Avalanche Photodiode(눈사태 광다이오드)란 무엇입니까?
Avalanche Photodiode 눈사태 광다이오드 - 44 (hereafter AlGaAsSb) avalanche photodiodes (APDs) on InP substrates with 1000 nm thick multiplier layers. [1] We experimentally demonstrated a long-range, large-capacity-featured, airship-based, free-space optical transmission system by using key technologies, such as GPS/INS real-time precision laser pointing, coarse and fine compound high-bandwidth laser tracking, avalanche photodiode detector adaptive control turbulence channel compensation, and the aurora laser fifth-generation (5G) interface protocol, to solve the problems of laser tracking and targeting based on an airship motion platform, high-speed signal transmission under atmospheric channel perturbation, and interface protocol between a wireless laser link and 5G base station signal, respectively. [2] Diverse PDs, including photoconductors and Schottky, metal–semiconductor–metal (MSM), p-i-n, and avalanche photodiodes (APDs), are demonstrated, and the physical mechanisms are analyzed to improve device performance. [3] This paper focuses on investigating the effect of the receiver’s tilted angle on the channel capacity of an underwater wireless optical communication (UWOC) system, in which an avalanche photodiode (APD) detector is adopted as the receiver. [4] Here, we present a simple protocol to acquire "slightly, but easily resolved" images by pinhole closure (<1 airy unit) in a conventional confocal scanning microscope equipped with an avalanche photodiode, a detector with high sensitivity. [5] Avalanche photodiodes (APDs) can provide high receiver sensitivity owing to their internal gain, however, the impact ionization gain mechanism is also a source of noise. [6] The gain in Avalanche Photodiodes (APDs) and Single Photon Avalanche Diodes (SPADs) is dependent on the probability of photo-generated carriers to trigger an avalanche process, which is correlated to the depth where a photon is absorbed by the photodiode. [7] Our results also describe avalanches that achieve finite gain and are important for avalanche photodiodes (APDs) and low-gain avalanche detectors (LGADs). [8] Marsland as part of his research into the excess noise factor in avalanche photodiodes (APDs). [9] We demonstrate low noise short wavelength infrared (SWIR) Sb-based type II superlattice (T2SL) avalanche photodiodes (APDs). [10] Subsequently, for further error performance improvement, avalanche photodiode (APD) based receiver is used in the proposed system. [11] 26 (hereafter AlInAsSb)-based avalanche photodiodes (APDs) on InP substrates. [12] Analog and digital SiPMs have revolutionized the field of radiation instrumentation by replacing both avalanche photodiodes and photomultiplier tubes in many applications. [13] It is especially critical for avalanche photodiodes (APDs). [14] 6× reduction in single-ion detection error on an avalanche photodiode to 1. [15] We have designed a silicon detector based on an avalanche photodiode for detecting vacuum ultraviolet radiation. [16] We build and test a low-noise optical pulse receiver using a semiconductor optical amplifier and avalanche photodiode (APD). [17] Understanding detailed avalanche mechanisms is critical for design optimization of avalanche photodiodes (APDs). [18] InP-based avalanche photodiodes (APDs) are widely used in short-wave infrared (SWIR) communications. [19] Front-illuminated p-i-n GaN-based ultraviolet (UV) avalanche photodiodes (APDs) were grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on 25 mm dia. [20] We report the design, development, and characterization of the first multispectral fluorescence lifetime imaging platform designed for clinical application based on avalanche photodiodes (APD). [21] The response time of the URFC decreases to hundreds of picoseconds, which makes it suitable for all output pulses from the avalanche photodiode. [22] Optical fibers with extremely low loss and enormous bandwidth are used as the transmission medium, while semiconductor lasers and LEDs serve as optical sources, and the photodetectors – pin and avalanche photodiodes – are used to receive the optical signal at the destination nodes. [23] We report a heterogeneous GaAs-based quantum dot (QD) avalanche photodiode (APD) on silicon with an ultralow dark current of 10 pA at -1V, 3 dB bandwidth of 20 GHz and record gain-bandwidth product (GBP) of 585 GHz. [24] Front-illuminated GaN-based p-i-n ultraviolet (UV) avalanche photodiodes (APDs) were grown by metalorganic chemical vapor deposition on a free-standing GaN substrate. [25] Semiconductor-based avalanche photodiodes (APDs) have the advantages of lower power and simpler fabrication of arrays compared with photomultiplier tubes. [26] Low-level light detectors (such as photomultiplier tube and avalanche photodiode) generate a discrete pulse output. [27] Avalanche photodiodes (APDs) are used in optical receivers of high-speed optical communication systems to improve signal-to-noise ratio over conventional photodiodes. [28] The total electrical power after the avalanche photodiode (APD) photodetector is measured numerically based on various pulse configurations with an optimum amplitude jitter of 0. [29] 44 (hereafter, AlGaAsSb) avalanche photodiodes (APDs) with a 1000 nm-thick multiplication layer. [30] Positive-intrinsic-negative diode (PIN), avalanche photodiode (APD), and single photon avalanche diode (SPAD) are commonly used optoelectronic receivers with different characteristics in practical visible light communication system. [31] To date, conventional detectors such as photomultipliers, avalanche photodiodes, and superconducting nanowires, all rely at their core on linear excitation of bound electrons with light, posing fundamental restrictions on the detection. [32] The avalanche photodiode is connected in series with a metallic filamentary resistive switch (MFRS). [33] This letter presents for the first time a new type of indirect time-of-flight (ToF) detection unit based on avalanche photodiode (APD) which is simple in structure and easy to integrate. [34] We'll also compare the output from the MPPC to an avalanche photodiode and photodiode to get a sense for the improvement in sensitivity that can be achieved with the MPPC. [35] In this study, a high-speed detector containing an avalanche photodiode (APD) was used to directly measure waveforms of the pulsed electron beam excited by a rectangular-shape pulsed light with a variable pulse duration in the range of several ns to several μs. [36] , avalanche photodiode), type S, X and R of hybrid detectors (HyD-S, HyD-X and HyD-R) were particularly adapted for red/near-infrared photon counting and τ separation. [37] Today there are several types of photodetectors that can cope with the task of detecting a single photon, however, avalanche photodiodes are most widely used for applications in fiber-optic communication systems and quantum cryptography. [38] In this work, a comparative analysis of flow cytometers for bioaerosols detection based on photo-multiplier tubes (PMT) and avalanche photodiodes (APD) operating in analog and photon-counting modes was carried out. [39] 48As based avalanche photodiode (APD). [40] The measurement system consists of a laser diode, an avalanche photodiode, and a linear stage for scanning. [41] The Photodiode Array (PDA) sensor collocated with an Avalanche Photodiode at the receiving section provides sustained information about the transmitter’s movements and beam displacements while the received optical signal strength is continuously monitored. [42] In these theoretical investigations, different realistic system parameters for the optical lasers, transmitters, receivers, avalanche photodiodes (APDs), optical telescopes, atmospheric disturbances like scintillation and absorption are considered. [43] Avalanche Photodiodes (APDs) are key semiconductor components that amplify weak optical signals via the impact ionization process, but this process’ stochastic nature introduces ‘excess’ noise, limiting the useful signal to noise ratio (or sensitivity) that is practically achievable. [44] We aim at the packet error rate (PER) of UOWC system using Gaussian-Schell model beam and avalanche photodiode receiver. [45] The combination of CsI(Tl) scintillator, avalanche photodiode, charge sensitive preamplifier, wide range amplifier, and power supply system has been integrated into the detector. [46] The noise suppression of high-resolution range profile (HRRP) is a prerequisite for Geiger-mode of avalanche photodiodes (GM-APD) lidar to achieve precise sensing. [47] A novel bipolar photon-controlled generalized memristor model with an avalanche photodiode (APD) passive quenching circuit is presented in this paper. [48] Avalanche photodiodes (APDs) are critical photodetection devices for high sensitivity and high-speed sensing. [49] Since trade-off between costs and efficiency is required, a state-of-the-art laboratory testbed for verification of satellite-to-ground APD-based (Avalanche Photodiode) FSO links subject to atmospheric turbulence-induced fading is proposed in the current paper. [50]44(이하 AlGaAsSb) 애벌랜치 포토다이오드(APD)는 1000nm 두께의 증배기 층이 있는 InP 기판에 있습니다. [1] 우리는 GPS/INS 실시간 정밀 레이저 포인팅, 거친 및 미세 복합 고대역폭 레이저 추적과 같은 핵심 기술을 사용하여 장거리, 대용량 기능, 비행선 기반, 자유 공간 광 전송 시스템을 실험적으로 시연했습니다. , 눈사태 광다이오드 감지기 적응 제어 난류 채널 보상 및 오로라 레이저 5세대(5G) 인터페이스 프로토콜은 비행선 모션 플랫폼을 기반으로 한 레이저 추적 및 타겟팅 문제, 대기 채널 섭동에서 고속 신호 전송 및 무선 레이저 링크와 5G 기지국 신호 간의 인터페이스 프로토콜. [2] 포토컨덕터와 쇼트키(Schottky), MSM(metal-semiconductor-metal), p-i-n, APD(avalanche photodiodes) 등 다양한 PD를 시연하고 물리적 메커니즘을 분석해 소자 성능을 향상시킨다. [3] 본 논문은 APD(Avalanche Photodiode) 검출기를 수신기로 채택한 수중 무선 광통신(UWOC) 시스템의 채널 용량에 수신기의 기울어진 각도가 미치는 영향을 조사하는 데 중점을 두고 있다. [4] 여기에서는 고감도 검출기인 애벌랜치 포토다이오드가 장착된 기존의 공초점 스캐닝 현미경에서 핀홀 폐쇄(<1 airy unit)에 의해 "약간, 그러나 쉽게 해결된" 이미지를 획득하는 간단한 프로토콜을 제시합니다. [5] APD(Avalanche Photodiode)는 내부 이득으로 인해 높은 수신기 감도를 제공할 수 있지만 충격 이온화 이득 메커니즘도 노이즈의 원인입니다. [6] APD(Avalanche Photodiodes) 및 SPAD(Single Photon Avalanche Diodes)의 이득은 광자가 광자가 흡수되는 깊이와 상관관계가 있는 애벌랜치 프로세스를 유발하는 광 발생 캐리어의 확률에 따라 달라집니다. [7] 우리의 결과는 또한 유한 이득을 달성하고 사태 광다이오드(APD) 및 저이득 애벌랜치 감지기(LGAD)에 중요한 눈사태를 설명합니다. [8] Marsland는 APD(Avalanche Photodiodes)의 초과 노이즈 요인에 대한 연구의 일환으로 수행했습니다. [9] 우리는 저잡음 단파장 적외선(SWIR) Sb 기반 유형 II 초격자(T2SL) 애벌랜치 광다이오드(APD)를 시연합니다. [10] 이후 추가적인 오류 성능 향상을 위해 APD(Avalanche Photodiode) 기반 수신기를 제안 시스템에서 사용한다. [11] InP 기판의 26(이하 AlInAsSb) 기반 애벌랜치 포토다이오드(APD). [12] 아날로그 및 디지털 SiPM은 많은 응용 분야에서 애벌랜치 광다이오드와 광전자 증배관을 모두 교체함으로써 방사선 계측 분야에 혁명을 일으켰습니다. [13] 이는 APD(Avalanche Photodiode)에 특히 중요합니다. [14] 애벌랜치 포토다이오드에서 단일 이온 감지 오류가 1로 6배 감소. [15] 우리는 진공 자외선을 감지하기 위해 애벌랜치 포토다이오드를 기반으로 하는 실리콘 감지기를 설계했습니다. [16] 반도체 광증폭기와 APD(Avalanche Photodiode)를 사용하여 저잡음 광펄스 수신기를 구축하고 테스트합니다. [17] 자세한 애벌랜치 메커니즘을 이해하는 것은 애벌랜치 포토다이오드(APD)의 설계 최적화에 중요합니다. [18] InP 기반 APD(Avalanche Photodiode)는 SWIR(단파 적외선) 통신에 널리 사용됩니다. [19] 전면 조명 p-i-n GaN 기반 자외선(UV) 애벌랜치 포토다이오드(APD)는 25mm 직경에서 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)에 의해 성장되었습니다. [20] 우리는 APD(Avalanche Photodiodes)를 기반으로 하는 임상 적용을 위해 설계된 최초의 다중 스펙트럼 형광 수명 이미징 플랫폼의 설계, 개발 및 특성화를 보고합니다. [21] URFC의 응답 시간은 수백 피코초로 감소하므로 애벌랜치 포토다이오드의 모든 출력 펄스에 적합합니다. [22] 매우 낮은 손실과 막대한 대역폭을 갖는 광섬유가 전송 매체로 사용되는 반면 반도체 레이저 및 LED는 광원 역할을 하고 광검출기(핀 및 애벌랜치 포토다이오드)는 대상 노드에서 광 신호를 수신하는 데 사용됩니다. [23] 우리는 -1V에서 10pA의 초저 암전류, 20GHz의 3dB 대역폭 및 585GHz의 기록 이득 대역폭 곱(GBP)을 사용하는 실리콘의 이종 GaAs 기반 양자점(QD) 애벌랜치 광다이오드(APD)를 보고합니다. [24] 전면 조명 GaN 기반 p-i-n 자외선(UV) 애벌랜치 광다이오드(APD)는 독립형 GaN 기판에 금속 유기 화학 기상 증착에 의해 성장되었습니다. [25] 반도체 기반의 APD(Avalanche Photodiode)는 광전자 증배관에 비해 전력이 낮고 어레이 제조가 간단하다는 장점이 있습니다. [26] 광전자 증배관 및 눈사태 광다이오드와 같은 저수준 광 검출기는 개별 펄스 출력을 생성합니다. [27] APD(Avalanche Photodiode)는 고속 광통신 시스템의 광수신기에 사용되어 기존 광다이오드에 비해 신호 대 잡음비를 향상시킵니다. [28] APD(Avalanche Photodiode) 광검출기 이후의 총 전력은 최적 진폭 지터가 0인 다양한 펄스 구성을 기반으로 수치적으로 측정됩니다. [29] 44(이하 AlGaAsSb) 애벌랜치 포토다이오드(APD)는 1000 nm 두께의 증배층을 가지고 있습니다. [30] PIN(Positive-Intrinsic-Negative Diode), APD(Avalanche Photodiode) 및 SPAD(Single Photon Avalanche Diode)는 실제 가시 광선 통신 시스템에서 서로 다른 특성을 가진 광전자 수신기로 일반적으로 사용됩니다. [31] 현재까지 광전자 증배관, 애벌랜치 광다이오드, 초전도 나노와이어와 같은 기존 검출기는 모두 빛으로 결합된 전자의 선형 여기에 핵심을 의존하여 검출에 근본적인 제한을 가했습니다. [32] 애벌랜치 포토다이오드는 금속 필라멘트 저항 스위치(MFRS)와 직렬로 연결됩니다. [33] 이 편지는 구조가 간단하고 통합이 쉬운 APD(Avalanche Photodiode)를 기반으로 하는 새로운 유형의 간접 ToF(Time-of-Flight) 감지 장치를 처음으로 소개합니다. [34] 또한 MPPC의 출력을 애벌랜치 포토다이오드 및 포토다이오드와 비교하여 MPPC로 달성할 수 있는 감도 개선에 대한 감을 잡을 것입니다. [35] 본 연구에서는 APD(Avalanche Photodiode)가 포함된 고속 검출기를 사용하여 펄스 지속 시간이 수 ns에서 수 μs 범위인 직사각형 모양의 펄스광에 의해 여기된 펄스 전자빔의 파형을 직접 측정했습니다. [36] , 애벌랜치 광다이오드), 하이브리드 검출기(HyD-S, HyD-X 및 HyD-R)의 유형 S, X 및 R은 적색/근적외선 광자 계수 및 τ 분리에 특히 적합했습니다. [37] 오늘날 단일 광자를 감지하는 작업에 대처할 수 있는 몇 가지 유형의 광검출기가 있지만, 애벌랜치 광다이오드는 광섬유 통신 시스템 및 양자 암호화 응용 분야에 가장 널리 사용됩니다. [38] 이 작업에서는 아날로그 및 광자 계수 모드에서 작동하는 광전자 증배관(PMT) 및 눈사태 광다이오드(APD)를 기반으로 하는 바이오에어로졸 검출을 위한 유세포 분석기의 비교 분석이 수행되었습니다. [39] 48As 기반의 APD(Avalanche Photodiode). [40] 측정 시스템은 레이저 다이오드, 애벌랜치 포토다이오드 및 스캐닝을 위한 선형 스테이지로 구성됩니다. [41] 수신 섹션에서 Avalanche Photodiode와 함께 배치된 PDA(Photodiode Array) 센서는 수신된 광 신호 강도가 지속적으로 모니터링되는 동안 송신기의 움직임 및 빔 변위에 대한 지속적인 정보를 제공합니다. [42] 이러한 이론적 조사에서 광학 레이저, 송신기, 수신기, APD(Avalanche Photodiode), 광학 망원경, 섬광 및 흡수와 같은 대기 교란에 대한 다양한 실제 시스템 매개변수가 고려됩니다. [43] APD(Avalanche Photodiode)는 충격 이온화 프로세스를 통해 약한 광 신호를 증폭하는 주요 반도체 구성 요소이지만 이 프로세스의 확률론적 특성은 '과도한' 노이즈를 발생시켜 실질적으로 달성 가능한 유용한 신호 대 노이즈 비율(또는 감도)을 제한합니다. [44] Gaussian-Schell 모델 빔과 Avalanche 포토다이오드 수신기를 사용하는 UOWC 시스템의 패킷 오류율(PER)을 목표로 합니다. [45] CsI(Tl) 신틸레이터, 애벌런치 포토다이오드, 전하 감지 전치 증폭기, 광역 증폭기 및 전원 공급 시스템의 조합이 감지기에 통합되었습니다. [46] 고해상도 범위 프로파일(HRRP)의 노이즈 억제는 정확한 감지를 달성하기 위한 가이거 모드 애벌랜치 포토다이오드(GM-APD) 라이더의 전제 조건입니다. [47] APD(Avalanche Photodiode) 수동 소광 회로가 있는 새로운 양극성 광자 제어 일반화 멤리스터 모델이 이 백서에 나와 있습니다. [48] APD(Avalanche Photodiode)는 고감도 및 고속 감지를 위한 중요한 광검출 장치입니다. [49] 비용과 효율성 사이의 절충이 필요하기 때문에 현재 대기 난류에 의한 페이딩에 영향을 받는 위성-지상 APD 기반(Avalanche Photodiode) FSO 링크 검증을 위한 최첨단 실험실 테스트베드가 제안되었습니다. 종이. [50]
low excess noise
We simulate transport for proposed low excess-noise avalanche photodiode InAlAs/InAsSb type-II superlattice materials to evaluate their impact ionization coefficients; a key metric in determining avalanche photodiode performance. [1] 44 (hereafter AlAsSb) lattice-matched to InP has been demonstrated for extremely low excess noise avalanche photodiodes (APDs) due to its large disparity between electron and hole ionization coefficients (우리는 충격 이온화 계수를 평가하기 위해 제안된 낮은 초과 노이즈 애벌랜치 포토다이오드 InAlAs/InAsSb 유형 II 초격자 재료에 대한 전송을 시뮬레이션합니다. 애벌랜치 포토다이오드 성능을 결정하는 핵심 메트릭. [1] 44</sub>(이하 AlAsSb) 격자 정합은 전자와 정공 이온화 계수(<inline-formula> <tex-math notation= "LaTeX">$\alpha $ </tex-math></inline-formula> 및 <inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\beta $ </tex-math></inline- 수식> 각각). [2] nan [3] 많은 III-V 디지털 합금 애벌랜치 포토다이오드는 실험적으로 매우 낮은 과잉 노이즈를 보여주었습니다. [4] nan [5]
single photon detector
We report a method to reduce the detection delay temperature drift for a single-photon detector based on the avalanche photodiode (SPAD). [1] We build and test a single-photon detector based on a Si avalanche photodiode Excelitas 30902SH thermoelectrically cooled to −100 ∘ C. [2] We analyze the ultimate timing error that can be achieved in the operation of a LiDAR based on the time-of-flight (ToF) measurement of distance using a pulsed light source and two possible detectors in the optic receiver: (i) an avalanche photodiode APD in linear mode, and (ii) a SPAD single photon detector. [3] A 16-beam LiDAR system was demonstrated in three-dimensional laser imaging with 16 pulsed laser diodes at 850 nm and one single-photon detector based on a Si-avalanche photodiode. [4]우리는 SPAD(avalanche photodiode)를 기반으로 하는 단일 광자 감지기에 대한 감지 지연 온도 드리프트를 줄이는 방법을 보고합니다. [1] 우리는 -100°C로 열전기적으로 냉각된 Si 애벌랜치 광다이오드 Excelitas 30902SH를 기반으로 하는 단일 광자 검출기를 구축하고 테스트합니다. [2] nan [3] nan [4]