Algan Multiple(알간 멀티플)란 무엇입니까?
Algan Multiple 알간 멀티플 - We investigate the differences in optoelectronic performances of InGaN/AlGaN multiple-quantum-well (MQW) near-ultraviolet light-emitting diodes by using samples with different indium compositions. [1]우리는 인듐 조성이 다른 샘플을 사용하여 InGaN/AlGaN 다중 양자 우물(MQW) 근자외선 발광 다이오드의 광전자 성능 차이를 조사합니다. [1]
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Nonradiative recombination (NRR) centers in AlGaN multiple quantum well samples, grown on sapphire substrate at two different growth temperatures by the MOCVD technique, have been studied by using below-gap excitation (BGE) light in photoluminescence (PL) measurements at about 25 K. [1] The electro-optical properties such as emission wavelength, optical polarization, and light output power of AlGaN multiple quantum well (MQW) LEDs emitting around 270 nm with Al mole fraction in the Al x Ga1−x N barriers between x = 55% and x = 76% are investigated by electroluminescence measurements. [2] Here, we demonstrate the electrical modulation of a narrowband MWIR thermal emission at high temperatures of up to 500 °C using GaN/AlGaN multiple quantum well. [3] The impact of a face-to-face annealed sputtered AlN/sapphire (FFA Sp-AlN) template with threading-dislocation densities (TDDs) of 2 × 108 cm−2 and an n-type AlGaN (n-AlGaN) underlayer on optical properties of AlGaN multiple quantum wells (MQWs) with an ultraviolet C (UVC) emission is investigated comprehensively. [4] The development of ultraviolet AlGaN multiple quantum well (MQW) light emitting diodes (LEDs) in the wavelength range between 239 and 217 nm is presented. [5] AlGaN multiple quantum wells (MQWs) targeting 265 and 285 nm deep-ultraviolet LEDs grown on AlN templates with macrosteps were compared. [6] UVC LEDs with AlGaN:Mg/AlGaN:Si tunnel junctions exhibiting single peak emission at 268 nm have been realized, demonstrating effective carrier injection into the AlGaN multiple quantum well active region. [7] Growth of AlGaN multiple quantum wells by Plasma Assisted-Molecular Beam Epitaxy has been optimized for use in deep ultraviolet light emitting diodes. [8] The effects of ultrathin AlN insertion layers on the strain status, as well as optical properties of AlGaN multiple quantum wells (MQWs), were studied. [9] This paper investigates the quantum confined Stark effect in AlGaN multiple quantum well structures with a high Al content grown on single-crystalline AlN substrates. [10] Polarization-resolved PL measurements show that the polarization degree of extracted light from lateral facet of the AlGaN multiple quantum well sample can be enhanced from 1% to 17% as the average propagation path reduces by 0. [11]MOCVD 기술에 의해 두 가지 다른 성장 온도에서 사파이어 기판에서 성장한 AlGaN 다중 양자 우물 샘플의 NRR(Nonradiative Recombination) 중심은 약 25K에서 광발광(PL) 측정에서 BGE(under-gap excitation) 빛을 사용하여 연구되었습니다. . [1] x = 55%와 x 사이의 Al x Ga1-x N 장벽에서 Al 몰 분율이 약 270nm인 AlGaN 다중 양자 우물(MQW) LED의 방출 파장, 광학 편광 및 광 출력과 같은 전기 광학 특성 = 76%는 전기발광 측정으로 조사됩니다. [2] 여기에서 우리는 GaN/AlGaN 다중 양자 우물을 사용하여 최대 500°C의 고온에서 협대역 MWIR 열 방출의 전기 변조를 보여줍니다. [3] 2 × 108 cm-2의 스레딩-전위 밀도(TDD) 및 n형 AlGaN(n-AlGaN) 언더레이어가 있는 대면 어닐링된 스퍼터링된 AlN/사파이어(FFA Sp-AlN) 템플릿이 광학에 미치는 영향 자외선 C(UVC)를 방출하는 AlGaN 다중 양자 우물(MQW)의 특성을 종합적으로 조사합니다. [4] 239에서 217 nm 사이의 파장 범위에서 자외선 AlGaN 다중 양자 우물(MQW) 발광 다이오드(LED)의 개발이 제시됩니다. [5] 매크로스텝이 있는 AlN 템플릿에서 성장한 265 및 285nm 심자외선 LED를 대상으로 하는 AlGaN 다중 양자 우물(MQW)을 비교했습니다. [6] 268nm에서 단일 피크 방출을 나타내는 AlGaN:Mg/AlGaN:Si 터널 접합이 있는 UVC LED가 구현되어 AlGaN 다중 양자 우물 활성 영역으로의 효과적인 캐리어 주입을 보여줍니다. [7] 플라즈마 보조 분자빔 에피택시(Plasma Assisted-Molecular Beam Epitaxy)에 의한 AlGaN 다중 양자 우물의 성장은 심자외선 발광 다이오드에 사용하도록 최적화되었습니다. [8] 변형 상태에 대한 초박형 AlN 삽입층이 미치는 영향과 AlGaN 다중 양자 우물(MQW)의 광학 특성이 연구되었습니다. [9] 이 논문은 단결정 AlN 기판에서 성장된 Al 함량이 높은 AlGaN 다중 양자 우물 구조에서 양자 구속 스타크 효과를 조사합니다. [10] Polarization-resolved PL 측정은 AlGaN 다중 양자 우물 샘플의 측면에서 추출된 빛의 편광 정도가 평균 전파 경로가 0으로 감소함에 따라 1%에서 17%로 향상될 수 있음을 보여줍니다. [11]