2 Thin Film
2 박막
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2 Thin Film sentence examples within pulsed laser deposition
Herein, VO2 thin films were prepared on transparent amorphous glass substrates by inserting TiO2 buffer layers using pulsed laser deposition (PLD) technique.
여기서, PLD(Pulsed Laser Deposition) 기술을 이용하여 TiO2 버퍼층을 삽입하여 투명한 비정질 유리 기판에 VO2 박막을 제조하였다.
여기서, PLD(Pulsed Laser Deposition) 기술을 이용하여 TiO2 버퍼층을 삽입하여 투명한 비정질 유리 기판에 VO2 박막을 제조하였다.
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We fabricated β-FeSi2 thin films on the SrTiO3 single crystal by KrF-pulsed laser deposition to open a new view of integrating β-FeSi2 with non-silicon functional materials.
우리는 β-FeSi2를 비실리콘 기능성 물질과 통합하는 새로운 관점을 열기 위해 KrF 펄스 레이저 증착에 의해 SrTiO3 단결정에 β-FeSi2 박막을 제작했습니다.
우리는 β-FeSi2를 비실리콘 기능성 물질과 통합하는 새로운 관점을 열기 위해 KrF 펄스 레이저 증착에 의해 SrTiO3 단결정에 β-FeSi2 박막을 제작했습니다.
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2 Thin Film sentence examples within chemical vapor deposition
The MoS2 thin film (10-monolayers nominal thickness) was grown on a 4-inch Al2O3/high-resistivity silicon wafer by Chemical Vapor Deposition process.
MoS2 박막(10단층 공칭 두께)은 화학 기상 증착 공정에 의해 4인치 Al2O3/고저항 실리콘 웨이퍼에서 성장되었습니다.
MoS2 박막(10단층 공칭 두께)은 화학 기상 증착 공정에 의해 4인치 Al2O3/고저항 실리콘 웨이퍼에서 성장되었습니다.
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In this study, a solution-processed synthesis method was developed and successfully synthesized large-scale and uniform MoS2 thin films without using chemical vapor deposition (CVD-free).
본 연구에서는 용액공정 합성법을 개발하여 화학기상증착법(CVD-free)을 사용하지 않고 균일한 대규모 MoS2 박막 합성에 성공하였다.
본 연구에서는 용액공정 합성법을 개발하여 화학기상증착법(CVD-free)을 사용하지 않고 균일한 대규모 MoS2 박막 합성에 성공하였다.
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2 Thin Film sentence examples within atomic layer deposition
Atomic layer deposition (ALD) of SnO and SnO 2 thin films was successfully demonstrated over a wide temperature range of 70–300 °C using a divalent Sn-precursor, bis( N- ethoxy-2,2-dimethyl propanamido)tin (Sn(edpa) 2 ).
SnO 및 SnO 2 박막의 원자층 증착(ALD)은 2가 Sn 전구체인 비스(N-에톡시-2,2-디메틸 프로판아미도)주석(Sn)을 사용하여 70–300°C의 넓은 온도 범위에서 성공적으로 입증되었습니다. (edpa) 2 ).
SnO 및 SnO 2 박막의 원자층 증착(ALD)은 2가 Sn 전구체인 비스(N-에톡시-2,2-디메틸 프로판아미도)주석(Sn)을 사용하여 70–300°C의 넓은 온도 범위에서 성공적으로 입증되었습니다. (edpa) 2 ).
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Atomic layer deposition (ALD) has been the most frequently utilized deposition technique for ferroelectric doped HfO2 thin films, and the matured ALD techniques and subsequent easy doping are important advantages of ferroelectric doped HfO2 thin films compared to the conventional ferroelectrics.
ALD(Atomic Layer Deposition)는 강유전체가 도핑된 HfO2 박막에 가장 자주 사용되는 증착 기술이며, ALD 기술의 성숙과 후속 용이한 도핑은 기존의 강유전체에 비해 강유전체 도핑된 HfO2 박막의 중요한 이점입니다.
ALD(Atomic Layer Deposition)는 강유전체가 도핑된 HfO2 박막에 가장 자주 사용되는 증착 기술이며, ALD 기술의 성숙과 후속 용이한 도핑은 기존의 강유전체에 비해 강유전체 도핑된 HfO2 박막의 중요한 이점입니다.
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2 Thin Film sentence examples within x ray diffraction
X-ray diffraction pattern indicates that Ag-doped ZnO/TiO2 thin films obtain good crystallinity at high precursor concentration.
X선 회절 패턴은 Ag 도핑된 ZnO/TiO2 박막이 높은 전구체 농도에서 좋은 결정성을 얻음을 나타냅니다.
X선 회절 패턴은 Ag 도핑된 ZnO/TiO2 박막이 높은 전구체 농도에서 좋은 결정성을 얻음을 나타냅니다.
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X-ray diffraction and the Raman spectroscopy characterization confirmed the formation of the tetragonal phase of Mn3N2 thin film.
X-선 회절 및 라만 분광 특성화는 Mn3N2 박막의 정방정상 형성을 확인하였다.
X-선 회절 및 라만 분광 특성화는 Mn3N2 박막의 정방정상 형성을 확인하였다.
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2 Thin Film sentence examples within sol gel method
In this paper, undoped and Cr-doped VO2 thin films were fabricated and deposited onto Al2O3 substrates using a sol-gel method.
이 논문에서는 도핑되지 않은 VO2 박막과 Cr이 도핑된 VO2 박막을 제조하고 졸-겔 방법을 사용하여 Al2O3 기판에 증착했습니다.
이 논문에서는 도핑되지 않은 VO2 박막과 Cr이 도핑된 VO2 박막을 제조하고 졸-겔 방법을 사용하여 Al2O3 기판에 증착했습니다.
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In this study, Coumarin:TiO2 thin films synthesized by sol-gel method in different coumarin weight ratios were formed by drop casting technique on p-Si.
본 연구에서는 졸겔법으로 합성된 쿠마린:TiO2 박막을 p-Si에 드롭캐스팅 기법으로 다양한 쿠마린 중량비로 형성하였다.
본 연구에서는 졸겔법으로 합성된 쿠마린:TiO2 박막을 p-Si에 드롭캐스팅 기법으로 다양한 쿠마린 중량비로 형성하였다.
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2 Thin Film sentence examples within molecular beam epitaxy
BaSi2 thin films have been synthesized by molecular beam epitaxy with various deposition rates of Si and Ba.
BaSi2 박막은 Si 및 Ba의 다양한 증착 속도로 분자 빔 에피택시로 합성되었습니다.
BaSi2 박막은 Si 및 Ba의 다양한 증착 속도로 분자 빔 에피택시로 합성되었습니다.
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To further the present understanding of growth conditions on the quality of transition metal dichalcogenide (TMDC) thin films grown by molecular beam epitaxy (MBE), we study the effect of growth temperature and chalcogento- metal flux ratio on the chemical composition and surface morphology of synthesized WSe2 thin films.
분자빔 에피택시(MBE)에 의해 성장된 전이금속 디칼코게나이드(TMDC) 박막의 품질에 대한 성장 조건에 대한 현재 이해를 심화하기 위해 성장 온도와 칼코겐 대 금속 플럭스 비율이 화학 조성 및 표면 형태에 미치는 영향을 연구합니다. 합성된 WSe2 박막.
분자빔 에피택시(MBE)에 의해 성장된 전이금속 디칼코게나이드(TMDC) 박막의 품질에 대한 성장 조건에 대한 현재 이해를 심화하기 위해 성장 온도와 칼코겐 대 금속 플럭스 비율이 화학 조성 및 표면 형태에 미치는 영향을 연구합니다. 합성된 WSe2 박막.
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2 Thin Film sentence examples within chemical bath deposition
In this work, σ-MnO2 thin films deposited by chemical bath deposition method at three concentration of solution.
이 연구에서 σ-MnO2 박막은 3가지 농도의 용액에서 화학조 증착법에 의해 증착되었다.
이 연구에서 σ-MnO2 박막은 3가지 농도의 용액에서 화학조 증착법에 의해 증착되었다.
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Herein, the SnS2 thin films are deposited by different techniques; chemical bath deposition (CBD), dip coating (DC) and spin coating (SC).
여기에서 SnS2 박막은 다른 기술로 증착됩니다. 화학조 증착(CBD), 딥 코팅(DC) 및 스핀 코팅(SC).
여기에서 SnS2 박막은 다른 기술로 증착됩니다. 화학조 증착(CBD), 딥 코팅(DC) 및 스핀 코팅(SC).
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2 Thin Film sentence examples within spray pyrolysis technique
SnO2 thin films were deposited on glass substrates at 350 °C by spray pyrolysis technique for different deposition times (i.
SnO2 박막은 350°C에서 다양한 증착 시간(i.
SnO2 박막은 350°C에서 다양한 증착 시간(i.
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In this work, SnO2 thin films were deposited at 400 °C on Silica glass (SiO2) substrates during 30 min by spray pyrolysis technique.
이 작업에서 SnO2 박막은 스프레이 열분해 기술에 의해 30분 동안 실리카 유리(SiO2) 기판에 400°C에서 증착되었습니다.
이 작업에서 SnO2 박막은 스프레이 열분해 기술에 의해 30분 동안 실리카 유리(SiO2) 기판에 400°C에서 증착되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within reactive magnetron sputtering
Here in, hydrogen (H2) sensing behaviour of SnO2 thin films prepared using DC reactive magnetron sputtering technique by varying the cathode power are reported.
여기에서는 DC 반응성 마그네트론 스퍼터링 기법을 이용하여 음극 전력을 변화시켜 제조한 SnO2 박막의 수소(H2) 감지 거동을 보고하였다.
여기에서는 DC 반응성 마그네트론 스퍼터링 기법을 이용하여 음극 전력을 변화시켜 제조한 SnO2 박막의 수소(H2) 감지 거동을 보고하였다.
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The VO2 thin films were prepared by reactive magnetron sputtering.
반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 VO2 박막을 제조하였다.
반응성 마그네트론 스퍼터링에 의해 VO2 박막을 제조하였다.
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2 Thin Film sentence examples within atomic force microscopy
An accurate study was carried out on the prepared MoS2 thin films using optical microscopy, atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy.
제조된 MoS2 박막에 대해 광학현미경, 원자간력현미경(AFM), X선 회절(XRD), 라만 분광법을 이용하여 정확한 연구를 수행하였다.
제조된 MoS2 박막에 대해 광학현미경, 원자간력현미경(AFM), X선 회절(XRD), 라만 분광법을 이용하여 정확한 연구를 수행하였다.
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Surface roughness and hydrophilicity of PVA and PVA/$$\hbox {SiO}_{2}$$SiO2 thin films were studied by contact-angle measurements and atomic force microscopy.
PVA 및 PVA/$$\hbox {SiO}_{2}$$SiO2 박막의 표면 거칠기와 친수성은 접촉각 측정 및 원자력 현미경으로 연구되었습니다.
PVA 및 PVA/$$\hbox {SiO}_{2}$$SiO2 박막의 표면 거칠기와 친수성은 접촉각 측정 및 원자력 현미경으로 연구되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within random access memory
We synthesized two different nanostructures of rutile TiO2 (r-TiO2) thin films on a fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate at the lowest temperature reported until now and fabricated resistive random access memory (RRAM) devices with these r-TiO2 thin films having the stacking sequence of Ag/r-TiO2/FTO.
우리는 지금까지 보고된 가장 낮은 온도에서 불소 도핑된 산화주석(FTO) 기판에 루틸형 TiO2(r-TiO2) 박막의 두 가지 다른 나노구조를 합성하고 이러한 r-TiO2 박막으로 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 소자를 제작했습니다. Ag/r-TiO2/FTO의 적층 순서를 갖는다.
우리는 지금까지 보고된 가장 낮은 온도에서 불소 도핑된 산화주석(FTO) 기판에 루틸형 TiO2(r-TiO2) 박막의 두 가지 다른 나노구조를 합성하고 이러한 r-TiO2 박막으로 저항성 랜덤 액세스 메모리(RRAM) 소자를 제작했습니다. Ag/r-TiO2/FTO의 적층 순서를 갖는다.
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TiO2 thin film based devices of resistance random access memory (RRAM) was fabricated by sol-gel and spin coating technique.
저항 랜덤 액세스 메모리(RRAM)의 TiO2 박막 기반 소자는 졸-겔 및 스핀 코팅 기술로 제작되었습니다.
저항 랜덤 액세스 메모리(RRAM)의 TiO2 박막 기반 소자는 졸-겔 및 스핀 코팅 기술로 제작되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within electron beam evaporation
In this paper, oxygen ion was introduced to reduce the color center effect in MgF2 thin film deposited using electron beam evaporation with ion assistant.
본 논문에서는 이온 보조 장치와 함께 전자빔 증발을 사용하여 증착된 MgF2 박막에서 색 중심 효과를 줄이기 위해 산소 이온을 도입하였다.
본 논문에서는 이온 보조 장치와 함께 전자빔 증발을 사용하여 증착된 MgF2 박막에서 색 중심 효과를 줄이기 위해 산소 이온을 도입하였다.
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BaF2 thin films of thickness 20 nm are prepared by electron beam evaporation technique at room temperature on glass, silicon and aluminum substrates.
두께 20nm의 BaF2 박막은 유리, 실리콘 및 알루미늄 기판에 상온에서 전자빔 증발 기술에 의해 준비됩니다.
두께 20nm의 BaF2 박막은 유리, 실리콘 및 알루미늄 기판에 상온에서 전자빔 증발 기술에 의해 준비됩니다.
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2 Thin Film sentence examples within radio frequency magnetron
ZrO2 thin films were deposited on 316L stainless steel substrate by a radio-frequency magnetron sputtering system.
ZrO2 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 시스템에 의해 316L 스테인리스 스틸 기판에 증착되었습니다.
ZrO2 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 시스템에 의해 316L 스테인리스 스틸 기판에 증착되었습니다.
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Cu-doped SnO2 thin films were deposited on a glass substrate using radio frequency magnetron sputtering.
Cu가 도핑된 SnO2 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 유리 기판에 증착되었습니다.
Cu가 도핑된 SnO2 박막은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 유리 기판에 증착되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within dip coating method
Amorphous CeO2 thin films were deposited by a dip-coating method on Corning glass substrates and annealed for one hour at the temperatures ( ) of 250, 450, and 550°C in air for crystallization.
비정질 CeO2 박막을 코닝의 유리기판에 딥코팅(dip-coating) 방식으로 증착하고 공기 중에서 250, 450, 550°C의 온도( )에서 1시간 동안 열처리하여 결정화하였다.
비정질 CeO2 박막을 코닝의 유리기판에 딥코팅(dip-coating) 방식으로 증착하고 공기 중에서 250, 450, 550°C의 온도( )에서 1시간 동안 열처리하여 결정화하였다.
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A multifunctional TiO2 thin film with nipple-like structure and porous morphology was prepared by dip-coating method through varying dip-coating speed.
딥 코팅 속도를 변화시켜 딥 코팅 방법으로 젖꼭지와 같은 구조와 다공성 형태를 갖는 다기능 TiO2 박막을 제조하였다.
딥 코팅 속도를 변화시켜 딥 코팅 방법으로 젖꼭지와 같은 구조와 다공성 형태를 갖는 다기능 TiO2 박막을 제조하였다.
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2 Thin Film sentence examples within magnetron sputtering technique
The SnO 2 thin films were deposited onto glass and commercial conducting glass by pneumatic spray pyrolysis (PSP) and magnetron sputtering techniques and characterized optically and electrically.
SnO 2 박막은 PSP(pneumatic spray pyrolysis) 및 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 유리 및 상업용 전도성 유리에 증착되었으며 광학 및 전기적으로 특성화되었습니다.
SnO 2 박막은 PSP(pneumatic spray pyrolysis) 및 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 유리 및 상업용 전도성 유리에 증착되었으며 광학 및 전기적으로 특성화되었습니다.
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TiO2 thin films have been grown by the rf magnetron sputtering technique at different sputtering powers (90, 110, 130 and 150W).
TiO2 박막은 서로 다른 스퍼터링 전력(90, 110, 130 및 150W)에서 rf 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 성장되었습니다.
TiO2 박막은 서로 다른 스퍼터링 전력(90, 110, 130 및 150W)에서 rf 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 성장되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within sol gel spin
(Sb, Tb3+)-doped SnO2 thin films were deposited on monocrystalline silicon (Si) and on porous silicon (PS) layer from sol-gel spin coating method.
(Sb, Tb3+) 도핑된 SnO2 박막은 졸-겔 스핀 코팅법으로 단결정 실리콘(Si)과 다공성 실리콘(PS) 층에 증착되었다.
(Sb, Tb3+) 도핑된 SnO2 박막은 졸-겔 스핀 코팅법으로 단결정 실리콘(Si)과 다공성 실리콘(PS) 층에 증착되었다.
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In this paper, pristine and 1–10 mol% Co-doped SnO2 thin film were prepared via sol-gel spin-coating technology.
이 논문에서는 졸-겔 스핀 코팅 기술을 통해 깨끗한 1-10mol% Co-도핑된 SnO2 박막을 제조했습니다.
이 논문에서는 졸-겔 스핀 코팅 기술을 통해 깨끗한 1-10mol% Co-도핑된 SnO2 박막을 제조했습니다.
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2 Thin Film sentence examples within sol gel dip
In this work, Fe-doped TiO2 thin films with different doping levels on a glass substrate were prepared by the sol-gel dip-coating method.
이 연구에서 유리 기판에 도핑 수준이 다른 Fe 도핑된 TiO2 박막을 졸-겔 딥 코팅 방법으로 제조했습니다.
이 연구에서 유리 기판에 도핑 수준이 다른 Fe 도핑된 TiO2 박막을 졸-겔 딥 코팅 방법으로 제조했습니다.
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Nanostructures of Zn+2-doped TiO2 thin films were prepared by sol gel dip-coating method deposited on silicon substrate, the films were heated at temperature from 600 °C to 1000 °C for 2 h.
Zn+2 도핑된 TiO2 박막의 나노구조는 실리콘 기판에 증착된 졸 겔 딥 코팅 방법에 의해 제조되었으며, 박막은 600°C에서 1000°C의 온도에서 2시간 동안 가열되었습니다.
Zn+2 도핑된 TiO2 박막의 나노구조는 실리콘 기판에 증착된 졸 겔 딥 코팅 방법에 의해 제조되었으며, 박막은 600°C에서 1000°C의 온도에서 2시간 동안 가열되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within sol–gel spin coating
Nanocrystalline TiO2 and Sn-doped TiO2 thin films were prepared by sol–gel spin coating method.
나노결정질 TiO2 및 Sn이 도핑된 TiO2 박막은 졸-겔 스핀 코팅법으로 제조하였다.
나노결정질 TiO2 및 Sn이 도핑된 TiO2 박막은 졸-겔 스핀 코팅법으로 제조하였다.
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Aluminium-doped TiO2 thin films are grown by sol–gel spin-coating method, and the impact of Al doping on structural, optical, and electrical properties is investigated.
알루미늄 도핑된 TiO2 박막은 졸-겔 스핀 코팅법에 의해 성장되고, Al 도핑이 구조적, 광학적, 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다.
알루미늄 도핑된 TiO2 박막은 졸-겔 스핀 코팅법에 의해 성장되고, Al 도핑이 구조적, 광학적, 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다.
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2 Thin Film sentence examples within spin coating method
Multilayer mesoporous pure and Pd-doped SnO2 thin films had been successfully synthesized through an evaporation induced self-assembly (EISA) method using Pluronic F127 as template and deposited by an improved spin-coating method.
다층 메조다공성 순수 및 Pd 도핑 SnO2 박막은 Pluronic F127을 템플릿으로 사용하는 EISA(Evaporation induced self-assembly) 방법을 통해 성공적으로 합성되었고 개선된 스핀 코팅 방법으로 증착되었습니다.
다층 메조다공성 순수 및 Pd 도핑 SnO2 박막은 Pluronic F127을 템플릿으로 사용하는 EISA(Evaporation induced self-assembly) 방법을 통해 성공적으로 합성되었고 개선된 스핀 코팅 방법으로 증착되었습니다.
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To fabricate dye-sensitized solar cells (DSSCs), TiO2 thin films with different cycles of coating were deposited on FTO-coated glass substrates by the spin coating method.
염료감응형 태양전지(DSSC)를 제작하기 위해 FTO가 코팅된 유리 기판에 다양한 코팅 주기를 갖는 TiO2 박막을 스핀 코팅 방식으로 증착했다.
염료감응형 태양전지(DSSC)를 제작하기 위해 FTO가 코팅된 유리 기판에 다양한 코팅 주기를 갖는 TiO2 박막을 스핀 코팅 방식으로 증착했다.
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2 Thin Film sentence examples within chemical solution deposition
The chemical solution deposition of Mg(OH)2 thin films on glass substrates and their transformation to MgO by annealing in air is presented.
유리 기판에 Mg(OH)2 박막의 화학 용액 증착 및 공기 중에서 어닐링에 의한 MgO로의 변환이 제시됩니다.
유리 기판에 Mg(OH)2 박막의 화학 용액 증착 및 공기 중에서 어닐링에 의한 MgO로의 변환이 제시됩니다.
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HfO2 thin films with different praseodymium doping contents (Pr:HfO2) were fabricated by chemical solution deposition (CSD) method at ambient conditions.
다른 프라세오디뮴 도핑 함량(Pr:HfO2)을 갖는 HfO2 박막은 주변 조건에서 화학 용액 증착(CSD) 방법으로 제조되었습니다.
다른 프라세오디뮴 도핑 함량(Pr:HfO2)을 갖는 HfO2 박막은 주변 조건에서 화학 용액 증착(CSD) 방법으로 제조되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within ray photoelectron spectroscopy
X-ray photoelectron spectroscopy reveals that Ru ions exist in the tetravalent oxidation state in Ru-doped VO2 thin films.
X선 광전자 분광법은 Ru 이온이 Ru 도핑된 VO2 박막에서 4가 산화 상태로 존재함을 보여줍니다.
X선 광전자 분광법은 Ru 이온이 Ru 도핑된 VO2 박막에서 4가 산화 상태로 존재함을 보여줍니다.
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In this contribution, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM) were used to examine the adsorption of MPA on anatase- and rutile-phase forms of TiO2 thin film surfaces grown by RF magnetron sputtering.
이 기여에서 X선 광전자 분광법(XPS)과 원자력 현미경(AFM)을 사용하여 RF 마그네트론 스퍼터링에 의해 성장된 TiO2 박막 표면의 아나타제 및 루틸상 형태에 대한 MPA의 흡착을 조사했습니다.
이 기여에서 X선 광전자 분광법(XPS)과 원자력 현미경(AFM)을 사용하여 RF 마그네트론 스퍼터링에 의해 성장된 TiO2 박막 표면의 아나타제 및 루틸상 형태에 대한 MPA의 흡착을 조사했습니다.
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2 Thin Film sentence examples within high optical absorption
CuInSe2 thin films are very important semiconductor material for solar cell applications because of chemical stability, direct band gap and high optical absorption coefficient.
CuInSe2 박막은 화학적 안정성, 직접적인 밴드 갭 및 높은 광 흡수 계수로 인해 태양 전지 응용 분야에서 매우 중요한 반도체 재료입니다.
CuInSe2 박막은 화학적 안정성, 직접적인 밴드 갭 및 높은 광 흡수 계수로 인해 태양 전지 응용 분야에서 매우 중요한 반도체 재료입니다.
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These thin film samples present high optical absorption up to 99% from visible to middle infrared light region up to 5 μm, which is much broader than WO3 and WS2 thin films.
이 박막 샘플은 최대 5μm의 가시광선에서 중간 적외선 영역까지 최대 99%의 높은 광 흡수율을 나타냅니다. 이는 WO3 및 WS2 박막보다 훨씬 넓습니다.
이 박막 샘플은 최대 5μm의 가시광선에서 중간 적외선 영역까지 최대 99%의 높은 광 흡수율을 나타냅니다. 이는 WO3 및 WS2 박막보다 훨씬 넓습니다.
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2 Thin Film sentence examples within metal insulator transition
VO2 thin film with a metal-insulator transition (MIT) temperature of about 37 °C was fabricated on the 300 °C indium-tin oxide substrates, in which the evident lattice distortion was seen because the 2θ value of the as-deposited film was even smaller than that of the standard VO2(R) (110) plane.
300°C의 인듐-주석 산화물 기판 위에 금속-절연체 전이(MIT) 온도가 약 37°C인 VO2 박막을 제작했으며, 이때 증착된 필름의 2θ 값이 표준 VO2(R)(110) 평면보다 훨씬 작습니다.
300°C의 인듐-주석 산화물 기판 위에 금속-절연체 전이(MIT) 온도가 약 37°C인 VO2 박막을 제작했으며, 이때 증착된 필름의 2θ 값이 표준 VO2(R)(110) 평면보다 훨씬 작습니다.
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The experiments show that ultrathin VO2 thin films possess both a highly crystal orientation (020) and an obvious metal-insulator transition (MIT).
실험은 초박형 VO2 박막이 높은 결정 방향(020)과 명백한 금속-절연체 전이(MIT)를 모두 가지고 있음을 보여줍니다.
실험은 초박형 VO2 박막이 높은 결정 방향(020)과 명백한 금속-절연체 전이(MIT)를 모두 가지고 있음을 보여줍니다.
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2 Thin Film sentence examples within dip coating technique
Sb-doped SnO2 thin films have been deposited by the dip-coating technique.
Sb 도핑된 SnO2 박막은 딥 코팅 기술에 의해 증착되었습니다.
Sb 도핑된 SnO2 박막은 딥 코팅 기술에 의해 증착되었습니다.
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5 mg in 10 mL aqueous solution) was deposited by dip-coating technique on dip-deposited MoS2 thin film to make layer-by-layer MoS2:GO composite thin films and hence studied their electronic and electrical behaviours.
5mg in 10mL 수용액)을 침지 증착된 MoS2 박막에 침지 코팅 기술로 증착하여 층별 MoS2:GO 복합 박막을 만들고 전자 및 전기 거동을 연구했습니다.
5mg in 10mL 수용액)을 침지 증착된 MoS2 박막에 침지 코팅 기술로 증착하여 층별 MoS2:GO 복합 박막을 만들고 전자 및 전기 거동을 연구했습니다.
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2 Thin Film sentence examples within resistive switching behavior
In order to study the resistive switching behavior, WS2 thin film was grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrate via Chemical Vapor Deposition (CVD) process.
저항성 스위칭 거동을 연구하기 위해 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 통해 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 WS2 박막을 성장시켰다.
저항성 스위칭 거동을 연구하기 위해 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 통해 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 WS2 박막을 성장시켰다.
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2 Thin Film sentence examples within spin coating technique
We fabricated undoped and Cu doped TiO2 thin films by spin coating technique and employed the films as interfacial oxide layer between the Al and n-type Si to investigate the effect of temperature on the Al/TiO2/n-Si and Al/Cu:TiO2/n-Si devices.
스핀 코팅 기술로 도핑되지 않은 TiO2 박막과 Cu 도핑된 TiO2 박막을 제작하고 Al/TiO2/n-Si와 Al/Cu:TiO2에 대한 온도의 영향을 조사하기 위해 Al과 n-type Si 사이의 계면 산화물 층으로 필름을 사용했습니다. /n-Si 장치.
스핀 코팅 기술로 도핑되지 않은 TiO2 박막과 Cu 도핑된 TiO2 박막을 제작하고 Al/TiO2/n-Si와 Al/Cu:TiO2에 대한 온도의 영향을 조사하기 위해 Al과 n-type Si 사이의 계면 산화물 층으로 필름을 사용했습니다. /n-Si 장치.
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2 Thin Film sentence examples within structural morphological optical
The structural, morphological, optical and electrical properties of the deposited TiO2 thin films were investigated by using X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, UV–Visible spectroscopy, Hall effect and temperature dependent resistivity measurements, respectively.
증착된 TiO2 박막의 구조적, 형태적, 광학적 및 전기적 특성은 각각 X선 회절, 전계 방출 주사 전자 현미경, UV-가시광선 분광법, 홀 효과 및 온도 의존 저항 측정을 사용하여 조사되었습니다.
증착된 TiO2 박막의 구조적, 형태적, 광학적 및 전기적 특성은 각각 X선 회절, 전계 방출 주사 전자 현미경, UV-가시광선 분광법, 홀 효과 및 온도 의존 저항 측정을 사용하여 조사되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within transform infrared spectroscopy
Fourier transform infrared spectroscopy is employed to investigate the temperature-dependent optical properties of the prepared VO2 thin films.
푸리에 변환 적외선 분광법은 준비된 VO2 박막의 온도 의존적 광학 특성을 조사하기 위해 사용됩니다.
푸리에 변환 적외선 분광법은 준비된 VO2 박막의 온도 의존적 광학 특성을 조사하기 위해 사용됩니다.
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2 Thin Film sentence examples within optical absorption coefficient
Experimental results pointed out that the surface defects generated by lattice mismatch between films and substrates, residual melt in surface defects and difference in intrinsic optical absorption coefficient (α) were the key factors affecting LIDT of (BiTm)3(GaFe)5O12 thin films.
실험 결과는 (BiTm)3(GaFe)5O12 박막의 LIDT에 영향을 미치는 주요 요인으로 필름과 기판 사이의 격자 불일치, 표면 결함의 잔류 용융물 및 고유 광흡수 계수(α)의 차이로 인해 발생하는 표면 결함이 지적되었습니다.
실험 결과는 (BiTm)3(GaFe)5O12 박막의 LIDT에 영향을 미치는 주요 요인으로 필름과 기판 사이의 격자 불일치, 표면 결함의 잔류 용융물 및 고유 광흡수 계수(α)의 차이로 인해 발생하는 표면 결함이 지적되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within Sno 2 Thin Film
Atomic layer deposition (ALD) of SnO and SnO 2 thin films was successfully demonstrated over a wide temperature range of 70–300 °C using a divalent Sn-precursor, bis( N- ethoxy-2,2-dimethyl propanamido)tin (Sn(edpa) 2 ).
SnO 및 SnO 2 박막의 원자층 증착(ALD)은 2가 Sn 전구체인 비스(N-에톡시-2,2-디메틸 프로판아미도)주석(Sn)을 사용하여 70–300°C의 넓은 온도 범위에서 성공적으로 입증되었습니다. (edpa) 2 ).
SnO 및 SnO 2 박막의 원자층 증착(ALD)은 2가 Sn 전구체인 비스(N-에톡시-2,2-디메틸 프로판아미도)주석(Sn)을 사용하여 70–300°C의 넓은 온도 범위에서 성공적으로 입증되었습니다. (edpa) 2 ).
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The SnO 2 thin films were deposited onto glass and commercial conducting glass by pneumatic spray pyrolysis (PSP) and magnetron sputtering techniques and characterized optically and electrically.
SnO 2 박막은 PSP(pneumatic spray pyrolysis) 및 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 유리 및 상업용 전도성 유리에 증착되었으며 광학 및 전기적으로 특성화되었습니다.
SnO 2 박막은 PSP(pneumatic spray pyrolysis) 및 마그네트론 스퍼터링 기술에 의해 유리 및 상업용 전도성 유리에 증착되었으며 광학 및 전기적으로 특성화되었습니다.
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2 Thin Film sentence examples within Tio 2 Thin Film
Herein, TiO 2 thin films were deposited in a polyvinyl pyrolidon medium by the chemical bath deposition technique at 65 °C.
여기서, TiO 2 박막은 65℃에서 화학조 증착 기술에 의해 폴리비닐 피롤리돈 매질에 증착되었다.
여기서, TiO 2 박막은 65℃에서 화학조 증착 기술에 의해 폴리비닐 피롤리돈 매질에 증착되었다.
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The purpose of this study is to determine the effect of annealing temperature growth on Fe-TiO 2 thin film photoactivity.
이 연구의 목적은 Fe-TiO 2 박막 광활성에 대한 열처리 온도 성장의 영향을 확인하는 것입니다.
이 연구의 목적은 Fe-TiO 2 박막 광활성에 대한 열처리 온도 성장의 영향을 확인하는 것입니다.
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2 Thin Film sentence examples within Vo 2 Thin Film
Temperature-dependent spectroscopic ellipsometry measurements, combined with AFM investigations, have been performed to reveal the interplay between the structural and electronic phase transitions during the insulator-to-metal transition in VO 2 thin films with different thicknesses.
AFM 조사와 결합된 온도 의존 분광 타원 측정법은 두께가 다른 VO 2 박막에서 절연체에서 금속으로의 전이 동안 구조적 및 전자적 상전이 사이의 상호작용을 밝히기 위해 수행되었습니다.
AFM 조사와 결합된 온도 의존 분광 타원 측정법은 두께가 다른 VO 2 박막에서 절연체에서 금속으로의 전이 동안 구조적 및 전자적 상전이 사이의 상호작용을 밝히기 위해 수행되었습니다.
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This work reports controllable preparation of VO 2 films with different polymorphs (B and M) optimizing physical and thermochromic properties of VO 2 thin films on amorphous glass via controlling the substrate temperature.
이 연구는 기판 온도 제어를 통해 비정질 유리에서 VO 2 박막의 물리적 및 열변색 특성을 최적화하는 다양한 다형체(B 및 M)를 갖는 VO 2 필름의 제어 가능한 준비를 보고합니다.
이 연구는 기판 온도 제어를 통해 비정질 유리에서 VO 2 박막의 물리적 및 열변색 특성을 최적화하는 다양한 다형체(B 및 M)를 갖는 VO 2 필름의 제어 가능한 준비를 보고합니다.
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2 Thin Film sentence examples within 2 thin film solar
Al, Al/Cu and Cu/Al which were utilized to investigate the metal sandwich layer oriented efficiency enhancement superiority on CuInGaSe2 thin film solar cells.
Al, Al/Cu, Cu/Al은 CuInGaSe2 박막 태양전지에 대한 금속 샌드위치층 지향 효율 향상 우월성을 조사하기 위해 활용되었다.
Al, Al/Cu, Cu/Al은 CuInGaSe2 박막 태양전지에 대한 금속 샌드위치층 지향 효율 향상 우월성을 조사하기 위해 활용되었다.