Algan Gan Heterostructure
Algan Gan 이종구조

Algan Gan Heterostructure(Algan Gan 이종구조)란 무엇입니까?

Algan Gan Heterostructure Algan Gan 이종구조 - In this paper, the thermoelectric properties of n-type GaN and a 2D electron gas (2DEG) created from an AlGaN/GaN heterostructure are presented. ^[1] However, AlGaN/GaN heterostructure SBD usually shows a high series resistance because of the thin 2DEG channel. ^[2] The reliability of the method is demonstrated by three types of test photodiodes fabricated using three base materials: 1) B+ ion-implanted n-Si; 2) InGaAs/InP; and 3) undoped AlGaN/GaN heterostructures. ^[3] The interdigitated AlGaN/GaN heterostructure has been engineered to reduce dark current by disconnecting the conductive channel at the heterostructure interface. ^[4] Based on our proposed precision two-step gate recess technique, a suspended gate-recessed Pt/AlGaN/GaN heterostructure gas sensor integrated with a micro-heater is fabricated and characterized. ^[5] We have investigated the role of nitride passivation layer induced stress/strain on the spontaneous and piezoelectric polarization in nitride/AlGaN/GaN heterostructures with particular emphasis on the drain current. ^[6] To address these limitations, we studied the influence of plasma parameters on electrical degradation in an AlGaN/GaN heterostructure. ^[7] AlGaN/GaN heterostructures with different thicknesses of AlN interlayer (AlN-IL) were grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) system. ^[8] A GaN/InGaN double quantum well (DQW) gate structure was designed on a conventional GaN-on-Si based AlGaN/GaN heterostructure. ^[9] Considering the anisotropy of wurtzite semiconductors, the interface optical phonons in double-channel AlGaN/GaN heterostructures are investigated by using a dielectric continuous model and transfer matrix method. ^[10] The stacking of five AlGaN/GaN heterostructures yields a small sheet resistance (RSH) of 120 Ω/sq. ^[11] The compressive in-situ SiN guarantees the UTB-AlGaN/GaN heterostructure can operate a high electron density of 1. ^[12] By using multi-probe Hall devices, we characterized electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures under Ohmic metals. ^[13] We found that the Al2O3 dielectric in gate area would introduce strain and enhance the polarization effect at AlGaN/GaN heterostructure interface based on Vth characteristic analysis of the devices with different TBL thickness and material quality evaluation. ^[14] In this work, the temperature dependence of the specific contact resistance in Au-free ohmic contacts formed on AlGaN/GaN heterostructures is studied for different barrier layer characteristics, i. ^[15] Reduction of the reverse leakage current is critical to AlGaN/GaN heterostructures in high power and high frequency applications. ^[16] In this study, novel AlGaN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs) are fabricated with thin-barrier (5 nm) AlGaN/GaN heterostructures, featuring recess-free technology, eliminating bombardment plasma damage, and leading to high device uniformity. ^[17] In this work, with the help of a semi-classical two-dimensional Monte Carlo (MC) simulator, we study the DC current-voltage curves of Self-Switching Diodes (SSDs) fabricated on an AlGaN/GaN heterostructure from 100 K up to room temperature. ^[18] GaN-based transistors have been extensively studied in rigid microwave electronics for high-frequency and high-power applications due to their superior properties of AlGaN/GaN heterostructure. ^[19] In this paper, the forward and reverse current transport mechanisms in as-deposited and 400 °C annealed tungsten carbide (WC) Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures have been studied. ^[20] The technique was applied for analysis of the resonant properties of AlGaN/GaN heterostructures combined with a deeply subwavelength metallic grating, which facilitates the excitation of the two-dimensional plasmons in the terahertz (THz) frequency range. ^[21] ABSTRACT The AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with the same size were fabricated on two AlGaN/GaN heterojunction materials with different Al composition. ^[22] Here, we report on NMRs in the 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures, aiming to uncover their origins by utilizing electric field gating. ^[23] The features of the electromagnetic simulation of an SSI microwave 5-bit attenuator for the 5–15 GHz frequency range on AlGaN/GaN heterostructures are reviewed. ^[24] We fabricated and characterized metal insulator semiconductor (MIS) structures by applying amorphous AlN thin layers as a dielectric in gate recessed AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs). ^[25] This paper presents a multilayer SiNx passivation-based robust and high-reliability interface for effective suppression of current collapse effect and reduction of leakage current at AlGaN/GaN heterostructure. ^[26] First, the AlGaN/GaN heterostructure was exposed to protons with a fluence of 1 × 1015p/cm2 to investigate the relationship between the radiation-caused damage in the heterostructure and the electrical characteristics of HEMTs. ^[27] We report THz induced ratchet photocurrent in AlGaN/GaN heterostructures superimposed with asymmetric dual-grating gate structure. ^[28] Here, we present the design and fabrication of AlGaN/GaN heterostructures that constitute the active element of electron-beam pumped UV lasers. ^[29] Although the effective mass was comparable to that of AlGaN/GaN heterostructure, the mobility of 2DEG at the InGaN was drastically degraded in spite of the slight amount of indium incorporation. ^[30] The in situ RPP and PEALD-SiNx gate dielectric process are implemented into fabrication of enhancement-mode MIS-HEMTs on an ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure technology platform. ^[31] Thanks to the strong PPE effects, obvious changes in the conductivity of the 2DEG channel can be seen when applying external stress onto an AlGaN/GaN heterostructure, which promises applications in stress/strain sensors and pressure sensors. ^[32] The etching behavior of p-GaN/AlGaN/GaN heterostructures along with p-GaN/u-GaN reference samples is investigated in acidic H2SO4/H3PO4 electrolyte solution. ^[33] E-mode P-GaN/AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) of various sizes were fabricated, and their parasitic source resistance (RS) was measured. ^[34] A pre-ohmic micro-patterned recess process, is utilized to fabricate Ti/Al/Ti/TiN ohmic contact to an ultrathin-barrier (UTB) AlGaN/GaN heterostructure, featuring a significantly reduced ohmic contact resistivity of 0. ^[35] The current saturation in a gateless AlGaN/GaN heterostructure device is investigated in this letter. ^[36] Identically-sized AlGaN/GaN HFETs were fabricated on three AlGaN/GaN heterostructure with differing AlGaN barrier layer thicknesses of 15. ^[37] Before regrowth of the AlGaN/GaN heterostructure, the GaN template is treated with hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide/potassium hydroxide (H2O2/KOH) solution to promote the adsorption of Mg on the GaN surface. ^[38] We investigated the impact of selective thermal etching in a mixed hydrogen and ammonia atmosphere on the crystal quality and electrical characteristics of Ga- and N-polar AlGaN/GaN heterostructures. ^[39] Experiments, carried out by the triple Fe+ implantation into AlGaN/GaN HEMT epilayers on sapphire substrates, showed that it is possible to fabricate device isolation that is stable up to the temperatures typical for the formation of ohmic contacts to the AlGaN/GaN heterostructure. ^[40] Moreover, AlGaN/GaN heterostructure-based H2 sensors can be operated over 800 °C temperature. ^[41]
이 논문에서는 n형 GaN의 열전 특성과 AlGaN/GaN 이종구조에서 생성된 2DEG(전자기체)를 제시한다. ^[1] 그러나 AlGaN/GaN 이종구조 SBD는 2DEG 채널이 얇기 때문에 일반적으로 높은 직렬 저항을 보입니다. ^[2] 이 방법의 신뢰성은 3가지 기본 재료를 사용하여 제작된 3가지 유형의 테스트 포토다이오드에 의해 입증되었습니다. 1) B+ 이온 주입 n-Si; 2) InGaAs/InP; 및 3) 도핑되지 않은 AlGaN/GaN 헤테로구조. ^[3] 서로 맞물린 AlGaN/GaN 이종 구조는 이종 구조 인터페이스에서 전도성 채널을 분리하여 암전류를 줄이도록 설계되었습니다. ^[4] 제안된 정밀 2단계 게이트 리세스 기술을 기반으로 마이크로 히터와 통합된 현수 게이트 리세스 Pt/AlGaN/GaN 이종 구조 가스 센서가 제작되고 특성화됩니다. ^[5] 우리는 특히 드레인 전류에 중점을 둔 질화물/AlGaN/GaN 이종 구조에서 자발적 및 압전 분극에 대한 질화물 패시베이션 층 유도 응력/변형의 역할을 조사했습니다. ^[6] 이러한 한계를 해결하기 위해 우리는 AlGaN/GaN 이종구조에서 전기적 열화에 대한 플라즈마 매개변수의 영향을 연구했습니다. ^[7] 서로 다른 두께의 AlN 중간층(AlN-IL)을 갖는 AlGaN/GaN 이종 구조는 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 시스템에 의해 성장되었습니다. ^[8] GaN/InGaN 이중 양자 우물(DQW) 게이트 구조는 기존의 GaN-on-Si 기반 AlGaN/GaN 이종 구조에 설계되었습니다. ^[9] wurtzite 반도체의 이방성을 고려하여 이중 채널 AlGaN/GaN 이종 구조의 계면 광 포논은 유전체 연속 모델 및 전송 매트릭스 방법을 사용하여 조사되었습니다. ^[10] 5개의 AlGaN/GaN 이종구조를 적층하면 120Ω/sq의 작은 시트 저항(RSH)이 생성됩니다. ^[11] 압축 인-시츄 SiN은 UTB-AlGaN/GaN 헤테로구조가 1의 높은 전자 밀도를 작동할 수 있음을 보장합니다. ^[12] 다중 프로브 홀 장치를 사용하여 옴 금속에서 AlGaN/GaN 이종 구조의 전기적 특성을 특성화했습니다. ^[13] 우리는 게이트 영역의 Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> 유전체가 V<inf>th</inf를 기반으로 하는 AlGaN/GaN 이종구조 인터페이스에서 스트레인을 도입하고 분극 효과를 향상시킬 수 있음을 발견했습니다. > TBL 두께 및 재료 품질 평가가 다른 장치의 특성 분석. ^[14] 이 연구에서는 AlGaN/GaN 이종구조에 형성된 Au-free ohmic contact에서 특정 접촉 저항의 온도 의존성이 서로 다른 장벽층 특성에 대해 연구됩니다. ^[15] 역 누설 전류의 감소는 고전력 및 고주파수 응용 분야에서 AlGaN/GaN 이종 구조에 중요합니다. ^[16] 이 연구에서 새로운 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)는 얇은 장벽(5nm) AlGaN/GaN 이종 구조로 제조되며, 리세스가 없는 기술을 특징으로 하며, 충격 플라즈마 손상을 제거하고 높은 장치 균일성을 제공합니다. ^[17] 이 작업에서 반고전적인 2차원 몬테카를로(MC) 시뮬레이터의 도움으로 100K에서 최대 100K까지 AlGaN/GaN 이종구조에 제작된 자체 스위칭 다이오드(SSD)의 DC 전류-전압 곡선을 연구합니다. 실온. ^[18] GaN 기반 트랜지스터는 AlGaN/GaN 이종 구조의 우수한 특성으로 인해 고주파 및 고전력 응용 분야를 위한 강성 마이크로파 전자 장치에서 광범위하게 연구되었습니다. ^[19] 이 논문에서는 AlGaN/GaN 이종구조에서 증착된 상태 및 400°C 열처리된 텅스텐 카바이드(WC) 쇼트키 접점의 순방향 및 역방향 전류 전달 메커니즘을 연구했습니다. ^[20] 이 기술은 테라헤르츠(THz) 주파수 범위에서 2차원 플라즈몬의 여기를 촉진하는 깊은 서브파장 금속 격자와 결합된 AlGaN/GaN 이종 구조의 공진 특성 분석에 적용되었습니다. ^[21] 요약 동일한 크기의 AlGaN/GaN 이종 구조 전계 효과 트랜지스터(HFET)는 다른 Al 조성을 가진 두 개의 AlGaN/GaN 이종 접합 재료에 제작되었습니다. ^[22] 여기에서 우리는 전기장 게이팅을 활용하여 그 기원을 밝히는 것을 목표로 AlGaN/GaN 이종 구조의 2DEG에서 NMR에 대해 보고합니다. ^[23] AlGaN/GaN 이종구조에서 5-15GHz 주파수 범위에 대한 SSI 마이크로파 5비트 감쇠기의 전자기 시뮬레이션 기능을 검토합니다. ^[24] 우리는 게이트 리세스형 AlGaN/GaN 이종 구조 전계 효과 트랜지스터(HFET)의 유전체로 비정질 AlN 박막을 적용하여 금속 절연체 반도체(MIS) 구조를 제작하고 특성화했습니다. ^[25] 이 논문은 AlGaN/GaN 이종구조에서 전류 붕괴 효과를 효과적으로 억제하고 누설 전류를 줄이기 위한 다층 SiNx 패시베이션 기반의 견고하고 신뢰성이 높은 인터페이스를 제시한다. ^[26] 먼저 AlGaN/GaN 이종 구조를 플루언스 1×1015p/cm2의 양성자에 노출시켜 이종 구조의 방사선으로 인한 손상과 HEMT의 전기적 특성 사이의 관계를 조사했습니다. ^[27] 우리는 비대칭 이중 격자 게이트 구조와 중첩된 AlGaN/GaN 이종 구조에서 THz 유도 래칫 광전류를 보고합니다. ^[28] 여기에서 우리는 전자빔 펌핑 UV 레이저의 활성 요소를 구성하는 AlGaN/GaN 이종 구조의 설계 및 제조를 제시합니다. ^[29] 유효 질량은 AlGaN/GaN 이종 구조의 것과 비슷하지만 InGaN에서 2DEG의 이동도는 약간의 인듐 혼입에도 불구하고 급격히 저하되었습니다. ^[30] 현장 RPP 및 PEALD-SiNx 게이트 유전체 공정은 초박막 AlGaN/GaN 이종구조 기술 플랫폼에서 향상 모드 MIS-HEMT 제조에 구현됩니다. ^[31] 강력한 PPE 효과 덕분에 AlGaN/GaN 이종 구조에 외부 응력을 가할 때 2DEG 채널의 전도도에서 명백한 변화를 볼 수 있으며, 이는 응력/변형 센서 및 압력 센서의 응용을 약속합니다. ^[32] p-GaN/u-GaN 기준 샘플과 함께 p-GaN/AlGaN/GaN 헤테로구조의 에칭 거동은 산성 H2SO4/H3PO4 전해액에서 조사됩니다. ^[33] 다양한 크기의 E-모드 P-GaN/AlGaN/GaN 이종구조 전계효과 트랜지스터(HFET)를 제작하고 기생 소스 저항(RS)을 측정했다. ^[34] Pre-ohmic micro-patterned recess process는 0의 현저히 감소된 ohmic contact 저항을 특징으로 하는 UTB(ultrathin-barrier) AlGaN/GaN 이종구조에 대한 Ti/Al/Ti/TiN ohmic contact를 제작하는 데 사용됩니다. ^[35] 게이트리스 AlGaN/GaN 이종구조 소자의 전류 포화가 이 편지에서 조사되었습니다. ^[36] 동일한 크기의 AlGaN/GaN HFET가 15개의 서로 다른 AlGaN 장벽 층 두께를 가진 3개의 AlGaN/GaN 이종 구조에 제작되었습니다. ^[37] AlGaN/GaN 이종 구조의 재성장 전에 GaN 템플릿을 염산(HCl) 및 과산화수소/수산화칼륨(H2O2/KOH) 용액으로 처리하여 GaN 표면에서 Mg의 흡착을 촉진합니다. ^[38] 우리는 Ga 및 N 극성 AlGaN/GaN 이종 구조의 결정 품질과 전기적 특성에 대한 수소 및 암모니아 혼합 분위기에서 선택적 열 에칭의 영향을 조사했습니다. ^[39] 사파이어 기판의 AlGaN/GaN HEMT 에피층에 3중 Fe+ 주입으로 수행된 실험은 AlGaN/GaN 이종 구조에 대한 저항성 접촉 형성에 일반적으로 사용되는 온도까지 안정적인 소자 분리를 제조할 수 있음을 보여주었습니다. ^[40] 또한 AlGaN/GaN 이종구조 기반 H2 센서는 800°C 온도 이상에서 작동할 수 있습니다. ^[41]

high electron mobility 높은 전자 이동도

In this paper, we present our recent research on the demonstration of normally-OFF operation and high-performance device merits in GaN high electron mobility transistors (HEMTs), which are enabled by the employment of thin-barrier AlGaN/GaN heterostructures. ^[1] To improve the electron mobility of quantum well (QW) gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT), we investigated QW and conventional AlGaN/GaN heterostructures grown by metal organic vapor phase epitaxy. ^[2] To improve the power and RF performance of the high electron mobility transistors (HEMTs) based on AlGaN/GaN heterostructure junction, in this paper, a sandwich structure consisting of gate field plate, SiN passivation layer, and notch structure is proposed. ^[3] Devices based on AlGaN/GaN heterostructures, for example, Schottky barrier diodes (SBDs) and high electron mobility transistors (HEMTs), have been intensively investigated for applications to high-frequency and high-power areas. ^[4] In the present paper, we introduce a unified model using InAlGaN quaternary alloy in the barrier layer to analyze the performance of pH sensors based on high electron-mobility transistors (HEMTs) Our model is used to accurately calculate the threshold voltage, the sheet charge concentration and thus the drain current, in response to changes in the pH values of the electrolyte put in the gate area of the InAlGaN/GaN heterostructure based sensor. ^[5] The excellent characteristics of high electron mobility transistors based on AlGaN/GaN heterostructures rely on the properties of the substrate used for their epitaxial growth. ^[6] High electron mobility transistors (HEMTs) and Schottky barrier diodes (SBDs) based on AlGaN/GaN heterostructure have been widely studied for high-frequency and/or high-power application. ^[7]
이 논문에서 우리는 얇은 배리어 AlGaN/GaN 이종구조를 사용함으로써 가능해진 GaN 고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 normal-off 동작과 고성능 소자의 장점에 대한 최근 연구를 제시한다. ^[1] 양자우물(QW) 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 전자 이동도를 개선하기 위해 우리는 금속 유기 기상 에피택시로 성장된 QW 및 기존 AlGaN/GaN 이종 구조를 조사했습니다. ^[2] 본 논문에서는 AlGaN/GaN 이종구조 접합을 기반으로 하는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 전력 및 RF 성능을 향상시키기 위해 게이트 필드 플레이트, SiN 보호막 및 노치 구조로 구성된 샌드위치 구조를 제안합니다. ^[3] nan ^[4] nan ^[5] nan ^[6] nan ^[7]

two dimensional electron 2차원 전자

In SiN/AlGaN/GaN heterostructures, the evaluation of interface charges at the SiN/AlGaN and AlGaN/GaN interfaces is crucial since they both rule the formation of the two-dimensional electron gas (2DEG) at the AlGaN/GaN interface. ^[1] Compared to conventional AlGaN/GaN heterostructures, the high spontaneous and piezoelectric polarization of AlScN can yield to a five-time increase in sheet carrier density of the two-dimensional electron gas formed at the AlScN/GaN heterointerface. ^[2] The occurrence of the two- dimensional electron gas (2DEG) channel at AlGaN/GaN heterostructures interface makes GaN HEMTs intrinsically Normally-on devices. ^[3] Furthermore, a conventional undoped AlGaN/GaN heterostructure containing a two-dimensional electron gas was grown. ^[4] We identify the spatially resolved trapping mechanism and clarify the role of the unintentionally doped (UID) GaN layer in suppressing the two-dimensional electron gas (2DEG) degradation in AlGaN/GaN heterostructures on Si. ^[5]
SiN/AlGaN/GaN 이종구조에서 SiN/AlGaN 및 AlGaN/GaN 계면에서의 계면 전하 평가는 둘 다 AlGaN/GaN 계면에서 2차원 전자 가스(2DEG)의 형성을 지배하기 때문에 중요합니다. ^[1] 기존의 AlGaN/GaN 이종구조와 비교할 때, AlScN의 높은 자발 및 압전 분극은 AlScN/GaN 이종 계면에서 형성된 2차원 전자 가스의 시트 캐리어 밀도를 5배 증가시킬 수 있습니다. ^[2] AlGaN/GaN 이종 구조 인터페이스에서 2차원 전자 가스(2DEG) 채널의 발생은 GaN HEMT를 본질적으로 정상 켜짐 장치로 만듭니다. ^[3] nan ^[4] nan ^[5]

chemical vapor deposition 화학 기상 증착

Rapid-thermal-chemical-vapor-deposition (RT-CVD) SiN_x gate dielectric was utilized for the fabrication of enhancement-mode GaN-based metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistors (MIS-HEMTs) on ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure. ^[1] A crack free, high quality AlGaN/GaN heterostructure on a 6-inch Czochralski (Cz)-Si substrate was realized by metal oxide chemical vapor deposition (MOCVD). ^[2] The AlGaN/GaN heterostructure was grown on a sapphire (0 0 0 1) wafer by using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process. ^[3]
RT-CVD(Rapid-Thermal-Chemical Vapor Deposition) SiN_{<italic>x</italic>} 게이트 유전체는 강화 모드 GaN 기반 금속-절연체-반도체 제조에 사용되었습니다. 초박형 장벽 AlGaN/GaN 이종 구조의 전자 이동성 트랜지스터(MIS-HEMT). ^[1] 6인치 Czochralski(Cz)-Si 기판의 크랙이 없는 고품질 AlGaN/GaN 이종 구조는 MOCVD(금속 산화물 화학 기상 증착)에 의해 실현되었습니다. ^[2] nan ^[3]

metal–insulator–semiconductor high electron 금속-절연체-반도체 높은 전자

Integration of an enhancement-mode (E-mode) metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor (MIS-HEMT) with a high-performance lateral Schottky barrier controlled Schottky (LSBS) rectifier in a compact layout is fabricated on an ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure grown on Si substrate. ^[1] Monolithically integrated enhancement/depletion-mode (E/D-mode) GaN-based metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) and inverters, were fabricated on an ultrathin-barrier (UTB) AlGaN/GaN heterostructure grown on Si substrates. ^[2]
고성능 측면 쇼트키 장벽 제어 쇼트키(LSBS) 정류기와 강화 모드(E-모드) 금속-절연체-반도체 고전자 이동성 트랜지스터(MIS-HEMT)의 통합은 초박형 기판에 제작됩니다. - Si 기판 상에 성장된 장벽 AlGaN/GaN 헤테로구조. ^[1] nan ^[2]