons injected into the NDI layer result in nuclear reorganization to the configuration of an NDI¯ an. [6] Furthermore, the dissociation probabilities of the two different dissociation processes are bias dependent due to different inelastic-tunneling probabilities, and they are also closely linked to the lifetime of inelastic-tunneling electrons. [7]사후 분석은 외과적 측면에 따른 편견에 대해 조사했습니다. [1] 결과 Bland Altman을 통해 장치 간에 바이어스가 관찰되었으며 바이어스는 실제 온도에 따라 다릅니다. [2] 대조적으로, 장기 확산 전하 수집은 게이트 바이어스에 크게 의존합니다. [3] 센서의 감도는 바이어스에 따라 다르지만 장치는 적당한 전압에서도 작동할 수 있습니다. [4] 이 기사에서는 실험적 거리 제한과 여러 경로 종속 변수에 의존하는 편향을 결합한 하이브리드 해밀턴을 기반으로 하는 향상된 샘플링 방법을 제시합니다. [5] 충전/방전 역학은 온도와 바이어스에 따라 달라지며, 이는 NDI 층에 주입된 전자가 NDI의 구성으로 핵 재구성을 초래함을 나타냅니다. [6] 또한, 두 가지 다른 해리 과정의 해리 확률은 서로 다른 비탄성 터널링 확률로 인해 바이어스 의존적이며, 비탄성 터널링 전자의 수명과도 밀접한 관련이 있습니다. [7]
Dc Bias Dependent DC 바이어스 종속
The characteristic phenomenological length scales of processes involved are diffusion length ( D / ω ) and DC bias dependent diffusion-ohmic coupling length ( L Ω ). [1] DC bias dependent impedance spectroscopic study in the frequency range 4 Hz-5 MHz is carried out at room temperature for different external bias voltages. [2] Furthermore, DC bias dependent impedance measurements allowed the identification of a Schottky-type interface barrier. [3]관련된 프로세스의 특징적인 현상학적 길이 척도는 확산 길이( D / ω ) 및 DC 바이어스 종속 확산 저항 결합 길이( L Ω )입니다. [1] 주파수 범위 4Hz-5MHz에서 DC 바이어스 종속 임피던스 분광학 연구는 다양한 외부 바이어스 전압에 대해 실온에서 수행됩니다. [2] 또한 DC 바이어스 종속 임피던스 측정을 통해 쇼트키 유형 인터페이스 장벽을 식별할 수 있습니다. [3]
Measured Bias Dependent
The measured bias dependent 3-dB O-E bandwidth was pinned at 16 GHz without any serious degradation near the saturation current output. [1] On the other hand, the measured bias dependent 3-dB O-E bandwidth of the demonstrated APDs can be pinned at 16 GHz without any degradation at around the saturation current output. [2]측정된 바이어스 종속 3dB O-E 대역폭은 포화 전류 출력 근처에서 심각한 저하 없이 16GHz로 고정되었습니다. [1] 반면에 시연된 APD의 측정된 바이어스 종속 3dB O-E 대역폭은 포화 전류 출력 부근에서 성능 저하 없이 16GHz로 고정될 수 있습니다. [2]
bias dependent spin 바이어스 종속 스핀
Bias dependent spin resolved electronic transport reveals 100% spin filtering efficiency (SFE) of 2D h-CrC, whereas the t-CrC sheet achieve SFE upto 98. [1] The bias dependent spin transport properties (I-V characteristics and transmission spectrum) of the modeled device were calculated by Atomistic Tool Kit software, which uses density functional theory and non-equilibrium Greens function formalism. [2] 77 V nm-1 , which eventually leads to spin-switching action and change in sign of bias dependent spin injection coefficient. [3]바이어스 종속 스핀 분해 전자 전송은 2D h-CrC의 100% 스핀 필터링 효율(SFE)을 나타내는 반면 t-CrC 시트는 최대 98의 SFE를 달성합니다. [1] 모델링된 장치의 바이어스 종속 스핀 전송 속성(I-V 특성 및 전송 스펙트럼)은 밀도 함수 이론과 비평형 Greens 함수 형식을 사용하는 Atomistic Tool Kit 소프트웨어에 의해 계산되었습니다. [2] 77 V nm-1 , 이는 결국 스핀 스위칭 작용과 바이어스 종속 스핀 주입 계수의 부호 변화로 이어집니다. [3]
bias dependent impedance
DC bias dependent impedance spectroscopic study in the frequency range 4 Hz-5 MHz is carried out at room temperature for different external bias voltages. [1] Furthermore, DC bias dependent impedance measurements allowed the identification of a Schottky-type interface barrier. [2]주파수 범위 4Hz-5MHz에서 DC 바이어스 종속 임피던스 분광학 연구는 다양한 외부 바이어스 전압에 대해 실온에서 수행됩니다. [1] 또한 DC 바이어스 종속 임피던스 측정을 통해 쇼트키 유형 인터페이스 장벽을 식별할 수 있습니다. [2]
bias dependent resistance
– In this work, we have investigated electron transport across Galfenol (FexGa1-x) and Nickel-based Schottky contacts deposited onto n-Si substrates using conventional DC current-voltage (I–V) measurements and have uniquely studied the effects of improper back contact causing additional bias dependent Resistance-capacitance (R–C) components using AC Impedance spectroscopy by choosing proper equivalent circuit models. [1] A macro-model of a diode has been developed to account for the bias dependent resistance. [2]– 이 연구에서 우리는 기존의 DC 전류-전압(I-V) 측정을 사용하여 n-Si 기판에 증착된 Galfenol(FexGa1-x) 및 니켈 기반 Schottky 접촉을 통한 전자 수송을 조사했으며 부적절한 역방향의 영향을 독특하게 연구했습니다. 적절한 등가 회로 모델을 선택하여 AC 임피던스 분광법을 사용하여 추가적인 바이어스 종속 저항-커패시턴스(RC) 구성 요소를 일으키는 접촉. [1] 바이어스 종속 저항을 설명하기 위해 다이오드의 매크로 모델이 개발되었습니다. [2]
bias dependent 3
The measured bias dependent 3-dB O-E bandwidth was pinned at 16 GHz without any serious degradation near the saturation current output. [1] On the other hand, the measured bias dependent 3-dB O-E bandwidth of the demonstrated APDs can be pinned at 16 GHz without any degradation at around the saturation current output. [2]측정된 바이어스 종속 3dB O-E 대역폭은 포화 전류 출력 근처에서 심각한 저하 없이 16GHz로 고정되었습니다. [1] 반면에 시연된 APD의 측정된 바이어스 종속 3dB O-E 대역폭은 포화 전류 출력 부근에서 성능 저하 없이 16GHz로 고정될 수 있습니다. [2]
bias dependent admittance 바이어스 종속 어드미턴스
To try and remedy this problem, we developed a novel way to investigate solar cells by representing bias dependent admittance spectroscopy (CVf) measurement data in the form of a 2D loss map. [1] We studied this impact by comparing the bias dependent admittance spectroscopy response of CIGS solar cells grown with varying amounts of sodium using two different growth processes. [2]이 문제를 시도하고 해결하기 위해 우리는 바이어스 종속 어드미턴스 분광법(CVf) 측정 데이터를 2D 손실 맵 형태로 표현하여 태양 전지를 조사하는 새로운 방법을 개발했습니다. [1] 우리는 두 가지 다른 성장 과정을 사용하여 다양한 양의 나트륨으로 성장한 CIGS 태양 전지의 바이어스 의존적 어드미턴스 분광법 응답을 비교하여 이 영향을 연구했습니다. [2]